JPS58151017A - 薄膜の形成方法および形成装置 - Google Patents
薄膜の形成方法および形成装置Info
- Publication number
- JPS58151017A JPS58151017A JP3320482A JP3320482A JPS58151017A JP S58151017 A JPS58151017 A JP S58151017A JP 3320482 A JP3320482 A JP 3320482A JP 3320482 A JP3320482 A JP 3320482A JP S58151017 A JPS58151017 A JP S58151017A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ion beam
- substrate
- magnetic field
- deposit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えば半導体装置などの製造に必要とされ
る微細かつ精密な薄膜の形成方法およびその形成装置に
関するものである。
る微細かつ精密な薄膜の形成方法およびその形成装置に
関するものである。
半導体装置などの製造に際しては、微細かつ精密に加工
された薄膜の形成が必須である。従来この薄膜を形成す
るためには、第１図ないし第４図に示した第１の方法と
、第５図ないし第７図に示す第２の方法とがあり、いず
れも周知の写真製版技術を利用するものであった。
された薄膜の形成が必須である。従来この薄膜を形成す
るためには、第１図ないし第４図に示した第１の方法と
、第５図ないし第７図に示す第２の方法とがあり、いず
れも周知の写真製版技術を利用するものであった。
すなわち、まず第１の方法は、半導体基板などの基板（
１）上の全面に薄膜（２）を蒸着またはスパッタにより
付着させ（第１図）、この薄膜（２）の必要部分をレジ
スト（３）により選択的に被覆しく第２図）、かつこの
レジス）（３）′ｔ−マスクにして薄膜（２）の不要部
分をエツチングなどにより除去したのち（第３図）、さ
らにレジス） （３） を除去して、基板（１）上の所
定位置に微細かつ精密な薄膜（２）を得る（第４図）。
１）上の全面に薄膜（２）を蒸着またはスパッタにより
付着させ（第１図）、この薄膜（２）の必要部分をレジ
スト（３）により選択的に被覆しく第２図）、かつこの
レジス）（３）′ｔ−マスクにして薄膜（２）の不要部
分をエツチングなどにより除去したのち（第３図）、さ
らにレジス） （３） を除去して、基板（１）上の所
定位置に微細かつ精密な薄膜（２）を得る（第４図）。
また第２の方法は、同様に基板（１）上の不要部分をレ
ジスト（３）により被覆しく第５図ノ、かつこのレジス
ト（３）による被覆部分を含めた全面に薄膜（２）を付
着させ（第６図）、さらにレジスト（３）と共にこのレ
ジスト（３）上の薄膜（２）部分を除去して、基板（１
）上の所定位置に微細かつ精密な薄膜（２）を得るので
ある（第７図〕。
ジスト（３）により被覆しく第５図ノ、かつこのレジス
ト（３）による被覆部分を含めた全面に薄膜（２）を付
着させ（第６図）、さらにレジスト（３）と共にこのレ
ジスト（３）上の薄膜（２）部分を除去して、基板（１
）上の所定位置に微細かつ精密な薄膜（２）を得るので
ある（第７図〕。
すなわち、このようにして従来の薄膜の形成方法は、写
真製版技術が必要不可欠であるが、この写真製版は多く
の工程９手間がか＼るばかシか、基板自体を汚染する慣
れがあるなどの不都合を有するものであった。
真製版技術が必要不可欠であるが、この写真製版は多く
の工程９手間がか＼るばかシか、基板自体を汚染する慣
れがあるなどの不都合を有するものであった。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、写真製版技術
を利用せず、薄膜のための蒸着物をイオン化させると共
に、そのイオンビームを電界またＦｉ磁界により制御し
て集束、偏向させることにより、基板上の所定位置に蒸
着物を選択的に付着させて、所期の薄膜を形成させるよ
うにしたものである。
を利用せず、薄膜のための蒸着物をイオン化させると共
に、そのイオンビームを電界またＦｉ磁界により制御し
て集束、偏向させることにより、基板上の所定位置に蒸
着物を選択的に付着させて、所期の薄膜を形成させるよ
うにしたものである。
以下、この発明の一実施例につき、第８図を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
この第８図実施例において、符号（５）は真空系、（６
）および（７）はこの真空系（５）内に包蔵された蒸着
物イオン化装置、およびイオンビーム制御装置であり、
また（１）は前記と同様に薄膜形成対象とする基板であ
る。
）および（７）はこの真空系（５）内に包蔵された蒸着
物イオン化装置、およびイオンビーム制御装置であり、
また（１）は前記と同様に薄膜形成対象とする基板であ
る。
従ってこの第８図実施例による薄膜形成装置にあって、
薄膜形成のための蒸着物は、蒸着物イオン化装置（６）
によりイオン化され、このイオンビームは次のイオンビ
ーム制御装置（７）の電界、または磁界により制御され
、そのビームを集束、偏向させて、基板（１）上の所定
位置に蒸着物を選択的に直接付着させ、これによって基
板（１）上に所期の微細かつ精密な薄膜（２）を形成し
得るのである。
薄膜形成のための蒸着物は、蒸着物イオン化装置（６）
によりイオン化され、このイオンビームは次のイオンビ
ーム制御装置（７）の電界、または磁界により制御され
、そのビームを集束、偏向させて、基板（１）上の所定
位置に蒸着物を選択的に直接付着させ、これによって基
板（１）上に所期の微細かつ精密な薄膜（２）を形成し
得るのである。
以上のようにしてこの発明によると１！社、薄膜のため
の蒸着物をイオン化させると共に、このイオンビームを
電界、または磁界の制御により集束、偏向させて、対象
物上に選択的に薄膜を形成するようにしたから、従来の
ように写真製版技術を全く利用せずに、しかも写真製版
技術と異な９、極めて簡単にかつ少ない工程で、結果的
には精密加工されたと同等の微細な薄膜を形成できるも
のであり、また装置構成についても、従来公知の装置を
組み合わせることで容易に得られるなどの優れた特長を
有するものである。
の蒸着物をイオン化させると共に、このイオンビームを
電界、または磁界の制御により集束、偏向させて、対象
物上に選択的に薄膜を形成するようにしたから、従来の
ように写真製版技術を全く利用せずに、しかも写真製版
技術と異な９、極めて簡単にかつ少ない工程で、結果的
には精密加工されたと同等の微細な薄膜を形成できるも
のであり、また装置構成についても、従来公知の装置を
組み合わせることで容易に得られるなどの優れた特長を
有するものである。
第１図ないし第４図、および第５図ないし第７図は従来
の写真製版技術を利用した各別例による薄膜の形成方法
を工程順に示す説明図、第８図はこの発明に係わる薄膜
の形成装置の一実施例を示す概略構成図である。 （１）・・・・半導体基板、（２）・・・・薄膜、（５
）・・・・真空系、（８）・・・・蒸着物イオン化装置
、（１）・・・・イオンビーム制御装置。 代理人 葛 野 信 −（外１名〕
の写真製版技術を利用した各別例による薄膜の形成方法
を工程順に示す説明図、第８図はこの発明に係わる薄膜
の形成装置の一実施例を示す概略構成図である。 （１）・・・・半導体基板、（２）・・・・薄膜、（５
）・・・・真空系、（８）・・・・蒸着物イオン化装置
、（１）・・・・イオンビーム制御装置。 代理人 葛 野 信 −（外１名〕
Claims (2)
- （１） 薄膜のための蒸着物をイオン化させると共に
、このイオンビームを電界または磁界により集束、偏向
制御して、対象物上の所定位置に蒸着物を選択的に付着
させるようにしたことを特徴とする薄膜の形成方法０ - （２） 真空系と、この真空系内に蒸着物イオン化装
置、イオンビーム制御装置、および対象物を順次に配置
させ、蒸着物イオン化装置によりイオン化さ牡た蒸着物
のイオンビームを、イオンビーム制御装置での電界また
は磁界により集束、偏向制御して、対象物上の所定位置
に蒸着物を選択的に付着させるようにしたことを特徴と
する薄膜の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320482A JPS58151017A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 薄膜の形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320482A JPS58151017A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 薄膜の形成方法および形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151017A true JPS58151017A (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=12379930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3320482A Pending JPS58151017A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 薄膜の形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP3320482A patent/JPS58151017A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
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