JPS58140139A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS58140139A JPS58140139A JP57023880A JP2388082A JPS58140139A JP S58140139 A JPS58140139 A JP S58140139A JP 57023880 A JP57023880 A JP 57023880A JP 2388082 A JP2388082 A JP 2388082A JP S58140139 A JPS58140139 A JP S58140139A
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023880A JPS58140139A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023880A JPS58140139A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140139A true JPS58140139A (ja) | 1983-08-19 |
| JPH038581B2 JPH038581B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1991-02-06 |
Family
ID=12122760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023880A Granted JPS58140139A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140139A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165739A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63104425A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-05-09 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | バイアの形成方法 |
| JPH02235359A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層配線形成方法 |
| JPH02238627A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2009524217A (ja) * | 2006-01-12 | 2009-06-25 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素デバイス用のエッジ終端構造およびエッジ終端構造を含む炭化ケイ素デバイスの製造方法 |
| US8124480B2 (en) | 2003-01-15 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide devices incorporating multiple floating guard ring edge terminations |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP57023880A patent/JPS58140139A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165739A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63104425A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-05-09 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | バイアの形成方法 |
| JPH02235359A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層配線形成方法 |
| JPH02238627A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US8124480B2 (en) | 2003-01-15 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide devices incorporating multiple floating guard ring edge terminations |
| US9515135B2 (en) | 2003-01-15 | 2016-12-06 | Cree, Inc. | Edge termination structures for silicon carbide devices |
| JP2009524217A (ja) * | 2006-01-12 | 2009-06-25 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素デバイス用のエッジ終端構造およびエッジ終端構造を含む炭化ケイ素デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038581B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1991-02-06 |
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