JPS58140750A - プラズマ表面処理法 - Google Patents
プラズマ表面処理法Info
- Publication number
- JPS58140750A JPS58140750A JP2255582A JP2255582A JPS58140750A JP S58140750 A JPS58140750 A JP S58140750A JP 2255582 A JP2255582 A JP 2255582A JP 2255582 A JP2255582 A JP 2255582A JP S58140750 A JPS58140750 A JP S58140750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- discharge
- oxygen
- oxide film
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマを用いて表面処理を行なうプラズマ
表面処理に関する。
表面処理に関する。
従来、感光体用の支持体上に光導電層を堆積しただけで
感光体として用いた為、堆積直後は、帯電せず、帯電す
るためには2日以上、空気中に放置する必要があった。
感光体として用いた為、堆積直後は、帯電せず、帯電す
るためには2日以上、空気中に放置する必要があった。
これは、製造上、非常に問題であり、得られる帯電特性
も、経日変化する為非常に不安定となり、感光体として
必要となる安定した帯電特性が得られなかった。これは
、表面で結合した酸素による酸化膜が、形成される速度
がゆるやかで遅い為と、できる膜が薄い為で簡単にはく
離することによる。
も、経日変化する為非常に不安定となり、感光体として
必要となる安定した帯電特性が得られなかった。これは
、表面で結合した酸素による酸化膜が、形成される速度
がゆるやかで遅い為と、できる膜が薄い為で簡単にはく
離することによる。
本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、
緻密な酸化膜を表面に形成し、経年変化を防ぎ、安定な
帯電特性を得ることにある。
緻密な酸化膜を表面に形成し、経年変化を防ぎ、安定な
帯電特性を得ることにある。
酸化膜は、表面単位密度を1011/cl#から10I
t/dに下げ、表面からの電荷の注入、再結合を防ぐ役
割を果し、暗減衰が緩やかになり帯電特性が向上する。
t/dに下げ、表面からの電荷の注入、再結合を防ぐ役
割を果し、暗減衰が緩やかになり帯電特性が向上する。
本発明に於いて、プラズマは、アーク放言、又はグロー
放電により得られ、放電形式としては、直流、高周波放
電が用いられる。高周波電力は、50〜3KY、基板温
度は150〜350℃、ガス圧は001〜50 tor
rとする。使用ガスをま、窒素、不活性ガスのいずれか
と酸素の組合せ又は酸素のみとする。以下実施例に従っ
て本発明の顕著なる効果を説明する。
放電により得られ、放電形式としては、直流、高周波放
電が用いられる。高周波電力は、50〜3KY、基板温
度は150〜350℃、ガス圧は001〜50 tor
rとする。使用ガスをま、窒素、不活性ガスのいずれか
と酸素の組合せ又は酸素のみとする。以下実施例に従っ
て本発明の顕著なる効果を説明する。
実施例1゜
清浄されたアルミニウム板をグロー放電槽内に設定し、
槽内をlX105t・rrの真空度、基板13度250
℃、シランガスとメタンガンの流量比を0.2.内圧を
1 torr 、 100 Wで光導電層を形成する。
槽内をlX105t・rrの真空度、基板13度250
℃、シランガスとメタンガンの流量比を0.2.内圧を
1 torr 、 100 Wで光導電層を形成する。
その後、ガス流入を停止し5分間真空度の回復を待った
後、10%市素を含むArガスを1torr流し、基板
温度は、250℃にし、R0!パワーを50Wとし10
分間グロー放電した。
後、10%市素を含むArガスを1torr流し、基板
温度は、250℃にし、R0!パワーを50Wとし10
分間グロー放電した。
その結果を第1図、第2図に示す。第1図は、醗化層の
深さ方向依存性を示し、横軸は、表面からの距離、縦軸
は、酸化量を示す。1はプラズマ処理をせず1週間空気
中に放置した場合、2はプラズマ表面処理をした場合で
ある。これより、プラズマ表面処理をした方が、酸化層
が表面から深く形成されており有効である。第2図は、
帯電特性を示す。コロナ放電器によりマイナス6KVの
コロナ放電により帯電させ、表面電位を測定した。
深さ方向依存性を示し、横軸は、表面からの距離、縦軸
は、酸化量を示す。1はプラズマ処理をせず1週間空気
中に放置した場合、2はプラズマ表面処理をした場合で
ある。これより、プラズマ表面処理をした方が、酸化層
が表面から深く形成されており有効である。第2図は、
帯電特性を示す。コロナ放電器によりマイナス6KVの
コロナ放電により帯電させ、表面電位を測定した。
横軸は、時間、縦軸は表面電位である。1はプラズマ処
理をしない場合、2はプラズマ処理をした場合である。
理をしない場合、2はプラズマ処理をした場合である。
これより、プラズマ処理をした方が有効であることがわ
かる。
かる。
実施例2゜
実施例1と同様に、アルミ板上にアモルファスシリコン
を堆積した後、窒素と階素を流量比で2、内圧を1 t
orr 、基板温度200℃、RF%力100Wとし4
0分間グロー放電をした。その後コロナ放電器でマイナ
スに帯電させ、表面電位を測定した所、プラズマ処理を
した場合、帯電能は25v/μ悄、1週間空気中に保持
した場合、帯電能は20■/μ飛で、プラズマ処理を行
えば、帯電能の向上、製造日数の短縮、帯電特性の安定
化が得られる。
を堆積した後、窒素と階素を流量比で2、内圧を1 t
orr 、基板温度200℃、RF%力100Wとし4
0分間グロー放電をした。その後コロナ放電器でマイナ
スに帯電させ、表面電位を測定した所、プラズマ処理を
した場合、帯電能は25v/μ悄、1週間空気中に保持
した場合、帯電能は20■/μ飛で、プラズマ処理を行
えば、帯電能の向上、製造日数の短縮、帯電特性の安定
化が得られる。
第1図は、表面からの距離と醗化量の関係を表す。1は
、プラズマ処理しない場合、2はプラズマ処理をした場
合である。横軸は表面からの距暉、縦軸は、酸化物量で
ある。 第2図は、表面電位と時間の関係を示す。横軸は時間、
縦軸は表面電位、1はプラズマ処理をしない場合、2は
プラズマ処理をした場合である。 −以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 表面力\うの)瓦難 第1図
、プラズマ処理しない場合、2はプラズマ処理をした場
合である。横軸は表面からの距暉、縦軸は、酸化物量で
ある。 第2図は、表面電位と時間の関係を示す。横軸は時間、
縦軸は表面電位、1はプラズマ処理をしない場合、2は
プラズマ処理をした場合である。 −以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 表面力\うの)瓦難 第1図
Claims (1)
- 感光体用支持体上に光導電層としてアモルファスシリコ
ンを堆積した後酸素を含むガスを用いてプラズマ表面処
理をすることを特徴とするプラズマ表面処理法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2255582A JPS58140750A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | プラズマ表面処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2255582A JPS58140750A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | プラズマ表面処理法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58140750A true JPS58140750A (ja) | 1983-08-20 |
Family
ID=12086093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2255582A Pending JPS58140750A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | プラズマ表面処理法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58140750A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0372077A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Anelva Corp | Cvd方法 |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2255582A patent/JPS58140750A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0372077A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-03-27 | Anelva Corp | Cvd方法 |
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