JPS5814431B2 - シクロペンタノンカルボン酸エステル誘導体の製造方法 - Google Patents

シクロペンタノンカルボン酸エステル誘導体の製造方法

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JPS5814431B2
JPS5814431B2 JP10786477A JP10786477A JPS5814431B2 JP S5814431 B2 JPS5814431 B2 JP S5814431B2 JP 10786477 A JP10786477 A JP 10786477A JP 10786477 A JP10786477 A JP 10786477A JP S5814431 B2 JPS5814431 B2 JP S5814431B2
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JP
Japan
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alkyl group
group
hydrogen
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cyclopentanone
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JP10786477A
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近藤聖
常本大英
梅本照雄
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Sagami Chemical Research Institute
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Sagami Chemical Research Institute
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 (式中、R1 は水素又は水酸基の保護基であり、R
2は置換又は未置換アルキル基であり、R3はアルキル
基、R4 はアルキル基又はアリール基であり、R5は
水素又はアルキル基である。
)で表わされるシクロペンタノンカルボン酸エステル誘
導体の製造方法に関するものである。
前記一般式(I)で表わされる化合物はプロスタグラン
ジン類の製造用先駆体として有用であることが知られて
いる( Tetrahedron Letters、4
087ページ(1.976))。
従来この化合物は4−オキシシクロペンテノンにビニル
型有機金属化合物を共役付加せしめることによって製造
することができる旨前記の文献に記載されているが、目
的化合物への選択性が低く且つ収率も約10%と低い。
更に原料として用いる4−オキシシクロペンテノン及び
ビニル型有機金属化合物の調製には多段階の反応工程が
必要であり、工業的製造法としては到底採用し難いもの
である。
本発明者等はプロスタグランジン類の製造法について鋭
意検討を重ねた結果、前記一般式(I)で表わされる中
間体を容易に形成する方法を見出し本発明を完成するに
至ったものである。
本発明の方法で原料としく用いる一般式 (式中、R1は水素又は水酸基の保護基であり、R2は
置換又は未置換アルキル基であり、R3はアルキル基、
R4はアルキル基又はアリール基であり、R5は水素又
はアルキル基である。
)で表わされるシクロペンタノンスルフイド誘導体はア
セト酢酸エステルと不飽和アルデヒドとの付加生成物を
アジド類で処理してα〜ジアゾーβ−ケトエステルを形
成し、この化合物をカルベンまたはカルベノイド発生条
件下分解してビシクロヘキサン誘導体に変換し、この化
合物にさらにメルカブタン類を作用されることにより容
易に製造できる化合物である〔日本化学会第36春季年
会講演予稿集■1101ページ(1977)参照〕。
本発明の方法の第一工程は前記一般式(III)で表わ
される化合物を酸化することを必須要件とするものであ
る。
この酸化工程は酸化剤を用いて行うが、酸化剤としては
過ヨウ素酸ナトリウム、過酸化水素、酸素、オゾン、二
酸化マンガン、二酸化セレン、クロム酸、硝酸、四酸化
二窒素の如き無機酸化剤及び過酢酸、過安息香酸、m−
クロル過安息香酸、ヨードソベンゼンの如き有機酸化剤
を用いることができる。
原料の構造中に含まれるカルボニル基及びエステル基等
の反応性官能基に何等影響なく目的を達成するためには
有機過酸、特にm一クロロ過安息香酸の使用が好ましい
これらの酸化剤の使用量は一般には等モル乃至はやや過
剰量用いられる。
酸化工程の実施に当っては溶媒の使用が好ましく、例え
ば水、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン
等のエーテル系溶媒、酢酸、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ベンゼン等の反応に直接関与しない溶媒を用いるこ
とができる。
前記の酸化工程では一般式 (式中、R1 は水素又は水酸基の保護基であり、R2
は置換又は未置換アルキル基であり、R3はアルキル基
、R4はアルキル基又はアリール基であり、R5は水素
又はアルキル基である。
)で表わされるシクロペンタノンスルホキキシド誘導体
が形成される。
本発明の第二工程はこの一般式(■)で表わされる化合
物を親硫黄試剤で処理することを必須要件とするもので
ある。
本明細書で言う親硫黄試剤とは硫黄に対する求核性(チ
オフイリシティ)の大きい試剤を意味し、トリエチルア
ミノ、ジエチルアミノ、ピペリジンの如き有機アミノ類
、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、トリスジ
メチルアミノホスフイン等の有機リン化合物、メルカブ
タン類等を例示することができる。
これらの親硫黄試剤は原料(■)の化合物に対して等モ
ル量以上用いるのが好ましい。
本発明の実施に当っては溶媒の使用が好ましく、例えば
メタノール、エタノール、t−ブタノール等のアルコー
ル類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル類、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホル
トリアミド等の反応に直接関与しない媒体を好適に使用
できる。
反応は−30℃〜室温で円滑に進行する。
このようにして得られる前記一般式(I)で示される化
合物は、シクロペンタノン環の3一位にアリル型アルコ
ール部を官能基として持つわけであるが、このアルコー
ル部位の立体配置をα一型に固定できる点に本発明の特
徴がある。
天然型プロスタグランジン類においては、この部位のヒ
ドロキシ基はα一型でなければならない。
しかるに通常の公知合成法、即ちケトン基の還元によっ
てヒドロキシ基を生成せしめる方法又は前記公知文献記
載の方法に従ってプロスタグランジン類を製造する場合
においてはα一型とβ一型の混合物が生成する。
そのためにα一型とβ一型を分離する操作が必要であり
、かつ分離により得られたβ−型のみを酸化して原料の
ケトンに戻すという面倒な方法がとられている。
本発明の方法は、これらの複雑な操作を要することなく
目的化合物のみが選択的に得られる点に特徴があり、工
業的製造法として有用性が高い。
以下、実施例及び参考例により本発明を更に詳細に説明
する。
参考例 1 エキソ−6−(トランス−1−ヘプテニル)ヘキソー4
−(1−エトキシエトキシ)−2−オキソビシクロ〔3
・1・0〕ヘキサン−1−カルボン酸メチルとエキソー
6−(トランス−1−ヘプテニル)一エンド−4−(1
−エトキシエトキシ)一2−オキソビシクロ〔3・1・
0〕ヘキサン−1−カルボン酸メチルとの約2:1の混
合物1.0gをt−ブタノール水(4:1)16mlに
溶解し、この溶液にアルゴン下、水浴で冷却下、攪拌し
ながら0.37gのチオフェノールを加えれ。
さらにトリエチルアミノを触媒量加えた後20分間攪拌
した。
反応終了後飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて室温に
もどし酢酸エチルで抽出した。
水洗後溶媒を留去し残渣をシリカゲルのカラムクロマト
グラフイにかけ(溶剤;酢酸エチル一n−ヘキサン)で
精製すると0.74gの化合物(II)(R’=1−エ
トキシエチル、R2=n−ペンチル、R3=メチル、R
4,=フエニル、R5=H)(収率56%、変換収率8
3%)と0. 3 3gの未反応エキンー6一(トラン
ス−1−ヘプテニル)エンド−4−(1−エトキシエト
キシ)−2−オキソビシクロ〔3・1・0〕ヘキサン−
1−カルボン酸メチル(回収率〜100%)が得られた
化合物則は次の物性値を示した。
NMR(CCl4); δ0.7 〜1..5 (
m. 1 5H)、1.9 ( m. 2H )、2.
1〜2.9 (m. 2H)、2.9 〜3.2 (
m. 2H)、3.3 〜3.9(m,6H)、4.0
〜4.3 (m.I H )、4.5 〜4.8 (
m.I H)、5.2 〜5.5 ( m. I H
)、7.0 〜7.4 ( m. 5 H ).IR
( neat ): 1 7 7 6、1738、16
66、1625、1588、1440、1255、11
32、1090、1056、750、693cm ’,
元素分析:実測値C:67.OO、H:8.07%計算
値C:66.93、H:8.09% 実施例 1 3 0 0mg( 0.6 7 mmol )の化合物
:Q ( R’ =1−エトキシエチル、R2−n−ペ
ンチル、R3=メチル、R’ =フエニル、R5=H)
を10mlの無水メタノールに溶解し−30℃に冷却し
た後、アルゴン下攪拌しながら、165mg( 0.8
0mmol )のm−クロロ過安息香酸を7mlの無
水メタノールに溶解した溶液を約10分かけて滴下した
滴下後2時間攪拌を続けた後420mgの亜リン酸トリ
メチルを3mlの無水メタノールにとかした溶液を加え
た。
反応系の温度をゆっくり5〜10℃にもどして一晩放置
した。
溶媒を留去後残渣をシリカゲルのカラムクロマトグラフ
イ(溶剤;酢酸エチル−n−へキサン)で精製すると0
. 2 3 g (収率97%)の化合物(I) (
R’ = 1 −エトキシエチル、R2 = n−ペン
チル、B3=メチル、R5=H )が無色油状体として
得られた。
NMR(CCl4); δ0.7 〜1.8 ( m
. 1 7 H )、2.1〜2.8 (m. 2H)
,2.9 〜3.8 (m. 7H)、3.8 〜4.
1 ( m. 2H),4.5 〜4.8 (m, I
H)、5.3 〜5.6 ( m. 2H ) .I
R( neat);3420、1760、1730、1
655、1620、1435、1260、1130、1
080(11771’

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 で表わされるシクロペンタノンスルホキシド誘導体を親
    硫黄試剤で処理することから成る、一般式で表わされる
    3−(3仙ヒドロキシ−1′−アルケニル)−4−オキ
    シシクロペンタノン−2−カルボン酸エステルの製造方
    法〔式中、RIは水素又は水酸基の保護基であり、R2
    は置換又は未置換アルキル基であり、R3はアルキル基
    、R4はアルキル基又はアリール基であり、R5は水素
    又はアルキル基である。 〕。2 一般式 で表わされるシクロペンタノンスルフイド誘導体を酸化
    して相当するシクロベンタノンスルホキシド誘導体とし
    、次いで生成せるシクロペンタノンスルホキシド誘導体
    を親硫黄試剤で処理することを特徴とする、一般式 で表わされる3−(3仙ヒドロキシ−1′−アルケニル
    )−4−オキシシクロペンタノン−2−カルボン酸エス
    テルの製造方法〔式中、R1は水素又は水酸基の保護基
    であり、R2は置換又は未置換アルキル基であり、R3
    はアルキル基、R4はアルキル基又はアリール基であり
    、R5は水素又はアルキル基である。 〕。
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