JPS58144381A - β−ケトエステル誘導体及びその製造方法 - Google Patents
β−ケトエステル誘導体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58144381A JPS58144381A JP2867982A JP2867982A JPS58144381A JP S58144381 A JPS58144381 A JP S58144381A JP 2867982 A JP2867982 A JP 2867982A JP 2867982 A JP2867982 A JP 2867982A JP S58144381 A JPS58144381 A JP S58144381A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- general formula
- lower alkyl
- ether
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Pyrane Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は下記一般式CI)で表わされる新規なβ−ケト
エステル誘導体及びその與造方法に関する。
エステル誘導体及びその與造方法に関する。
R100
C式中R7は水素原子、低級アルキル基を、R2は低級
アルキル基を示す) L記一般式(I)のR1,R2で表わされる低級アルキ
ル基としては炭素数1〜6の直鎖状あるいは分校状のア
ルキ々基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、 5ec−ブチM。
アルキル基を示す) L記一般式(I)のR1,R2で表わされる低級アルキ
ル基としては炭素数1〜6の直鎖状あるいは分校状のア
ルキ々基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、 5ec−ブチM。
iS○−ブチル、t−ブチA/Iペンチル、ヘキシル法
等が挙げられる。
等が挙げられる。
本発明化合物は文献未載の新規化合物であって抗菌作用
、抗バクテリア作用を有し、医薬として有用な化合物で
ある。
、抗バクテリア作用を有し、医薬として有用な化合物で
ある。
一般式(I)で表わされるβ−ケトエステル誘導体は、
一般式面 R1 (式中R1け水素原子、低級アルキル基を示す)で表わ
されるカルボン酸誘導体に、一般式面(式中R8け低級
アルコキシ基又はフェニ/L/基を、Yは酸素あるbは
硫黄原子を、X′はハロゲン原子を示す)で表わされる
化合物を塩基の存在下反応させ、一般式(5) (式中R、R、Yは前記と同一の意味を示す)で8 表わされる化合物を得、これを単離することなくさらに
一般式 (式中R2は低級アルキル基を、X” はハロゲン原子
を示す)で表わされる化合物を反応させることによシ製
造される。この製造方法は特に酸に対して不安定な官能
基を分子内に有する化合物よシβ−ケトエステlし誘導
体を製造するのに有効かっ新規な方法であるや 一般式価のR8で表わされる低級アルコキシ基トシては
、例えばメトキシ、エトキシ基等ヲ、Xのハロゲン原子
としては塩素、臭素等をそれぞれ例示することができる
。又、一般式ff)のX で表わされるハロゲン原子と
しては臭素、ヨウ素を例ボすることができる。一般式m
で表わされる化合物はシンセシス(5ynthesis
) 1978.142−148に記載されており、そ
の詳細は後記実施例にお込て述べる。
一般式面 R1 (式中R1け水素原子、低級アルキル基を示す)で表わ
されるカルボン酸誘導体に、一般式面(式中R8け低級
アルコキシ基又はフェニ/L/基を、Yは酸素あるbは
硫黄原子を、X′はハロゲン原子を示す)で表わされる
化合物を塩基の存在下反応させ、一般式(5) (式中R、R、Yは前記と同一の意味を示す)で8 表わされる化合物を得、これを単離することなくさらに
一般式 (式中R2は低級アルキル基を、X” はハロゲン原子
を示す)で表わされる化合物を反応させることによシ製
造される。この製造方法は特に酸に対して不安定な官能
基を分子内に有する化合物よシβ−ケトエステlし誘導
体を製造するのに有効かっ新規な方法であるや 一般式価のR8で表わされる低級アルコキシ基トシては
、例えばメトキシ、エトキシ基等ヲ、Xのハロゲン原子
としては塩素、臭素等をそれぞれ例示することができる
。又、一般式ff)のX で表わされるハロゲン原子と
しては臭素、ヨウ素を例ボすることができる。一般式m
で表わされる化合物はシンセシス(5ynthesis
) 1978.142−148に記載されており、そ
の詳細は後記実施例にお込て述べる。
一般式前で表わされる化合物の製造の際、一般式(mで
表わされるfヒ合物と一般式価で表わされるfヒ合物、
及び塩基の使用割合は適宜選択すればよいが、通常一般
式(2)で表わされる化合物に対し、一般式面で表わさ
れる化合物および塩基をそれぞ! れ等モM乃至1.3倍モル歎程度使用するのが好ましい
。塩基としては、トリエチルアミン、エチルジイソプロ
ピルアミン等の第3級アミンを使用スるのが好適である
、反応溶媒としては反応に関与しないものである限り特
に限定されず、例えばエーテル、テトラハイドロフラン
等のエーテル類。
表わされるfヒ合物と一般式価で表わされるfヒ合物、
及び塩基の使用割合は適宜選択すればよいが、通常一般
式(2)で表わされる化合物に対し、一般式面で表わさ
れる化合物および塩基をそれぞ! れ等モM乃至1.3倍モル歎程度使用するのが好ましい
。塩基としては、トリエチルアミン、エチルジイソプロ
ピルアミン等の第3級アミンを使用スるのが好適である
、反応溶媒としては反応に関与しないものである限り特
に限定されず、例えばエーテル、テトラハイドロフラン
等のエーテル類。
ジクロルメタン、クロロホルム等のノ・ロゲンfヒIN
rヒ水素類が使用され、反応温度及び時間も適宜選択す
ればよめが、一般に、−10°Cから室温程度 “にて
約1時間からlO時間程度で十分である。生成する一般
式(至)で表わされるrヒ金物は単離しても良いが、通
常は単離せず、そのまま次の反応に使用するのが好まし
い。
rヒ水素類が使用され、反応温度及び時間も適宜選択す
ればよめが、一般に、−10°Cから室温程度 “にて
約1時間からlO時間程度で十分である。生成する一般
式(至)で表わされるrヒ金物は単離しても良いが、通
常は単離せず、そのまま次の反応に使用するのが好まし
い。
一般式(5)及びff)で表わされる化合物の反応に関
して、それぞれの化合物の使用割合は、通常一般式(5
)の化合物に対し、一般式mのfヒ合物を等モル乃至4
倍モル量程変使用するのが好まし一〇反応溶媒としては
前記一般式(IDおよび面の化合物の反応に使用したも
のをそのまま使用できる。反応温度及び時間も適宜選択
すればよく、一般に一10’Qから室温程度にて約1時
間からlO時間程程度十分である。
して、それぞれの化合物の使用割合は、通常一般式(5
)の化合物に対し、一般式mのfヒ合物を等モル乃至4
倍モル量程変使用するのが好まし一〇反応溶媒としては
前記一般式(IDおよび面の化合物の反応に使用したも
のをそのまま使用できる。反応温度及び時間も適宜選択
すればよく、一般に一10’Qから室温程度にて約1時
間からlO時間程程度十分である。
上記方法によって得られた本発明化合物は、通常公知の
方法、例えば抽出、再結晶、蒸留、カラムクロマトグラ
フィー等の操作によりi離精製できる。
方法、例えば抽出、再結晶、蒸留、カラムクロマトグラ
フィー等の操作によりi離精製できる。
一般式mで表わされる本発明化合物全製造する原家′[
である一般式(IT)の化合物は新規化合物であシ、例
えば以下述べる方法により製造される。
である一般式(IT)の化合物は新規化合物であシ、例
えば以下述べる方法により製造される。
R1
幅
■ HRI
R1
(n)
(式中R4は低級アルキル基を示す)
一般式f[l)で表わされるfヒ合物の製造については
後記参考例で詳細に述べる。
後記参考例で詳細に述べる。
以下、本発明fヒ合物の参考例及び実施例につめて詳し
く説明する。
く説明する。
参考例1
5−エトキシカルボニル−4−メチル−2に。
4(ETh−ペンタジェノイルチアゾリン−2−千オン
の合成 5−エトキシカルボニル−4−メチル−2面。
の合成 5−エトキシカルボニル−4−メチル−2面。
40−ペンタジェノイックアシッドL2.08g&チオ
二Mクロライド70wtt中で1時間加熱還流し、今後
、過剰のチオニルクロライドを減圧上留去する。残渣に
乾燥ベンゼン20m1加えて留去を2回縁シ返す。残渣
を乾燥テトラハイドロフラン1OOtttlに溶解し、
チアゾリジン−2−千オンのタリウムti21.2g、
乾燥テトラハイドロフラン200m1の懸濁液に滴下し
、−夜撹拌後、タリウムクロワイドftp別し、p液濃
縮残渣をクロロホlレムにてシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製し、ベンゼン−n−’ヘキサンよシ再
結晶して、mp90〜91’Cの黄色針状結晶の標記化
合物110717(収率70憾)を得る。
二Mクロライド70wtt中で1時間加熱還流し、今後
、過剰のチオニルクロライドを減圧上留去する。残渣に
乾燥ベンゼン20m1加えて留去を2回縁シ返す。残渣
を乾燥テトラハイドロフラン1OOtttlに溶解し、
チアゾリジン−2−千オンのタリウムti21.2g、
乾燥テトラハイドロフラン200m1の懸濁液に滴下し
、−夜撹拌後、タリウムクロワイドftp別し、p液濃
縮残渣をクロロホlレムにてシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製し、ベンゼン−n−’ヘキサンよシ再
結晶して、mp90〜91’Cの黄色針状結晶の標記化
合物110717(収率70憾)を得る。
元素分析 C1□H15NO8S2としてHN
計算値幅)50.50 5.80 4.91実測値(
@ 50.49 5.82 4.76Mass
M”(m/z) 285H’−NMR(T)Pm)
(CDCI!、)■:1.:(Ot 、1−7Hz
8H◎:2.80 d J=1.2
Hz 8H◎:8.8”、 t J=7
Hz 2H◎ 4.20 t J=
7Hz 2H■ 4.56 j
J=7Hz 2H■ 6.00〜6.08
m IHQ 7.21
d J=15Hz IHo 7.6
5 d J=15Hz IH参考例
2 エチル−6−ハイドロキシ−3−メチル−29゜4鎚−
へキサジェノエートの合成 5−エトキシカルボニル−4−メチル−2(2)。
@ 50.49 5.82 4.76Mass
M”(m/z) 285H’−NMR(T)Pm)
(CDCI!、)■:1.:(Ot 、1−7Hz
8H◎:2.80 d J=1.2
Hz 8H◎:8.8”、 t J=7
Hz 2H◎ 4.20 t J=
7Hz 2H■ 4.56 j
J=7Hz 2H■ 6.00〜6.08
m IHQ 7.21
d J=15Hz IHo 7.6
5 d J=15Hz IH参考例
2 エチル−6−ハイドロキシ−3−メチル−29゜4鎚−
へキサジェノエートの合成 5−エトキシカルボニル−4−メチル−2(2)。
4(2)−ペンタジェノイルチアゾリン−2−チオン1
.811テトラハイドロフラン20g/、水2 ytt
lの溶液に、水素比ホウ素ナトリウム200ηを加えて
、45分間撹拌する。テトラハイドロフラン留出残H’
fcエーテル抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。
.811テトラハイドロフラン20g/、水2 ytt
lの溶液に、水素比ホウ素ナトリウム200ηを加えて
、45分間撹拌する。テトラハイドロフラン留出残H’
fcエーテル抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。
乾燥後、エーテル留出残渣を104硝酸銀−シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、濃縮残渣をクーゲ
ルロー/vvcで減圧蒸留し、bP l 40’C/3
m mHgの無色油状の標記fヒ合物58011fC
収率68係)1!I:得る。
カラムクロマトグラフィーで精製し、濃縮残渣をクーゲ
ルロー/vvcで減圧蒸留し、bP l 40’C/3
m mHgの無色油状の標記fヒ合物58011fC
収率68係)1!I:得る。
Mass M (mlZ) 170■ ◎
■ 1.29 t J=7Hz
3H■ 1,601.88 br
IH(D20で消失)■ 2.28 d
J=lHz 8H◎4.17
q J=7Hz 2H■ 4.29
d J−4Hz 2H■ 5.67
〜5.80 m l)(■
6.20 d、d J=15Hz、J=4
HzlH■ 6.33 d J=15H
z IHIR3400σ (OI(吸収) 参考例3 エチル−3−メチル−6−チトラハイドロピフノキシー
2の、4[F]−へキサジェノエートの合成エチル−6
−ハイドロキシ−8−、Ifシル−の。
3H■ 1,601.88 br
IH(D20で消失)■ 2.28 d
J=lHz 8H◎4.17
q J=7Hz 2H■ 4.29
d J−4Hz 2H■ 5.67
〜5.80 m l)(■
6.20 d、d J=15Hz、J=4
HzlH■ 6.33 d J=15H
z IHIR3400σ (OI(吸収) 参考例3 エチル−3−メチル−6−チトラハイドロピフノキシー
2の、4[F]−へキサジェノエートの合成エチル−6
−ハイドロキシ−8−、Ifシル−の。
4(2)−へキサジェノエート2.1y、p−)ルエン
スルホン酸8011g、乾燥エーテル15ag7にジハ
イドロビラン1.35m1ffi滴下し、4時間撹拌後
、5幅炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸す
I−1,1ウムで乾燥する。乾燥後、エーテルを留去し
、得られた残渣をクーゲルロールにて減圧蒸留し、bp
l 65 ’C/3mmHgの無色油状の標記fヒ
合物2.89<収率73係)を得る。
スルホン酸8011g、乾燥エーテル15ag7にジハ
イドロビラン1.35m1ffi滴下し、4時間撹拌後
、5幅炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸す
I−1,1ウムで乾燥する。乾燥後、エーテルを留去し
、得られた残渣をクーゲルロールにて減圧蒸留し、bp
l 65 ’C/3mmHgの無色油状の標記fヒ
合物2.89<収率73係)を得る。
■1.28 t J=7Hz 3H@
1.40〜2.00 m 6H@2
.29 d J=1.2Hz 3
H◎ 8.40〜4.00 m
2H■ 4.17 q J=
7Hz 2H■ 4.00〜4.48
m 2H@ 4.52〜
4.72 m lHo5
.68〜5.80 m I
H■ 6.16 d、 d J=15Hz、
J=4Hz IHQ)6.84 d
J =15Hz LH参考例4 3−メチル−6−チトラハイドロピラノキシー2[F]
、4囮−へキサジェノイックアシッドの合成エチル−3
−メチル−6−チトラハイドロピラノキシー2(2)、
4(2)−へキサジェノエート2.29 。
1.40〜2.00 m 6H@2
.29 d J=1.2Hz 3
H◎ 8.40〜4.00 m
2H■ 4.17 q J=
7Hz 2H■ 4.00〜4.48
m 2H@ 4.52〜
4.72 m lHo5
.68〜5.80 m I
H■ 6.16 d、 d J=15Hz、
J=4Hz IHQ)6.84 d
J =15Hz LH参考例4 3−メチル−6−チトラハイドロピラノキシー2[F]
、4囮−へキサジェノイックアシッドの合成エチル−3
−メチル−6−チトラハイドロピラノキシー2(2)、
4(2)−へキサジェノエート2.29 。
エタノール4 mlの溶液に、85壬水酸fE、カリウ
ム1、14 ’! 、水4 mlの溶液を滴下し、−夜
撹拌する。
ム1、14 ’! 、水4 mlの溶液を滴下し、−夜
撹拌する。
!
次にエタン−1しを留去し、残渣をエーテルで洗浄する
。希塩酸で酸性とし、エーテlし抽出し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥する。乾燥後、エーテルを留去し、残渣を
、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム
:メタノ−7し=a : 1 )で分離精製し、得られ
た結晶をn−ヘキサンより再結晶し、mp60〜61′
cの無色針状結晶1.25y(収率63係)を得る。
。希塩酸で酸性とし、エーテlし抽出し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥する。乾燥後、エーテルを留去し、残渣を
、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム
:メタノ−7し=a : 1 )で分離精製し、得られ
た結晶をn−ヘキサンより再結晶し、mp60〜61′
cの無色針状結晶1.25y(収率63係)を得る。
元素分析 Cl2H1804(!: L ”l(CH
計算値(@63.70 8.02
実測値(@ 6B、89 8.87Mass
M”(m/z) 226H1−NMR(ppm)
(CDC/3)■ ■1.40〜2.00 m 6H◎
2.30 d J=lHz 3H■
8.40〜4.00 m 2
H◎4.00〜4.52 m 2
H■4.60〜4.72 m
IH■5.72〜5.88 m
LH■6.22 d、 d J=15Hz、J=
4Hz IH@ 6.38 d J=15
Hz IH■ 8.00〜10.00 br
oad IH(D20で?n失)
実施例1 エチル−5−メチル−3−オキソ−8−テトラハイドロ
ピラノキシ−4(2)、6(2)−オクタジェノエート
の合成 参考例4で得られた3−メチル−6−テトラハイドロピ
ラノキシー2(2)、4■−へキサジェノイックアシッ
ド2.36f、)リエチルアミン17m/。
M”(m/z) 226H1−NMR(ppm)
(CDC/3)■ ■1.40〜2.00 m 6H◎
2.30 d J=lHz 3H■
8.40〜4.00 m 2
H◎4.00〜4.52 m 2
H■4.60〜4.72 m
IH■5.72〜5.88 m
LH■6.22 d、 d J=15Hz、J=
4Hz IH@ 6.38 d J=15
Hz IH■ 8.00〜10.00 br
oad IH(D20で?n失)
実施例1 エチル−5−メチル−3−オキソ−8−テトラハイドロ
ピラノキシ−4(2)、6(2)−オクタジェノエート
の合成 参考例4で得られた3−メチル−6−テトラハイドロピ
ラノキシー2(2)、4■−へキサジェノイックアシッ
ド2.36f、)リエチルアミン17m/。
乾燥テトラハイドロフランBOmlの溶液に、水冷撹拌
下、ジェトキシホスホノクロライF1.6m?i滴下し
、水冷下で3時間撹拌する。一方、金属マグネシウム1
.28 (/ 、乾燥テトラハイドロフラン30 wl
にイソプロピルブロマイドを滴下し、マグネシウムが溶
解する寸で撹拌後、水冷下に、エチルハイドロジエンマ
ロネート2.82 tttlを滴下し、水冷下で1.5
時間撹拌する。上記で製造した溶液をこの溶液に滴下し
、1.5時間撹拌する。撹拌後テトラハイドロフランを
留去し、残渣をエーテM抽出し、エーテル層を54塩酸
水溶液、5係炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥後、エーテルを留去し
、残渣ヲクロロホルム:アセトン=95:5にてシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーに付し分離精製し、淡黄
色油状の標記fヒ合物1.93F(収率65幅)を得る
。
下、ジェトキシホスホノクロライF1.6m?i滴下し
、水冷下で3時間撹拌する。一方、金属マグネシウム1
.28 (/ 、乾燥テトラハイドロフラン30 wl
にイソプロピルブロマイドを滴下し、マグネシウムが溶
解する寸で撹拌後、水冷下に、エチルハイドロジエンマ
ロネート2.82 tttlを滴下し、水冷下で1.5
時間撹拌する。上記で製造した溶液をこの溶液に滴下し
、1.5時間撹拌する。撹拌後テトラハイドロフランを
留去し、残渣をエーテM抽出し、エーテル層を54塩酸
水溶液、5係炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥後、エーテルを留去し
、残渣ヲクロロホルム:アセトン=95:5にてシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーに付し分離精製し、淡黄
色油状の標記fヒ合物1.93F(収率65幅)を得る
。
Mass M”(m/Z) 296IR,1718
□−1(−C(’)OC2H5)、lR78m−1(>
−〇)H’−NMR(pPm)(CDCj?3)■1.
27 t J=7Hz a、H◎1.4
0〜2.00 m 6H◎2.28
d J=lHz 8H◎3.49
S 2H◎8.52〜4.00 m
2Hの4.20 t J
=7Hz 2H■4.00〜4.48 m
2H■4.56〜4.68 m
IH■6.i2〜6.20 m
IH(i)−@ 6.00〜6.44 m
2H(以 上)
□−1(−C(’)OC2H5)、lR78m−1(>
−〇)H’−NMR(pPm)(CDCj?3)■1.
27 t J=7Hz a、H◎1.4
0〜2.00 m 6H◎2.28
d J=lHz 8H◎3.49
S 2H◎8.52〜4.00 m
2Hの4.20 t J
=7Hz 2H■4.00〜4.48 m
2H■4.56〜4.68 m
IH■6.i2〜6.20 m
IH(i)−@ 6.00〜6.44 m
2H(以 上)
Claims (2)
- (1)一般式 %式% ζ式中R1は水素原子、低級アルキル基を、R2け低級
アルキル基を示す)で表わされるβ−ケトエステlし誘
導体。 - (2)一般式 (式中Rは水素原子、低級アルキlし基を示す)で表わ
されるfヒ合物と、一般式 (式中R8は低級アルコキシ基又はフェニル基を、Yは
酸素あるめは硫黄原子を、Xけハロゲン原子を示す)で
表わされる化合物を塩基の存(式中R2は低級アMキル
基を、X はハロゲン原子を示す)で表わされるfヒ合
物を反応させることを特徴とする一般式 C式中R1,R2は前記と同一の意味を示す)で表わさ
れるβ−ケトエステル誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2867982A JPS58144381A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | β−ケトエステル誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2867982A JPS58144381A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | β−ケトエステル誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58144381A true JPS58144381A (ja) | 1983-08-27 |
JPS6361310B2 JPS6361310B2 (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=12255178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2867982A Granted JPS58144381A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | β−ケトエステル誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58144381A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007064077A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-06-07 | Lg Life Sciences Ltd. | A process for preparing beta-ketoester compounds |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP2867982A patent/JPS58144381A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007064077A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-06-07 | Lg Life Sciences Ltd. | A process for preparing beta-ketoester compounds |
US7642356B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-01-05 | Lg Life Sciences Ltd. | Process for preparing beta-ketoester compounds |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6361310B2 (ja) | 1988-11-28 |
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