JPS58145140A - 半導体特性測定装置 - Google Patents
半導体特性測定装置Info
- Publication number
- JPS58145140A JPS58145140A JP2762282A JP2762282A JPS58145140A JP S58145140 A JPS58145140 A JP S58145140A JP 2762282 A JP2762282 A JP 2762282A JP 2762282 A JP2762282 A JP 2762282A JP S58145140 A JPS58145140 A JP S58145140A
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- JP
- Japan
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- measurement
- measuring
- circuit
- control part
- relay
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体特性測定装置、特に半導体不純物濃度
及び不純物移動度の自動測定装置に関するものである。
及び不純物移動度の自動測定装置に関するものである。
近年、ＩＣの開発に際して、半導体基板に不純物により
アクティブ層を形成する技術の確立が重要な課題となっ
ているが、その技術の評価方式としてロングゲートの電
界効果壓トランジスタ素子（以下ＦＥＴと略す）を用い
て不純物濃度（以下Ｎｄと略す）及び不純物移動度（以
下μｄと略す）の深さく以下Ｉ〕と略す）方向の分布な
求めるｈ法がある。この測定を行うためには、ＦＥＴの
グー ト亜月−（以下Ｖｙと略す）をパラメータと〔〜
だ時のシ′−１谷址（以下Ｃｇと略す）、ドレイン電圧
（以下Ｖｄと略す）を一定とした時にＶｌを７・ラメー
タとするｌ″しイン電流（以下Ｉｄと略す）の測定が必
要であるｈ；従来はキャパシタンスメータ、カーゾトレ
イザ。
アクティブ層を形成する技術の確立が重要な課題となっ
ているが、その技術の評価方式としてロングゲートの電
界効果壓トランジスタ素子（以下ＦＥＴと略す）を用い
て不純物濃度（以下Ｎｄと略す）及び不純物移動度（以
下μｄと略す）の深さく以下Ｉ〕と略す）方向の分布な
求めるｈ法がある。この測定を行うためには、ＦＥＴの
グー ト亜月−（以下Ｖｙと略す）をパラメータと〔〜
だ時のシ′−１谷址（以下Ｃｇと略す）、ドレイン電圧
（以下Ｖｄと略す）を一定とした時にＶｌを７・ラメー
タとするｌ″しイン電流（以下Ｉｄと略す）の測定が必
要であるｈ；従来はキャパシタンスメータ、カーゾトレ
イザ。
定電圧電源、その他電圧計、を流計等を用いて。
慢をパラメータとするＣ、９及びＴｄを測定し、その飴
から以下に示す式（１）〜（４）の計算式でＮｄ ｒμ
ｄ及びただし、ｑ・・・・・・・・・電子のｔ荷（定数
）Ｃ０・・・・・・・・・真空中の誘電率（定数）Ｃ０
・・・・・・・・・不純物の比誘電率（定数）ｄＶ ・
・・・・・・・・Ｖｙの増分 １ｍ・・・・・・・・・１７’ＥＴの相互フンダクタン
ス（Ｉ ｍ−ｄ Ｉ ｄ／ｄ Ｖ ｉ ）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（４）％式％ しかるに、このような方法では 要であるが、その切換を人間の手で操作しなげればなら
ず、時間と労力がかかる 等の欠点があった。
から以下に示す式（１）〜（４）の計算式でＮｄ ｒμ
ｄ及びただし、ｑ・・・・・・・・・電子のｔ荷（定数
）Ｃ０・・・・・・・・・真空中の誘電率（定数）Ｃ０
・・・・・・・・・不純物の比誘電率（定数）ｄＶ ・
・・・・・・・・Ｖｙの増分 １ｍ・・・・・・・・・１７’ＥＴの相互フンダクタン
ス（Ｉ ｍ−ｄ Ｉ ｄ／ｄ Ｖ ｉ ）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・式（４）％式％ しかるに、このような方法では 要であるが、その切換を人間の手で操作しなげればなら
ず、時間と労力がかかる 等の欠点があった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、半導体のＮｄ及びＩｄの深さ方向の分布を自動的且つ
短時間に測定する半導体％性測定装置を提供することに
ある。
、半導体のＮｄ及びＩｄの深さ方向の分布を自動的且つ
短時間に測定する半導体％性測定装置を提供することに
ある。
本発明によれば、リレーにより複数の測定回路に切替わ
る切換回路部と、試料を接続するソケット部と、的紀切
換回路部のリレーを駆動するリレー駆動部と、標準バス
で制御される計測部と、前記リレー駆動部および前記計
測部を制御するとともに測定順序を管理し、さらに必要
な演算を行う制御部により構成されることを特徴とする
半導体特性測定装置が得られる。
る切換回路部と、試料を接続するソケット部と、的紀切
換回路部のリレーを駆動するリレー駆動部と、標準バス
で制御される計測部と、前記リレー駆動部および前記計
測部を制御するとともに測定順序を管理し、さらに必要
な演算を行う制御部により構成されることを特徴とする
半導体特性測定装置が得られる。
以下本発明の一実施例についてその構成なボす図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
第１図はその構成を示すプμツク図で、制御部１はリレ
ー駆動部２と計測部６を制御するとともに測定全体を管
理し、さらに必要な演算を行う、。
ー駆動部２と計測部６を制御するとともに測定全体を管
理し、さらに必要な演算を行う、。
前記リレー駆動部２は前記制御部１からの信号に従って
切換回路部３のリレ一群ＲＬＩ、 Ｒｂ２゜Ｒｂ３．
Ｒｂ４を駆動し、必要とする測定回路に接続を切換える
。ソケット部４には測定試料５を接続する。電流計１０
、電圧針１１．定電圧電源１２ 、１３、容量計１４
から成る前記計測部６は標準バス７により制御部１と接
続され、制御部ｌの指令により計測条件の設定・！ｉｔ
ｕｌ・出力等が決定される。例えばＩｄ測定時には制
御部ｌからの指令によりリレーｍ！ｖ１部２を介してＲ
ＬＩ 、Ｒｂ２．Ｒｂ４が駆動され、第２図に示したＩ
ｄ測定回路に切替わりＣＡＩ測定時にはＲｂ３が駆動さ
れ、第３図に示したＣ９測匣回路になる。
切換回路部３のリレ一群ＲＬＩ、 Ｒｂ２゜Ｒｂ３．
Ｒｂ４を駆動し、必要とする測定回路に接続を切換える
。ソケット部４には測定試料５を接続する。電流計１０
、電圧針１１．定電圧電源１２ 、１３、容量計１４
から成る前記計測部６は標準バス７により制御部１と接
続され、制御部ｌの指令により計測条件の設定・！ｉｔ
ｕｌ・出力等が決定される。例えばＩｄ測定時には制
御部ｌからの指令によりリレーｍ！ｖ１部２を介してＲ
ＬＩ 、Ｒｂ２．Ｒｂ４が駆動され、第２図に示したＩ
ｄ測定回路に切替わりＣＡＩ測定時にはＲｂ３が駆動さ
れ、第３図に示したＣ９測匣回路になる。
測定の際は、ソケット部４に試料５を接続し、測定を開
始すると、以下の順序により測定が進行４且 する。χ毛、Ｖｄは一定でＶ７は変数である。
始すると、以下の順序により測定が進行４且 する。χ毛、Ｖｄは一定でＶ７は変数である。
中 ＣＩ測定回路に切換え、容量計１４により指定のバ
イアスＶｙを試料５のゲート１５・ソース１６間にかけ
るとともにその時のＣ９を測定する。
イアスＶｙを試料５のゲート１５・ソース１６間にかけ
るとともにその時のＣ９を測定する。
（！ｉｌ Ｉｄ測定回路に切換え、指定のＶａ、Ｖ、
に対するＩｄを測定する。
に対するＩｄを測定する。
ｆｆ！Ｉ を回目の測定時のみ、弓をｄｖＩだけ減ら
しく１１ 、 （ＩＩ）の測定を行う。
しく１１ 、 （ＩＩ）の測定を行う。
（ψ 以上の測定で制御部の演算処理により指定１７）
Ｖｄ、Ｖｙに対するＣｇ、 ｄＣｙ、 ｄＩｄが求め
られ、艮 以上のように、本発明は従来人間が行なっていた実験上
の計測・データ処理の操作を制御部で代行してしまうの
で、従来よりも容易に、且つ短時間で精確な実験結果を
得ることができる。また、制御部ＩＫＣＲＴ、ＸＹプρ
クター、プリンター等のデータ出力機器を接続し、測定
中に逐次データ処理結果を出力させることもできる。
Ｖｄ、Ｖｙに対するＣｇ、 ｄＣｙ、 ｄＩｄが求め
られ、艮 以上のように、本発明は従来人間が行なっていた実験上
の計測・データ処理の操作を制御部で代行してしまうの
で、従来よりも容易に、且つ短時間で精確な実験結果を
得ることができる。また、制御部ＩＫＣＲＴ、ＸＹプρ
クター、プリンター等のデータ出力機器を接続し、測定
中に逐次データ処理結果を出力させることもできる。
また本発明はその構成上、半導体不純物濃度及び移動度
の深さ方向の分布測定のみでな（Ｖｄ−Ｉｄ。
の深さ方向の分布測定のみでな（Ｖｄ−Ｉｄ。
Ｖｇ−１ｍ等の他のＦＥＴ特性の自動測定も制御部の設
定変更のみで可能であることはもちろんである。
定変更のみで可能であることはもちろんである。
第１図は装置の構成を示すプｐツク図、第２図はＩｄ測
定回路、第３図はＣＩ測定回路を示す。 １・・・・・・制御部、２・・・・・・リレー駆動部、
３・・・・・・切換ｌ！！ｌ路部、４・・・・・・ソケ
ット部、５・・・・・・測定試料。 ５６１．． 、、、、□、１］うｐ ７０１１．−９．
、］＄ｚｃ、（、８１００００，お９，９３９・・・・
・・信号バス、１０・・・−・・電流針、１１・・・・
・・電圧側。 Ｉ２・・・・・・定電圧′ＩＦＬ源、１３・・・・・・
定電圧ｍ源、１４・・・・・・ｄ縦針、 ＲＬ １・・
・・・・２接点トランスファーリレー。 ＲＬ２・・・・・・リレー、ＲＬ３・・・・・・リレー
、ＲＬ４・・・・・・リレー。 猶１図
定回路、第３図はＣＩ測定回路を示す。 １・・・・・・制御部、２・・・・・・リレー駆動部、
３・・・・・・切換ｌ！！ｌ路部、４・・・・・・ソケ
ット部、５・・・・・・測定試料。 ５６１．． 、、、、□、１］うｐ ７０１１．−９．
、］＄ｚｃ、（、８１００００，お９，９３９・・・・
・・信号バス、１０・・・−・・電流針、１１・・・・
・・電圧側。 Ｉ２・・・・・・定電圧′ＩＦＬ源、１３・・・・・・
定電圧ｍ源、１４・・・・・・ｄ縦針、 ＲＬ １・・
・・・・２接点トランスファーリレー。 ＲＬ２・・・・・・リレー、ＲＬ３・・・・・・リレー
、ＲＬ４・・・・・・リレー。 猶１図
Claims (1)
- リレーにより複数の測定回路に切替わる切換回路と、測
定試料を接続するソケット部と、前記切換回路部のリレ
ーを駆動するリレー駆動部と、標準バスで匍（御される
計測部と、前記リレー駆動部および前記計測部を制御す
るとともに−ｊ定順序を管理し、さらに必要な演算を行
５制＃部により構成されることを特徴とする半導体特性
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2762282A JPS58145140A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 半導体特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2762282A JPS58145140A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 半導体特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58145140A true JPS58145140A (ja) | 1983-08-29 |
Family
ID=12226041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2762282A Pending JPS58145140A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 半導体特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58145140A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367352A (en) * | 1976-11-27 | 1978-06-15 | Fujitsu Ltd | Measuring method of resistivity for double-layer film |
| JPS5539627A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatic device for measuring specific resistance distribution of semiconductor |
| JPS56116637A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Nec Corp | Detector for semiconductor device |
| JPS5745945A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS5787150A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Large-scale integrated circuit |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP2762282A patent/JPS58145140A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367352A (en) * | 1976-11-27 | 1978-06-15 | Fujitsu Ltd | Measuring method of resistivity for double-layer film |
| JPS5539627A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatic device for measuring specific resistance distribution of semiconductor |
| JPS56116637A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Nec Corp | Detector for semiconductor device |
| JPS5745945A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS5787150A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Large-scale integrated circuit |
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