JPS5814070B2 - 半導体装置容器 - Google Patents
半導体装置容器Info
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- JPS5814070B2 JPS5814070B2 JP54170049A JP17004979A JPS5814070B2 JP S5814070 B2 JPS5814070 B2 JP S5814070B2 JP 54170049 A JP54170049 A JP 54170049A JP 17004979 A JP17004979 A JP 17004979A JP S5814070 B2 JPS5814070 B2 JP S5814070B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置容器に関し、特にオプトエレクトロ
ニクス分野に適用される光半導体素子が収容されるとこ
ろの、光透過用窓を備えた蓋（キャップ）を有する容器
に関する。
ニクス分野に適用される光半導体素子が収容されるとこ
ろの、光透過用窓を備えた蓋（キャップ）を有する容器
に関する。
かかる半導体装置容器にあって、前記光透過用窓を備え
たキャップは、半導体素子を塔載したステムと容易に溶
接が可能であること、安定な表面処理が容易に施せるこ
と、サファイア等の窓封止部材と気密に接着できること
、該窓封止部材の表面が清浄に保たれ光透過特性が損な
われないこと等が要求される。
たキャップは、半導体素子を塔載したステムと容易に溶
接が可能であること、安定な表面処理が容易に施せるこ
と、サファイア等の窓封止部材と気密に接着できること
、該窓封止部材の表面が清浄に保たれ光透過特性が損な
われないこと等が要求される。
前記サファイアは、紫外線から赤外線までの広い波長に
わたって透過可能であることから、このような光半導体
装置の窓封止部材として多用されているが、該サファイ
アが固着される金属としては該サファイアの熱膨張係数
との関係からチタン（Ｔｉ）を用いることが提案されて
いる。
わたって透過可能であることから、このような光半導体
装置の窓封止部材として多用されているが、該サファイ
アが固着される金属としては該サファイアの熱膨張係数
との関係からチタン（Ｔｉ）を用いることが提案されて
いる。
しかしなが呟チタンは高価であシ、しかも酸素中では６
１０（℃）以上、窒素中では８００（℃）で燃焼してし
まうため、固着条件が限定されてしまう。
１０（℃）以上、窒素中では８００（℃）で燃焼してし
まうため、固着条件が限定されてしまう。
本発明はこのような光透過性の優れたサファイアを窓封
止部材として用い、安価でしかも量産性に優れた半導体
収容容器構造を提供するものである。
止部材として用い、安価でしかも量産性に優れた半導体
収容容器構造を提供するものである。
このため、本発明によれば、ステムと、光透過用窓を設
けた前記ステムに固着されるキャップとを有する半導体
装置容器において、前記キャップは表面に酸化膜を生成
された鉄一ニツケルーコバルト合金あるいは鉄一ニッケ
ル合金からなり、光透過用窓がコバールガラスを用いて
サファイア板により封止されてなることを特徴とする半
導体装置容器が提供される。
けた前記ステムに固着されるキャップとを有する半導体
装置容器において、前記キャップは表面に酸化膜を生成
された鉄一ニツケルーコバルト合金あるいは鉄一ニッケ
ル合金からなり、光透過用窓がコバールガラスを用いて
サファイア板により封止されてなることを特徴とする半
導体装置容器が提供される。
次に本発明の実施例を製造方法とともに詳細に説明しよ
う。
う。
本発明によれば、光透過用窓を備えたキャップ（窓付き
キャップ）材料としてコバール（鉄二二ツケルーコバル
ト合金）を用いる。
キャップ）材料としてコバール（鉄二二ツケルーコバル
ト合金）を用いる。
コバールガラスはガラス封入材料として開発された鉄−
ニッケルーコバル殿合金であり、その組成はニッケル２
８％程度、コバルト１８％程度、残り鉄より成りその特
徴は平均線膨張率が硬質ガラスと似た４３３〜５３，Ｏ
ＸＩＯ融点が１４４０度である。
ニッケルーコバル殿合金であり、その組成はニッケル２
８％程度、コバルト１８％程度、残り鉄より成りその特
徴は平均線膨張率が硬質ガラスと似た４３３〜５３，Ｏ
ＸＩＯ融点が１４４０度である。
そして該コバールを周知の製造方法に従って所望のキャ
ップ形状とし、これに酸洗浄処理を施こす。
ップ形状とし、これに酸洗浄処理を施こす。
そして、水素Ｈ２雰囲気中で１０００（℃）に加熱処理
し、更に酸化雰囲気中で８００（℃）に加熱処理して表
面に酸化皮膜を生成する。
し、更に酸化雰囲気中で８００（℃）に加熱処理して表
面に酸化皮膜を生成する。
次いで、該キャップの窓封止部材であるサファイアの接
着部に、バインダー及び溶剤を含むコバールガラス粉末
を塗布し、酸化雰囲気中で７００Ｃ℃）に加熱して、該
キャップのサファイア接着部に仮焼結されたコバールガ
ラス層を形成する。
着部に、バインダー及び溶剤を含むコバールガラス粉末
を塗布し、酸化雰囲気中で７００Ｃ℃）に加熱して、該
キャップのサファイア接着部に仮焼結されたコバールガ
ラス層を形成する。
第１図にかかる状態を示す。
同図において、１はコバールからなるキャップ、２は該
キャップ１に設けられた窓、３はコバールガラス層であ
る。
キャップ１に設けられた窓、３はコバールガラス層であ
る。
次いで該キャップ１の窓２を覆って、サファイア板を配
設し、コバールガラス層３により該サファイア板をキャ
ップ１に固着する。
設し、コバールガラス層３により該サファイア板をキャ
ップ１に固着する。
サファイア板は予め、表面の清浄化及び活性化を行ない
、更に酸化雰囲気中でｓｏｏ（℃），２０分間程の加熱
処理を行って、ガラスとの馴染みをよくしておく。
、更に酸化雰囲気中でｓｏｏ（℃），２０分間程の加熱
処理を行って、ガラスとの馴染みをよくしておく。
前記第１図に示したキャップ部材に対し、第２図に示す
ように窓２を覆ってサファイア板４を配置し、この上に
ステンレス等から々る重り５を載置した状態で、窒素Ｎ
２雰囲気中に配置し、１０００（℃），３０分間程の加
熱処理を施す。
ように窓２を覆ってサファイア板４を配置し、この上に
ステンレス等から々る重り５を載置した状態で、窒素Ｎ
２雰囲気中に配置し、１０００（℃），３０分間程の加
熱処理を施す。
この結果、サファイア板４はキャップ１に気密に接着さ
れる。
れる。
このようにして、サファイア板から女る窓部材を備えた
キャップは、光半導体素子が載置されたステムに溶接固
着され、当該光半導体素子を気密封止する。
キャップは、光半導体素子が載置されたステムに溶接固
着され、当該光半導体素子を気密封止する。
第３図にかかる状態を示す。
同図において、６はコバールあるいは鉄一ニッケル合金
からなるアイレット、７は該アイレット６上に固着され
た光半導体素子、８は該光半導体素子１から導出された
リード線９が接続されたリード端子、１０は該リード端
子９をアイレットに固着するガラスである。
からなるアイレット、７は該アイレット６上に固着され
た光半導体素子、８は該光半導体素子１から導出された
リード線９が接続されたリード端子、１０は該リード端
子９をアイレットに固着するガラスである。
このような本発明によれば、窓付きキャップ部材として
コバールを用いるため、酸化雰囲気中あるいは窒素雰囲
気中でのサファイア板の固着が可能である。
コバールを用いるため、酸化雰囲気中あるいは窒素雰囲
気中でのサファイア板の固着が可能である。
しかも、＋２００（℃）〜−５５〔℃）の熱衝撃を加え
ても気密性が損なわれない。
ても気密性が損なわれない。
々お、キャップ部材としては、コバールに代えて鉄Ｆｅ
−ニッケルＮｉ合金を使用することもできる。
−ニッケルＮｉ合金を使用することもできる。
これらコバール又は鉄一ニッケル合金は、前述の如きチ
タン等を用いないことから、安価に半導体装置容器を得
ることができる。
タン等を用いないことから、安価に半導体装置容器を得
ることができる。
捷だ、本発明の前記実施例にあっては、サファイア板を
固着する材料として、粉末ガラスを用い、これを塗布す
ればよいので、種々の形状のキャップに種々の形状の窓
を形成して、光半導体素子を気密封入することができる
。
固着する材料として、粉末ガラスを用い、これを塗布す
ればよいので、種々の形状のキャップに種々の形状の窓
を形成して、光半導体素子を気密封入することができる
。
またこのような粉末ガラスの塗布に代えて、あらかじめ
粉末ガラスを成形して焼結したガラス又は溶融ガラスの
加工品を使用して窓付キャップと組立て、加熱処理でガ
ラスを溶融し、窓付キャップと溶着しその後サファイア
を組立て、加熱処理によりサファイアと窓付キャップを
接着してもよい。
粉末ガラスを成形して焼結したガラス又は溶融ガラスの
加工品を使用して窓付キャップと組立て、加熱処理でガ
ラスを溶融し、窓付キャップと溶着しその後サファイア
を組立て、加熱処理によりサファイアと窓付キャップを
接着してもよい。
又、窓付キャップ、ガラス、サファイアをそれぞれ組立
て、加熱処理によりガラスを溶融し一度に接着すること
も可能である。
て、加熱処理によりガラスを溶融し一度に接着すること
も可能である。
第１図は本発明にかかるキャップ部材に光透過用窓を形
成し、窓封止部に窓封止部材固着用ガラスを付着した状
態を示す断面図、第２図は前記キャップ部材に窓封止部
材を固着した状態を示す断面図、第３図は前記キャップ
部材をステムに固着した状態を示す断面図である。 図において、１……キャップ、２……窓、３……コバー
ルガラス層、４……サファイア板に５……重り、６……
アイレット、７……半導体素子、８……リード端子、９
……リード線、１０……ガラス。
成し、窓封止部に窓封止部材固着用ガラスを付着した状
態を示す断面図、第２図は前記キャップ部材に窓封止部
材を固着した状態を示す断面図、第３図は前記キャップ
部材をステムに固着した状態を示す断面図である。 図において、１……キャップ、２……窓、３……コバー
ルガラス層、４……サファイア板に５……重り、６……
アイレット、７……半導体素子、８……リード端子、９
……リード線、１０……ガラス。
Claims (1)
- １ ステムと、光透過用窓を設けた前記ステムに固着さ
れるキャップとを有する半導体装置内容器において、前
記キャップは表面に酸化膜を生成された鉄−二ツケルー
コバルト合金あるいは鉄一ニッケル合金からなり、まだ
光透過用窓がコバールガラスを用いてサファイヤ板によ
り封止されてなることを特徴とする半導体装置容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54170049A JPS5814070B2 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | 半導体装置容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54170049A JPS5814070B2 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | 半導体装置容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5693346A JPS5693346A (en) | 1981-07-28 |
| JPS5814070B2 true JPS5814070B2 (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=15897662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54170049A Expired JPS5814070B2 (ja) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | 半導体装置容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814070B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5849658U (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-04 | 岐阜プラスチック工業株式会社 | バケツ |
| JPS59167037A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0351976Y2 (ja) * | 1985-11-22 | 1991-11-08 | ||
| JPS6331140A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Toshiba Components Kk | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154753A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-02 | Toshiba Corp | Package for semiconductor device |
-
1979
- 1979-12-26 JP JP54170049A patent/JPS5814070B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154753A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-02 | Toshiba Corp | Package for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5693346A (en) | 1981-07-28 |
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