JPH01301189A - 半導体装置の電気的特性測定方法 - Google Patents
半導体装置の電気的特性測定方法Info
- Publication number
- JPH01301189A JPH01301189A JP13242388A JP13242388A JPH01301189A JP H01301189 A JPH01301189 A JP H01301189A JP 13242388 A JP13242388 A JP 13242388A JP 13242388 A JP13242388 A JP 13242388A JP H01301189 A JPH01301189 A JP H01301189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- semiconductor device
- terminal
- value
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 244000061354 Manilkara achras Species 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−の１
この発明は、半導体装置の電気的特性測定方法に関する
ものである。
ものである。
従】ぴ刈え術−
半導体装置の電気的特性の熱依存性測定は一般的に第４
図に示す手順により行われている。図は、半導体装置の
電気的特性測定の流れ図であり、常温電気的特性測定と
高温電気的特性測定とで両方共良品判定されたものが、
最終的に良品となる。高温電気的特性測定をするための
高温化の方法としては、例えば、被測定物を直に熱する
ホットプレートや、被測定物の雰囲気を熱する高温槽等
が挙げられる。
図に示す手順により行われている。図は、半導体装置の
電気的特性測定の流れ図であり、常温電気的特性測定と
高温電気的特性測定とで両方共良品判定されたものが、
最終的に良品となる。高温電気的特性測定をするための
高温化の方法としては、例えば、被測定物を直に熱する
ホットプレートや、被測定物の雰囲気を熱する高温槽等
が挙げられる。
Ｂ イ °−−−
しかし、前述の従来方法では、高温化のための設備、治
具等の手配、測定そのものの煩雑化、全測定時間の長大
化のため、高温電気的特性測定はほとんど実施されてい
ないのが現状である。そのため、半導体装置の使用時に
おける自己発熱による電気的特性、たとえば半導体のＲ
−Ｎ接合の敷居値、抵抗の値、トランジスターのｈＦＥ
値等の変動により、所望の電気的特性を満足しない製品
が、顧客の手に渡る危険性があった。
具等の手配、測定そのものの煩雑化、全測定時間の長大
化のため、高温電気的特性測定はほとんど実施されてい
ないのが現状である。そのため、半導体装置の使用時に
おける自己発熱による電気的特性、たとえば半導体のＲ
−Ｎ接合の敷居値、抵抗の値、トランジスターのｈＦＥ
値等の変動により、所望の電気的特性を満足しない製品
が、顧客の手に渡る危険性があった。
０・ ゛ −の
この発明はこのような従来の欠点を改善するためになさ
れたものであって、以下、この発明の一実施例につき、
第１図、乃至第３図を用いて詳細に説明する。
れたものであって、以下、この発明の一実施例につき、
第１図、乃至第３図を用いて詳細に説明する。
支凰旌
第１図はこの実施例を応用した測定方法の概略図の一例
を示している。こ゛の図において、符号１は被測定物で
ある半導体装置１ａは半導体装置の電気的特性測定端子
であり、測定器２の一端につながれ、２の他端は接地３
に接続される。４は半導体装置のある内部トランジスタ
ーであり、そのエミッタ一端子４ａが半導体装置のｔｂ
の端子として外部に導き出され、スイッチ５を通して負
荷抵抗６に接続され、６の他端は接地３に接続される。
を示している。こ゛の図において、符号１は被測定物で
ある半導体装置１ａは半導体装置の電気的特性測定端子
であり、測定器２の一端につながれ、２の他端は接地３
に接続される。４は半導体装置のある内部トランジスタ
ーであり、そのエミッタ一端子４ａが半導体装置のｔｂ
の端子として外部に導き出され、スイッチ５を通して負
荷抵抗６に接続され、６の他端は接地３に接続される。
ＩＣは半導体装置の電源端子であり電源７に接続される
。８はトランジスター４以外の内部素子群を表わしてい
る。先ず第１図（ａ）の試験１において測定器２で得ら
れた値をＡとし、次に試験２でスイッチ５を閉じる事で
トランジスター４に負荷電流を流して自己発熱させ、最
後に試験３で、試験１と同様に測定した時の値をＢとす
ると、（Ｂ−Ａ）が、その電気的特性のある温度による
熱依存性を表わしている。トランジスター４にて清算す
る電力Ｐｄは、トランジスター４の飽和電圧をＶＣＥ４
［：Ｖコ、端子ｔｂの電位をＶｔｂ（Ｖ）、負荷抵
抗６の抵抗値をＲ（Ω）とすると、Ｐｄ：Ｖｔｂ Ｖ ＣＦ２・−Ｆ−（Ｗ）で表わされ、その時の被測定
物の温度上昇分は、Ｐｄと第１図（ｂ）の試験２での間
で決定される。
。８はトランジスター４以外の内部素子群を表わしてい
る。先ず第１図（ａ）の試験１において測定器２で得ら
れた値をＡとし、次に試験２でスイッチ５を閉じる事で
トランジスター４に負荷電流を流して自己発熱させ、最
後に試験３で、試験１と同様に測定した時の値をＢとす
ると、（Ｂ−Ａ）が、その電気的特性のある温度による
熱依存性を表わしている。トランジスター４にて清算す
る電力Ｐｄは、トランジスター４の飽和電圧をＶＣＥ４
［：Ｖコ、端子ｔｂの電位をＶｔｂ（Ｖ）、負荷抵
抗６の抵抗値をＲ（Ω）とすると、Ｐｄ：Ｖｔｂ Ｖ ＣＦ２・−Ｆ−（Ｗ）で表わされ、その時の被測定
物の温度上昇分は、Ｐｄと第１図（ｂ）の試験２での間
で決定される。
それゆえ、予めこの被７ｉｌｌｌ定物の、この電気的特
性と温度との相関関数を調べておき、測定したい温度と
なるようにＰｄと試験２での時間を設定しておけば良い
。
性と温度との相関関数を調べておき、測定したい温度と
なるようにＰｄと試験２での時間を設定しておけば良い
。
電気的特性測定端子による測定方法の例を第２図および
第３図に示す。第２図は一般的なリニアＩＣの入力回路
部でのトランジスターのｈｐｌｊｓｌｌｌ定方法の一例
である。９．ＩＯは差動入力部を形成するトランジスタ
ー、１１は定電流回路部、１２は入力端子であり、入力
抵抗１３により接地３に接続される。この場合、定電流
回路部により流される電流をＩ （Ａ）とすると、差動
増幅のためトランジスター９、ＩＯのそれぞれのエミッ
ター９ａ、 ＩＯａにはＩ／２ （Ａ）すつの電流が
流れる。ここでトランジスター９のｈＦＥをαとすると
、入力端子Ｉ２には１／２（１＋α）（Ａ）の電流が流
れ込む事になり、それゆえ、入力抵抗Ｉ３の抵抗値°を
ｒ（Ω）とすると■・ｒ／２（１＋α）（Ｖ）の電圧が
、抵抗両端に発生する。
第３図に示す。第２図は一般的なリニアＩＣの入力回路
部でのトランジスターのｈｐｌｊｓｌｌｌ定方法の一例
である。９．ＩＯは差動入力部を形成するトランジスタ
ー、１１は定電流回路部、１２は入力端子であり、入力
抵抗１３により接地３に接続される。この場合、定電流
回路部により流される電流をＩ （Ａ）とすると、差動
増幅のためトランジスター９、ＩＯのそれぞれのエミッ
ター９ａ、 ＩＯａにはＩ／２ （Ａ）すつの電流が
流れる。ここでトランジスター９のｈＦＥをαとすると
、入力端子Ｉ２には１／２（１＋α）（Ａ）の電流が流
れ込む事になり、それゆえ、入力抵抗Ｉ３の抵抗値°を
ｒ（Ω）とすると■・ｒ／２（１＋α）（Ｖ）の電圧が
、抵抗両端に発生する。
即ちここで入力抵抗１３の一端に電圧計１４を接続すれ
ば、その測定値よりαが求められる。半導体装置は、同
一工程における大量生産という製法のため、内部のそれ
ぞれのトランジスターの電気的特性は非常に一致してお
り、そのため、その中の１つを測定するだけで、他のト
ランジスターも測定したことになる。
ば、その測定値よりαが求められる。半導体装置は、同
一工程における大量生産という製法のため、内部のそれ
ぞれのトランジスターの電気的特性は非常に一致してお
り、そのため、その中の１つを測定するだけで、他のト
ランジスターも測定したことになる。
第３図は、一般的なリニアＩＣの出力回路部を利用した
トランジスターのリーク測定方法の一例である。１５．
１Ｇは出力段のトランジスター、１７は電源端子であり
、電流計１８を介して電源１９に接続される。出力端子
２０を、前段の増幅部２Ｉをバイアスせずに、トランジ
スター１５を遮断状態にしておいて接地３に接続し、こ
の時に電流計１８にて測定された電流値がトランジスタ
ー１５のコレクター、エミッター間のリーク電流である
。
トランジスターのリーク測定方法の一例である。１５．
１Ｇは出力段のトランジスター、１７は電源端子であり
、電流計１８を介して電源１９に接続される。出力端子
２０を、前段の増幅部２Ｉをバイアスせずに、トランジ
スター１５を遮断状態にしておいて接地３に接続し、こ
の時に電流計１８にて測定された電流値がトランジスタ
ー１５のコレクター、エミッター間のリーク電流である
。
光用ｊ騰［【
以上記述したように、この発明によるときは、高温電気
的特性測定をするために高温化のための設備、治具等の
手配が不要であり、かつ常温電気的特性測定の治具にて
実現可能のため工程が一つ減らすことができ、全測定時
間の短縮が図れる。
的特性測定をするために高温化のための設備、治具等の
手配が不要であり、かつ常温電気的特性測定の治具にて
実現可能のため工程が一つ減らすことができ、全測定時
間の短縮が図れる。
第１図は、この発明の一実施例による測定方法を説明す
る概略図、第２図、第３図は同上測定方法の一例を示す
部分回路図、第４図は、従来の測定方法を示す概略図で
ある。 １・・・半導体装置、 ４・・・内部トランジスター。 第１図 筑２図 ｊＩ ３ 図
る概略図、第２図、第３図は同上測定方法の一例を示す
部分回路図、第４図は、従来の測定方法を示す概略図で
ある。 １・・・半導体装置、 ４・・・内部トランジスター。 第１図 筑２図 ｊＩ ３ 図
Claims (1)
- 半導体装置内部のトランジスターを自己発熱させ、電
気的特性の熱依存性を測定することを特徴とする半導体
装置の電気的特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242388A JPH01301189A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体装置の電気的特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242388A JPH01301189A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体装置の電気的特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301189A true JPH01301189A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15081030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13242388A Pending JPH01301189A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体装置の電気的特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01301189A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04252887A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-09-08 | Hitachi Ltd | オイルフリースクリュー圧縮機装置 |
| US10734990B2 (en) | 2016-01-08 | 2020-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61155775A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ形ｆｅｔの熱抵抗測定方法 |
| JPS62182679A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nec Corp | トランジスタ増幅器の高周波電力利得の温度係数測定方法 |
| JPS6340876A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の試験方法 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13242388A patent/JPH01301189A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61155775A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ形ｆｅｔの熱抵抗測定方法 |
| JPS62182679A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nec Corp | トランジスタ増幅器の高周波電力利得の温度係数測定方法 |
| JPS6340876A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の試験方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04252887A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-09-08 | Hitachi Ltd | オイルフリースクリュー圧縮機装置 |
| US10734990B2 (en) | 2016-01-08 | 2020-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5970429A (en) | Method and apparatus for measuring electrical noise in devices | |
| Zweidinger et al. | Thermal impedance extraction for bipolar transistors | |
| JP3203996B2 (ja) | 電流−電圧変換アンプのテスト回路 | |
| US4706015A (en) | Method and circuit for reducing contact resistance of the potential probes of a four-point-probe in contact with a III-V compound semiconductor wafer | |
| US7052179B2 (en) | Temperature detector | |
| US3227953A (en) | Bridge apparatus for determining the input resistance and beta figure for an in-circuit transistor | |
| Green | MOSFET operation at 4.2 K | |
| Christiaens et al. | Transient thermal modeling and characterization of a hybrid component | |
| JPH01301189A (ja) | 半導体装置の電気的特性測定方法 | |
| JPH06258384A (ja) | 集積回路試験用電流測定装置および集積回路 | |
| JP2009109314A (ja) | 半導体装置および半導体装置の検査方法 | |
| JP2006214976A (ja) | 半導体装置の検査方法および検査装置並びに半導体装置 | |
| US3440530A (en) | Method and apparatus for measuring the resistance of an electrical component which may be shunted by a semiconductor device | |
| JP3084857B2 (ja) | 電力用半導体装置の熱抵抗測定方法 | |
| Warshawsky | On‐line dynamic gas pyrometry using two‐thermocouple probe | |
| US5086278A (en) | Circuit element measuring method and apparatus | |
| Saeed et al. | Electrical modeling and simulation of AC-DC thermal transfer devices to investigate the errors sources | |
| JPS6321875B2 (ja) | ||
| JPS6066442A (ja) | 半導体接続試験方法 | |
| JPS63253266A (ja) | 微少電流測定法 | |
| Jakopovic et al. | A correction of measured power MOSFET's normalized temperature response because of a case temperature rise | |
| CN114217198A (zh) | 基于短脉冲大电流SiC MOSFET模块热阻测量方法 | |
| Rebuldela et al. | RF-DC differences of micropotentiometers | |
| JPH07151818A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| SU1506402A1 (ru) | Способ определени коэффициента усилени высоковольтного транзистора |