JPS6331140A - 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 - Google Patents
半導体用窓付パツケ−ジの製造方法Info
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- JPS6331140A JPS6331140A JP61173941A JP17394186A JPS6331140A JP S6331140 A JPS6331140 A JP S6331140A JP 61173941 A JP61173941 A JP 61173941A JP 17394186 A JP17394186 A JP 17394186A JP S6331140 A JPS6331140 A JP S6331140A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体用窓付パッケージの製造方法に関する
。 【従来の技術〕 従来、半導体レーザ等の発光素子や感熱センサのような
受光素子は、可視光線から赤外線に及ぶ光を透過する窓
を設けた所謂半導体用窓付パッケージ内に実装されてい
る。このような半導体用先ず、金属部品である金属キャ
ップ１の窓２の周辺領域に低融点ガラスからなる枠体３
を置き、その上に窓材４を窓２が塞がれるようにして！
ｉｉｉする。次いで、窓材４上に重り５を置く （第３
図（Ａ）参照）。次いで、この状態で金属キャップ１を
炉内に設置し、熱処理により窓材４を低融点ガラス層６
を介して金属キャップ１に装着する（第３図（Ｄ）参照
）。 【発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような方法によるものでは、炉内で
の加熱速度が遅く、低融点ガラスの軟化点から作業温度
に達するまでに長時間を要する。 その結果、作業温度で窓材４が装着した際には、低融点
ガラスの流出長（Ｌ）が長くなり、窓２の有効面積を小
さくする。また、低融点ガラスの流出長（Ｌ）が艮いた
め窓材４にストレスが加わり、窓材４をゆがめてしまっ
て平面度を態＜シてしまう。 更に、製造に際して重りやマスク材等が必要であり、製
造１稈が煩雑になる問題があった。 リ、窓の開口部の有効面積を大きくすると共に、窓材へ
のストレスの影響を少なくシ、かつ、製造工程を簡単な
ものにすることができる半導体用窓付パッケージの製造
方法を提供するものである。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、窓を有する金属部品を急熱処理して該窓の近
傍領域に低融点ガラス層を形成する工程と、該低融点ガ
ラス層を再加熱し、該低融点ガラス層上に窓材を装着し
て前記窓を封止する工程とを具備することを特徴とする
半導体用窓付パッケージの製造方法である。 ここで、低融点ガラスとしては、酸化鉛系ガラス、酸化
ホウ素−酸化亜鉛系ガラスを使用することができる。 また、窓材としては、硼硅酸系ガラスまたはシリコン材
を使用することができる。 また、金属部品としては、Ｐｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金（コ
バール）を使用することができる。 ［作用］ 本発明に係る半導体用窓付パッケージの製造方法によれ
ば、先ず、低融点ガラス層を金属部品の窓の近傍領域に
一旦固着する。次いで、低融点ガラス層を再加熱して窓
材を装着する。このため低融点ガラスの流出を防止して
窓の開口領域を十分に大きくしておくことができる。ま
た、低融点ガラス層は一旦固定しているので、窓材の装
着に際して固定用の重りを不要にすると共にマスク材も
不要であり、製造工程を簡単なものにすることができる
。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明方法を工程順に示す説明図であり、
第２図は、同工程の流れを示す説明図である。。先ず、
第１図（Ａ）に示す如く、Ｆｅ−Ｎ１−Ｃｏ系合金から
なる金属部品である金属キャップ１０を用意する。次い
で、金属キャップＩＯの窓１１の近傍領域に酸化鉛系ガ
ラスからなる低融点金属ガラスの枠体１２を載置し、こ
の状態でマツフル炉内に設置して急熱処理により第１図
（Ｂ）に示す如く、低融点ガラス層１３を形成した。こ
こで、急熱処理が可能であればマツフル炉の他にも高周
波炉等を使用しても良い。また、急熱処理の際の加熱速
度は、低融点ガラスの軟化点から作業温度までが２０℃
／分となるようにした。更にその際の雰囲気は酸化雰囲
気とした。因みに、軟化点から作業温度までが１０℃／
分以下の加熱速度になると、低融点ガラスが収縮し金属
キャップ１０に固着させることが不可能になる。 次に、第１図（Ｃ）に示す如く、低融点ガラス層１３を
所定温度に再加熱した後、その上にシリコン材またはガ
ラスからなる窓材１４を載置し、低融点ガラス層１３を
介して窓材１４を金属キャップ１０に装着した半導体用
窓付パッケージ１５を得た（第１図（Ｄ）参照）。 このようにして得た半導体用窓付パッケージ１５の１０
０個について窓１１内への低融点ガラス層１３の流出長
（Ｌ）を調べたところ、下記表に示す結果を得た。同様
のことを第３図にて示した従来方法で得られた１００個
の半導体用窓付パッケージについて調べたところ、同表
に併記した結果を得た。 同表から明らかなように実施例によるものでは、低融点
ガラス層１３の流出長（Ｌ）を小さく抑えて、窓１１の
開口部の有効面積を十分に大きくできることが分った。 また、窓材１４と金属キャップ１０との間隔も極めて均
一なものであることが確認された。 更に、実施例によるものでは、重りやマスク材が不要で
あり、簡単な製造工程とすることができた。 表 ［発明の効果］ 以上説明した如く、本発明に係る半導体用窓付パッケー
ジの製造方法によれば、低融点ガラス層の流出を防止し
て窓の開口部の有効面積を大きくすると共に窓材へのス
トレスの影響を少なくし、かつ、製造工程を簡単なもの
にすることができるものである。
。 【従来の技術〕 従来、半導体レーザ等の発光素子や感熱センサのような
受光素子は、可視光線から赤外線に及ぶ光を透過する窓
を設けた所謂半導体用窓付パッケージ内に実装されてい
る。このような半導体用先ず、金属部品である金属キャ
ップ１の窓２の周辺領域に低融点ガラスからなる枠体３
を置き、その上に窓材４を窓２が塞がれるようにして！
ｉｉｉする。次いで、窓材４上に重り５を置く （第３
図（Ａ）参照）。次いで、この状態で金属キャップ１を
炉内に設置し、熱処理により窓材４を低融点ガラス層６
を介して金属キャップ１に装着する（第３図（Ｄ）参照
）。 【発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような方法によるものでは、炉内で
の加熱速度が遅く、低融点ガラスの軟化点から作業温度
に達するまでに長時間を要する。 その結果、作業温度で窓材４が装着した際には、低融点
ガラスの流出長（Ｌ）が長くなり、窓２の有効面積を小
さくする。また、低融点ガラスの流出長（Ｌ）が艮いた
め窓材４にストレスが加わり、窓材４をゆがめてしまっ
て平面度を態＜シてしまう。 更に、製造に際して重りやマスク材等が必要であり、製
造１稈が煩雑になる問題があった。 リ、窓の開口部の有効面積を大きくすると共に、窓材へ
のストレスの影響を少なくシ、かつ、製造工程を簡単な
ものにすることができる半導体用窓付パッケージの製造
方法を提供するものである。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、窓を有する金属部品を急熱処理して該窓の近
傍領域に低融点ガラス層を形成する工程と、該低融点ガ
ラス層を再加熱し、該低融点ガラス層上に窓材を装着し
て前記窓を封止する工程とを具備することを特徴とする
半導体用窓付パッケージの製造方法である。 ここで、低融点ガラスとしては、酸化鉛系ガラス、酸化
ホウ素−酸化亜鉛系ガラスを使用することができる。 また、窓材としては、硼硅酸系ガラスまたはシリコン材
を使用することができる。 また、金属部品としては、Ｐｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金（コ
バール）を使用することができる。 ［作用］ 本発明に係る半導体用窓付パッケージの製造方法によれ
ば、先ず、低融点ガラス層を金属部品の窓の近傍領域に
一旦固着する。次いで、低融点ガラス層を再加熱して窓
材を装着する。このため低融点ガラスの流出を防止して
窓の開口領域を十分に大きくしておくことができる。ま
た、低融点ガラス層は一旦固定しているので、窓材の装
着に際して固定用の重りを不要にすると共にマスク材も
不要であり、製造工程を簡単なものにすることができる
。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明方法を工程順に示す説明図であり、
第２図は、同工程の流れを示す説明図である。。先ず、
第１図（Ａ）に示す如く、Ｆｅ−Ｎ１−Ｃｏ系合金から
なる金属部品である金属キャップ１０を用意する。次い
で、金属キャップＩＯの窓１１の近傍領域に酸化鉛系ガ
ラスからなる低融点金属ガラスの枠体１２を載置し、こ
の状態でマツフル炉内に設置して急熱処理により第１図
（Ｂ）に示す如く、低融点ガラス層１３を形成した。こ
こで、急熱処理が可能であればマツフル炉の他にも高周
波炉等を使用しても良い。また、急熱処理の際の加熱速
度は、低融点ガラスの軟化点から作業温度までが２０℃
／分となるようにした。更にその際の雰囲気は酸化雰囲
気とした。因みに、軟化点から作業温度までが１０℃／
分以下の加熱速度になると、低融点ガラスが収縮し金属
キャップ１０に固着させることが不可能になる。 次に、第１図（Ｃ）に示す如く、低融点ガラス層１３を
所定温度に再加熱した後、その上にシリコン材またはガ
ラスからなる窓材１４を載置し、低融点ガラス層１３を
介して窓材１４を金属キャップ１０に装着した半導体用
窓付パッケージ１５を得た（第１図（Ｄ）参照）。 このようにして得た半導体用窓付パッケージ１５の１０
０個について窓１１内への低融点ガラス層１３の流出長
（Ｌ）を調べたところ、下記表に示す結果を得た。同様
のことを第３図にて示した従来方法で得られた１００個
の半導体用窓付パッケージについて調べたところ、同表
に併記した結果を得た。 同表から明らかなように実施例によるものでは、低融点
ガラス層１３の流出長（Ｌ）を小さく抑えて、窓１１の
開口部の有効面積を十分に大きくできることが分った。 また、窓材１４と金属キャップ１０との間隔も極めて均
一なものであることが確認された。 更に、実施例によるものでは、重りやマスク材が不要で
あり、簡単な製造工程とすることができた。 表 ［発明の効果］ 以上説明した如く、本発明に係る半導体用窓付パッケー
ジの製造方法によれば、低融点ガラス層の流出を防止し
て窓の開口部の有効面積を大きくすると共に窓材へのス
トレスの影響を少なくし、かつ、製造工程を簡単なもの
にすることができるものである。
第１図は、本発明方法を工程順に示す説明図、第２図は
、本発明方法の同工程の流れを示す説明図、第３図は、
従来の方法による組立状態を示す説明図、第４図は、同
従来の方法の工程の流れを示す説明図である。 １０・・・金属キャップ、１１・・・窓、１２・・・枠
体、１３・・・低融点ガラス層、１４・・・窓材、１５
・・・半導体用窓付パッケージ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
、本発明方法の同工程の流れを示す説明図、第３図は、
従来の方法による組立状態を示す説明図、第４図は、同
従来の方法の工程の流れを示す説明図である。 １０・・・金属キャップ、１１・・・窓、１２・・・枠
体、１３・・・低融点ガラス層、１４・・・窓材、１５
・・・半導体用窓付パッケージ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
Claims (1)
- 窓を有する金属部品を急熱処理して該窓の近傍領域に
低融点ガラス層を形成する工程と、該低融点ガラス層を
再加熱し、該低融点ガラス層上に窓材を装着して前記窓
を封止する工程とを具備することを特徴とする半導体用
窓付パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173941A JPS6331140A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173941A JPS6331140A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331140A true JPS6331140A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15969901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61173941A Pending JPS6331140A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105125A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693346A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device container |
| JPS6142936A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光透過用窓付構体の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61173941A patent/JPS6331140A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693346A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device container |
| JPS6142936A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光透過用窓付構体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009105125A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
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