JPS58155322A - 温度検出器 - Google Patents
温度検出器Info
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- JPS58155322A JPS58155322A JP3897282A JP3897282A JPS58155322A JP S58155322 A JPS58155322 A JP S58155322A JP 3897282 A JP3897282 A JP 3897282A JP 3897282 A JP3897282 A JP 3897282A JP S58155322 A JPS58155322 A JP S58155322A
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- JP
- Japan
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- temperature
- magnetic
- thermoamorphous
- insulating base
- base material
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/36—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using magnetic elements, e.g. magnets, coils
- G01K7/38—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using magnetic elements, e.g. magnets, coils the variations of temperature influencing the magnetic permeability
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の所定温度を境に電気出力にステップ状の
状態変化を示す温度検出器に関する。
状態変化を示す温度検出器に関する。
一般に電気信号処理が可能な温度検出器としては、サー
ミスタ、バイメタルスイッチ、サーモフェライト（リー
ドスイッチとの組合せ）、温度ヒユーズ等が知られてい
るが、サーミスタは素子個々の特性のばらつきが大きく
、しかも信号処理回踏がかなり複雑になる。また振動や
衝撃に弱い、バイメタルスイッチも形状のわずかなばら
つきで応答温度がかなり大きくばらつき、調整や設定が
わずられしく、振動や衝撃によりチャタリングを生ずる
などの問題がある。サーモフェライトを用いるものでも
リードスイッチが振動や衝撃に弱いため組込時に破損す
る二とがある。特にエンジン、車輌等の組立時に高パワ
ーのインパクトレンチを使用する場合には、その衝撃で
、サーミスタやリードスイッチが損傷する二とがあり、
これらの取扱いが難かしい、温度ヒユーズは消耗タイプ
であるので、繰り返し制御用には使用し得ない。
ミスタ、バイメタルスイッチ、サーモフェライト（リー
ドスイッチとの組合せ）、温度ヒユーズ等が知られてい
るが、サーミスタは素子個々の特性のばらつきが大きく
、しかも信号処理回踏がかなり複雑になる。また振動や
衝撃に弱い、バイメタルスイッチも形状のわずかなばら
つきで応答温度がかなり大きくばらつき、調整や設定が
わずられしく、振動や衝撃によりチャタリングを生ずる
などの問題がある。サーモフェライトを用いるものでも
リードスイッチが振動や衝撃に弱いため組込時に破損す
る二とがある。特にエンジン、車輌等の組立時に高パワ
ーのインパクトレンチを使用する場合には、その衝撃で
、サーミスタやリードスイッチが損傷する二とがあり、
これらの取扱いが難かしい、温度ヒユーズは消耗タイプ
であるので、繰り返し制御用には使用し得ない。
そこで本出願人は、感温磁性体（サーモフェライト、サ
ーモアモーブアス等）を用い、それに巻回した検出コイ
ルのインピーダンスが感温磁性体の磁性変化により急変
することを利用して温度を検知するようにした温度検出
器（特願昭５６−１１２５５２号）およびそれを改良し
た温度検出器（特願昭５６−１９７４３９号）を提案し
た。しかしながらこの種の温度検出器においては、それ
において用いた感温磁性体によって定まる特定の１点の
温度（キューリ一点の温度）に対して高いか低いかの検
出のみ１．かできないため、特定の用途にしか使用でき
ない。
ーモアモーブアス等）を用い、それに巻回した検出コイ
ルのインピーダンスが感温磁性体の磁性変化により急変
することを利用して温度を検知するようにした温度検出
器（特願昭５６−１１２５５２号）およびそれを改良し
た温度検出器（特願昭５６−１９７４３９号）を提案し
た。しかしながらこの種の温度検出器においては、それ
において用いた感温磁性体によって定まる特定の１点の
温度（キューリ一点の温度）に対して高いか低いかの検
出のみ１．かできないため、特定の用途にしか使用でき
ない。
本発明の第１の目的は、複数点の温度を検出しうる汎用
性の高い温度検出器を提供する二とであり、第２の目的
は、耐震・耐衝撃性に優れ検出精度の高い温度検出器を
提供することである。
性の高い温度検出器を提供する二とであり、第２の目的
は、耐震・耐衝撃性に優れ検出精度の高い温度検出器を
提供することである。
上記目的を達成するために本発明においては、電気コイ
ルパターンを形成したプリント基材のコイルに、それぞ
れ異なる温度を境に磁性に変化を示す磁性体を鎖交させ
た、複数の組体を積層し、それらの電気コイルを互いに
接続して、その電気回路のインピーダンスから複数点の
温度を検出する。
ルパターンを形成したプリント基材のコイルに、それぞ
れ異なる温度を境に磁性に変化を示す磁性体を鎖交させ
た、複数の組体を積層し、それらの電気コイルを互いに
接続して、その電気回路のインピーダンスから複数点の
温度を検出する。
プリント基材はフィルム状のもの等も使用できるので各
々の組体は小型にでき、また組体の積層数。
々の組体は小型にでき、また組体の積層数。
種類の選択により温度検出特性を自由に設定する二とが
できる。
できる。
本発明の好ましい実施例においては、感温磁性体として
サーモアモーファスリボンを用いる。サーモアモーファ
スリボンはその合金組成により略３０〜１２０℃の範囲
のある温度にキューリ一点を設定しうる。たとえば、キ
ューリ一点が３０”Ｃであるサーモアモーファスリボン
では、温度が３０℃未満では飽和磁束密度が高いが、３
０℃以上では飽和磁束密度が極端に低下する。これは反
復性がある。これにより、サーモアモーファスリボンに
巻回した電気コイルのインピーダンスは３０℃未満では
高いが３０℃以上で極めて低い。したがってたとえば、
キューリ一点がそれぞれ３０，４０゜５０および６０℃
のサーモアモーファスリボンにそれぞれ電気コイルを巻
回すれば、各電気コイルのインピーダンスはそれぞれ３
０，４０，５０および６０℃で変化するから、それらの
電気コイルを直列接続、並列接続等にすれば、その回路
の合成インピーダンスは３０，４０，５０および６０℃
でステップ状に変化する。サーモアモーファスリボンは
極く薄く数μのオーダであり、電気コイルとの磁気結合
が弱いので、サーモアモーファスリボンはうず巻状ある
いはリング状に積層して中空コアとし、閉磁路を形成さ
せるのが望ましい。
サーモアモーファスリボンを用いる。サーモアモーファ
スリボンはその合金組成により略３０〜１２０℃の範囲
のある温度にキューリ一点を設定しうる。たとえば、キ
ューリ一点が３０”Ｃであるサーモアモーファスリボン
では、温度が３０℃未満では飽和磁束密度が高いが、３
０℃以上では飽和磁束密度が極端に低下する。これは反
復性がある。これにより、サーモアモーファスリボンに
巻回した電気コイルのインピーダンスは３０℃未満では
高いが３０℃以上で極めて低い。したがってたとえば、
キューリ一点がそれぞれ３０，４０゜５０および６０℃
のサーモアモーファスリボンにそれぞれ電気コイルを巻
回すれば、各電気コイルのインピーダンスはそれぞれ３
０，４０，５０および６０℃で変化するから、それらの
電気コイルを直列接続、並列接続等にすれば、その回路
の合成インピーダンスは３０，４０，５０および６０℃
でステップ状に変化する。サーモアモーファスリボンは
極く薄く数μのオーダであり、電気コイルとの磁気結合
が弱いので、サーモアモーファスリボンはうず巻状ある
いはリング状に積層して中空コアとし、閉磁路を形成さ
せるのが望ましい。
アモーファスリボンは液相金属を急冷して作らざるを得
ないため薄板であり、しかも磁気的には飽和磁化が大き
く、保磁力が小さい。機械的には破断強さが極めて大き
く、弾力性および復元性に優れる。したがって検出器は
耐震性および耐衝撃性が高いものになる。また、しきい
恒温度は組成で一義的に定まり、リボンの形状には依存
しない。
ないため薄板であり、しかも磁気的には飽和磁化が大き
く、保磁力が小さい。機械的には破断強さが極めて大き
く、弾力性および復元性に優れる。したがって検出器は
耐震性および耐衝撃性が高いものになる。また、しきい
恒温度は組成で一義的に定まり、リボンの形状には依存
しない。
したがって検出器側々の応答温度のばらつきは無く特性
が安定する。
が安定する。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１ａ図は一実施例の検出端を示す縦断面図、第１ｂ図
および第１ｃ図はそれぞれ検出端の１つの検出素子ｌを
示す正面図および平面図である。第１ａ図、第１ｂ図お
よび第１ｃ図を参照して説明する。検出素子１（ｌａ〜
１ｆの１つ）の概要を説明すると、検出素子１は絶縁基
板２と、その表面および裏面に形成した導体パターン３
、および絶縁基板２の中心部を貫通する磁性体４で構成
しである。導体パターン３は、予じめ絶縁基板２に接着
した銅箔をエツチングして形成してあり、第ｉｂ図およ
び第１ｃ図に示すように絶縁基板２の外側に形成した端
子５からうす巻き状に反時計方向に向けて形成してあり
、絶縁基板２の中心部に設けたスリット状の穴２ａの近
くで、スルホール３ａを通して裏面に接続し、裏面で外
側に向けて反時計方向にのび、ちょうど端子５の裏側の
位置に形成した端子６に接続している。磁性体４はサー
モアモーファスリボンを穴２ａに通し、数回者いて積層
して固着したものであるが、各検出素子１ａ、ｔｂ、ｌ
ｃ、ｌｄ、ｌｅおよびｉｆに装着した磁性体４ａ、４ｂ
、４ｃ、４ｄ、４’ｅおよび４ｆには、それぞれキュー
リ一点が４０．５０，６０．７０．８０および９０℃の
サーモアモーファスリボンを用いている。各検出素子１
ａ、Ｉｂ。
および第１ｃ図はそれぞれ検出端の１つの検出素子ｌを
示す正面図および平面図である。第１ａ図、第１ｂ図お
よび第１ｃ図を参照して説明する。検出素子１（ｌａ〜
１ｆの１つ）の概要を説明すると、検出素子１は絶縁基
板２と、その表面および裏面に形成した導体パターン３
、および絶縁基板２の中心部を貫通する磁性体４で構成
しである。導体パターン３は、予じめ絶縁基板２に接着
した銅箔をエツチングして形成してあり、第ｉｂ図およ
び第１ｃ図に示すように絶縁基板２の外側に形成した端
子５からうす巻き状に反時計方向に向けて形成してあり
、絶縁基板２の中心部に設けたスリット状の穴２ａの近
くで、スルホール３ａを通して裏面に接続し、裏面で外
側に向けて反時計方向にのび、ちょうど端子５の裏側の
位置に形成した端子６に接続している。磁性体４はサー
モアモーファスリボンを穴２ａに通し、数回者いて積層
して固着したものであるが、各検出素子１ａ、ｔｂ、ｌ
ｃ、ｌｄ、ｌｅおよびｉｆに装着した磁性体４ａ、４ｂ
、４ｃ、４ｄ、４’ｅおよび４ｆには、それぞれキュー
リ一点が４０．５０，６０．７０．８０および９０℃の
サーモアモーファスリボンを用いている。各検出素子１
ａ、Ｉｂ。
ｌｅ、ｌｄ、ｌｅおよび１ｆは同一の方Ｉに向けて積層
し、ケーシング７に入れである。端子５゜６の厚みと磁
性体４の厚みとはほぼ等しくしてあり、サーモアモーフ
ァスリボンは弾力性があるので、磁性体４は第１ｂ図に
二点鎖線で示すような形状になるが、ふた８で押し付け
て力を加えたときの全体の厚みｄ２が、端子５，６の部
分の厚みｄｉとほぼ等しくなるようにしである。検出素
子ｌａ、ｌｂ、ｌｃ、ｌｄ、ｌｅおよびｉｆはそれぞれ
隣り合ったものの端子５と６を互いに接触させてあり、
１ａの端子６および１ｆの端子５には、それぞれ導体９
および１０を介してリード１１および１２を接続しであ
る。第２ａ図に一実施例の回路構成を示す。第２ａ図を
参照して説明する。
し、ケーシング７に入れである。端子５゜６の厚みと磁
性体４の厚みとはほぼ等しくしてあり、サーモアモーフ
ァスリボンは弾力性があるので、磁性体４は第１ｂ図に
二点鎖線で示すような形状になるが、ふた８で押し付け
て力を加えたときの全体の厚みｄ２が、端子５，６の部
分の厚みｄｉとほぼ等しくなるようにしである。検出素
子ｌａ、ｌｂ、ｌｃ、ｌｄ、ｌｅおよびｉｆはそれぞれ
隣り合ったものの端子５と６を互いに接触させてあり、
１ａの端子６および１ｆの端子５には、それぞれ導体９
および１０を介してリード１１および１２を接続しであ
る。第２ａ図に一実施例の回路構成を示す。第２ａ図を
参照して説明する。
Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｅ、Ｌｄ、ＬｅおよびＬｆは、それぞれ
各検出素子１ａ、Ｉｂ、Ｌｃ、ｌｄ、ｌｅおよび１ｆの
導体パターン３のコイルと磁性体４ａ、 ４ｂ、４ｃ、
４ｄ＊ ４ｅおよび４ｆで形成されるインダクタンスで
あり、これらのインダクタンスは加算されるように直列
接続されている。１３はパルス発振器、１４はバッファ
アンプとして介挿したインバータである。インバータ１
４の出力端にはり一ド１１を接続してあり、リード１２
の一端は抵抗Ｒ１を介して電源（＋ Ｖｃｃ）に接続し
である。またリード１２の一端には、ダイオードＤＩの
アノードを接続してあり、ＤＩのカソードとアースの間
には平滑用のコンデンサＣを接続しである。Ｄｌのカソ
ードが出力端である。
各検出素子１ａ、Ｉｂ、Ｌｃ、ｌｄ、ｌｅおよび１ｆの
導体パターン３のコイルと磁性体４ａ、 ４ｂ、４ｃ、
４ｄ＊ ４ｅおよび４ｆで形成されるインダクタンスで
あり、これらのインダクタンスは加算されるように直列
接続されている。１３はパルス発振器、１４はバッファ
アンプとして介挿したインバータである。インバータ１
４の出力端にはり一ド１１を接続してあり、リード１２
の一端は抵抗Ｒ１を介して電源（＋ Ｖｃｃ）に接続し
である。またリード１２の一端には、ダイオードＤＩの
アノードを接続してあり、ＤＩのカソードとアースの間
には平滑用のコンデンサＣを接続しである。Ｄｌのカソ
ードが出力端である。
第２ｂ図に第２ａ図の各部の波形を示す。第２ｂ図のＶ
ａ ｌおよびＶａｈはそれぞれ電気コイル（Ｌａ）の
端子間電位差Ｖａの、温度が４０℃（４，ａのキューリ
一点）よりも低いときと高いときの波形である。パルス
発振器１３の出力が高レベルＨのときはインバータ１４
の出力が低レベルＬとなり、電気コイル（Ｌａ）に抵抗
Ｒ１を介して電流が流れて電位差が発生し、パルス発振
［１１３の出力がＬのときはインバータ１４の出力がＨ
となって電流は流れず電位差は０になる。温度がキュー
リ一点未満ではサーモアモーファスリボンの飽和磁束密
度が高く電気コイルに電流を流してもサーモアモーファ
スリボンは飽和磁束密度に達しないので５その電気コイ
ルのインピーダンスが高く電位差Ｖａｌは大きいが、温
度がキューリ一点以上になると、サーモアモーファスリ
ボンの飽和磁束密度が小さくなり、電気コイルに電流が
流れたときに、サーモアモーファスリボンが飽和磁束密
度に達し、電気コイルのインピーダンスが低下して電位
差Ｖａｈは／Ｉ％さくなる。所定の電流を電気コイルに
流したとき（インバータ１４の出力端がＬになったとき
）の電気コイルのインピーダンスと温度との関係を第２
ｃ図に示す。Ｔｅｌ、Ｔｃ２．Ｔｃ３．Ｔｃ４．Ｔｃ５
およびＴｃ６は各サーモアモーファスリボン４ａ、’
４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄ、 ４ｅおよび４ｆのキューリ一
点である。第２ａ図を参照すると、出力端ＯＵＴには、
電圧Ｖａｌ （又はＶａｈ）相当の各電気コイルの電位
差を合わせた電圧を整流し平滑した電圧が現われるので
、全電気コイルのインピーダンスが高ければ出力端の電
圧はそれに応じた高い電圧となるが、温度が特定のキュ
ーリ一点以上になると、特定の電気コイルのインピーダ
ンスが急激に低下して、出力端の電圧はステップ状に低
下する。つまり出力端の電圧は、第２Ｃ図に点線で示す
電気コイル全体のインピーダンスのカーブのように、所
定の温度でステップ状に変化する。したがって、出力端
の電圧から温度を検出しうる。
ａ ｌおよびＶａｈはそれぞれ電気コイル（Ｌａ）の
端子間電位差Ｖａの、温度が４０℃（４，ａのキューリ
一点）よりも低いときと高いときの波形である。パルス
発振器１３の出力が高レベルＨのときはインバータ１４
の出力が低レベルＬとなり、電気コイル（Ｌａ）に抵抗
Ｒ１を介して電流が流れて電位差が発生し、パルス発振
［１１３の出力がＬのときはインバータ１４の出力がＨ
となって電流は流れず電位差は０になる。温度がキュー
リ一点未満ではサーモアモーファスリボンの飽和磁束密
度が高く電気コイルに電流を流してもサーモアモーファ
スリボンは飽和磁束密度に達しないので５その電気コイ
ルのインピーダンスが高く電位差Ｖａｌは大きいが、温
度がキューリ一点以上になると、サーモアモーファスリ
ボンの飽和磁束密度が小さくなり、電気コイルに電流が
流れたときに、サーモアモーファスリボンが飽和磁束密
度に達し、電気コイルのインピーダンスが低下して電位
差Ｖａｈは／Ｉ％さくなる。所定の電流を電気コイルに
流したとき（インバータ１４の出力端がＬになったとき
）の電気コイルのインピーダンスと温度との関係を第２
ｃ図に示す。Ｔｅｌ、Ｔｃ２．Ｔｃ３．Ｔｃ４．Ｔｃ５
およびＴｃ６は各サーモアモーファスリボン４ａ、’
４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄ、 ４ｅおよび４ｆのキューリ一
点である。第２ａ図を参照すると、出力端ＯＵＴには、
電圧Ｖａｌ （又はＶａｈ）相当の各電気コイルの電位
差を合わせた電圧を整流し平滑した電圧が現われるので
、全電気コイルのインピーダンスが高ければ出力端の電
圧はそれに応じた高い電圧となるが、温度が特定のキュ
ーリ一点以上になると、特定の電気コイルのインピーダ
ンスが急激に低下して、出力端の電圧はステップ状に低
下する。つまり出力端の電圧は、第２Ｃ図に点線で示す
電気コイル全体のインピーダンスのカーブのように、所
定の温度でステップ状に変化する。したがって、出力端
の電圧から温度を検出しうる。
第３ａ図にもう１つの実施例の電気回路の構成に示す。
第３ａ図の回路は基本的にはコルピッツ発振回路であり
１発振要素であるインダクタンスは、前記実施例と同一
の構成とした検出素子を４つ直列接続して構成しである
。第３ｂ図のグラフにその実施例の出力端ＯＵＴに現わ
れる信号の周波数と温度との関係を示す。コルピッツ発
振回路の発振周波数は次式で表わされる。
１発振要素であるインダクタンスは、前記実施例と同一
の構成とした検出素子を４つ直列接続して構成しである
。第３ｂ図のグラフにその実施例の出力端ＯＵＴに現わ
れる信号の周波数と温度との関係を示す。コルピッツ発
振回路の発振周波数は次式で表わされる。
ｆ＝（１／２π）Ｘ Ｃ＋ＣＬＣＩＣインダクタンス
しすなわちＬａ＋Ｌｂ＋Ｌｃ＋Ｌｄは温度に応じてステ
ップ状に変化するので、発振周波数もステップ状に変化
する。
しすなわちＬａ＋Ｌｂ＋Ｌｃ＋Ｌｄは温度に応じてステ
ップ状に変化するので、発振周波数もステップ状に変化
する。
以上のとおり本発明によれば、複数の監視温度を設定で
き、しかも小型に構成しうるので汎用性の高い温度検出
器を提供しうる。なお、磁性体にサーモアモーファスリ
ボンを用いれば、検出端の熱容量を小さくでき、第１ａ
図に示したように各検出素子の磁性体を互いに接触させ
れば熱の伝達が良くなり、応答性を高める二とができる
。
き、しかも小型に構成しうるので汎用性の高い温度検出
器を提供しうる。なお、磁性体にサーモアモーファスリ
ボンを用いれば、検出端の熱容量を小さくでき、第１ａ
図に示したように各検出素子の磁性体を互いに接触させ
れば熱の伝達が良くなり、応答性を高める二とができる
。
第１ａ図は本発明の一実施例の検出端を示す縦断面図、
第１ｂ図および第１ｅ図は１つの検出素子を示す正面図
および平面図、第２ａ図は一実施例の回路構成を示す電
気回路図、第２ｂ図は回路各部の電圧を示す波形図、第
２ｃ図は検出素子の電気コイルのインピーダンスと温度
の関係を示すグラフである。第３ａ図はもうｉつの実施
例を示す回路図、第３ｂ図はその回路の発振周波数と温
度の関係を示すグラフである。 １：検出素子（組体） ２：絶縁基板 ３：導体パターン ４：磁性体 ５．６：端子 ７ケーシング ８：ふた ９，１０：導体１１．１２：リ
ード １３：パルス発振回路弔３ａｌｌｋ 弔１ｂＶ 第１ｃＶ
第１ｂ図および第１ｅ図は１つの検出素子を示す正面図
および平面図、第２ａ図は一実施例の回路構成を示す電
気回路図、第２ｂ図は回路各部の電圧を示す波形図、第
２ｃ図は検出素子の電気コイルのインピーダンスと温度
の関係を示すグラフである。第３ａ図はもうｉつの実施
例を示す回路図、第３ｂ図はその回路の発振周波数と温
度の関係を示すグラフである。 １：検出素子（組体） ２：絶縁基板 ３：導体パターン ４：磁性体 ５．６：端子 ７ケーシング ８：ふた ９，１０：導体１１．１２：リ
ード １３：パルス発振回路弔３ａｌｌｋ 弔１ｂＶ 第１ｃＶ
Claims (4)
- （１） うず巻状に導体パターンを形成した絶縁基材
、および絶縁基材の導体パターンと鎖交する関係に絶縁
基材を貫通する、組成により定まる所ン定の温度を境に
磁性に変化を示す磁性体を有する組体であって、それぞ
れ異なる温度を境に磁性に変化を示す磁性体を有する複
数の組体を積層し、それぞれの組体の導体パターンを互
、いに電気的に接続してなる温度検出手段、および温度
検出手段のインピーダンスに応じた電気信号を出力する
電気回路を備える、温度検出器。 - （２）磁性体をサーモアモーファス磁性体とした、前記
特許請求の範囲第（１）項記載の温度検出器。 - （３）各温度検出手段の磁性体を互いに機械的に接触さ
せた、前記特許請求の範囲第（１）項記載の温度検出器
。 - （４）各組体の導体パターンを直列接続した、前記特許
請求の範囲第（１）項記載の温度検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3897282A JPS58155322A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 温度検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3897282A JPS58155322A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 温度検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155322A true JPS58155322A (ja) | 1983-09-16 |
Family
ID=12540064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3897282A Pending JPS58155322A (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 温度検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155322A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007134061A3 (en) * | 2006-05-09 | 2008-09-12 | Thermal Solutions Inc | Magnetic element temperature sensors |
| US7794142B2 (en) | 2006-05-09 | 2010-09-14 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
| US8192080B2 (en) | 2007-01-23 | 2012-06-05 | Tsi Technologies Llc | Microwire-controlled autoclave and method |
| US8258441B2 (en) | 2006-05-09 | 2012-09-04 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
-
1982
- 1982-03-12 JP JP3897282A patent/JPS58155322A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007134061A3 (en) * | 2006-05-09 | 2008-09-12 | Thermal Solutions Inc | Magnetic element temperature sensors |
| US7794142B2 (en) | 2006-05-09 | 2010-09-14 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
| US8258441B2 (en) | 2006-05-09 | 2012-09-04 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
| US8192080B2 (en) | 2007-01-23 | 2012-06-05 | Tsi Technologies Llc | Microwire-controlled autoclave and method |
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