JPS5814527A - Ｃｖｄ反応管 - Google Patents
Ｃｖｄ反応管Info
- Publication number
- JPS5814527A JPS5814527A JP11155681A JP11155681A JPS5814527A JP S5814527 A JPS5814527 A JP S5814527A JP 11155681 A JP11155681 A JP 11155681A JP 11155681 A JP11155681 A JP 11155681A JP S5814527 A JPS5814527 A JP S5814527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction tube
- wall
- thick
- damage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、冷却の際のき裂、損傷の発生を防ぐために内
壁面に厚肉部を形成したＯＶＤ （Ｏｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：気相成長）反応
管に関する。
壁面に厚肉部を形成したＯＶＤ （Ｏｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：気相成長）反応
管に関する。
半導体基板に酸化膜、窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）などの絶縁
膜やポリシリコン膜などを気相成長させるＯＶＤ装置の
反応管の材質には、主として石英が用いられる。従来の
石英反応管の例が第１図に示され、反応管１は数ｍｍ程
度の肉厚で、内壁面２は、平滑である。表面に膜を形成
する半導体基板６は、例えばサセプタ４に保持されて反
応管外部加熱体５により約４００〜８００°Ｃの範囲の
制御温度に加熱される。そしてモノシランなどの原料ガ
スは入口６から送入される。
膜やポリシリコン膜などを気相成長させるＯＶＤ装置の
反応管の材質には、主として石英が用いられる。従来の
石英反応管の例が第１図に示され、反応管１は数ｍｍ程
度の肉厚で、内壁面２は、平滑である。表面に膜を形成
する半導体基板６は、例えばサセプタ４に保持されて反
応管外部加熱体５により約４００〜８００°Ｃの範囲の
制御温度に加熱される。そしてモノシランなどの原料ガ
スは入口６から送入される。
抵抗加熱炉を用いる外部加熱方式（ホットウォール法）
では内部加熱法（コールドウオール法）と異なり、半導
体基板に絶縁膜やボリンすることか多く、反応管内壁に
も多量の絶縁物やモノシランなどの沈着膜が生ずる可能
性が高い。
では内部加熱法（コールドウオール法）と異なり、半導
体基板に絶縁膜やボリンすることか多く、反応管内壁に
も多量の絶縁物やモノシランなどの沈着膜が生ずる可能
性が高い。
反応管内壁にポリシリコン、５ｉ５Ｎ４などが沈着して
膜を形成すると、反応管の洗浄時の冷却の際に石英と沈
着膜との熱膨張係数の差により、膜ストレスが生じて反
応管がき裂、損傷することがある。この現象は、石英反
応管のアニール不足による内部歪や加工時の加工歪の潜
在量によっても異なり、上記の歪が大きければ膜の厚さ
が約１μ２、程度のときでも反応管が損傷することがあ
り、また内部歪が十分除去されていても反応管内壁沈着
膜が厚くなると上記き裂、損傷の発生が高くなり、膜厚
１０μ程度を超えるとその発生を避けることができない
。
膜を形成すると、反応管の洗浄時の冷却の際に石英と沈
着膜との熱膨張係数の差により、膜ストレスが生じて反
応管がき裂、損傷することがある。この現象は、石英反
応管のアニール不足による内部歪や加工時の加工歪の潜
在量によっても異なり、上記の歪が大きければ膜の厚さ
が約１μ２、程度のときでも反応管が損傷することがあ
り、また内部歪が十分除去されていても反応管内壁沈着
膜が厚くなると上記き裂、損傷の発生が高くなり、膜厚
１０μ程度を超えるとその発生を避けることができない
。
本発明は、上記冷却の際のき裂、損傷の発生するおそれ
の少いＯＶＤ反応管の提供を目的とする。
の少いＯＶＤ反応管の提供を目的とする。
本発明のＯＶＤ反応管は、反応管の軸線方向に１０ｍｍ
以下の奥行を有し、かつ０．１〜１龍管内に突出した厚
肉部を、前記軸線方向に１０ｎ以下の間隔で、反応管の
加熱領域の内壁面に隆設してなるＯＶＤ反応管である。
以下の奥行を有し、かつ０．１〜１龍管内に突出した厚
肉部を、前記軸線方向に１０ｎ以下の間隔で、反応管の
加熱領域の内壁面に隆設してなるＯＶＤ反応管である。
以下図面に従って本発明のＯＶＤ反応管を説明する。
本発明のＯＶＤ反応管の実施例が第２図に示され、また
内壁面の凹凸形状の他の数例が第６図及び第４図に示さ
れる。第２図は反応管１の厚肉部７を管内周沿いに環状
に形成する例であり、第３図は厚肉部７をらせん状に形
成する例でアシ、第４図は突起状に子馬形配置する例で
ある。
内壁面の凹凸形状の他の数例が第６図及び第４図に示さ
れる。第２図は反応管１の厚肉部７を管内周沿いに環状
に形成する例であり、第３図は厚肉部７をらせん状に形
成する例でアシ、第４図は突起状に子馬形配置する例で
ある。
厚肉部７は反応管の軸線方向に１０ｉｔ以下、好ましく
は３〜１０朋程度の奥行Ｗをもち、突出高さｈは０．１
〜１１１である。また厚肉部７の間隔は、反応管の軸線
方向に１０朋以下、好ましくは５〜１０１１ｉ＋程度と
する。突起状厚肉部の管周方向の幅ｍ及び間隔ｎは適宜
の大きさで、千鳥形の配置が図示されているが、反応管
の軸線方向に並置しても良い。
は３〜１０朋程度の奥行Ｗをもち、突出高さｈは０．１
〜１１１である。また厚肉部７の間隔は、反応管の軸線
方向に１０朋以下、好ましくは５〜１０１１ｉ＋程度と
する。突起状厚肉部の管周方向の幅ｍ及び間隔ｎは適宜
の大きさで、千鳥形の配置が図示されているが、反応管
の軸線方向に並置しても良い。
また厚肉部７の形状は、第５図に示すように、端縁部の
内角αを略９０°とし、凹凸内壁面に沈着膜８の不均一
な膜厚を端縁部によって断切し若しくは断切に近い状態
とすることが好ましい。
内角αを略９０°とし、凹凸内壁面に沈着膜８の不均一
な膜厚を端縁部によって断切し若しくは断切に近い状態
とすることが好ましい。
上記反応管の厚肉部７は、反応管１の加熱領域に設ける
。加熱領域はＯＶＤ原料ガスの眸析出温度により異なる
が、そのＯＶＤガスがホットウォールの温度により反応
沈着し、反応管にき裂損傷を生ずるおそれのある領域を
いう。
。加熱領域はＯＶＤ原料ガスの眸析出温度により異なる
が、そのＯＶＤガスがホットウォールの温度により反応
沈着し、反応管にき裂損傷を生ずるおそれのある領域を
いう。
本発明の反応管は、上記内壁面厚肉部の凹凸形状により
、反応管の加熱領域内壁に形成される沈着膜８が、第５
図に略示するように、少く ゛とも内壁凸部頂面の
一端縁部において断切した又は断切し易い部分をもつな
ど、反応管の冷却の際に膜と石英反応管の膨張係数の差
などに１９生ずるストレスの逃げ、吸収又は分散７！ｌ
；生ずることによって、石英管に多量の沈着を生じても
その冷却の際のき裂、損傷が回避されて冷却操作が容易
となり、また沈着膜に断切の存在することにより、洗浄
が容易になる効果も期待される。
、反応管の加熱領域内壁に形成される沈着膜８が、第５
図に略示するように、少く ゛とも内壁凸部頂面の
一端縁部において断切した又は断切し易い部分をもつな
ど、反応管の冷却の際に膜と石英反応管の膨張係数の差
などに１９生ずるストレスの逃げ、吸収又は分散７！ｌ
；生ずることによって、石英管に多量の沈着を生じても
その冷却の際のき裂、損傷が回避されて冷却操作が容易
となり、また沈着膜に断切の存在することにより、洗浄
が容易になる効果も期待される。
第１図は従来のＯＶＤ反応管の一例の断面図、第２図は
本発明のＯＶＤ反応管の実施例の断面図、第６図、第４
図は本発明の反応管の内壁面凹凸形状の他の数例の部分
断面図、第５図は反応管の沈着状態を示す反応管部分断
面図である。 １・・・石英反応管、２・・・内壁面、７・・・厚肉部
。
本発明のＯＶＤ反応管の実施例の断面図、第６図、第４
図は本発明の反応管の内壁面凹凸形状の他の数例の部分
断面図、第５図は反応管の沈着状態を示す反応管部分断
面図である。 １・・・石英反応管、２・・・内壁面、７・・・厚肉部
。
Claims (1)
- １、反応管の軸線方向に１０朋以下の奥行を有し、かつ
０．１〜１ｎｍ管内に突出した厚肉部を、前記軸線方向
に１０朋以下の間隔で、反応管の加熱領域の内壁面に隆
設してなるＯＶＤ反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155681A JPS5814527A (ja) | 1981-07-18 | 1981-07-18 | Ｃｖｄ反応管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155681A JPS5814527A (ja) | 1981-07-18 | 1981-07-18 | Ｃｖｄ反応管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814527A true JPS5814527A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14564376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11155681A Pending JPS5814527A (ja) | 1981-07-18 | 1981-07-18 | Ｃｖｄ反応管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814527A (ja) |
-
1981
- 1981-07-18 JP JP11155681A patent/JPS5814527A/ja active Pending
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