JPS5832177A - Ｍｏｓｆｅｔチヤネル部温度測定方法 - Google Patents
Ｍｏｓｆｅｔチヤネル部温度測定方法Info
- Publication number
- JPS5832177A JPS5832177A JP13056081A JP13056081A JPS5832177A JP S5832177 A JPS5832177 A JP S5832177A JP 13056081 A JP13056081 A JP 13056081A JP 13056081 A JP13056081 A JP 13056081A JP S5832177 A JPS5832177 A JP S5832177A
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- JP
- Japan
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- channel part
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2621—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
- G01R31/2628—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's for measuring thermal properties thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＭＯＳＦＥＴ”のチャネル部温度の測定方法
に＠するものである。
に＠するものである。
従来、ＭＯＳＦＥＴのチャネル部温度の測定方法として
は、例へば、ＪＩＳ−Ｃ−７０３０，７−１８に示すよ
うに、感温パラメータとして、サブストレート、ドレイ
ン間のｐ−ｎ接合順方向電圧降下を使用するのが一般的
である。すなわち、第１図に示すように、供試ＭＯ８Ｆ
ＥＴ １のゲートに対しゲート電圧Ｖｇを加へておき、
ソースを接地し、発熱用主電源２からスイッチ３の接触
子接点ａｆ介して発熱電流を流し、つぎに、スイッチ３
の接触子を接点すに切換えて、逆方向の測定用電源４か
ら供試ＭＯ８ＦＥＴ １に検査電流を流して、そのとき
の感温パラメータである、サブストレート（ソースとシ
ョート）ドレイン間の接合の順方向電圧を測定し、この
電圧値から間接的に供試ＭＯ８ＦＥＴ１のチャネル部の
温度を知るのである。この場合、ソースからドレインへ
電流を流すために、発熱させるための電源２と、温度測
定用電源４は逆極性となり、電源を高速にてスイッチさ
せる必要があり、そのため、最近開発が進んでいる電力
用パワーＭＯ８ＦＥＴでは、必要とされる電源容量が大
きく、スイッチングが困難となりで込る。
は、例へば、ＪＩＳ−Ｃ−７０３０，７−１８に示すよ
うに、感温パラメータとして、サブストレート、ドレイ
ン間のｐ−ｎ接合順方向電圧降下を使用するのが一般的
である。すなわち、第１図に示すように、供試ＭＯ８Ｆ
ＥＴ １のゲートに対しゲート電圧Ｖｇを加へておき、
ソースを接地し、発熱用主電源２からスイッチ３の接触
子接点ａｆ介して発熱電流を流し、つぎに、スイッチ３
の接触子を接点すに切換えて、逆方向の測定用電源４か
ら供試ＭＯ８ＦＥＴ １に検査電流を流して、そのとき
の感温パラメータである、サブストレート（ソースとシ
ョート）ドレイン間の接合の順方向電圧を測定し、この
電圧値から間接的に供試ＭＯ８ＦＥＴ１のチャネル部の
温度を知るのである。この場合、ソースからドレインへ
電流を流すために、発熱させるための電源２と、温度測
定用電源４は逆極性となり、電源を高速にてスイッチさ
せる必要があり、そのため、最近開発が進んでいる電力
用パワーＭＯ８ＦＥＴでは、必要とされる電源容量が大
きく、スイッチングが困難となりで込る。
本発明の目的は、感温パラメータとしてゲート電圧を使
用し、さらに印加電力を定電力化することにより、前記
電源切漫えの困難を除去し、容易に電力用ＭＯ８ＦＥＴ
のチャネル部温度を測定する方法を提供するものである
。
用し、さらに印加電力を定電力化することにより、前記
電源切漫えの困難を除去し、容易に電力用ＭＯ８ＦＥＴ
のチャネル部温度を測定する方法を提供するものである
。
本発明方法は、供試ＭＯ８ＦＥＴのドレイン−ソース間
に印加される電力が一定となるように電圧電流をゲート
・ソース間電圧にて制御し表から印加し、このゲート拳
ソース間電圧から前記供試ＭＯ８ＦＥＴ チャネル部の
温度を求めるのである。
に印加される電力が一定となるように電圧電流をゲート
・ソース間電圧にて制御し表から印加し、このゲート拳
ソース間電圧から前記供試ＭＯ８ＦＥＴ チャネル部の
温度を求めるのである。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の一実施例の回路図であって、ＩＦｉ供
試ＭＯ８ＦＥＴ、 ６はドレイン電流検出用抵抗、７
，８は定電圧、定電流を得るためのオペアンプである。
試ＭＯ８ＦＥＴ、 ６はドレイン電流検出用抵抗、７
，８は定電圧、定電流を得るためのオペアンプである。
９は温度上昇のための主電源、１０は温度検出の友めの
ゲート電圧測定用電圧計である。１１．１２は定電圧、
定電流を得るために基準電圧管オペアンプ７．８にそれ
ぞれ供給するための入力端子である。この実施例では、
供試素子が発熱するにつれ指定された電力を供給するた
めのゲート電圧は変化してくる。あらかじめ恒温槽なと
によりチャネル部温度をゲート電圧で較正しておくこと
により、チャネル部温度を求めることができる。
ゲート電圧測定用電圧計である。１１．１２は定電圧、
定電流を得るために基準電圧管オペアンプ７．８にそれ
ぞれ供給するための入力端子である。この実施例では、
供試素子が発熱するにつれ指定された電力を供給するた
めのゲート電圧は変化してくる。あらかじめ恒温槽なと
によりチャネル部温度をゲート電圧で較正しておくこと
により、チャネル部温度を求めることができる。
以上説明し友ように本発明では回路動作上、電源のスイ
ッチがないため大容量電力用ＭＯ８ＦＥＴのチャネル部
の温度測定が容易となる。さらに感温パラメータがゲー
ト電圧であるため、チャネルに最も近い点で測温か可能
となる他、チャネル部温度の過渡的変化の追随測定も可
能となる。
ッチがないため大容量電力用ＭＯ８ＦＥＴのチャネル部
の温度測定が容易となる。さらに感温パラメータがゲー
ト電圧であるため、チャネルに最も近い点で測温か可能
となる他、チャネル部温度の過渡的変化の追随測定も可
能となる。
第１図は従来のＭＯ８ＦＥＴチャネル部温度測足方法を
示す回路図、第２図は本発明の一実施例を示す回路図で
ある。
示す回路図、第２図は本発明の一実施例を示す回路図で
ある。
Claims (1)
- 供試ＭＯ８ＦＥＴのドレイン・ソース間に印加される電
力が一定となるように前記供試ＭＯ８ＦＥＴの電圧、電
流をゲート・ソース間電圧にて制御しながら印加し、こ
のゲート電圧から前記供試ＭＯ−８ＦＥＴ チップの温
度を求めることを特徴とするＭＯ８ＦＥＴチャネル部温
度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13056081A JPS5832177A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | Ｍｏｓｆｅｔチヤネル部温度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13056081A JPS5832177A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | Ｍｏｓｆｅｔチヤネル部温度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832177A true JPS5832177A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15037170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13056081A Pending JPS5832177A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | Ｍｏｓｆｅｔチヤネル部温度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832177A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61155775A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ形ｆｅｔの熱抵抗測定方法 |
| JP2014232062A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | エスペック株式会社 | パワー半導体デバイスの温度特性演算装置 |
| WO2016035388A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験装置および半導体試験方法 |
| JP2017135868A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置およびパワーモジュールの熱抵抗計測方法 |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP13056081A patent/JPS5832177A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61155775A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ形ｆｅｔの熱抵抗測定方法 |
| JP2014232062A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | エスペック株式会社 | パワー半導体デバイスの温度特性演算装置 |
| WO2016035388A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験装置および半導体試験方法 |
| JPWO2016035388A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験装置および半導体試験方法 |
| JP2017135868A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置およびパワーモジュールの熱抵抗計測方法 |
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