JPH0582695B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0582695B2 JPH0582695B2 JP62049326A JP4932687A JPH0582695B2 JP H0582695 B2 JPH0582695 B2 JP H0582695B2 JP 62049326 A JP62049326 A JP 62049326A JP 4932687 A JP4932687 A JP 4932687A JP H0582695 B2 JPH0582695 B2 JP H0582695B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- ion beam
- voltage
- lens
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 45
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はイオンビーム装置に関し、特に、イオ
ンを半導体材料等のターゲツト上にデイポジイツ
トする装置に用いて好適なイオンビーム装置に関
する。
ンを半導体材料等のターゲツト上にデイポジイツ
トする装置に用いて好適なイオンビーム装置に関
する。
［従来の技術］
LSIや超LSIの製造過程で、特定の物質をイオ
ン化し、LSI材料の特定部分にデイポジツトする
ことが行われている。第３図はこのようなイオン
デイポジシヨンに用いられるイオンビーム装置を
示しており、１はイオンエミツタ、２は引出し電
極、３は接地電位の加速電極であり、該エミツタ
１には加速電圧電源４から加速電圧が印加され、
引出し電極２には、図示していない引出し電圧電
源から引出し電圧が印加されている。５は対物レ
ンズで、アインツエル型の静電レンズであつて、
接地電位の外側電極６と、レンズ電源７からレン
ズ電圧が印加される中心電極８から成つている。
９は偏向電極、１０はイオンビームが照射される
LSI材料等のターゲツトである。
ン化し、LSI材料の特定部分にデイポジツトする
ことが行われている。第３図はこのようなイオン
デイポジシヨンに用いられるイオンビーム装置を
示しており、１はイオンエミツタ、２は引出し電
極、３は接地電位の加速電極であり、該エミツタ
１には加速電圧電源４から加速電圧が印加され、
引出し電極２には、図示していない引出し電圧電
源から引出し電圧が印加されている。５は対物レ
ンズで、アインツエル型の静電レンズであつて、
接地電位の外側電極６と、レンズ電源７からレン
ズ電圧が印加される中心電極８から成つている。
９は偏向電極、１０はイオンビームが照射される
LSI材料等のターゲツトである。
上述した構成において、特定物質のイオンがエ
ミツタ１から引出し電極２によつて引出され、該
イオンは加速電極３によつて加速される。例え
ば、該エミツタ１には電源４から＋30kVの加速
電圧が印加されている。該加速されたイオンビー
ムは、中心電極８の電源７から＋15kVの電圧が
印加されている対物レンズ５によつてターゲツト
１０に細く集束される。該イオンビームは、該偏
向電極９に印加される電圧によつて偏向され、該
イオンビームのターゲツト１０上の照射位置は任
意に変更することができ、その結果、ターゲツト
上の所定位置にイオンをデイポジツトすることが
できる。
ミツタ１から引出し電極２によつて引出され、該
イオンは加速電極３によつて加速される。例え
ば、該エミツタ１には電源４から＋30kVの加速
電圧が印加されている。該加速されたイオンビー
ムは、中心電極８の電源７から＋15kVの電圧が
印加されている対物レンズ５によつてターゲツト
１０に細く集束される。該イオンビームは、該偏
向電極９に印加される電圧によつて偏向され、該
イオンビームのターゲツト１０上の照射位置は任
意に変更することができ、その結果、ターゲツト
上の所定位置にイオンをデイポジツトすることが
できる。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、加速電圧30kVで加速されたイオン
ビームをターゲツトに照射した場合、イオンビー
ムの高いエネルギーのためにターゲツトの表面部
分がエツチングされてしまい、所望量のイオンを
ターゲツト表面の形状を変化させないでデイポジ
ツトさせることが困難となる。このため、イオン
ビームの加速電圧を低くし、ターゲツトに照射さ
れるイオンビームのエネルギーを低下させること
も考えられるが、加速電圧を低くすると、静電レ
ンズでイオンビームを細く集束することができな
くなり、ターゲツトのエツチングは回避されるも
のの、微細部分への高精度のイオンのデイポジツ
トを行うことができなくなる。
ビームをターゲツトに照射した場合、イオンビー
ムの高いエネルギーのためにターゲツトの表面部
分がエツチングされてしまい、所望量のイオンを
ターゲツト表面の形状を変化させないでデイポジ
ツトさせることが困難となる。このため、イオン
ビームの加速電圧を低くし、ターゲツトに照射さ
れるイオンビームのエネルギーを低下させること
も考えられるが、加速電圧を低くすると、静電レ
ンズでイオンビームを細く集束することができな
くなり、ターゲツトのエツチングは回避されるも
のの、微細部分への高精度のイオンのデイポジツ
トを行うことができなくなる。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもの
で、ターゲツトのエツチングを防止することがで
きると共に、イオンビームをターゲツト上に細く
集束することができるイオンビーム装置を提供す
ることを目的としている。
で、ターゲツトのエツチングを防止することがで
きると共に、イオンビームをターゲツト上に細く
集束することができるイオンビーム装置を提供す
ることを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明に基づくイオンビーム装置は、エミツタ
と、該エミツタからのイオンビームを加速するた
めの加速電極と、該加速されたイオンビームを集
束するための静電レンズと、該イオンビームが照
射されるターゲツトとを備えており、前記静電レ
ンズはアインツエルレンズであり、該レンズの外
側電極には減速電場形成用の電圧が印加され、前
記ターゲツトは接地電位に保たれるように成し
た。
と、該エミツタからのイオンビームを加速するた
めの加速電極と、該加速されたイオンビームを集
束するための静電レンズと、該イオンビームが照
射されるターゲツトとを備えており、前記静電レ
ンズはアインツエルレンズであり、該レンズの外
側電極には減速電場形成用の電圧が印加され、前
記ターゲツトは接地電位に保たれるように成し
た。
［作用］
イオンビームは高い加速電圧で加速され静電レ
ンズによつて細く集束されるが、該レンズとター
ゲツトの間にはイオンビームの減速電場が形成さ
れ、該イオンビームは該減速電場によつて減速さ
れ、実質的に低い加速電圧でターゲツトに照射さ
れる。
ンズによつて細く集束されるが、該レンズとター
ゲツトの間にはイオンビームの減速電場が形成さ
れ、該イオンビームは該減速電場によつて減速さ
れ、実質的に低い加速電圧でターゲツトに照射さ
れる。
［実施例］
本発明の実施例の説明に先立つて、便宜上、既
に考えられているイオンビーム装置を第１図の参
考例に沿つて説明する。
に考えられているイオンビーム装置を第１図の参
考例に沿つて説明する。
第１図の参考例において、第３図と同一部分に
は同一番号を付してその詳細な説明を省略する。
この参考例において、第３図の従来装置と相違す
る点は、ターゲツト１０に減速電場電源１１から
減速電圧が印加される点である。このような構成
において、エミツタ１には加速電源４から例えば
＋30kVの加速電圧が印加され、イオンビームは
比較的高いエネルギーで対物レンズ５に入射し、
従つて、該イオンビームはターゲツト１０上に細
く集束される。ここで、該ターゲツト１０には電
源１１から、例えば、＋27kVの減速電圧が印加さ
れており、その結果、対物レンズ５の接地電位の
外側電極６と該ターゲツト１０との間にはイオン
ビームの減速電場が形成され、イオンビームは、
エネルギーが低くされてターゲツト１０に照射さ
れることになる。すなわち、ターゲツト１０に照
射されるイオンビームの加速電圧は、実質的に
3KVとなる。
は同一番号を付してその詳細な説明を省略する。
この参考例において、第３図の従来装置と相違す
る点は、ターゲツト１０に減速電場電源１１から
減速電圧が印加される点である。このような構成
において、エミツタ１には加速電源４から例えば
＋30kVの加速電圧が印加され、イオンビームは
比較的高いエネルギーで対物レンズ５に入射し、
従つて、該イオンビームはターゲツト１０上に細
く集束される。ここで、該ターゲツト１０には電
源１１から、例えば、＋27kVの減速電圧が印加さ
れており、その結果、対物レンズ５の接地電位の
外側電極６と該ターゲツト１０との間にはイオン
ビームの減速電場が形成され、イオンビームは、
エネルギーが低くされてターゲツト１０に照射さ
れることになる。すなわち、ターゲツト１０に照
射されるイオンビームの加速電圧は、実質的に
3KVとなる。
このように、上述した参考例では、イオンビー
ムは高いエネルギーの状態で静電レンズに入射す
ることから細く集束される一方、ターゲツト１０
には低いエネルギーの状態で照射されることか
ら、該ターゲツト表面のエツチングは防止され
る。従つて、該ターゲツト１０上の微細な部分
に、ターゲツトの表面形状を考えることなく高精
度にイオンをデイポジツトすることができる。
ムは高いエネルギーの状態で静電レンズに入射す
ることから細く集束される一方、ターゲツト１０
には低いエネルギーの状態で照射されることか
ら、該ターゲツト表面のエツチングは防止され
る。従つて、該ターゲツト１０上の微細な部分
に、ターゲツトの表面形状を考えることなく高精
度にイオンをデイポジツトすることができる。
ところで、上記第１図の参考例では、ターゲツ
ト１０に減速電場形成用の電圧を印加するように
したが、該ターゲツトへの所定のイオンデイポジ
シヨンが終了すると、新たなターゲツトと交換し
なければならない。この交換に際して、ターゲツ
トに電圧を印加する構成では、ターゲツトと電源
との接続や、取外し等面倒な取扱いが要求され
る。
ト１０に減速電場形成用の電圧を印加するように
したが、該ターゲツトへの所定のイオンデイポジ
シヨンが終了すると、新たなターゲツトと交換し
なければならない。この交換に際して、ターゲツ
トに電圧を印加する構成では、ターゲツトと電源
との接続や、取外し等面倒な取扱いが要求され
る。
第２図は第１図に示す如きイオンビーム装置の
持つ問題を解決するためになされた本願発明の一
実施例を示したもので、ターゲツト１０を接地電
位に保つようにした実施例を示している。この実
施例では、加速電極３に電源１２から所定の電圧
が印加されると共に、アインツエルレンズである
対物レンズ５の外側電極６にも、電源１３から電
圧が印加されている。各電極に印加される電圧
は、例えば、電源４からエミツタ１へは＋3KV、
電源１２から加速電極３には−27kV、電源１３
からレンズ５の外側電極６には−27kV、電源７
から中心電極８には−12kVが印加される。この
ような構成において、エミツタ１と加速電極３と
の間の電位差は、第１図の参考例と同様に30kV
となり，イオンビームは加速電圧30kVで加速さ
れ、該イオンビームは高いエネルギーで静電レン
ズ５に入射し、細く集束される。該静電レンズを
透過したイオンビームは、−27kVが印加された外
側電極６と接地電位のターゲツト１０との間に形
成された減速電場によつて減速され、実質的に
3kVの加速電圧でターゲツトに照射される。従つ
て、この第２図の実施例においても、イオンビー
ムは高いエネルギーの状態で静電レンズに入射す
ることから細く集束される一方、ターゲツト１０
には低いエネルギーの状態で照射されることか
ら、該ターゲツト表面のエツチングは防止され
る。その結果、該ターゲツト１０上の微細な部分
に、ターゲツトの表面形状を変えることなく高精
度にイオンをデイポジツトすることができる。
又、この実施例では、ターゲツト１０を接地電位
に保つことができるので、ターゲツトの交換等の
取扱いが容易である。
持つ問題を解決するためになされた本願発明の一
実施例を示したもので、ターゲツト１０を接地電
位に保つようにした実施例を示している。この実
施例では、加速電極３に電源１２から所定の電圧
が印加されると共に、アインツエルレンズである
対物レンズ５の外側電極６にも、電源１３から電
圧が印加されている。各電極に印加される電圧
は、例えば、電源４からエミツタ１へは＋3KV、
電源１２から加速電極３には−27kV、電源１３
からレンズ５の外側電極６には−27kV、電源７
から中心電極８には−12kVが印加される。この
ような構成において、エミツタ１と加速電極３と
の間の電位差は、第１図の参考例と同様に30kV
となり，イオンビームは加速電圧30kVで加速さ
れ、該イオンビームは高いエネルギーで静電レン
ズ５に入射し、細く集束される。該静電レンズを
透過したイオンビームは、−27kVが印加された外
側電極６と接地電位のターゲツト１０との間に形
成された減速電場によつて減速され、実質的に
3kVの加速電圧でターゲツトに照射される。従つ
て、この第２図の実施例においても、イオンビー
ムは高いエネルギーの状態で静電レンズに入射す
ることから細く集束される一方、ターゲツト１０
には低いエネルギーの状態で照射されることか
ら、該ターゲツト表面のエツチングは防止され
る。その結果、該ターゲツト１０上の微細な部分
に、ターゲツトの表面形状を変えることなく高精
度にイオンをデイポジツトすることができる。
又、この実施例では、ターゲツト１０を接地電位
に保つことができるので、ターゲツトの交換等の
取扱いが容易である。
以上本発明の実施例を詳述したが、本発明はこ
の実施例に限定されず幾多の変形が可能である。
例えば、一段の静電レンズでイオンビームを集束
するようにしたが、二段以上の集束系でイオンビ
ームを集束しても良い。又、各電極へ印加する電
圧は、単なる例示であり、任意に変え得るもので
ある。更に、イオンをデイポジツトする装置を例
に説明したが、エツチングを防止する必要がある
他の目的のイオンビーム装置にも、本発明を適用
することができる。
の実施例に限定されず幾多の変形が可能である。
例えば、一段の静電レンズでイオンビームを集束
するようにしたが、二段以上の集束系でイオンビ
ームを集束しても良い。又、各電極へ印加する電
圧は、単なる例示であり、任意に変え得るもので
ある。更に、イオンをデイポジツトする装置を例
に説明したが、エツチングを防止する必要がある
他の目的のイオンビーム装置にも、本発明を適用
することができる。
［効果］
本発明に基づくイオンビーム装置では、加速さ
れたエミツタからのイオンビームを集束するため
の静電レンズはアインツエルレンズであり、該レ
ンズの外側電極には減速電場形成用の電圧が印加
され、イオンビームが照射されるターゲツトは接
地電位に保たれるように成しているので、ターゲ
ツトがイオンビームによつてエツチングされるこ
と無くイオンビームを細く集束出来るばかりでは
なく、ターゲツトの交換等の取扱が容易になる。
れたエミツタからのイオンビームを集束するため
の静電レンズはアインツエルレンズであり、該レ
ンズの外側電極には減速電場形成用の電圧が印加
され、イオンビームが照射されるターゲツトは接
地電位に保たれるように成しているので、ターゲ
ツトがイオンビームによつてエツチングされるこ
と無くイオンビームを細く集束出来るばかりでは
なく、ターゲツトの交換等の取扱が容易になる。
第１図は既に考えられているイオンビーム装置
の参考例を示す図、第２図は本発明の一実施例を
示す図、第３図は従来装置を示す図である。 １……エミツタ、２……引出し電極、３……加
速電極、５……対物レンズ、６……外側電極、８
……中心電極、９……偏向電極、１０……ターゲ
ツト、４，７，１１，１２，１３……電源。
の参考例を示す図、第２図は本発明の一実施例を
示す図、第３図は従来装置を示す図である。 １……エミツタ、２……引出し電極、３……加
速電極、５……対物レンズ、６……外側電極、８
……中心電極、９……偏向電極、１０……ターゲ
ツト、４，７，１１，１２，１３……電源。
Claims (1)
- １ エミツタと、該エミツタからのイオンビーム
を加速するための加速電極と、該加速されたイオ
ンビームを集束するための静電レンズと、該イオ
ンビームが照射されるターゲツトとを備えてお
り、前記静電レンズはアインツエルレンズであ
り、該レンズの外側電極には減速電場形成用の電
圧が印加され、前記ターゲツトは接地電位に保た
れるように成したイオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049326A JPS63216257A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049326A JPS63216257A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | イオンビ−ム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216257A JPS63216257A (ja) | 1988-09-08 |
| JPH0582695B2 true JPH0582695B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=12827858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62049326A Granted JPS63216257A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216257A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02112134A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロ波イオン銃 |
| KR101384260B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2014-04-11 | 전자빔기술센터 주식회사 | 전자칼럼의 전자빔 포커싱 방법 |
| WO2023248856A1 (ja) * | 2022-06-22 | 2023-12-28 | 株式会社Iipt | ガスクラスターイオンビーム装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
| JPS61224254A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP62049326A patent/JPS63216257A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
| JPS61224254A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63216257A (ja) | 1988-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1082747B1 (en) | Acceleration and analysis architecture for ion implanter | |
| KR890002747B1 (ko) | 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치 | |
| US4697086A (en) | Apparatus for implanting ion microbeam | |
| EP0876677B1 (de) | Ionenquelle für eine ionenstrahlanlage | |
| US5945677A (en) | Focused ion beam system | |
| US5151605A (en) | Method of irradiating an object by means of a charged particle beam, and device for performing the method | |
| US4661712A (en) | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence | |
| JP5259035B2 (ja) | 成形され、低密度な集束イオンビーム | |
| JPH088245B2 (ja) | 集束イオンビームエッチング装置 | |
| JP2019503567A (ja) | イオンビーム装置内の汚染制御用の装置及び方法 | |
| JPH0582695B2 (ja) | ||
| JPS60100421A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
| JPH07296756A (ja) | 微細加工方法およびその装置 | |
| EP0066175B1 (en) | Ion implanter | |
| JPS63107118A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
| JP3531323B2 (ja) | イオンビーム加工方法および装置 | |
| EP0095879B1 (en) | Apparatus and method for working surfaces with a low energy high intensity ion beam | |
| JP2730269B2 (ja) | 半導体素子製造装置 | |
| JP2900490B2 (ja) | Ｍｅｓ型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH08241691A (ja) | 減速集束イオンビーム装置 | |
| JPS63271856A (ja) | イオンビ−ム蒸着装置 | |
| JPH0539555Y2 (ja) | ||
| JPH04272640A (ja) | 集束イオンビームエッチング装置 | |
| JPH07249391A (ja) | 電子ビーム装置 | |
| JPS63168945A (ja) | イオン打込装置用イオン源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |