JPH0422277Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0422277Y2 JPH0422277Y2 JP1985112122U JP11212285U JPH0422277Y2 JP H0422277 Y2 JPH0422277 Y2 JP H0422277Y2 JP 1985112122 U JP1985112122 U JP 1985112122U JP 11212285 U JP11212285 U JP 11212285U JP H0422277 Y2 JPH0422277 Y2 JP H0422277Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal cap
- organic adhesive
- window member
- window
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本考案は、非接触温度検知或いは人体検知等に
利用される熱型赤外線検出器に関する。
利用される熱型赤外線検出器に関する。
<従来の技術>
熱型赤外線検出器としては、サーモパイル、サ
ーミスタ、ボロメータ、焦電素子等の赤外線検出
素子を利用したものが知られている。しかし、何
れの赤外線検出素子を利用した場合でも、赤外線
検出信号は非常に微弱であり、長期に亘つて安定
したS/N比を保証する構造であることが必要で
ある。通常、赤外線検出素子は、裸状態で用いら
れることはなく、TO−5の名称で呼ばれるパツ
ケージ内に封入されて実用に供される。
ーミスタ、ボロメータ、焦電素子等の赤外線検出
素子を利用したものが知られている。しかし、何
れの赤外線検出素子を利用した場合でも、赤外線
検出信号は非常に微弱であり、長期に亘つて安定
したS/N比を保証する構造であることが必要で
ある。通常、赤外線検出素子は、裸状態で用いら
れることはなく、TO−5の名称で呼ばれるパツ
ケージ内に封入されて実用に供される。
第3図は赤外線検出器の一般的な構造を示す部
分断面図で、パツケージは、金属キヤツプ1と、
この金属キヤツプ1の底面側を封止するステム2
とよりなり、金属キヤツプ1の頭部の略中央部に
窓孔1aを設け、この窓孔1aの周辺部に赤外線
透過用の窓部材3を接着固定して封止した構造と
なつている。窓部材3としては、シリコンまたは
ゲルマニユウムの半導体基体の両面に高抵抗誘電
膜を形成した干渉フイルタが多用される。4は赤
外線検出素子、5は支持台、6はリード端子であ
る。
分断面図で、パツケージは、金属キヤツプ1と、
この金属キヤツプ1の底面側を封止するステム2
とよりなり、金属キヤツプ1の頭部の略中央部に
窓孔1aを設け、この窓孔1aの周辺部に赤外線
透過用の窓部材3を接着固定して封止した構造と
なつている。窓部材3としては、シリコンまたは
ゲルマニユウムの半導体基体の両面に高抵抗誘電
膜を形成した干渉フイルタが多用される。4は赤
外線検出素子、5は支持台、6はリード端子であ
る。
パツケージ内に封入された赤外線検出素子4
を、長期に亘つて安定に動作させ、S/N比を保
証するためには、大気中の水分が、パツケージ内
に入り込まないような構造とすることが必要であ
る。通常、金属キヤツプ1の底面側にはステム2
が溶接イされていて、封止性が高く、水分の入り
込む余地が殆どない。水分の入り込む可能性のあ
る箇所は、金属キヤツプ1の頭部に設けられた赤
外線透過窓部材3の接着部分ロである。
を、長期に亘つて安定に動作させ、S/N比を保
証するためには、大気中の水分が、パツケージ内
に入り込まないような構造とすることが必要であ
る。通常、金属キヤツプ1の底面側にはステム2
が溶接イされていて、封止性が高く、水分の入り
込む余地が殆どない。水分の入り込む可能性のあ
る箇所は、金属キヤツプ1の頭部に設けられた赤
外線透過窓部材3の接着部分ロである。
窓部材3の接着部分ロの封止性を高めることを
狙つた従来技術としては、実開昭55−34291号公
報に開示されたものがある。この従来技術は、第
4図に示すように、窓部材3の周辺を、ガラス7
を介して、金属キヤツプ1の窓孔1aの周辺部に
接着固定したものである。
狙つた従来技術としては、実開昭55−34291号公
報に開示されたものがある。この従来技術は、第
4図に示すように、窓部材3の周辺を、ガラス7
を介して、金属キヤツプ1の窓孔1aの周辺部に
接着固定したものである。
<考案が解決しようとする課題>
しかしながら、上述した従来技術には次のよう
な問題点があつた。
な問題点があつた。
(a) ガラス7による接着のため、接着処理温度を
ガラスの融点(数百度)まで上げる熱処理工程
が必要になり、組立工程が面倒で複雑になり、
生産能率が低下し、コスト高になる。
ガラスの融点(数百度)まで上げる熱処理工程
が必要になり、組立工程が面倒で複雑になり、
生産能率が低下し、コスト高になる。
(b) 熱膨張係数の差による熱的ストレスを抑える
ために、ガラス7として、熱膨張係数が金属キ
ヤツプ1の熱膨張係数に近似した材質のものを
選択使用しなければならない。このため、金属
キヤツプ1とガラス7との組合せの自由度が狭
くなり、設計の困難性、コスト高等を招く。
ために、ガラス7として、熱膨張係数が金属キ
ヤツプ1の熱膨張係数に近似した材質のものを
選択使用しなければならない。このため、金属
キヤツプ1とガラス7との組合せの自由度が狭
くなり、設計の困難性、コスト高等を招く。
(c) 処理温度が数百度と高くなるため、金属キヤ
ツプ1が酸化して劣化する等の悪影響が出易
い。
ツプ1が酸化して劣化する等の悪影響が出易
い。
(d) 金属キヤツプ1と窓部材3との間に、絶縁材
料でなるガラス7が介在するため、窓部材3を
導電性のある赤外線透過材で構成した場合で
も、窓部材3を金属キヤツプ1に電気的に接続
できなくなる。このため、電磁シールド効果が
低下し、S/N比が悪化する。
料でなるガラス7が介在するため、窓部材3を
導電性のある赤外線透過材で構成した場合で
も、窓部材3を金属キヤツプ1に電気的に接続
できなくなる。このため、電磁シールド効果が
低下し、S/N比が悪化する。
<課題を解決するための手段>
上述した課題解決のため、本考案は、赤外線検
出素子を内蔵する金属キヤツプの頭部に窓孔を設
け、この窓孔を赤外線透過材でなる窓部材で封止
した赤外線検出器であつて、 前記窓部材は、半導体基体の両面に高抵抗誘電
膜を有し、有機質接着材層によつて前記金属キヤ
ツプに接着固定されており、 前記有機質接着材層は、少なくとも2層であ
り、その一方が前記窓孔のまわりの前記金属キヤ
ツプ周辺面とこの面と向き合う前記窓部材の周辺
面との間に略全周に亘つて介在し、他型が導電性
を有し前記半導体基体の外周端部と前記金属キヤ
ツプとの間に生じる間隔を全周に亘つて埋めてい
る。
出素子を内蔵する金属キヤツプの頭部に窓孔を設
け、この窓孔を赤外線透過材でなる窓部材で封止
した赤外線検出器であつて、 前記窓部材は、半導体基体の両面に高抵抗誘電
膜を有し、有機質接着材層によつて前記金属キヤ
ツプに接着固定されており、 前記有機質接着材層は、少なくとも2層であ
り、その一方が前記窓孔のまわりの前記金属キヤ
ツプ周辺面とこの面と向き合う前記窓部材の周辺
面との間に略全周に亘つて介在し、他型が導電性
を有し前記半導体基体の外周端部と前記金属キヤ
ツプとの間に生じる間隔を全周に亘つて埋めてい
る。
<作用>
窓部材は、有機質接着材によつて金属キヤツプ
に接着固定されているから、従来のガラスによる
接着の場合と異なつて、処理温度を高くする必要
がない。
に接着固定されているから、従来のガラスによる
接着の場合と異なつて、処理温度を高くする必要
がない。
また、有機質接着材は適度の弾性率を持つた
め、通常の使用温度範囲では、有機質接着材と金
属キヤツプ或いは窓部材との間の熱膨張係数の違
いがあつても、その熱膨張係数の違いによる熱的
ストレスを、有機質接着材が吸収緩和するように
使用する。このため、金属キヤツプ、窓部材及び
有機質接着材の自由な組合せが可能になり、設計
の自由度が高くなる。しかも、接着処理温度が低
いから、金属キヤツプが酸化する等の問題を生じ
ることもない。
め、通常の使用温度範囲では、有機質接着材と金
属キヤツプ或いは窓部材との間の熱膨張係数の違
いがあつても、その熱膨張係数の違いによる熱的
ストレスを、有機質接着材が吸収緩和するように
使用する。このため、金属キヤツプ、窓部材及び
有機質接着材の自由な組合せが可能になり、設計
の自由度が高くなる。しかも、接着処理温度が低
いから、金属キヤツプが酸化する等の問題を生じ
ることもない。
有機質接着材層は、2層であり、その一方が窓
孔のまわりの金属キヤツプ周辺面と、この面と向
き合う窓部材の周辺面との間に介在して両周辺面
を全周に亘つて接着し、他方が窓部材を構成する
半導体基体の外周端部と金属キヤツプとの間に生
じる間隔をその全周に亘つて埋めているので、耐
湿特性が非常に良好で、高性能の赤外線検出器を
得ることができる。次にこの点について説明す
る。
孔のまわりの金属キヤツプ周辺面と、この面と向
き合う窓部材の周辺面との間に介在して両周辺面
を全周に亘つて接着し、他方が窓部材を構成する
半導体基体の外周端部と金属キヤツプとの間に生
じる間隔をその全周に亘つて埋めているので、耐
湿特性が非常に良好で、高性能の赤外線検出器を
得ることができる。次にこの点について説明す
る。
赤外線検出器に要求される耐湿特性は非常に厳
しいものであり、この要求を満たすことは技術的
困難さを伴う。本考案者等は、単に、有機質接着
材によつて窓部材を金属キヤツプに接着しただけ
の構造では、接着部分からの極く微量な水分の侵
入を防止できず、その結果、S/N比を低下させ
てしまうことを発見した。そこで、単に有機質接
着材によつて接着するのではなく、有機質接着材
層を2層とし、1層目の有機質接着材層は金属キ
ヤツプと窓部材との間の平面的接着に主眼をお
き、2層目の有機質接着材層によつて、窓部材の
半導体基体の外周端部と金属キヤツプとの間に発
生する隙間を、全周に亘つて埋める構造としたと
ころ、極めて耐湿特性の優れた赤外線検出器が得
られることが解つた。
しいものであり、この要求を満たすことは技術的
困難さを伴う。本考案者等は、単に、有機質接着
材によつて窓部材を金属キヤツプに接着しただけ
の構造では、接着部分からの極く微量な水分の侵
入を防止できず、その結果、S/N比を低下させ
てしまうことを発見した。そこで、単に有機質接
着材によつて接着するのではなく、有機質接着材
層を2層とし、1層目の有機質接着材層は金属キ
ヤツプと窓部材との間の平面的接着に主眼をお
き、2層目の有機質接着材層によつて、窓部材の
半導体基体の外周端部と金属キヤツプとの間に発
生する隙間を、全周に亘つて埋める構造としたと
ころ、極めて耐湿特性の優れた赤外線検出器が得
られることが解つた。
2層の有機質接着材層のうち、窓部材を構成す
る半導体基体の外周端部と金属キヤツプとの間に
生じる間隔を全周に亘つて埋めている有機質接着
材層は、導電性を有するから、窓部材が両面に高
抵抗誘電膜を有していて両面が実質的に電気絶縁
面となつているにもかかわらず、窓部材を、半導
体基体の部分で、金属キヤツプに電気的に接続
し、窓部分に、半導体基体、有機質接着材層及び
金属キヤツプによる連続した一連の電磁シールド
を形成できる。このため、窓部分の電磁シールド
作用が高くなり、S/N比が向上する。
る半導体基体の外周端部と金属キヤツプとの間に
生じる間隔を全周に亘つて埋めている有機質接着
材層は、導電性を有するから、窓部材が両面に高
抵抗誘電膜を有していて両面が実質的に電気絶縁
面となつているにもかかわらず、窓部材を、半導
体基体の部分で、金属キヤツプに電気的に接続
し、窓部分に、半導体基体、有機質接着材層及び
金属キヤツプによる連続した一連の電磁シールド
を形成できる。このため、窓部分の電磁シールド
作用が高くなり、S/N比が向上する。
<実施例>
第1図は本考案に係る赤外線検出器の要部たる
金属キヤツプと窓部材の接着構造を示す断面図で
ある。図において、第3図と同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。金属キヤツプ1
はいわゆるTO−5型となつており、その内径は
約7.7mmに統一されている。この金属キヤツプ1
の頭部には、赤外線導入口となる窓孔1aが設け
たれている。窓孔1aの孔径は種々であるが、視
野を大きくとろうとする場合、例えば6mmφ程度
の大きさとなる。
金属キヤツプと窓部材の接着構造を示す断面図で
ある。図において、第3図と同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。金属キヤツプ1
はいわゆるTO−5型となつており、その内径は
約7.7mmに統一されている。この金属キヤツプ1
の頭部には、赤外線導入口となる窓孔1aが設け
たれている。窓孔1aの孔径は種々であるが、視
野を大きくとろうとする場合、例えば6mmφ程度
の大きさとなる。
窓孔1aのまわりの金属キヤツプ1の周辺面
と、この面と向き合う窓部材3の周辺面との間に
は、1層目の有機質接着材層8を全周に亘つて介
在させ、両周辺面を、略全周面に亘つて接着させ
てある。有機質接着材層8は、第2図aに示すよ
うに、例えばデイスペンサ等によつて金属キヤツ
プ1の内周面側の、窓孔1aの周辺面に塗布す
る。
と、この面と向き合う窓部材3の周辺面との間に
は、1層目の有機質接着材層8を全周に亘つて介
在させ、両周辺面を、略全周面に亘つて接着させ
てある。有機質接着材層8は、第2図aに示すよ
うに、例えばデイスペンサ等によつて金属キヤツ
プ1の内周面側の、窓孔1aの周辺面に塗布す
る。
そして、第2図bに示すように、有機質接着材
層8の上に窓部材3を載せて、周辺面の全周に亘
つて金属キヤツプ1に接着固定する。窓部材3
は、シリコンまたはゲルマニユウム等の半導体基
体の両面に高抵抗誘電膜を形成した干渉フイルタ
で構成されている。
層8の上に窓部材3を載せて、周辺面の全周に亘
つて金属キヤツプ1に接着固定する。窓部材3
は、シリコンまたはゲルマニユウム等の半導体基
体の両面に高抵抗誘電膜を形成した干渉フイルタ
で構成されている。
次に、窓部材3の外周端部の上から金属キヤツ
プ1に対し、略全周に亘つて、2層目の有機質接
着材層9を付着させる(第2図c参照)。窓孔1
aは視野の確保のため金属キヤツプ1の頭部面積
に対する面積比率が大きくなつており、いわゆる
「ノリシロ」が非常に小さくなつているから、1
層目の有機質接着材層8を厚く塗布すると、窓部
材3の表面に流れ出して付着する可能性が出てく
る。赤外線検出器は一種の光学デバイスであるか
ら、有機質接着材層8が窓部材3の表面に流れ出
して付着すると、特性に重大な影響を及ぼす。従
つて、1層目の有機質接着材8はできるだけ薄く
塗布する必要がある。このため、1層目の有機質
接着材層8だけでは、充分な耐湿特性を確保する
ことが困難で、特に、高温高湿状態(例えば85
℃、95% RH)に長期間放置すると、有機質接
着材層8を通して微量水分が侵入し、S/N比低
下の原因となる。
プ1に対し、略全周に亘つて、2層目の有機質接
着材層9を付着させる(第2図c参照)。窓孔1
aは視野の確保のため金属キヤツプ1の頭部面積
に対する面積比率が大きくなつており、いわゆる
「ノリシロ」が非常に小さくなつているから、1
層目の有機質接着材層8を厚く塗布すると、窓部
材3の表面に流れ出して付着する可能性が出てく
る。赤外線検出器は一種の光学デバイスであるか
ら、有機質接着材層8が窓部材3の表面に流れ出
して付着すると、特性に重大な影響を及ぼす。従
つて、1層目の有機質接着材8はできるだけ薄く
塗布する必要がある。このため、1層目の有機質
接着材層8だけでは、充分な耐湿特性を確保する
ことが困難で、特に、高温高湿状態(例えば85
℃、95% RH)に長期間放置すると、有機質接
着材層8を通して微量水分が侵入し、S/N比低
下の原因となる。
そこで本考案においては、1層目の有機質接着
材層8によつて金属キヤツプ1に窓部材3を平面
接着した後、窓部材3を構成する半導体基体の外
周端部の上から金属キヤツプ1に対し、略全周に
亘つて、2層目の有機質接着材層9を付着させ、
窓部材3を構成する半導体基体と金属キヤツプ1
との間の隙間を埋めるようにしたものである。こ
れにより、耐湿特性が飛躍的に向上する。
材層8によつて金属キヤツプ1に窓部材3を平面
接着した後、窓部材3を構成する半導体基体の外
周端部の上から金属キヤツプ1に対し、略全周に
亘つて、2層目の有機質接着材層9を付着させ、
窓部材3を構成する半導体基体と金属キヤツプ1
との間の隙間を埋めるようにしたものである。こ
れにより、耐湿特性が飛躍的に向上する。
上述の有機質接着材層8,9の硬化処理は、
100℃以下の低温で行なうことが可能であるので、
金属キヤツプ1や有機質接着材の選択の自由度が
非常に高くなり、また、処理コストも従来例と比
較して安価である。
100℃以下の低温で行なうことが可能であるので、
金属キヤツプ1や有機質接着材の選択の自由度が
非常に高くなり、また、処理コストも従来例と比
較して安価である。
有機質接着材層9は導電性を有するものを使用
する。導電性の有機質接着材を使用すると、シリ
コン、ゲルマニユム等の半導体基体の厚み方向の
両面A,B(第1図参照)に、真空蒸着或いはス
パツタ法等によつて高抵抗誘電体膜を形成した干
渉フイルタにおいて、半導体基体及びキヤツプ
を、全周に亘つて電気的に導通させることができ
る。このため、窓部分に、窓部材3の半導体基
体、有機質接着材層9及び金属キヤツプ1による
連続した一連の電磁シールドが形成され、電磁シ
ールド作用が非常に高く、電磁ノイズに対して極
めて強く、S/N比の優れた高性能の赤外線検出
器が得られる。導電性の有機質接着材としては、
銅、ニツケル、金、銀、カーボン等の導電成分を
樹脂に混合させたものが有効である。
する。導電性の有機質接着材を使用すると、シリ
コン、ゲルマニユム等の半導体基体の厚み方向の
両面A,B(第1図参照)に、真空蒸着或いはス
パツタ法等によつて高抵抗誘電体膜を形成した干
渉フイルタにおいて、半導体基体及びキヤツプ
を、全周に亘つて電気的に導通させることができ
る。このため、窓部分に、窓部材3の半導体基
体、有機質接着材層9及び金属キヤツプ1による
連続した一連の電磁シールドが形成され、電磁シ
ールド作用が非常に高く、電磁ノイズに対して極
めて強く、S/N比の優れた高性能の赤外線検出
器が得られる。導電性の有機質接着材としては、
銅、ニツケル、金、銀、カーボン等の導電成分を
樹脂に混合させたものが有効である。
<考案の効果>
以上述べたように、本考案によれば次のような
効果が得られる。
効果が得られる。
(イ) 窓部材は、有機質接着材によつて金属キヤツ
プに接着固定されているから、従来のガラスに
よる接着の場合と異なつて、処理温度を高くす
る必要がなく、接着処理作業が容易で、コスト
の安価な赤外線検出器を提供できる。
プに接着固定されているから、従来のガラスに
よる接着の場合と異なつて、処理温度を高くす
る必要がなく、接着処理作業が容易で、コスト
の安価な赤外線検出器を提供できる。
(ロ) 有機質接着材は適度の弾性率を持つため、有
機質接着材と金属キヤツプ或いは窓部材との間
の熱膨張係数の違いによる熱的ストレスを、吸
収緩和でき、金属キヤツプ、窓部材及び有機質
接着材の自由な組合せが可能で、設計の自由度
の高い実用性に富む赤外線検出器を提供でき
る。
機質接着材と金属キヤツプ或いは窓部材との間
の熱膨張係数の違いによる熱的ストレスを、吸
収緩和でき、金属キヤツプ、窓部材及び有機質
接着材の自由な組合せが可能で、設計の自由度
の高い実用性に富む赤外線検出器を提供でき
る。
(ハ) 接着処理温度が低いから、金属キヤツプが酸
化する等の問題を生じることのない赤外線検出
器を提供できる。
化する等の問題を生じることのない赤外線検出
器を提供できる。
(ニ) 有機質接着材層は2層とし、一方が金属キヤ
ツプと窓部材とを平面接着し、他方が金属キヤ
ツプと窓部材との間の隙間を埋めるているか
ら、検出特性を劣化させることなく、耐湿特性
を著しく向上させた高性能の赤外線検出器を提
供できる。
ツプと窓部材とを平面接着し、他方が金属キヤ
ツプと窓部材との間の隙間を埋めるているか
ら、検出特性を劣化させることなく、耐湿特性
を著しく向上させた高性能の赤外線検出器を提
供できる。
(ホ) 窓部材を構成する半導体基体の外周端部と金
属キヤツプとの間に生じる間隔を全周に亘つて
埋めている有機質接着材層は、導電性を有する
から、半導体基体の両面に高抵抗誘電膜を形成
した窓部材を、半導体基体の部分で、有機質接
着材層を介して、金属キヤツプに電気的に接続
し、窓部分の電磁シールド効果を高め、S/N
比を向上させた高性能の赤外線検出器を提供で
きる。
属キヤツプとの間に生じる間隔を全周に亘つて
埋めている有機質接着材層は、導電性を有する
から、半導体基体の両面に高抵抗誘電膜を形成
した窓部材を、半導体基体の部分で、有機質接
着材層を介して、金属キヤツプに電気的に接続
し、窓部分の電磁シールド効果を高め、S/N
比を向上させた高性能の赤外線検出器を提供で
きる。
第1図は本考案に係る赤外線検出器の部分断面
図、第2図a〜cは同じくその製造工程を示す
図、第3図は赤外線検出器の一般的な構造を示す
部分断面図、第4図は従来の赤外線検出器のキヤ
ツプ部分の構造を示す断面図である。 1……金属キヤツプ、1a……窓孔、3……窓
部材、4……赤外線検出素子、8……1層目の有
機質接着材層、9……2層目の有機質接着材層。
図、第2図a〜cは同じくその製造工程を示す
図、第3図は赤外線検出器の一般的な構造を示す
部分断面図、第4図は従来の赤外線検出器のキヤ
ツプ部分の構造を示す断面図である。 1……金属キヤツプ、1a……窓孔、3……窓
部材、4……赤外線検出素子、8……1層目の有
機質接着材層、9……2層目の有機質接着材層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 赤外線検出素子を内蔵する金属キヤツプの頭部
に窓孔を設け、この窓孔を赤外線透過材でなる窓
部材で封止した赤外線検出器であつて、 前記窓部材は、半導体基体の両面に高抵抗誘電
膜を有し、有機質接着材層によつて前記金属キヤ
ツプに接着固定されており、 前記有機質接着材層は、少なくとも2層であ
り、その一方が前記窓孔のまわりの前記金属キヤ
ツプ周辺面とこの面と向き合う前記窓部材の周辺
面との間に略全周に亘つて介在し、他方が導電性
を有し前記半導体基体の外周端部と前記金属キヤ
ツプとの間に生じる間隔を全周に亘つて埋めてい
る 赤外線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985112122U JPH0422277Y2 (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985112122U JPH0422277Y2 (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6220330U JPS6220330U (ja) | 1987-02-06 |
JPH0422277Y2 true JPH0422277Y2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=30992693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985112122U Expired JPH0422277Y2 (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0422277Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010175341A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ素子のパッケージ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007000172A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Hl-Planar Technik Gmbh | Device for the detection of electromagnetic waves and method for producing such a device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627640B2 (ja) * | 1975-08-08 | 1981-06-25 | ||
JPS5745421A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Infrared ray detector |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025557Y2 (ja) * | 1979-08-07 | 1985-07-31 | 三洋電機株式会社 | 焦電型赤外線検出素子 |
JPS6132337Y2 (ja) * | 1981-04-08 | 1986-09-20 | ||
JPS58130237U (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | 株式会社チノ− | 赤外線検出器 |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP1985112122U patent/JPH0422277Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5627640B2 (ja) * | 1975-08-08 | 1981-06-25 | ||
JPS5745421A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Infrared ray detector |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010175341A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ素子のパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6220330U (ja) | 1987-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5056929A (en) | Temperature compensation type infrared sensor | |
US4908685A (en) | Magnetoelectric transducer | |
JPWO2006120862A1 (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
US4229758A (en) | Package for semiconductor devices with first and second metal layers on the substrate of said package | |
JPH0422277Y2 (ja) | ||
JPH07209089A (ja) | 赤外線センサ | |
JPH0450755B2 (ja) | ||
KR101569350B1 (ko) | 웨이퍼레벨 패키징 소자 | |
JP3047379B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
JPH0196548A (ja) | センサ素子 | |
JPS60235026A (ja) | 赤外線検出器の製造方法 | |
JPS5810868B2 (ja) | 半導体歪変換器 | |
JP3086305B2 (ja) | センサー及びその製造方法 | |
JP2579970Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4567162B2 (ja) | 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置 | |
JPH0663853B2 (ja) | 非接触型半導体温度センサ | |
JPS5937448B2 (ja) | 室温動作形赤外線検知器 | |
JPS5928070B2 (ja) | 半導体変位変換器 | |
JPH0426784B2 (ja) | ||
JPS6175535A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0581666U (ja) | チップ型赤外線センサ | |
JPH0287580A (ja) | 赤外線センサ用キャップ及びその製造方法 | |
JPH04139841A (ja) | 半導体パッケージ | |
JPH03285347A (ja) | ハイブリッドicおよび金属容器 | |
JPH0835879A (ja) | 赤外線センサ |