JPS5815463B2 - 窒化ケイ素質焼結体の製法 - Google Patents

窒化ケイ素質焼結体の製法

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Publication number
JPS5815463B2
JPS5815463B2 JP53109652A JP10965278A JPS5815463B2 JP S5815463 B2 JPS5815463 B2 JP S5815463B2 JP 53109652 A JP53109652 A JP 53109652A JP 10965278 A JP10965278 A JP 10965278A JP S5815463 B2 JPS5815463 B2 JP S5815463B2
Authority
JP
Japan
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silicon nitride
powder
weight
sintered body
parts
Prior art date
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Expired
Application number
JP53109652A
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English (en)
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JPS5537442A (en
Inventor
井上寛
宮野正
西田勝利
柘植章彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は窒化ケイ素を主成分とする焼結体の製造方法に
関する。
窒化ケイ素質焼結体は強度、耐熱性、耐
熱衝撃性、耐食性などの点で優れた特徴を有する耐熱材
料としてガスタービンエンジン用部材、内燃機関用部材
、金属・合金の溶融容器、ガラス成形用ジグ、耐熱ポン
プなど広範囲に応用される可能性があり、多くの研究開
発が進められている。
この窒化ケイ素質焼精体は通常粉末材料に焼結助剤を加
えて成形し、焼結して製造される。
そして特に機械構造部品として使用されるときには、そ
の作動環境がきびしく、殊に高速回転部材においてはそ
の信頼性の点から高密度であり高強度であり、かつ部品
ごとのバラツキのないことが要求される。
本発明者らはこの点の解決のために窒化ケイ素粉末自体
に検討を加えた結果、5i02−C系にSi、SiC,
5isN4などの少なくとも一種を添加配合したもの(
混合物)に還元・窒化処理を施して生成せしめた帯α型
窒化ケイ素粉末(α型Si3N4の含有率が高い)を用
いた場合に焼結性が向上し、ロット間のバラツキが少な
く信頼性も向上するこへを見出した。
本発明は上記高α型窒化ケイ素粉末を用いて焼結体を得
るにあたり、その成形後焼結に至るプロセスを検討した
結果得られたものである。
すなわち、本発明では上記の高α型窒化ケイ素粉末にイ
ツトリアとアルミナを添加混合した粉末を用いて、成形
後予備加熱処理を施し、しかるのち焼結するのである。
この本発明方法によると、予備加熱処理なしで成形後直
ちに焼結した場合に比べ強度の向上が見られたのである
本発明に使用するイツトリアとアルミナに加えて、更に
、従来すでに知られている添加物を併用することがで曇
る。
たとえば希土類元素の酸化物、マクネシア、酸化チタン
、酸化ジルコニウムなどである。
本発明の方法において、イツトリアとアルミナとを複合
添加するのは、強度向上の効果が特に著しくなるからで
ある。
添加物の添加量は焼結体の用途により所望の割合とすれ
ばよい。
一般的にはイツトリア、アルミナはそれぞれ0.5〜2
0重量%、マグネシアは0.1〜5重量%、酸化チタン
、酸化ジルコニウムは1〜10重量%である。
本発明の予備加熱処理は添加物の種類、割合によっても
変わるが、一般的には1500〜1850℃で10分〜
熱時間である。
好ましくは窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素
などの粉末中に埋め、カーボン容器を用いて窒素などの
非酸化性雰囲気で行う。
この予備加熱処理の有無で焼結体の−が変化するの
は、添加物が結晶相中に存在することができるためと考
えられる。
予備加熱処理しない場合は添加物の比較的多い部分がガ
ラス質として焼結体中に存在するため、強度が低下する
ものと考えられる。
特に、予備加熱処理を窒化アルミ旦夜′、窒化ホウ素、
窒化ケイ素などの粉末中で行うと、ガラス質の除去が促
進されるため、焼結体の強度は一層高くなる。
焼結は一般的な方法でよい。
通常は1500〜1900℃でなされ、必要ならば加圧
焼結される1ホツト・アイソスタチック・プレスも使用
できる。
なお、本発明に使用の高α型窒化ケイ素粉末は次のよう
にして得る。
たとえば、重量比でC15i02が0.
4〜4の範囲で混合した5i02−C系混合物にSi、
SiλN4、SiCなどめ1種以上を前記5i021重
量部に対しセ2重量部以下好ましくは0.5重量部以下
加剣た混合系を用意する。
なお上記Siなどを添加配合する代りにF”e系化合物
をFeとして重量比で1%以下加えてもよい。
次いで上記5iO2−C系の混合物をN2、NH3、N
2−N2などのNを含む非酸化性雰囲気下1350〜1
500℃(好ましk(は1400〜1500℃)で加熱
し、還元窒化処理することによってα型Si3N4を主
体とした粒度2μ以下のSi3N4が容易に得られる。
この場合必要に応じ酸化性雰囲気において600〜80
0℃で加熱して脱炭処理してもよい。
次に上記高α型Si3N4粉末にイツトリアとアルミナ
を複合添加した後、加圧して成形体を得る。
本発明による成形体の焼結前に予め加熱処理を施すこと
によって、焼結性が向上し高強度でしかも信頼性高くロ
ット間のバラツキが少ない焼結体が得られる効果がある
実施例および比較例 SiO□粉末1重量部当り、カーボンブラック粉末2重
量部およびSi粉□末0.5重量部の割合で混合した混
合粉末を窒素気流中セ1450℃にて5時藺窒化還光処
癲したー、空気中800℃で10時間加熱して炭素を除
去し、枝棒1.5μのび型窒化ケイ素粉末(ct型Si
3N4含有量96%以上)を樽た。
この窒化ケイ素粉末にi1表に示した添
加物を配合して、混合粉末とした。
次いでこの混合粉末を用いて金型成形後、1750℃で
予備加熱処理した。
この場合、AINをつめ粉としたカーボン容器を用い、
窒素雰囲気で行った。
このようにして得られた予備加熱処理後の成形体を17
50℃、500kg/cm2で2時間ホットプレス焼結
し、得られた焼結体について抗折試験を施した。
抗折試験条件は1200℃、スパン20mm、クロスヘ
ッドスピード0.5in/min+3点法で行った。
この結果を第1表に示す。予備加熱なしで直ちにホット
プンスした場合の抗折試験結果も比較のために第1表に
示しである。
第1表に示されるように本発明に従い予備加熱処理した
場合は、強度にすぐれた焼結体となる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 シリカ粉末と炭素粉末を含む混合物にSi、Si3
    N4もしくはSiCのうち少なくとも1種をシリカ粉末
    1重量部に対して0重量部より大きく2重量部以下添加
    したものを還元・窒化処理を施して得た高α型窒化ケイ
    素粉末にイツトリアとアルミナとを複合添加して成形し
    た後、予備加熱処理を施1、しかるのちに焼結する高強
    度窒化ケイ素質成形体の製造方法。
JP53109652A 1978-09-08 1978-09-08 窒化ケイ素質焼結体の製法 Expired JPS5815463B2 (ja)

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JPS5537442A JPS5537442A (en) 1980-03-15
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS512713A (ja) * 1974-06-28 1976-01-10 Tokyo Shibaura Electric Co
JPS5290499A (en) * 1976-01-27 1977-07-29 Toshiba Ceramics Co Process for preparing siliconnitride having high alphaaphase content

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS512713A (ja) * 1974-06-28 1976-01-10 Tokyo Shibaura Electric Co
JPS5290499A (en) * 1976-01-27 1977-07-29 Toshiba Ceramics Co Process for preparing siliconnitride having high alphaaphase content

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