JPS6066442A - 半導体接続試験方法 - Google Patents
半導体接続試験方法Info
- Publication number
- JPS6066442A JPS6066442A JP17461883A JP17461883A JPS6066442A JP S6066442 A JPS6066442 A JP S6066442A JP 17461883 A JP17461883 A JP 17461883A JP 17461883 A JP17461883 A JP 17461883A JP S6066442 A JPS6066442 A JP S6066442A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- junction
- semiconductor
- power
- connection
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体とダイの接続状態を試験する方法に関
する。
する。
半導体部品でダイの接続状態全確認する方法としては冷
熱サイクルにより劣化させたのち／ｉ性を測定する方法
とか、印加電力を断続して接続部に温度差を与える方法
などが行われている。前者は劣化の時間が不正確となシ
、後者では劣化した場合直ちに、試料や装置の破壊に至
る。また、試料が破壊する場合は、熱暴走に因るもので
あり、結果として、接続部は非常に高温となるため、劣
化の状態を詳しく確めることは出来ない。
熱サイクルにより劣化させたのち／ｉ性を測定する方法
とか、印加電力を断続して接続部に温度差を与える方法
などが行われている。前者は劣化の時間が不正確となシ
、後者では劣化した場合直ちに、試料や装置の破壊に至
る。また、試料が破壊する場合は、熱暴走に因るもので
あり、結果として、接続部は非常に高温となるため、劣
化の状態を詳しく確めることは出来ない。
本発明は上記問題を解決したダイボンド性の試験方法を
提供することを目的とするものである◎上記目的を達成
するために本発明の試験方法は独立のＰＮ接合を含む半
導体試料によって、自己発熱の大きさを調節して試料の
さらされる温度差を一定となるように構成されている。
提供することを目的とするものである◎上記目的を達成
するために本発明の試験方法は独立のＰＮ接合を含む半
導体試料によって、自己発熱の大きさを調節して試料の
さらされる温度差を一定となるように構成されている。
すなわち、本発明による試験方法は試料内の独立のＰＮ
接合を温度検出器として、ＰＮ接合の順方向電圧の温度
特性を利用し該試料の最高温度が常に一定となるように
、ダイボンドの劣化に対して印加する電力を調節するも
のである・この方法によれば、電力の変化によシダイボ
ンドの劣化状／ｌＪｌ’を知ることが出来、また熱暴走
に至らずに試験を終了することが出来る・結果、劣化の
状態を観察することにより改善、等有益な情報を得るこ
とが可能である。
接合を温度検出器として、ＰＮ接合の順方向電圧の温度
特性を利用し該試料の最高温度が常に一定となるように
、ダイボンドの劣化に対して印加する電力を調節するも
のである・この方法によれば、電力の変化によシダイボ
ンドの劣化状／ｌＪｌ’を知ることが出来、また熱暴走
に至らずに試験を終了することが出来る・結果、劣化の
状態を観察することにより改善、等有益な情報を得るこ
とが可能である。
以下、図を用いて説明する。
第１図は従来の電力断続試験である。この方法では試料
４の熱抵抗を利用して最高温度を設定するために、印加
される電力条件は一定となる。その結果ダイボンド性が
劣化しても同じ電力が定電圧電源１と電力断続郵２によ
り供給される。その結果、ダイボンド性が劣化した場合
、熱抵抗が増加し容易に熱暴走に至ってしまう。
４の熱抵抗を利用して最高温度を設定するために、印加
される電力条件は一定となる。その結果ダイボンド性が
劣化しても同じ電力が定電圧電源１と電力断続郵２によ
り供給される。その結果、ダイボンド性が劣化した場合
、熱抵抗が増加し容易に熱暴走に至ってしまう。
第２図は、本発明の試験法であるが、試料４の内部に独
立したＰＮ接合５を設け、その順方向電圧の変化を電圧
→電流変換器６によって、調節信号を作り出し、電力調
節電源３をコントロールするものである。本方法では、
ＰＮ接合５の順方向電圧（試料の最高温度）を一定とな
るように印加電力がコントロールされるのでダイボンド
性が劣化した場合、電力を下げて、最高温度が常に一定
の条件で試験されるため、非破壊のまま接続状態の確認
が可能となる・
立したＰＮ接合５を設け、その順方向電圧の変化を電圧
→電流変換器６によって、調節信号を作り出し、電力調
節電源３をコントロールするものである。本方法では、
ＰＮ接合５の順方向電圧（試料の最高温度）を一定とな
るように印加電力がコントロールされるのでダイボンド
性が劣化した場合、電力を下げて、最高温度が常に一定
の条件で試験されるため、非破壊のまま接続状態の確認
が可能となる・
第１図は従来の試験方法を示すブロック図。第２図は本
発明による試験方法を示すブロック図。 ｌ・・・・・・定電圧電源、２・・・・・パ竜力断続器
、３・・・・・・電力調節電源、４・・・・・・試料、
５・・・・・・試料内ＰＮ１Ｎ１３６・・・・・・電圧
→電流変換器。
発明による試験方法を示すブロック図。 ｌ・・・・・・定電圧電源、２・・・・・パ竜力断続器
、３・・・・・・電力調節電源、４・・・・・・試料、
５・・・・・・試料内ＰＮ１Ｎ１３６・・・・・・電圧
→電流変換器。
Claims (1)
- 半導体チップのダイボンド性を確認する方法に於て、試
料チップ内に予じめ設けられた独立のＰ−Ｎ接合を用い
て該チップの温度変化値を一定に保つことを特徴とする
試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17461883A JPS6066442A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 半導体接続試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17461883A JPS6066442A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 半導体接続試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066442A true JPS6066442A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15981735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17461883A Pending JPS6066442A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 半導体接続試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066442A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302184A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Matsushita Electron Corp | 半導体チップの接着不良検査装置 |
| JPH0290646A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Nec Corp | 試験用半導体素子 |
| CN111190452A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种基准电路芯片温度系数的测试方法 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17461883A patent/JPS6066442A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302184A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Matsushita Electron Corp | 半導体チップの接着不良検査装置 |
| JPH0290646A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Nec Corp | 試験用半導体素子 |
| CN111190452A (zh) * | 2020-01-06 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种基准电路芯片温度系数的测试方法 |
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