JPS59197567A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS59197567A JPS59197567A JP6903783A JP6903783A JPS59197567A JP S59197567 A JPS59197567 A JP S59197567A JP 6903783 A JP6903783 A JP 6903783A JP 6903783 A JP6903783 A JP 6903783A JP S59197567 A JPS59197567 A JP S59197567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- power source
- target
- substrate holder
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直流２極スパツタリング装置の改良に関するも
ので、特に絶縁基板上に効率よく、高−品質の肋膜を付
着生成できるようにしたものである。
ので、特に絶縁基板上に効率よく、高−品質の肋膜を付
着生成できるようにしたものである。
改良型直流２極スパツタリング装置には、第１の電極で
あるカッ〜ドと第２の電極であるアノードの間に高圧直
流電源を印加するとともに、カソードとアノードの間に
第３の電極となる基板ホルダを設置し、基板ホルダがア
ノードに対して負バイアスとなるように基板ホルダとア
ノードの間に直流バイアスを印加したバイアススパッタ
リング装置が知られている。このバイアススパッタリン
グ装置によって得られる薄膜は、通常の２極スパツタリ
ング装置によって得られるものと比べればはるかに品質
のよい薄膜であることが報告されている。しかし、この
構造では主放電が行なわれるアノード・カソード間に基
板ホ゛ルダが介在しているので、基板ホルダを大きくす
ると、主放電が乱されたり、消滅してしまい、基板ホル
ダを一アノードに対して大きくできなかった。このため
、基板ボルダ上に配置される基板の数が制限され、薄膜
生成効率が低下するという欠点があった。
あるカッ〜ドと第２の電極であるアノードの間に高圧直
流電源を印加するとともに、カソードとアノードの間に
第３の電極となる基板ホルダを設置し、基板ホルダがア
ノードに対して負バイアスとなるように基板ホルダとア
ノードの間に直流バイアスを印加したバイアススパッタ
リング装置が知られている。このバイアススパッタリン
グ装置によって得られる薄膜は、通常の２極スパツタリ
ング装置によって得られるものと比べればはるかに品質
のよい薄膜であることが報告されている。しかし、この
構造では主放電が行なわれるアノード・カソード間に基
板ホ゛ルダが介在しているので、基板ホルダを大きくす
ると、主放電が乱されたり、消滅してしまい、基板ホル
ダを一アノードに対して大きくできなかった。このため
、基板ボルダ上に配置される基板の数が制限され、薄膜
生成効率が低下するという欠点があった。
上述の欠点を解決するため、本出願人は既に第１図に示
すようなスパッタリング装置を提案した。
すようなスパッタリング装置を提案した。
すなわち、カソードとしてのターゲットホルダ（１）と
基板ボルダ（２）との間に接地されたメッシュアノ−ト
責３）を設け、ターゲットホルダ（１）とメツシュアノ
ート責３）とに高圧直流電源（４）の負極側と正極側と
をそれぞれ接続し、かつ、直流バイアス電源（５）によ
り基板ホルダ（２）に負のバイアス電圧（例えばＯＶ〜
−２００Ｖ ）を印加して、基板（６１Ｘ６□Ｘ６．）
に薄膜を付着生成するようにしたものである。これによ
り薄膜の品質と、薄膜の生産効率が同時に向上した。し
かしながら基板が導体の場合には問題がなかったが、基
板が絶縁体の場合、次のような若干の問題点が生じた。
基板ボルダ（２）との間に接地されたメッシュアノ−ト
責３）を設け、ターゲットホルダ（１）とメツシュアノ
ート責３）とに高圧直流電源（４）の負極側と正極側と
をそれぞれ接続し、かつ、直流バイアス電源（５）によ
り基板ホルダ（２）に負のバイアス電圧（例えばＯＶ〜
−２００Ｖ ）を印加して、基板（６１Ｘ６□Ｘ６．）
に薄膜を付着生成するようにしたものである。これによ
り薄膜の品質と、薄膜の生産効率が同時に向上した。し
かしながら基板が導体の場合には問題がなかったが、基
板が絶縁体の場合、次のような若干の問題点が生じた。
（イ）絶縁基板上にスパッタ金属がある程度堆積した後
でなけれしよ負バイアスの効果が現われないので、薄膜
生成の初期においては負バイアスの効果が少なかった。
でなけれしよ負バイアスの効果が現われないので、薄膜
生成の初期においては負バイアスの効果が少なかった。
（ロ）絶縁基板のクリーニングは加熱によるガス放出の
方法のみしかできず、スパッタエッチをすることができ
ないためクリーニングが不十分であった。
方法のみしかできず、スパッタエッチをすることができ
ないためクリーニングが不十分であった。
（ハ）絶縁基板上のプラズマ密度は基板面積が大きくな
るほど不均一になるため、導体部である基板ホルダが見
えるように間隔をあけて基板を配置する必要があり、基
板ホルダ上に配置できる基板の数が制限されていた。
るほど不均一になるため、導体部である基板ホルダが見
えるように間隔をあけて基板を配置する必要があり、基
板ホルダ上に配置できる基板の数が制限されていた。
本発明は上述の問題点（イ）（ロ）（／→を改善するた
めになされたもので、カソードと基板ホルダとの間にメ
ツシュアノードを設け、前記カソードと前記メツシュア
ノードとに高圧直流電源の負極側と正極側とをそれぞれ
接続し、前記基板ホルダと前記メツシュアノードとの間
に振幅可変の高周波電源を接続し、負バイアスを誘起す
ることにより、絶Ｒ基板であっても高品質の薄膜をその
堆積の初期から効率よく生成できるようにしたものであ
る。
めになされたもので、カソードと基板ホルダとの間にメ
ツシュアノードを設け、前記カソードと前記メツシュア
ノードとに高圧直流電源の負極側と正極側とをそれぞれ
接続し、前記基板ホルダと前記メツシュアノードとの間
に振幅可変の高周波電源を接続し、負バイアスを誘起す
ることにより、絶Ｒ基板であっても高品質の薄膜をその
堆積の初期から効率よく生成できるようにしたものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第２図および第３図に基づい
て説明する。第２図において、００）は減圧容器として
のチェンバで、このチェンバ００）内下部にはカソード
としてのターゲットホルダ（１］）が設けられ、このタ
ーゲットホルダαυにはスパッタ金属（例えばタンタル
）からなるターゲラ）（１２）が固着されている。前記
チェンバ（１０）内下部には、前記ターゲットα２に対
向して基板ホルダα３）が設けられ、この基板ホルダ０
３）上には薄膜を形成すべき絶縁基板（１４，Ｘ１４□
Ｘ１４ｇＸ１４４）が保持されている。
て説明する。第２図において、００）は減圧容器として
のチェンバで、このチェンバ００）内下部にはカソード
としてのターゲットホルダ（１］）が設けられ、このタ
ーゲットホルダαυにはスパッタ金属（例えばタンタル
）からなるターゲラ）（１２）が固着されている。前記
チェンバ（１０）内下部には、前記ターゲットα２に対
向して基板ホルダα３）が設けられ、この基板ホルダ０
３）上には薄膜を形成すべき絶縁基板（１４，Ｘ１４□
Ｘ１４ｇＸ１４４）が保持されている。
前記クーゲラ） （１２）と基板ホルダ（国との間には
、両者の対向面？−位置する部分に網目状の孔（１粉を
形成したメツシュアノード（１６）と、シャッタ（Ｌη
とが設けられている。メツシュアノードα６）とシャッ
タ（１７）の位置関係は入れ替わってもよい。このシャ
ッタ０７）は前記チェンバ００）外部から開閉制御でき
るように構成されている。側はヌパツク電源としての可
変の高圧直流電源で、この高圧直流電源（１８）の負極
側は高周波カット用のチョークコイル（Ｌαを介して前
記ターゲラ）ホルダαηに接続され、正極側は前記メツ
シュアノード（１６）、シャッタｃＬ７）およびチェン
バ００）に接続されるとともに接地されている。（２０
）は振幅可変の高周波バイアス電源で、この高周波バイ
アス電源（２０）は、例えば１３ 、５６ＭＩ（ｚのも
のが用いられ、一方の極は前記メツシュアノード（＋６
）およびチェンバ００）に接続され、他方の極は直流分
カット用のコンデンサ（２１）を介して前記基板ホルダ
α３）に接続されている。前記チェンバ（１０）内には
アルゴンガスのような不活性ガスと窒素のような活性ガ
スの混合ガスが封入され、内部のガス圧力は図示しない
真空装置によって例えば１０”Ｔｏｒｒの一定圧力に保
たれている。
、両者の対向面？−位置する部分に網目状の孔（１粉を
形成したメツシュアノード（１６）と、シャッタ（Ｌη
とが設けられている。メツシュアノードα６）とシャッ
タ（１７）の位置関係は入れ替わってもよい。このシャ
ッタ０７）は前記チェンバ００）外部から開閉制御でき
るように構成されている。側はヌパツク電源としての可
変の高圧直流電源で、この高圧直流電源（１８）の負極
側は高周波カット用のチョークコイル（Ｌαを介して前
記ターゲラ）ホルダαηに接続され、正極側は前記メツ
シュアノード（１６）、シャッタｃＬ７）およびチェン
バ００）に接続されるとともに接地されている。（２０
）は振幅可変の高周波バイアス電源で、この高周波バイ
アス電源（２０）は、例えば１３ 、５６ＭＩ（ｚのも
のが用いられ、一方の極は前記メツシュアノード（＋６
）およびチェンバ００）に接続され、他方の極は直流分
カット用のコンデンサ（２１）を介して前記基板ホルダ
α３）に接続されている。前記チェンバ（１０）内には
アルゴンガスのような不活性ガスと窒素のような活性ガ
スの混合ガスが封入され、内部のガス圧力は図示しない
真空装置によって例えば１０”Ｔｏｒｒの一定圧力に保
たれている。
つぎに本発明の詳細な説明する。
まずチェンバα０）内のクリーニングについて説明する
。第２図に示すようにシャッタ０７）を閉じた状態にお
いて、高圧直流電源α８）から所定の直流電圧を印加し
、高周波バイアス電源（２０）から時間平均バイアスレ
ベルの高い所定の高周波電圧を印加する。
。第２図に示すようにシャッタ０７）を閉じた状態にお
いて、高圧直流電源α８）から所定の直流電圧を印加し
、高周波バイアス電源（２０）から時間平均バイアスレ
ベルの高い所定の高周波電圧を印加する。
すると、ターゲツ゛ト圓とチェンバ（１０）内壁および
メツシュアノード（１６）間で放電が行なわれ、内部ガ
スがイオン化され、このイオンのボンバード（衝撃）作
用によりターゲラ）（１２＋、チェンバα０）内壁に吸
蔵されているガス及び、ターゲットθり上に生成された
酸化物（例えばＴａ ２０ 、）などが除去されてこれ
らのクリーニングが行なわれる。また、基板ホルダ（＋
３） １ｍは時間平均バイアスレベルの高い（側光ば一
６００Ｖ）高周波バイアス電源（２０）が加えられてい
るので、基板ホルダ（１３）とシャッタ（１７）および
チェンバ００）内壁間で放電が行なわれ、内部ガスがイ
オン化され、このイオンのボンバード作用によりこれら
がクリーニングされる。このとき、基板（１４１Ｘ１４
２）（１４３Ｘ１４４）が加熱され、かつ基板（１４１
Ｘ１４２Ｘ１４３）（１４４，）表面は例えば平均表面
電位−６００ｖでスパッタエッチされる。このため基板
（１４□Ｘ１４２Ｘ１４３Ｘ１４４）表面のクリーニン
グが十分に行なわれる。
メツシュアノード（１６）間で放電が行なわれ、内部ガ
スがイオン化され、このイオンのボンバード（衝撃）作
用によりターゲラ）（１２＋、チェンバα０）内壁に吸
蔵されているガス及び、ターゲットθり上に生成された
酸化物（例えばＴａ ２０ 、）などが除去されてこれ
らのクリーニングが行なわれる。また、基板ホルダ（＋
３） １ｍは時間平均バイアスレベルの高い（側光ば一
６００Ｖ）高周波バイアス電源（２０）が加えられてい
るので、基板ホルダ（１３）とシャッタ（１７）および
チェンバ００）内壁間で放電が行なわれ、内部ガスがイ
オン化され、このイオンのボンバード作用によりこれら
がクリーニングされる。このとき、基板（１４１Ｘ１４
２）（１４３Ｘ１４４）が加熱され、かつ基板（１４１
Ｘ１４２Ｘ１４３）（１４４，）表面は例えば平均表面
電位−６００ｖでスパッタエッチされる。このため基板
（１４□Ｘ１４２Ｘ１４３Ｘ１４４）表面のクリーニン
グが十分に行なわれる。
上述のようにしてチェンバ（１０）内のクリーニングが
終ったら、高周波バイアス効果（２０）の時間平均バイ
アスレベルを基板のスパッタエッチの効果を落とし、膜
形成を促進するために望ましい値（例えば−１００ｖ）
、に下げ、ついでシャッタ（１７）を開いて本スパッタ
に入る。この本スパッタにおいては、メツシュアノード
α６）とターゲット０２）間にグロー放電が生じ、アル
ゴンガスがイオン化し、アルゴンイオンがターゲラ）Ｑ
２１に衝突すると、アルゴンイオンとターゲット（１２
］のタンタル原子との間でエネルギー授受が行なわれる
。このエネルギーによりタンタル原子がターゲットα２
）から飛び出し、窒素と反応してメツシュアノード（１
６）の孔α５）を通って基板（１４１Ｘ１４２Ｘ１４３
Ｘ１４４）上に付着し、窒化メンタルの薄膜が形成され
る。このとき、メツシュアノード（１６）と基板ホルダ
（１３）と′の間には、高周波バイアス電源（２０）が
接続されており、等価的に基板に負バイアスが印加され
た結合になり、基板はアルゴンイオンの衝撃を受け、ク
リーニングが同時に進行する。
終ったら、高周波バイアス効果（２０）の時間平均バイ
アスレベルを基板のスパッタエッチの効果を落とし、膜
形成を促進するために望ましい値（例えば−１００ｖ）
、に下げ、ついでシャッタ（１７）を開いて本スパッタ
に入る。この本スパッタにおいては、メツシュアノード
α６）とターゲット０２）間にグロー放電が生じ、アル
ゴンガスがイオン化し、アルゴンイオンがターゲラ）Ｑ
２１に衝突すると、アルゴンイオンとターゲット（１２
］のタンタル原子との間でエネルギー授受が行なわれる
。このエネルギーによりタンタル原子がターゲットα２
）から飛び出し、窒素と反応してメツシュアノード（１
６）の孔α５）を通って基板（１４１Ｘ１４２Ｘ１４３
Ｘ１４４）上に付着し、窒化メンタルの薄膜が形成され
る。このとき、メツシュアノード（１６）と基板ホルダ
（１３）と′の間には、高周波バイアス電源（２０）が
接続されており、等価的に基板に負バイアスが印加され
た結合になり、基板はアルゴンイオンの衝撃を受け、ク
リーニングが同時に進行する。
したがって品質の良い膜が形成される。
基板に等価的に負バイアスが印加された結合は第３図に
よって説明される。基板および基板ホルダに流入する電
流を基板ホルダ高周波電圧の関数で瞬間的に表わすと、
Ｆｉ ｇ 、３の゛如くダイオード特性となる。これは
、電子の移動変がイオンの移動変よりも大きく、電子は
メツシュアノード住６）と基板ホルダ０３）に届くが、
イオンは極性の切り変わりに追随できないからである。
よって説明される。基板および基板ホルダに流入する電
流を基板ホルダ高周波電圧の関数で瞬間的に表わすと、
Ｆｉ ｇ 、３の゛如くダイオード特性となる。これは
、電子の移動変がイオンの移動変よりも大きく、電子は
メツシュアノード住６）と基板ホルダ０３）に届くが、
イオンは極性の切り変わりに追随できないからである。
ここで基板ホルダ（１３１は第２図のコンデンサ（２］
）によって直流的に絶縁されているから、基板（１４□
）〜（１４４）および基板ボ′ルダα３）には電子の蓄
積が起こり、基板側はメツシュアノード（１６１に対し
て負にバイアスされる。このことは、第３図において、
基板ホルダ（１３１に流入する電子とイオンによる電流
が、電荷中性の条件を満たしてＢの如く波形面積ｂ１と
ｂ２が等しくなるべく、基板ホルダ０３）に誘起される
高周波電圧はＡの如く例えば−１００ｖにおのずと負に
バイアスされたものとなる必要があることからも説明さ
れる。
）によって直流的に絶縁されているから、基板（１４□
）〜（１４４）および基板ボ′ルダα３）には電子の蓄
積が起こり、基板側はメツシュアノード（１６１に対し
て負にバイアスされる。このことは、第３図において、
基板ホルダ（１３１に流入する電子とイオンによる電流
が、電荷中性の条件を満たしてＢの如く波形面積ｂ１と
ｂ２が等しくなるべく、基板ホルダ０３）に誘起される
高周波電圧はＡの如く例えば−１００ｖにおのずと負に
バイアスされたものとなる必要があることからも説明さ
れる。
上述のように、望ましい値の時間平均バイアスレベルを
もった高周波バイアス電源（２０）を加えることによっ
て、基板（１４１Ｘ１４２Ｘ１４３Ｘ１４４）は間隔を
設けて配置する必要がなく、基板ホルダ（１３ｉ上の全
面に配置でき、配置数を可及的に多くすることができる
。
もった高周波バイアス電源（２０）を加えることによっ
て、基板（１４１Ｘ１４２Ｘ１４３Ｘ１４４）は間隔を
設けて配置する必要がなく、基板ホルダ（１３ｉ上の全
面に配置でき、配置数を可及的に多くすることができる
。
前記実施例では、絶縁基板上に窒化タンタルの薄膜を付
着生成する場合を説明したが、本発明はこれに限られる
ものではない。例えば、活性ガスとして酸素を用いれは
タンタル酸化物の薄膜を生成でき、またスパッタ金属と
してタンタル以外の金属を用いれば、その金属自体、そ
の金属の窒化物またはその金属の酸化物の薄膜を生成で
きる。
着生成する場合を説明したが、本発明はこれに限られる
ものではない。例えば、活性ガスとして酸素を用いれは
タンタル酸化物の薄膜を生成でき、またスパッタ金属と
してタンタル以外の金属を用いれば、その金属自体、そ
の金属の窒化物またはその金属の酸化物の薄膜を生成で
きる。
さらに、絶縁基板上に限らず導体基板上にも高品質の薄
膜を生成できることは勿論である。
膜を生成できることは勿論である。
本発明によるスパッタリング装置は上記のように構成し
たので、従来の直流２極スパツタリング装置にメツシュ
アノードを付加し、このメツシュアノードと基板ホルダ
に高周波バイアス電源を印加する簡単な改良により、従
来にない次℃ような特有の効果を有する。
たので、従来の直流２極スパツタリング装置にメツシュ
アノードを付加し、このメツシュアノードと基板ホルダ
に高周波バイアス電源を印加する簡単な改良により、従
来にない次℃ような特有の効果を有する。
（１）絶縁基板上に導体膜が堆積しなくてもバイアス効
果が現われ、ガスイオンのボンバード作用が行なわれる
。このため、基板のクリーニングにおいて従来の加熱の
他にスパッタエッチが行なわれ、基板のクリーニングが
十分に行なわれる。このため、絶縁基板上に薄膜を付着
生成した場合高品質の薄膜が得られる。
果が現われ、ガスイオンのボンバード作用が行なわれる
。このため、基板のクリーニングにおいて従来の加熱の
他にスパッタエッチが行なわれ、基板のクリーニングが
十分に行なわれる。このため、絶縁基板上に薄膜を付着
生成した場合高品質の薄膜が得られる。
（２）絶縁基板上のプラズマ密度が一様に形成されるた
め、従来のように基板間隔を設ける必要がない。このた
め、基板ホルダ上に配置する基板の数を可及的に多くす
ることができ、薄膜生産効率を向上させることができる
。
め、従来のように基板間隔を設ける必要がない。このた
め、基板ホルダ上に配置する基板の数を可及的に多くす
ることができ、薄膜生産効率を向上させることができる
。
第１図は本出願人が既に提案したスパッタ９ング装置の
構成図、第２図は本発明によるスパッタリング装置の一
実施例を示す構成図、第３図は本発明の詳細な説明する
特性図である。 （１）（１１）・・・ターゲットホルダ（カソード）
、 （２１α３）・・・基板ホルダ、（３）（１６ｉ）
・・・メツシュアノード、（４ｒ（１８＋・・・高圧直
流電源、（５）・・・直流バイアス電源、（６１Ｘ６２
Ｘ６３）（１４，Ｘ１４□Ｘ１４３Ｘ１’ｉ４）・・・
基板、叫・・・チェンバ（減圧容器）、（１２）・・・
ターゲット、（１９・・・孔、（１７）・・・シャッタ
、（１９）・・・チョークコイル、（２０）・・・高周
波バイアス電源、（２］）・・・コンデンサ、Ａ・・・
高周波電圧、Ｂ・・・基板ボルダ電流。 特許出願人 株式会社 ゼ ネ ラ ル「１− 代理人弁理士古澤俊萌 一一 □ 同上 弁理士加納−男 第 ３ 因 第 １ 図 手続補正書（自発） 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第０６９０３７号２、発明の名称
スパッタリング装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ６ 補正により増加する発明の数 なし７、補正の対象 明細書 ８、補正のビ」容 別紙。通り 明細書中梁８ページ第１２行目から第１３行目に「電子
の移動変がイオンの移動変よりも犬きく、」とあるのを
、 「電子の移動度がイオンの移動度よりも太きく、」と訂
正する。
構成図、第２図は本発明によるスパッタリング装置の一
実施例を示す構成図、第３図は本発明の詳細な説明する
特性図である。 （１）（１１）・・・ターゲットホルダ（カソード）
、 （２１α３）・・・基板ホルダ、（３）（１６ｉ）
・・・メツシュアノード、（４ｒ（１８＋・・・高圧直
流電源、（５）・・・直流バイアス電源、（６１Ｘ６２
Ｘ６３）（１４，Ｘ１４□Ｘ１４３Ｘ１’ｉ４）・・・
基板、叫・・・チェンバ（減圧容器）、（１２）・・・
ターゲット、（１９・・・孔、（１７）・・・シャッタ
、（１９）・・・チョークコイル、（２０）・・・高周
波バイアス電源、（２］）・・・コンデンサ、Ａ・・・
高周波電圧、Ｂ・・・基板ボルダ電流。 特許出願人 株式会社 ゼ ネ ラ ル「１− 代理人弁理士古澤俊萌 一一 □ 同上 弁理士加納−男 第 ３ 因 第 １ 図 手続補正書（自発） 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第０６９０３７号２、発明の名称
スパッタリング装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ６ 補正により増加する発明の数 なし７、補正の対象 明細書 ８、補正のビ」容 別紙。通り 明細書中梁８ページ第１２行目から第１３行目に「電子
の移動変がイオンの移動変よりも犬きく、」とあるのを
、 「電子の移動度がイオンの移動度よりも太きく、」と訂
正する。
Claims (1)
- （１） 減圧容器内にカソードと基板ボルダとを設け
、該カソードと該基板ホルダとの間にメツシュアノード
を設け、該カソードと該メツシュアノードとに高圧直流
電源の負極側と正極側とをそれぞれ接続し、該基板ホル
ダと該メツシュアノードとの間に振幅可変の高周波バイ
アス電源を接続してなることを特徴とするスパッタリン
グ装置。 （２、特許請求の範囲第１項記載において、高圧直流電
源の正極側は接地するとともに減圧容器に接続してなる
スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6903783A JPS59197567A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6903783A JPS59197567A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197567A true JPS59197567A (ja) | 1984-11-09 |
| JPS621471B2 JPS621471B2 (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=13390977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6903783A Granted JPS59197567A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197567A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261472A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | バイアススパツタ法およびその装置 |
| JPH01195273A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Hitachi Ltd | 基板バイアス方式のスパッタリング方法及びその装置 |
| JPH01195272A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Hitachi Ltd | スパッタリング装置 |
| US4871434A (en) * | 1986-04-05 | 1989-10-03 | Leybold-Heraeus Gmbh | Process for equipment to coat tools for machining and forming techniques with mechanically resistant layers |
-
1983
- 1983-04-19 JP JP6903783A patent/JPS59197567A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261472A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | バイアススパツタ法およびその装置 |
| US4871434A (en) * | 1986-04-05 | 1989-10-03 | Leybold-Heraeus Gmbh | Process for equipment to coat tools for machining and forming techniques with mechanically resistant layers |
| JPH01195273A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Hitachi Ltd | 基板バイアス方式のスパッタリング方法及びその装置 |
| JPH01195272A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Hitachi Ltd | スパッタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS621471B2 (ja) | 1987-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6274014B1 (en) | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition | |
| US5232571A (en) | Aluminum nitride deposition using an AlN/Al sputter cycle technique | |
| JPH04325680A (ja) | サブストレート上に反応性の膜を付着する装置 | |
| JP2001234338A (ja) | 金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置 | |
| JPH07224379A (ja) | スパッタ方法およびそのスパッタ装置 | |
| JPS59197567A (ja) | スパツタリング装置 | |
| KR100189218B1 (ko) | Ito 투명도전막의 제작방법 | |
| US4410408A (en) | Method of preparing zinc oxide film | |
| JP2001326071A (ja) | 有機ｌｅｄ素子のパッシベーション膜成膜方法 | |
| JPH08287901A (ja) | リチウム二次電池正極の製造方法 | |
| US7208396B2 (en) | Permanent adherence of the back end of a wafer to an electrical component or sub-assembly | |
| JPH03260063A (ja) | 酸化物薄膜の成膜方法 | |
| JPH1129860A (ja) | スパッタ膜の作製方法及び対向ターゲット式スパッタリング装置 | |
| JPH09302464A (ja) | 高周波スパッタ装置および複合酸化物の薄膜形成方法 | |
| JPS629320Y2 (ja) | ||
| JP2000319778A (ja) | スパッター装置及びスパッターターゲット | |
| JP7163154B2 (ja) | 薄膜製造方法、対向ターゲット式スパッタリング装置 | |
| JP2007131930A (ja) | 反応性マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP2004137101A (ja) | 酸化チタン膜の作製方法 | |
| JPH05263227A (ja) | 薄膜形成法及びその装置 | |
| US20220285129A1 (en) | Pulsed DC Power For Deposition Of Film | |
| EP4453269A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une couche sous-st?chiométrique en oxygène d'un oxyde de titane, de vanadium, de tungstène ou de molybdène | |
| WO2023118734A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une couche sous-stœchiométrique en oxygène d'un oxyde de titane, de vanadium, de tungstène ou de molybdène | |
| JP3515966B2 (ja) | 光磁気記録素子の製造方法 | |
| JPS6333561A (ja) | 薄膜形成方法 |