JPS58139148A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS58139148A JPS58139148A JP57021597A JP2159782A JPS58139148A JP S58139148 A JPS58139148 A JP S58139148A JP 57021597 A JP57021597 A JP 57021597A JP 2159782 A JP2159782 A JP 2159782A JP S58139148 A JPS58139148 A JP S58139148A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
纏、赤外光纏、 ＸＷｔ、 ｒ線等を示す）の橡な電磁
波に感受性のある光導電部材に関するＯ 一体操像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や鳳稿読堆装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、為感度で、ＳＮ比〔光電＃１（Ｉｐ
）／暗電＠（１４））が＾く、照射する電磁波のスペタ
トル轡性にマツチングし九徴収スペタトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用特において人体く対して無公害であること、１！Ｋ
ｒｊ一体操像装置においては、残像を所定時間内に容易
に逃場することができる仁と等の特性が畳求される。殊
に１事務機としてオフィスで使用される電子写真懺置内
に組込箇れる電子写真用像形成部材の場合ＫＦｉ、上記
の使用−における無公害性は重ａｔ点である。
纏、赤外光纏、 ＸＷｔ、 ｒ線等を示す）の橡な電磁
波に感受性のある光導電部材に関するＯ 一体操像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や鳳稿読堆装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、為感度で、ＳＮ比〔光電＃１（Ｉｐ
）／暗電＠（１４））が＾く、照射する電磁波のスペタ
トル轡性にマツチングし九徴収スペタトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用特において人体く対して無公害であること、１！Ｋ
ｒｊ一体操像装置においては、残像を所定時間内に容易
に逃場することができる仁と等の特性が畳求される。殊
に１事務機としてオフィスで使用される電子写真懺置内
に組込箇れる電子写真用像形成部材の場合ＫＦｉ、上記
の使用−における無公害性は重ａｔ点である。
この様な点に立脚して最近法目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以４１ｋｍ−８ｉと表記す）が
あり、例えｄ１独編公１１第２７４−９６７号会報、１
ｊｌｊｌ１１１１６５７１８号会報Ｋａｔ子写真用像形
ｍｃｓ材として、’ａ ＩＩ Ａ−第２９３！１４１１
号公報には光電羨換胱取装置への応用が記載されている
。
アモルファスシリコン（以４１ｋｍ−８ｉと表記す）が
あり、例えｄ１独編公１１第２７４−９６７号会報、１
ｊｌｊｌ１１１１６５７１８号会報Ｋａｔ子写真用像形
ｍｃｓ材として、’ａ ＩＩ Ａ−第２９３！１４１１
号公報には光電羨換胱取装置への応用が記載されている
。
内偵ら、従来のａ−８１で構成され友光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性勢の電気的
、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更に
は経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計る
上でｊ！に改良される余地が存するのが実情である。
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性勢の電気的
、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更に
は経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計る
上でｊ！に改良される余地が存するのが実情である。
例えば、電子写真分野形ｌ１ｔｓ材として使用した鳩舎
、暗部において、支持体側よ砂の電荷の注入の耐圧が充
分てないこと、耐圧性中繰返し連続使用に対する耐久性
に問題がなくもないこと、或いは、転写紙に転写され九
−像に脩Ｋｒ白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現
象によると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニング
に、ブレードを用いるとそのｍｍによると思わ焚る、修
Ｋ「白スジ」と云われている所１ｌｉｉｉ儂曳陥が生じ
九ヤしてい九〇又、多湿雰囲気中で使用し九ヤ、或いは
多湿雰囲気中に長峙関放置し九直後に使用すると脩に孟
う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ九。
、暗部において、支持体側よ砂の電荷の注入の耐圧が充
分てないこと、耐圧性中繰返し連続使用に対する耐久性
に問題がなくもないこと、或いは、転写紙に転写され九
−像に脩Ｋｒ白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現
象によると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニング
に、ブレードを用いるとそのｍｍによると思わ焚る、修
Ｋ「白スジ」と云われている所１ｌｉｉｉ儂曳陥が生じ
九ヤしてい九〇又、多湿雰囲気中で使用し九ヤ、或いは
多湿雰囲気中に長峙関放置し九直後に使用すると脩に孟
う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ九。
更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出し死後、空気中での放置時間の蔽過と共に
、支持体表向からの層の浮き中剥離、或いは層に亀裂が
生ずる勢の現象を引起し勝ちで６つ九。ζＯｆＡ象は、
殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、鉦時的安定性の
点に於いて解決される可き点がある。
室より取り出し死後、空気中での放置時間の蔽過と共に
、支持体表向からの層の浮き中剥離、或いは層に亀裂が
生ずる勢の現象を引起し勝ちで６つ九。ζＯｆＡ象は、
殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、鉦時的安定性の
点に於いて解決される可き点がある。
従って１−引材料そのものの特性改東が酊られる一方で
光導電部材を設計する際に、上記し九様な問題の総てが
解決される様に工夫される必簀がある。
光導電部材を設計する際に、上記し九様な問題の総てが
解決される様に工夫される必簀がある。
本発明は上記の一点に鑑み成されえもので、ａ−８ｉＫ
＊て電子写真用像形成部材や画体撮像装置、ＷＲ取鋏置
尋に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という一点から総括的に鋭意研究噴射を続けえ結果、シ
リコン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、所−水嵩化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、或ｈｔｉハロゲン含有水嵩化
アモルファスシリコン〔以後これ勢の総称的表記として
ｒａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される
光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に説明され
る様な特定化の下ＫＩＩｋ針されて作成された光導電部
材は実用上著しく優れ九特性を示すばか〕でなく、従来
の光導電部材と較べてみて４あらゆる点において凌駕し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく
優れ九特性を有している仁とを見出し死点に基づいてい
る。
＊て電子写真用像形成部材や画体撮像装置、ＷＲ取鋏置
尋に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という一点から総括的に鋭意研究噴射を続けえ結果、シ
リコン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、所−水嵩化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、或ｈｔｉハロゲン含有水嵩化
アモルファスシリコン〔以後これ勢の総称的表記として
ｒａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される
光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に説明され
る様な特定化の下ＫＩＩｋ針されて作成された光導電部
材は実用上著しく優れ九特性を示すばか〕でなく、従来
の光導電部材と較べてみて４あらゆる点において凌駕し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく
優れ九特性を有している仁とを見出し死点に基づいてい
る。
本発明は、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性に優れ、又、耐圧性にも優れ友光尋亀部材を提供する
ことｔ主たる目的とする。
性に優れ、又、耐圧性にも優れ友光尋亀部材を提供する
ことｔ主たる目的とする。
本発明の他の目的は、支持体上に般社られる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に数置で安定的であり、層晶負の高い光導電
部材を提供することである。
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に数置で安定的であり、層晶負の高い光導電
部材を提供することである。
本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させ九場合、静電像形成のための帯電地理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れ良電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである〇 本発明の光導電部材は、光導電ＳＮ用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子としてハロゲン原子と、
３０ ａｔｏｍｉｃＩｓまでの窒素原子を含有する非晶
質材料で構成され九＠皺層と、シリコン原子を母体とし
、周期律表第履康に属する原子會構臘本子として、含有
する非晶質材料で構成された電荷注入防止層と、シリコ
ン原子を母体とし、構成原子として水素原子又はハロゲ
ン原子のいずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料
で構成され、光導電性を示す非晶質層と、を有する事を
４１を黴とする。
させ九場合、静電像形成のための帯電地理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れ良電子写真特性を有する光導電部材を提
供することである〇 本発明の光導電部材は、光導電ＳＮ用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子としてハロゲン原子と、
３０ ａｔｏｍｉｃＩｓまでの窒素原子を含有する非晶
質材料で構成され九＠皺層と、シリコン原子を母体とし
、周期律表第履康に属する原子會構臘本子として、含有
する非晶質材料で構成された電荷注入防止層と、シリコ
ン原子を母体とし、構成原子として水素原子又はハロゲ
ン原子のいずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料
で構成され、光導電性を示す非晶質層と、を有する事を
４１を黴とする。
上記しえ様な層構成を職る（１にして設計され九本発明
の光導電部材は、麹配し九緒間麺の總てを解決し得、・
極めて優れ九耐＾性、耐圧牲及び使用埠境轡性を示す。
の光導電部材は、麹配し九緒間麺の總てを解決し得、・
極めて優れ九耐＾性、耐圧牲及び使用埠境轡性を示す。
殊に、電子写真用像形１に部材として適用させ九場合に
は、その電気的特性が安定してお）耐光疲労、繰返し使
用特性に長け、高品質の画像を安定して繰返し得ること
ができる〇 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。
は、その電気的特性が安定してお）耐光疲労、繰返し使
用特性に長け、高品質の画像を安定して繰返し得ること
ができる〇 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。
以下、−肉に従って、本発明の光導電部材に就て詳１１
に説明する０ Ｊｌｌｌ＃Ａは、本発明のｊｌｌの実施層様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示しえ模式的構
成図である。
に説明する０ Ｊｌｌｌ＃Ａは、本発明のｊｌｌの実施層様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示しえ模式的構
成図である。
１／ｓ１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用と
しての支持体１０１の上に、シリコン原子を母体とし、
構成原子としてｔｚ ｇゲン原子と、窒素原子をＢ Ｏ
ａｔｏｍｌ＠１未満含む非′晶質材料で構成され九補勤
層１０２ 、電荷注入防止層１０３．光導電性を有する
非晶質層１Ｇ４を具備し、非晶質層１Ｇ４は自由表向１
０６を有している。
しての支持体１０１の上に、シリコン原子を母体とし、
構成原子としてｔｚ ｇゲン原子と、窒素原子をＢ Ｏ
ａｔｏｍｌ＠１未満含む非′晶質材料で構成され九補勤
層１０２ 、電荷注入防止層１０３．光導電性を有する
非晶質層１Ｇ４を具備し、非晶質層１Ｇ４は自由表向１
０６を有している。
補助層１０２は、主に、支持体１０１と電荷注入防止層
１０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持
体１０１と電荷注入防止層１Ｇ３の両方と親和性がある
様に、後述する材質で構成される。
１０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持
体１０１と電荷注入防止層１Ｇ３の両方と親和性がある
様に、後述する材質で構成される。
電荷注入防止層１０３は、支持体１０１側よ〕非晶質ｊ
１１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する機
能を主に有する。
１１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止する機
能を主に有する。
！
非晶質層１０４は、感受性の光の照射を受けて鉄層１０
４中で７オトキヤリアを発生し、所定方向に該フォトキ
ャリアを輸送する機能を有する。
４中で７オトキヤリアを発生し、所定方向に該フォトキ
ャリアを輸送する機能を有する。
本発明に於ける補助層は、シリコン原子（Ｓｉ）を母体
とし、構ａｍ子として、窒素原子（Ｎ）とハロゲン重子
（Ｘ）と、必１’に応じて水素原子（６）とを含有し、
窒素原子（Ｎ）の含有量Ｃ軸が３゜ａｔｏｍｉｅ慢未満
である非晶質材料（以後、ｌａ −（Ｓ １ ＠Ｎ＊−
ａ ） ｂ（Ｈ−Ｘ ）＊二ｂ」と配す。但し、０．６
＜ａ＋０．８≦ｂ）で構成される。
とし、構ａｍ子として、窒素原子（Ｎ）とハロゲン重子
（Ｘ）と、必１’に応じて水素原子（６）とを含有し、
窒素原子（Ｎ）の含有量Ｃ軸が３゜ａｔｏｍｉｅ慢未満
である非晶質材料（以後、ｌａ −（Ｓ １ ＠Ｎ＊−
ａ ） ｂ（Ｈ−Ｘ ）＊二ｂ」と配す。但し、０．６
＜ａ＋０．８≦ｂ）で構成される。
ａ −（５ｉａＮ＊−ａ ） ｂ（Ｈｅ ｘ）、−ｂで
構成される補助層の形成はグロー放電法、スパッターリ
ング法、イオンインプランテーション法、イオンブレー
ティング法、エレクトーンビーム法等によって成される
。これ郷の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷ｓ
ｆ１製造規模、作製される光導電部材に所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるか、所望す
る特性を有する光導電部材を製造する為の作製条・件の
制御が比較的ｌ！品である。シリコン原子と共に窒素原
子及び・・ロゲン原子を、作ｉする補助層中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放亀法或いはスパ
ッターリング法が好適に採用される。
構成される補助層の形成はグロー放電法、スパッターリ
ング法、イオンインプランテーション法、イオンブレー
ティング法、エレクトーンビーム法等によって成される
。これ郷の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷ｓ
ｆ１製造規模、作製される光導電部材に所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるか、所望す
る特性を有する光導電部材を製造する為の作製条・件の
制御が比較的ｌ！品である。シリコン原子と共に窒素原
子及び・・ロゲン原子を、作ｉする補助層中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放亀法或いはスパ
ッターリング法が好適に採用される。
更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同−装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。
ング法とを同−装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。
グロー放電法によって補助層を形成するＫａ＆ −（５
ｉａＮｓ−ａ）ｂ（ＩＬ ｘ）＊−ｂ形成期の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、
導入され九ガス雰囲気中に、グー生 一放電をへ起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上にａ −（５ｉｌＮ＊−６） ｂ（Ｈｅ Ｘ）＊−
ｂを堆積させれば良い。
ｉａＮｓ−ａ）ｂ（ＩＬ ｘ）＊−ｂ形成期の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、
導入され九ガス雰囲気中に、グー生 一放電をへ起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上にａ −（５ｉｌＮ＊−６） ｂ（Ｈｅ Ｘ）＊−
ｂを堆積させれば良い。
本発明に於いて、ａ −（８１１Ｎｌ−＠ ） ｂ（Ｌ
Ｘ）＊−ｂ形成期の原料ガスとしては、Ｓｉ、Ｎ、Ｘ
の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又
はカス化し得る物質をガス化しえものの中の大概の４の
が使用され得る。
Ｘ）＊−ｂ形成期の原料ガスとしては、Ｓｉ、Ｎ、Ｘ
の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又
はカス化し得る物質をガス化しえものの中の大概の４の
が使用され得る。
Ｓｉ、Ｎ、Ｘの中の１つとして８１を構成原子とする原
料ガスを使用する場会鉱、例えばｓｌを構成原子とする
原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、Ｘを構成
原子とする厳科ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、ｓｌを構成原子とする原料ガスと、Ｎ及び
Ｘを構成原子とすゐ原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合して使用することが出来る。
料ガスを使用する場会鉱、例えばｓｌを構成原子とする
原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、Ｘを構成
原子とする厳科ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、ｓｌを構成原子とする原料ガスと、Ｎ及び
Ｘを構成原子とすゐ原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合して使用することが出来る。
又、別には、８１とＸとを構成原子とするＪＩ科ガスＫ
Ｎを構成原子とする原料ｇｘを混合して使用しても嵐い
。
Ｎを構成原子とする原料ｇｘを混合して使用しても嵐い
。
本発＠に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適なのはＦ
、 ＣＩ 、 Ｂｒ 、 ＩでＩＩ、殊にＦ 、 ＣＩ
が２望ましいものである〇 本発明に於いて、補助層は、シリコン原子と窒素原子と
ハロゲンガスとを含む非晶質材料で構、＊されるもので
あるが、前述し先様に補助層には］ｌ！に水嵩原子を含
有させることが出来る。
、 ＣＩ 、 Ｂｒ 、 ＩでＩＩ、殊にＦ 、 ＣＩ
が２望ましいものである〇 本発明に於いて、補助層は、シリコン原子と窒素原子と
ハロゲンガスとを含む非晶質材料で構、＊されるもので
あるが、前述し先様に補助層には］ｌ！に水嵩原子を含
有させることが出来る。
補助層への水素原子の含有は、電荷注入防止層中非晶質
層との連続層形成の際に原料ガス種の一麺共通化を計る
ことが出来るので生産コスト向の上で好都合である。
層との連続層形成の際に原料ガス種の一麺共通化を計る
ことが出来るので生産コスト向の上で好都合である。
本発明に於いて、補助層を形成するのに有効に使用され
る原料ｌスとｌｔ９得る出発物質としては、常温常圧に
於いてガス状態のもの又は害鳥にガス化し祷る物質を挙
げることが出来る。
る原料ｌスとｌｔ９得る出発物質としては、常温常圧に
於いてガス状態のもの又は害鳥にガス化し祷る物質を挙
げることが出来る。
この様な補助層形成用の出発物質としては、鈎えに１窒
素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化ト： 物等の窒素化合物、ハロゲン単体、ハロゲン化グ″ 水素、ハロ夷ン関化金物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置
換水素化硅素、水嵩化硅素等を挙ける事が出来る。
素、窒化物、弗素化窒素及びアジ化ト： 物等の窒素化合物、ハロゲン単体、ハロゲン化グ″ 水素、ハロ夷ン関化金物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置
換水素化硅素、水嵩化硅素等を挙ける事が出来る。
具体的には、窒素（Ｎｌ ） 、窒素化合物としてはア
ンモニア（ＮＨｓ）ｅヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、三
弗化窒素（ＦＡＮ ） ＊四弗化窒素（Ｆ４Ｎ＊ ）
ｅアジ化水嵩ＣＨＮａ） 、アジ化アンモニクム（Ｎｋ
ｌａ Ｎｓ ）勢、ハロゲン単体としては、フッ素、塩
素、Ａ素。
ンモニア（ＮＨｓ）ｅヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、三
弗化窒素（ＦＡＮ ） ＊四弗化窒素（Ｆ４Ｎ＊ ）
ｅアジ化水嵩ＣＨＮａ） 、アジ化アンモニクム（Ｎｋ
ｌａ Ｎｓ ）勢、ハロゲン単体としては、フッ素、塩
素、Ａ素。
■り素のハロゲンガス、ハロゲン化水嵩としては、ＦＨ
、ＨＩ 、 ＨＣＩ 、 ＨＢｒ 、 ハロゲン−化合
物としては、ＢｒＦ 、 ＣＩＦ 、 ＣｒＦ３ 、
ＣＩＦＢ 、 ＢｒＦ３ 、 ＢｒＦ３ 。
、ＨＩ 、 ＨＣＩ 、 ＨＢｒ 、 ハロゲン−化合
物としては、ＢｒＦ 、 ＣＩＦ 、 ＣｒＦ３ 、
ＣＩＦＢ 、 ＢｒＦ３ 、 ＢｒＦ３ 。
ＩＦｇ 、 ＩＦＦ 、 Ｉ（Ｊ 、 ＩＢｒ 、
ハロゲン化水嵩としては８１Ｆ、 、 Ｓｉ、Ｆ、、
５ＩＣｊ４．５ｉＣｊ、Ｂｒ 、 ５ｉＣ４１１ｒｌ
。
ハロゲン化水嵩としては８１Ｆ、 、 Ｓｉ、Ｆ、、
５ＩＣｊ４．５ｉＣｊ、Ｂｒ 、 ５ｉＣ４１１ｒｌ
。
５ｉＣｊＢｒｌ、 ８ｉＣ４Ｉ 、 ＳｉＢｒ４． ハ
ロゲン置換水素化硅素としては、ＳｉＩＦＦ 、 Ｓｉ
Ｈ，Ｃ７，、５ｉｎ（Ｊ、 。
ロゲン置換水素化硅素としては、ＳｉＩＦＦ 、 Ｓｉ
Ｈ，Ｃ７，、５ｉｎ（Ｊ、 。
５ｋＨ４Ｃ１、５ｉｌｉｌＢｒ 、 ８ｉｋ１１１Ｂｒ
＠ 、 ５ｉＨＢｒｌ 、水嵩化硅素として蝶、８ｔＨ
ａ、ｓｔヨ鳥、 Ｓｔ＠Ｈａ −Ｓｉ＊Ｈ＊ｅ勢のシラ
ン（Ｓｉ＃ａｎ・）ＪｌｌＳ勢ｋを挙けることが出来る
Ｏ これ勢の袖１１７１１形成用の出発物＊ａ、形威さ
”れる補助層中に、所定の組成比でシリコン原子。
＠ 、 ５ｉＨＢｒｌ 、水嵩化硅素として蝶、８ｔＨ
ａ、ｓｔヨ鳥、 Ｓｔ＠Ｈａ −Ｓｉ＊Ｈ＊ｅ勢のシラ
ン（Ｓｉ＃ａｎ・）ＪｌｌＳ勢ｋを挙けることが出来る
Ｏ これ勢の袖１１７１１形成用の出発物＊ａ、形威さ
”れる補助層中に、所定の組成比でシリコン原子。
窒素原子及びハロゲン原子と、必要に応じて水嵩原子と
が含有される様に、補助層形成の際に所望に従って選択
されて使用される。
が含有される様に、補助層形成の際に所望に従って選択
されて使用される。
例えば、シリコン原子と水素原子との含有が容具に成し
得て且つ所望の特性の補助層が形成され得る８ｉＨ，中
８１．Ｈ，と窒素原子を含有させるものとしての洩又は
鵬とハロゲン原子を含有させるものとしてのｓｔｙ、、
ｓｉ為Ｆ＊ ｅ ５ＩＨＣ４ｔＳｉ（Ｊ、、 ８１鵬Ｃ
ｔ、 、或いはｓｉ鳥Ｃｔ等を所定の混合比でガス状態
で補助層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起
させることによって補助層を形成することが出来る。
得て且つ所望の特性の補助層が形成され得る８ｉＨ，中
８１．Ｈ，と窒素原子を含有させるものとしての洩又は
鵬とハロゲン原子を含有させるものとしてのｓｔｙ、、
ｓｉ為Ｆ＊ ｅ ５ＩＨＣ４ｔＳｉ（Ｊ、、 ８１鵬Ｃ
ｔ、 、或いはｓｉ鳥Ｃｔ等を所定の混合比でガス状態
で補助層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起
させることによって補助層を形成することが出来る。
或いは、形成される補助層にシリコン原子とハロゲン原
子とを含有させることが出来る８１勢と窒素原子を含有
させる本のとしての為等を所定の混合比で、必要に応じ
てＨ・、Ｎ・、ムｒ等の稀ガスと共に中間層形成用の装
置系内に導入してグロー款電を生起させて、補助層を形
成することも出来る〇 スパッターりンダ法によって補助層を形成するには、高
純度単結晶又は多結晶の８１ウエーハー又はＳｌ、塊ウ
ェーハー又はＳｌとＳｉ、Ｎ、が混合されて形成された
ウェーハーをターゲットとして１．これ勢をハロゲン原
子と必要に応じて水嵩原子を構戚畳素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッターりングすることＫよって行な
えば夷い。
子とを含有させることが出来る８１勢と窒素原子を含有
させる本のとしての為等を所定の混合比で、必要に応じ
てＨ・、Ｎ・、ムｒ等の稀ガスと共に中間層形成用の装
置系内に導入してグロー款電を生起させて、補助層を形
成することも出来る〇 スパッターりンダ法によって補助層を形成するには、高
純度単結晶又は多結晶の８１ウエーハー又はＳｌ、塊ウ
ェーハー又はＳｌとＳｉ、Ｎ、が混合されて形成された
ウェーハーをターゲットとして１．これ勢をハロゲン原
子と必要に応じて水嵩原子を構戚畳素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッターりングすることＫよって行な
えば夷い。
例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＮとＸｋ導入する為のａＳＳスを、必要に応じて稀釈
カスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に尋人し、こ
れ等のカスのヵスプラズｉｔ−形成して前記８ｉウエー
ハー【スパッターリングすれば良い。
、ＮとＸｋ導入する為のａＳＳスを、必要に応じて稀釈
カスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に尋人し、こ
れ等のカスのヵスプラズｉｔ−形成して前記８ｉウエー
ハー【スパッターリングすれば良い。
又、別には、ＳｌとＳｉ、Ｎ、とは別々のターゲットと
して、又は８ｉとＳｉ、Ｎ４の混合して形成し九一枚の
ターゲットを使用することによって、少なくともハロゲ
ン原子を含有するガス寥−気中でスパッター リングす
る仁とによって威されるＯＮ及びＸ、必ＩＫ応じて１１
０尋入用の腺科オスとなる物質としては先述し九グロー
放電の例で示し九智助層形成用の出発物質がスパッター
リフグ法の場合にも有効な物質として使用され得るＯ 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
りフグ法で形成する際に使用される稀釈カスとしては、
所■・稀ガス、例えばＨ・。
して、又は８ｉとＳｉ、Ｎ４の混合して形成し九一枚の
ターゲットを使用することによって、少なくともハロゲ
ン原子を含有するガス寥−気中でスパッター リングす
る仁とによって威されるＯＮ及びＸ、必ＩＫ応じて１１
０尋入用の腺科オスとなる物質としては先述し九グロー
放電の例で示し九智助層形成用の出発物質がスパッター
リフグ法の場合にも有効な物質として使用され得るＯ 本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
りフグ法で形成する際に使用される稀釈カスとしては、
所■・稀ガス、例えばＨ・。
Ｎ・、 Ａｒ勢が好適なものとして挙けることが出来る
。
。
本発明の補助層を構成するａ −（５ｔＢＮｌ−１）
ｂ（Ｈ＝ Ｘ）＊−ｂは、ＩＩＩ＃層の機能が、支持体
と電荷注入防止層との間の１着を強固にし、加えてそれ
勢の間に於ける電気的接触性を均一にするものであるか
ら、ＩＩＩ勘層助層求される特性が所望過ＩＫ与えられ
る様に、その作成条件の選択が厳重に威されて注意深く
形成される◎ 本発明の目的に適し九特性を有するａ −（８１１Ｎ＠
−＠ ） ｂ（Ｈ−Ｘ ）＊−ｋ ’作ｍ−ｓれｂ為
の作ＩＩｔ条件の中の重畳＆１１１として、作成峙の支
持体温度を挙ける事が出来る〇 即ち、支持体のｌＩ肉Ｋａ −（８１＠Ｎ＠−＠ ）
ｂ（ＨｔＸ）＊−ｂかもなる補助層を形成する際、層形
成中Ｏ支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重Ｉｌｌ因子であって、本発明に於−ては、目的
とする特性を有するａ−（８１凰Ｎ、−ａ）ｂ（Ｈ＊Ｘ
）＊−ｂが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持
体温度が厳重に制御される。
ｂ（Ｈ＝ Ｘ）＊−ｂは、ＩＩＩ＃層の機能が、支持体
と電荷注入防止層との間の１着を強固にし、加えてそれ
勢の間に於ける電気的接触性を均一にするものであるか
ら、ＩＩＩ勘層助層求される特性が所望過ＩＫ与えられ
る様に、その作成条件の選択が厳重に威されて注意深く
形成される◎ 本発明の目的に適し九特性を有するａ −（８１１Ｎ＠
−＠ ） ｂ（Ｈ−Ｘ ）＊−ｋ ’作ｍ−ｓれｂ為
の作ＩＩｔ条件の中の重畳＆１１１として、作成峙の支
持体温度を挙ける事が出来る〇 即ち、支持体のｌＩ肉Ｋａ −（８１＠Ｎ＠−＠ ）
ｂ（ＨｔＸ）＊−ｂかもなる補助層を形成する際、層形
成中Ｏ支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左
右する重Ｉｌｌ因子であって、本発明に於−ては、目的
とする特性を有するａ−（８１凰Ｎ、−ａ）ｂ（Ｈ＊Ｘ
）＊−ｂが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持
体温度が厳重に制御される。
本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
補助層を形成する際の支持体温度ととして杜、補助層の
形成法に併せて適宜最過範Ｓが選択されて、補助層の１
＃Ｉ威が奥行されるが、通常の場合、５０〜３５０℃、
好適にＦｉＷｏｏ〜２５０℃とされるのが望ましｉもの
である。補助層の形成には、同一系内で暮ｍ層から電荷
注入防止層、非晶質層、艷には必Ｉ！に応じて非晶質層
上に形成される他の層まで連続的に形成することが出来
る事、各層を構成する原子の組成比の黴＃＆ｌＫ制御中
層厚の制御が他Ｏ方法に較べて比較的容晶である事等の
為に１グロー放電法中スパツターリング法の採用が有利
であるが、これ勢の層形成法で補助層を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同１ｍ１ＫＪｌｊｉ＃威０＠０
放電パワー及びカス圧が作成されるａ−（５ｉａＮｓ−
ａ）ｂ （ＨｔＸ ）ｌ−ｂ ｔＤ％性を左右する重畳
な因子として挙けることが出来る。
補助層を形成する際の支持体温度ととして杜、補助層の
形成法に併せて適宜最過範Ｓが選択されて、補助層の１
＃Ｉ威が奥行されるが、通常の場合、５０〜３５０℃、
好適にＦｉＷｏｏ〜２５０℃とされるのが望ましｉもの
である。補助層の形成には、同一系内で暮ｍ層から電荷
注入防止層、非晶質層、艷には必Ｉ！に応じて非晶質層
上に形成される他の層まで連続的に形成することが出来
る事、各層を構成する原子の組成比の黴＃＆ｌＫ制御中
層厚の制御が他Ｏ方法に較べて比較的容晶である事等の
為に１グロー放電法中スパツターリング法の採用が有利
であるが、これ勢の層形成法で補助層を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同１ｍ１ＫＪｌｊｉ＃威０＠０
放電パワー及びカス圧が作成されるａ−（５ｉａＮｓ−
ａ）ｂ （ＨｔＸ ）ｌ−ｂ ｔＤ％性を左右する重畳
な因子として挙けることが出来る。
本発明に於妙る目的が達成される為の特性を有するａ
−（８１ａＮｓ−ａ ） ｂ（Ｈ，Ｘ）ｉ−ｂ カ生童
性良く効果的に作成される為の放電パワー条件としては
、過賞ｌ〜ｓｏｏ ｗ 、好適には２〜１００ Ｗであ
るＯ 堆積室内の・ガス圧はグロー放電法にて層形成ダ を行う場合に於ｉて通常０．０ｌ−）Ｔｏｒｒ、好適に
は０．１〜０．５ Ｔｏｒｒ ｌ１度に、スパッタリン
グ法にて層形ＩＩ＆を行う場合に於ｉては、過賞ｌＸｌ
０−”〜５ＸＩＯ−”Ｔｏｒｒ 、好適には８ Ｘ １
Ｇ−” ”−３Ｘ １Ｇ−”Ｔｏｒｒ＠ｆとされるのが
］１ＩｔＬい。
−（８１ａＮｓ−ａ ） ｂ（Ｈ，Ｘ）ｉ−ｂ カ生童
性良く効果的に作成される為の放電パワー条件としては
、過賞ｌ〜ｓｏｏ ｗ 、好適には２〜１００ Ｗであ
るＯ 堆積室内の・ガス圧はグロー放電法にて層形成ダ を行う場合に於ｉて通常０．０ｌ−）Ｔｏｒｒ、好適に
は０．１〜０．５ Ｔｏｒｒ ｌ１度に、スパッタリン
グ法にて層形ＩＩ＆を行う場合に於ｉては、過賞ｌＸｌ
０−”〜５ＸＩＯ−”Ｔｏｒｒ 、好適には８ Ｘ １
Ｇ−” ”−３Ｘ １Ｇ−”Ｔｏｒｒ＠ｆとされるのが
］１ＩｔＬい。
本発明の光導電部材に於ける補助層に含有されるｉ１嵩
鳳子及びハロゲン原子の量は、補助層の作脚条件とｊｉ
ｌｔ様本発刷本発明を遍成す為所望の１％性が得られる
＠助層が形成される為の重畳な因子である。
鳳子及びハロゲン原子の量は、補助層の作脚条件とｊｉ
ｌｔ様本発刷本発明を遍成す為所望の１％性が得られる
＠助層が形成される為の重畳な因子である。
本実＠に於ける補助層に含有される窯素原子の量ＣＨａ
、通常社、前記し丸値の範囲とされるが、ａｔｏｍｉｃ
−で表示すれば１、好適にはｌＸｌ０’″Ｓ≦ＯＮ ＜
３０ 、よｐ好ましくは、１ ≦Ｃ軸＜ ３０ ｍ最適
には１０≦Ｃ斡＜ ３０とされるのが望ましｉ０又、＾
ログン原子（Ｘ） ０量としては、好適に紘１〜２０
ａｔｏｍｉｅｌＩＩ、最適には２〜１５ ａｔｏｍｉｃ
ｌＧとされるのが望ましく、水嵩原子（Ｈ）が含まれる
場合には、その量は、好適にはｌ ９ ａｔｏｍｉａｌ
Ｇ以下、最適には１３ ａｔ唾ｉｄ以下とされるのが望
ましい。
、通常社、前記し丸値の範囲とされるが、ａｔｏｍｉｃ
−で表示すれば１、好適にはｌＸｌ０’″Ｓ≦ＯＮ ＜
３０ 、よｐ好ましくは、１ ≦Ｃ軸＜ ３０ ｍ最適
には１０≦Ｃ斡＜ ３０とされるのが望ましｉ０又、＾
ログン原子（Ｘ） ０量としては、好適に紘１〜２０
ａｔｏｍｉｅｌＩＩ、最適には２〜１５ ａｔｏｍｉｃ
ｌＧとされるのが望ましく、水嵩原子（Ｈ）が含まれる
場合には、その量は、好適にはｌ ９ ａｔｏｍｉａｌ
Ｇ以下、最適には１３ ａｔ唾ｉｄ以下とされるのが望
ましい。
ａ −（８１６Ｎｓ−ａ）ｂ（Ｈ−Ｘ）＊−ｂ Ｋ於け
るり、ｂＯ表示で示せｄｚ ａの値としては、好適には
、０．６（ａ≦０．９９９９９．よ）好ましくは、ｏ、
６〈ａ≦０．９１１．最適には０．６＜ａ≦０．９ 、
ｂの値としては、好適には０．８≦ｂ≦０．９９．よ
）好適には０．８５≦ｂ≦０．９８とされるのが望まし
い◎本実＠Ｅｌｌける補助層の層形の数値ｔＳは、本発
明のＩ的ｔｍｓ的に達成する橡に所望に恢って適宜決定
される。
るり、ｂＯ表示で示せｄｚ ａの値としては、好適には
、０．６（ａ≦０．９９９９９．よ）好ましくは、ｏ、
６〈ａ≦０．９１１．最適には０．６＜ａ≦０．９ 、
ｂの値としては、好適には０．８≦ｂ≦０．９９．よ
）好適には０．８５≦ｂ≦０．９８とされるのが望まし
い◎本実＠Ｅｌｌける補助層の層形の数値ｔＳは、本発
明のＩ的ｔｍｓ的に達成する橡に所望に恢って適宜決定
される。
本発明の目的を効果的に連成する為の＠励層の層厚とし
ては、通常の場合、３０Ｘ〜２ｓ 、好ａｇａ ４＠Ｘ
−ｘ、ｓｓ 、 ａｍ＜ハｓｏＸ −ｚ、ｓｘ トさ
れるのが望壜し−ものである。
ては、通常の場合、３０Ｘ〜２ｓ 、好ａｇａ ４＠Ｘ
−ｘ、ｓｓ 、 ａｍ＜ハｓｏＸ −ｚ、ｓｘ トさ
れるのが望壜し−ものである。
本実＠Ｏ光導電Ｉｌ＃を構成する電荷注入防止層は、シ
リコン原子（８１）を母体とし、周期律＊ｇ層族に属す
る原子（ＩＩ膳族原子）と、好ましくは、水嵩原子（Ｈ
）又はハロゲン息子ＣＸ）、或いはこの両者とを構成原
子とする非晶質材料（以１１ｒａ−８１（厘、Ｈ，Ｘ）
Ｊと記す。）て構成され、その層厚を及び層中の嬉鳳族
原子の含有量Ｃ（２）は、本実＠ＯＨ的が効果的に達成
される橡に所望に９１１って適宜決められる。
リコン原子（８１）を母体とし、周期律＊ｇ層族に属す
る原子（ＩＩ膳族原子）と、好ましくは、水嵩原子（Ｈ
）又はハロゲン息子ＣＸ）、或いはこの両者とを構成原
子とする非晶質材料（以１１ｒａ−８１（厘、Ｈ，Ｘ）
Ｊと記す。）て構成され、その層厚を及び層中の嬉鳳族
原子の含有量Ｃ（２）は、本実＠ＯＨ的が効果的に達成
される橡に所望に９１１って適宜決められる。
本発＠に於ける電荷注入防止層の層厚ｔとしては、好ま
しくは０．３〜５μ、よ）好ましくは０、６〜２μとさ
れるのが望ましく、又、第履族原子の含有量Ｃ＠として
は、好ましくは、１×１０” 〜Ｉ Ｘ １Ｇ”ａｔｏ
ｍｉ＠ＰＰＩＩ 、よ〕好ましくは、ｈ Ｘ １０”〜
ｌ Ｘ １０”ａｔ＊ｍ１−ｐｐｍとされるのが望壜し
い。
しくは０．３〜５μ、よ）好ましくは０、６〜２μとさ
れるのが望ましく、又、第履族原子の含有量Ｃ＠として
は、好ましくは、１×１０” 〜Ｉ Ｘ １Ｇ”ａｔｏ
ｍｉ＠ＰＰＩＩ 、よ〕好ましくは、ｈ Ｘ １０”〜
ｌ Ｘ １０”ａｔ＊ｍ１−ｐｐｍとされるのが望壜し
い。
本ｌｌ＠において、電荷注入防止層中に含有される周期
律表嬉履族に属する息子として使用されるの社、Ｂ（硼
素）、Ａｒ（アル１＝りム）、Ｇａ （ガリウム）、Ｉ
勤（インジウム）、Ｔ／ （タリウム）勢であり、殊に
好適に用いられるのはＢ 、 Ｇａである・ 本発明において、必ＩＩＫ応じて電荷注入防止層中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的には７ツ
嵩、塩素、臭素９Ｍつ素が挙けられ、殊に７ツ嵩、塩素
を好適なものとして挙けることが出来る。
律表嬉履族に属する息子として使用されるの社、Ｂ（硼
素）、Ａｒ（アル１＝りム）、Ｇａ （ガリウム）、Ｉ
勤（インジウム）、Ｔ／ （タリウム）勢であり、殊に
好適に用いられるのはＢ 、 Ｇａである・ 本発明において、必ＩＩＫ応じて電荷注入防止層中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的には７ツ
嵩、塩素、臭素９Ｍつ素が挙けられ、殊に７ツ嵩、塩素
を好適なものとして挙けることが出来る。
ａ−８ｉ（ＬＨ，Ｘ）で構成される電荷注入防止層の層
拳威法としてはダーー款亀法、スパッターリング法、イ
オンインプランテーシ曹ン法。
拳威法としてはダーー款亀法、スパッターリング法、イ
オンインプランテーシ曹ン法。
イオンブレーティング法、エレクト關ンビーム＃＆勢が
挙げられる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下のｑａｓ度、製造嵐儀９作刺される光導電部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択ｉれて採用される
が、所望する特性を有する光導電Ｓ＃を製造する為の作
表条件の制御が比較的ＩＪＩである、シリコン原子と共
Ｋ１１ｌ−族原子、必ｌ！に応じて水素原子（Ｈ）中ハ
ロゲン原子（Ｘ）を作製する電荷注入防止層中に導入す
るのが害鳥に行える等の駒点からグー−放電法或いはス
パッターリング法が好適に採用される・ 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを一一装置系内で併用して電荷注入防止層１形
成しても嵐い。例えば、グロー放電法によって、ａ−８
１（門＊ Ｈ，ｘ ）て構成される電荷注入防止層を形
成するには、基本的Ｋｔｊシリコン原子（Ｓｌ）を供給
し得Ｊｈｓｔ供給用の原料ガスと共Ｋｊ１厘族画表を供
給し得る嬉画表鳳子導入用の原料ガス、必１１’に応じ
て水素原子（Ｈ）導入用の又＃ｉ／及びノ・ロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、鋏堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置され、既に補助層の設けである所定の
支持体の補助層上Ｋａ−８１Ｃ厘。
挙げられる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下のｑａｓ度、製造嵐儀９作刺される光導電部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択ｉれて採用される
が、所望する特性を有する光導電Ｓ＃を製造する為の作
表条件の制御が比較的ＩＪＩである、シリコン原子と共
Ｋ１１ｌ−族原子、必ｌ！に応じて水素原子（Ｈ）中ハ
ロゲン原子（Ｘ）を作製する電荷注入防止層中に導入す
るのが害鳥に行える等の駒点からグー−放電法或いはス
パッターリング法が好適に採用される・ 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを一一装置系内で併用して電荷注入防止層１形
成しても嵐い。例えば、グロー放電法によって、ａ−８
１（門＊ Ｈ，ｘ ）て構成される電荷注入防止層を形
成するには、基本的Ｋｔｊシリコン原子（Ｓｌ）を供給
し得Ｊｈｓｔ供給用の原料ガスと共Ｋｊ１厘族画表を供
給し得る嬉画表鳳子導入用の原料ガス、必１１’に応じ
て水素原子（Ｈ）導入用の又＃ｉ／及びノ・ロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、鋏堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置され、既に補助層の設けである所定の
支持体の補助層上Ｋａ−８１Ｃ厘。
Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタ
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ 、 Ｈ＠勢
の不活性ガス又紘これ等のガスをベースとしえ混合ガス
の雰囲気中でＳｉで構成され−にターゲットをスパッタ
リングする際、第履族原子導入用のＪｌｌｌＩ科ガスを
、必ＩＩＫ応じて水嵩原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスと共にスパッタリング用の堆積ｉ
１に導入してやれば爽い。
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ 、 Ｈ＠勢
の不活性ガス又紘これ等のガスをベースとしえ混合ガス
の雰囲気中でＳｉで構成され−にターゲットをスパッタ
リングする際、第履族原子導入用のＪｌｌｌＩ科ガスを
、必ＩＩＫ応じて水嵩原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスと共にスパッタリング用の堆積ｉ
１に導入してやれば爽い。
本実＠において電荷注入防止層を形成するのに使用され
る原料ガスとなる出発物質として絋、次のものが有効な
ものとして挙けることが出来るＯ 先ず、８１供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
８１Ｈａ ＊ ８１Ｊ＆ ｓ Ｓｌ、鳥、 ｓｉ、島０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン＠
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、Ｓｌ供給効率の良さ４Ｉの点で８１
Ｈ６、５１ｇｎ５が好ましｉものとして挙けられるＯ これ勢の出発物質を使用すれば、層ｆ＃臘条件を適切に
選択するととによってＳ臓され為纏―層中に８１と共Ｋ
Ｈも導入し得る０ ８１供給用の原料オスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む硅
素化合物、所■、ハロゲン原子で置換され九シランー導
体、具体的に紘例えば８１Ｆ４ 、 ＳｉＪ’＠ 、
８ｋＣＩ４ 、８ｉＢｒ、等Ｑ ７％ ０ゲン化硫嵩が
好壇しいものとして挙げることが出来更には、４為Ｆ、
、 ８ｉＨ＠Ｉ、 、 ８１為Ｃｆ、、８１にｌ＠
、 ８１％Ｂｒｌ ＋８１Ｈ１−等ＯＡロゲン置換水嵩
化硅素、等々のオス状態の或いはガス化し得る、水嵩原
子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有＊＆電荷注
入防止層彫戚の為Ｏ８１供給用の出発物質として挙ける
事が出来る。
る原料ガスとなる出発物質として絋、次のものが有効な
ものとして挙けることが出来るＯ 先ず、８１供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
８１Ｈａ ＊ ８１Ｊ＆ ｓ Ｓｌ、鳥、 ｓｉ、島０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン＠
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、Ｓｌ供給効率の良さ４Ｉの点で８１
Ｈ６、５１ｇｎ５が好ましｉものとして挙けられるＯ これ勢の出発物質を使用すれば、層ｆ＃臘条件を適切に
選択するととによってＳ臓され為纏―層中に８１と共Ｋ
Ｈも導入し得る０ ８１供給用の原料オスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む硅
素化合物、所■、ハロゲン原子で置換され九シランー導
体、具体的に紘例えば８１Ｆ４ 、 ＳｉＪ’＠ 、
８ｋＣＩ４ 、８ｉＢｒ、等Ｑ ７％ ０ゲン化硫嵩が
好壇しいものとして挙げることが出来更には、４為Ｆ、
、 ８ｉＨ＠Ｉ、 、 ８１為Ｃｆ、、８１にｌ＠
、 ８１％Ｂｒｌ ＋８１Ｈ１−等ＯＡロゲン置換水嵩
化硅素、等々のオス状態の或いはガス化し得る、水嵩原
子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有＊＆電荷注
入防止層彫戚の為Ｏ８１供給用の出発物質として挙ける
事が出来る。
これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に、層形成条件の適切な選択によ
って形成される電荷注入防止層中に８１と共ＫＸを導入
することが出来る。上記しえ出発物質の中の水素原子を
會む／Ｓ’ｌｌダン化硫嵩化合物は、＠麹層形成のＩＩ
Ｋ層中にノＳ−ゲン息子（Ｘ） ｔ）導入と内時に電気
的或いは光電的特性の制御Ｋｌｌめて有効な水嵩原子（
Ｈ）も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の出発物質として使用される。
る場合にも前述した様に、層形成条件の適切な選択によ
って形成される電荷注入防止層中に８１と共ＫＸを導入
することが出来る。上記しえ出発物質の中の水素原子を
會む／Ｓ’ｌｌダン化硫嵩化合物は、＠麹層形成のＩＩ
Ｋ層中にノＳ−ゲン息子（Ｘ） ｔ）導入と内時に電気
的或いは光電的特性の制御Ｋｌｌめて有効な水嵩原子（
Ｈ）も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の出発物質として使用される。
本実＠におｉて補脚層を形成するＩＩＫ使用されるハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用Ｏ原料ガスとなる有効な出発物質
としては、上記しえものの他に、例えば、７ツ嵩、塩素
、臭素、Ｗつ素のハロゲンガス、１ｌｒＦ 、 ＣＩＦ
、 ０１１％ 、 ｌ１ｒＦ、、 Ｂｒ１％ 、 Ｉ
１％ 。
ゲン原子（Ｘ）導入用Ｏ原料ガスとなる有効な出発物質
としては、上記しえものの他に、例えば、７ツ嵩、塩素
、臭素、Ｗつ素のハロゲンガス、１ｌｒＦ 、 ＣＩＦ
、 ０１１％ 、 ｌ１ｒＦ、、 Ｂｒ１％ 、 Ｉ
１％ 。
ＩＦｙ 、 ＩＣ＃ 、 ＩＢｒ等のハーグｙ間化会物
、！。
、！。
ＨＣＩ 、 ＨＢｒ 、 ＨＩ勢の＾ログン化水素を挙
けること−ＩＩＡ幽来ゐ◎ 電荷注入防止層中に嬉鳳族原子を構造的に導入するに＆
！、層形成の１ｌＫｊｌ履族原子導入用の出発物質をオ
ス状態で堆積車中に、電荷注入防止層を形成する為の他
の出発物質と共に導入してやればｊＬ Ｉ／’ ｏこｏ
ｐｓな嬉鳳族原子導入用の出発物質と戚夛得るもＯとし
ては、常温常圧でオス状の又は、少なくとも層形成条件
下で春易くガス化し得るものが採用されるのが望ましい
Ｏその様１に嬉鳳族原子導入層Ｏ出尭物質として具体的
に紘硼素原子導入用としては、島Ｈｓ −１１ｍ−−Ｂ
＠為ｉ山富＝ ＢｓＨａｅ −＆−１山、勢の水素化硼
素、ＩＰ、 、 Ｅｌ、 、 ｌｌＢｒ、等Ｏハーゲン
化硼素勢が挙けられる０この他、ムＩｃＩ＠ ｐ Ｇａ
Ｃ４、Ｇａ （ｅｌｌｓ）ｓ ｙ １難Ｃ１ｓ ＊Ｔｌ
Ｃｌ、等も挙けることが出来る。
けること−ＩＩＡ幽来ゐ◎ 電荷注入防止層中に嬉鳳族原子を構造的に導入するに＆
！、層形成の１ｌＫｊｌ履族原子導入用の出発物質をオ
ス状態で堆積車中に、電荷注入防止層を形成する為の他
の出発物質と共に導入してやればｊＬ Ｉ／’ ｏこｏ
ｐｓな嬉鳳族原子導入用の出発物質と戚夛得るもＯとし
ては、常温常圧でオス状の又は、少なくとも層形成条件
下で春易くガス化し得るものが採用されるのが望ましい
Ｏその様１に嬉鳳族原子導入層Ｏ出尭物質として具体的
に紘硼素原子導入用としては、島Ｈｓ −１１ｍ−−Ｂ
＠為ｉ山富＝ ＢｓＨａｅ −＆−１山、勢の水素化硼
素、ＩＰ、 、 Ｅｌ、 、 ｌｌＢｒ、等Ｏハーゲン
化硼素勢が挙けられる０この他、ムＩｃＩ＠ ｐ Ｇａ
Ｃ４、Ｇａ （ｅｌｌｓ）ｓ ｙ １難Ｃ１ｓ ＊Ｔｌ
Ｃｌ、等も挙けることが出来る。
本実ＨＫｌｋいては電荷注入防止特性を与える為に電荷
注入防止層中に含有される菖鳳族原子は、電荷注入防止
層の層厚方向ＩＩｃＩｃ的に平行な面（支持体ＯＩＩ幽
に平行な面）内及び層厚方角Ｋｍいては、実質的に均一
に分布されるのがｊｌＬ％／％−のである０又、スパッ
タリング法で電荷注入防止層を形成する場合には、例え
ばムｒ、Ｈ・勢の不活性ガス又はこれ勢のガスをベース
としえ混合ガスの雰−気中で１で構成されえターゲット
をスパッタリングする際、＃ＩＩ族原子導入用の原料オ
スを、必要に応じて水嵩原子（Ｈ）導入用の又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパッタリ
ングを行う真空堆積意向に導入してやれば良い◎ 本発＠に於いて、電荷注入防止層中に導入される縞鳳族
原子の含有量は、堆積車中に流入される嬉履族原子導入
用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支
持体温度、堆積車内の圧力勢を制御することによって任
意に制御され得る・ 本実１ｊｌＫ於いて、電荷注入防止層ｔグ關−款電法又
はスパッターリンダ法で形成する際に使用される稀釈オ
スとしては、所Ｉ１．希ガス、例えばＨ・、Ｎ・、 Ａ
ｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。
注入防止層中に含有される菖鳳族原子は、電荷注入防止
層の層厚方向ＩＩｃＩｃ的に平行な面（支持体ＯＩＩ幽
に平行な面）内及び層厚方角Ｋｍいては、実質的に均一
に分布されるのがｊｌＬ％／％−のである０又、スパッ
タリング法で電荷注入防止層を形成する場合には、例え
ばムｒ、Ｈ・勢の不活性ガス又はこれ勢のガスをベース
としえ混合ガスの雰−気中で１で構成されえターゲット
をスパッタリングする際、＃ＩＩ族原子導入用の原料オ
スを、必要に応じて水嵩原子（Ｈ）導入用の又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと共にスパッタリ
ングを行う真空堆積意向に導入してやれば良い◎ 本発＠に於いて、電荷注入防止層中に導入される縞鳳族
原子の含有量は、堆積車中に流入される嬉履族原子導入
用の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支
持体温度、堆積車内の圧力勢を制御することによって任
意に制御され得る・ 本実１ｊｌＫ於いて、電荷注入防止層ｔグ關−款電法又
はスパッターリンダ法で形成する際に使用される稀釈オ
スとしては、所Ｉ１．希ガス、例えばＨ・、Ｎ・、 Ａ
ｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。
本発明において、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するに絋例えはグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象倉利
用する真空堆積法によって威される。例えば、グロー放
電法によって、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質
層を形成すみＫＦｉ、基本的にはシリコン原子（８１）
を供給し得る８１供給用の原料ガスと共に、水嵩原子（
Ｈ）導入用の又は／及び−・ロダン原子（Ｘ）導入用の
原料−１ｔｘｔ、内部が減圧にし得る堆積型内に４１大
して、腋堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されである所定の支持体表面上にａ−ｓｔ （
Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い０又、スパッタ
リング法で形成する場合に紘、例えばＡｒ 、 Ｈ＠勢
の不活性ガス又はこれ等の＃スをベースとし先混合ガス
の雰囲気中でＳｉで構成され九ターゲットをスパッタリ
ングする巖、水嵩息子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積量に導入し
て中れば良１０ 本実＠において、会費に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、電荷注入防止層の場合に
挙げ九のと同様の４のを挙けることが出来る〇 本発明において非晶質層を形成するのＫｌ！！用される
８１供給用の原料ガスとし−ては、電荷注入防止層に就
て説明するＷＡＫ挙は九８１Ｈ６＊ ８Ｉｍ＆ ＊・ｌ
”顛１・ Ｓｉ、賜、組、Ｈ，勢のオス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン鎖）が有効Ｋｌ！用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作秦の扱い晶さ、Ｓｌ供給効率
の良さ等の点で８魚鴇Ｊｉ、＆ が好ましいものとし
て挙けられる。
質層を形成するに絋例えはグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象倉利
用する真空堆積法によって威される。例えば、グロー放
電法によって、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質
層を形成すみＫＦｉ、基本的にはシリコン原子（８１）
を供給し得る８１供給用の原料ガスと共に、水嵩原子（
Ｈ）導入用の又は／及び−・ロダン原子（Ｘ）導入用の
原料−１ｔｘｔ、内部が減圧にし得る堆積型内に４１大
して、腋堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されである所定の支持体表面上にａ−ｓｔ （
Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い０又、スパッタ
リング法で形成する場合に紘、例えばＡｒ 、 Ｈ＠勢
の不活性ガス又はこれ等の＃スをベースとし先混合ガス
の雰囲気中でＳｉで構成され九ターゲットをスパッタリ
ングする巖、水嵩息子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積量に導入し
て中れば良１０ 本実＠において、会費に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、電荷注入防止層の場合に
挙げ九のと同様の４のを挙けることが出来る〇 本発明において非晶質層を形成するのＫｌ！！用される
８１供給用の原料ガスとし−ては、電荷注入防止層に就
て説明するＷＡＫ挙は九８１Ｈ６＊ ８Ｉｍ＆ ＊・ｌ
”顛１・ Ｓｉ、賜、組、Ｈ，勢のオス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン鎖）が有効Ｋｌ！用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作秦の扱い晶さ、Ｓｌ供給効率
の良さ等の点で８魚鴇Ｊｉ、＆ が好ましいものとし
て挙けられる。
本実’ｊｌｉにおいて非晶質層を１＃成する−に使用さ
れるハロゲン鳳子導入用のＪＩ料ガスとして宥効なのは
、電荷注入防止層の場合と同機に多くのハロゲン化合物
が挙げられ、例えにハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲンで櫨喪されえシラン鱒導体郷の
オス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく
挙けられる。
れるハロゲン鳳子導入用のＪＩ料ガスとして宥効なのは
、電荷注入防止層の場合と同機に多くのハロゲン化合物
が挙げられ、例えにハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲンで櫨喪されえシラン鱒導体郷の
オス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく
挙けられる。
又、更には、シリコン原子（Ｓｉ）とハロゲン原子（Ｘ
）とを構成豐素とするガス状態の又紘カス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硼素化合物も有効なものとして本発明
において株挙げることが出来る。
）とを構成豐素とするガス状態の又紘カス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硼素化合物も有効なものとして本発明
において株挙げることが出来る。
本発明において、形成される光導電Ｓ＃の電荷注入防止
層及び非晶質層中に含有される水嵩原子（Ｈ）の量又は
し・ロゲン鳳子（Ｘ）の量又は水 ”素原子（Ｈ）
とハロゲン原子（Ｘ）の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の鳩舎
１〜４０ ａｔ・ｍ１ａｌｌ、好適には５〜３０ ａｔ
ｏｍｉｃチとされるのが望ましい。
層及び非晶質層中に含有される水嵩原子（Ｈ）の量又は
し・ロゲン鳳子（Ｘ）の量又は水 ”素原子（Ｈ）
とハロゲン原子（Ｘ）の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の鳩舎
１〜４０ ａｔ・ｍ１ａｌｌ、好適には５〜３０ ａｔ
ｏｍｉｃチとされるのが望ましい。
電荷注入〆防止層又は非晶質層中に含有される水嵩原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水嵩原子（Ｈ）、或い
はハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発
物質の堆積装置系内へ導入する量、款電々力等を制御し
てやれば良い。
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水嵩原子（Ｈ）、或い
はハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発
物質の堆積装置系内へ導入する量、款電々力等を制御し
てやれば良い。
本発明において、非晶質層をグロー放電法で形成する際
に使用される檜１ガス、或いはスパッタリング法で１＃
賊される際に使用されるスパッターリング用のガスとし
ては、所■稀ガス、例えばＨ・、Ｎ・、ムｒ勢が好適な
ものとして挙げることが出来る。
に使用される檜１ガス、或いはスパッタリング法で１＃
賊される際に使用されるスパッターリング用のガスとし
ては、所■稀ガス、例えばＨ・、Ｎ・、ムｒ勢が好適な
ものとして挙げることが出来る。
本発明に於いて、非晶質層の層厚としては、作成される
光導電部材Ｋｌ！求される特性に応じて適宜法められる
ものであるが、通常は、１〜１００ ｓ 、好ましくは
１〜８０ｓ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい
ものである。
光導電部材Ｋｌ！求される特性に応じて適宜法められる
ものであるが、通常は、１〜１００ ｓ 、好ましくは
１〜８０ｓ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい
ものである。
本実に！Ａにおいて使用される支持体としては、導電性
でも電気絶縁性であっても良い◎導電性支持体としては
、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。
でも電気絶縁性であっても良い◎導電性支持体としては
、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。
ＡＺ 、 Ｃｒ 、 Ｍｅ ｐ Ａｕ 、 Ｎｂ 、
Ｔａ 、 Ｖ 、 ＴＩ 、 Ｐｔ 、 Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が挙けられる・電気絶縁性支持体、と
しては、ポリエステル。
Ｔａ 、 Ｖ 、 ＴＩ 、 Ｐｔ 、 Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が挙けられる・電気絶縁性支持体、と
しては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン７、ポリアミド等の
合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
−ｋｌ）ミック、紙等が過賞使用される。これ等の電気
絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を
導電地層され、鋏導電＃＆場されえＩＩ向側に他の層が
設けられるのが望まし１０例えｉｆ、 ｔＩガラスあれ
ｄｌその表面に、ＮｉＣｒ。
絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を
導電地層され、鋏導電＃＆場されえＩＩ向側に他の層が
設けられるのが望まし１０例えｉｆ、 ｔＩガラスあれ
ｄｌその表面に、ＮｉＣｒ。
ムｔ、Ｃｒ、Ｎｏ、ムｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
、Ｐｔ、Ｐｄ。
、Ｐｔ、Ｐｄ。
１ｍ１Ｏ，、８ｎ０１ 、 ＩＴＯ（Ｉｌｌ、０１ ＋
Ｓａｕｇ）等から賊る薄膜を設けることによって導電
性が付与され、或いはポリエステルフィルム等Ｏ合威樹
脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ 、 ＡＺ 、 Ａｇ
、 Ｐｂ 、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、ムｕ、Ｃｒ。
Ｓａｕｇ）等から賊る薄膜を設けることによって導電
性が付与され、或いはポリエステルフィルム等Ｏ合威樹
脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ 、 ＡＺ 、 Ａｇ
、 Ｐｂ 、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、ムｕ、Ｃｒ。
Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｔ、Ｐｔ等の金ｘｏ＊
ｍｔ真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリンダ等てそ
の表向に設け、又は前記金属でその表面をｌ）々ネート
ＩＩ＆理して、その表面に導電性が付与される。支持体
の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状
とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１０Ｇを電子写真用像形成Ｓ＃
とじて使用するのであれば連続高速複写の場合に＃ｉ、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望過多の光導電部材が形成される橡に適宜決
定されるが、光導電部材として回線性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば可能１に＠参薄（される。向傷ら、この様な鳩舎支
持体Ｏ袈造上及び堆扱い上、機械的強ｆ勢の点から、通
常は、１０Ｉｓ以上とされる◎ ｉＨ２閣には、本発明の光導電部材の麹の好適ン な実施朧橡例の層構成が示される。
ｍｔ真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリンダ等てそ
の表向に設け、又は前記金属でその表面をｌ）々ネート
ＩＩ＆理して、その表面に導電性が付与される。支持体
の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状
とし得、所望によって、その形状は決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１０Ｇを電子写真用像形成Ｓ＃
とじて使用するのであれば連続高速複写の場合に＃ｉ、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望過多の光導電部材が形成される橡に適宜決
定されるが、光導電部材として回線性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば可能１に＠参薄（される。向傷ら、この様な鳩舎支
持体Ｏ袈造上及び堆扱い上、機械的強ｆ勢の点から、通
常は、１０Ｉｓ以上とされる◎ ｉＨ２閣には、本発明の光導電部材の麹の好適ン な実施朧橡例の層構成が示される。
第２図に示される光導電部材２００が、第１図に示され
る光導電部材１００と異なるとζろ社、電荷注入防止層
２０３と光導電性を示す非晶質層２０Ｓとの間に上部補
助層２０４を有することであるＯ 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１．皺支持体２
０１上にＩＮＫ積層されえ、下部補助層２０２゜電荷注
入防止層２０３．上部補助層２０４及び非晶質層２０５
とを具備し、非晶質層２０５は自由表両２０６を有する
。上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０３と非晶質
層２０ｂとの閏の密着を強−にし、両層の接触界面Ｋｍ
ける電気的接触を均一にしていると同時に、電荷注入防
止層２０３の上に直に＊ける仁とによって、電荷注入防
止層２０ｓの層質を強靭なものとしている。
る光導電部材１００と異なるとζろ社、電荷注入防止層
２０３と光導電性を示す非晶質層２０Ｓとの間に上部補
助層２０４を有することであるＯ 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１．皺支持体２
０１上にＩＮＫ積層されえ、下部補助層２０２゜電荷注
入防止層２０３．上部補助層２０４及び非晶質層２０５
とを具備し、非晶質層２０５は自由表両２０６を有する
。上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０３と非晶質
層２０ｂとの閏の密着を強−にし、両層の接触界面Ｋｍ
ける電気的接触を均一にしていると同時に、電荷注入防
止層２０３の上に直に＊ける仁とによって、電荷注入防
止層２０ｓの層質を強靭なものとしている。
８２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示し先光導
電部材１００を構成する補助層１Ｇ！０鳩金と同様の非
晶質材料を使用して、同様の１ 特性が与えられる様に同様な層作成手職と条件
１によって形成される。電荷注入防止層２Ｈ及び非晶
質層２０５も、夫々、嬉１１１に示す電荷注入防止層１
０３及び非晶質層１０４と同様の特性及び機能を有し、
第１図の場合と同様な層作成手馴と条件によって形成さ
れる。
層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示し先光導
電部材１００を構成する補助層１Ｇ！０鳩金と同様の非
晶質材料を使用して、同様の１ 特性が与えられる様に同様な層作成手職と条件
１によって形成される。電荷注入防止層２Ｈ及び非晶
質層２０５も、夫々、嬉１１１に示す電荷注入防止層１
０３及び非晶質層１０４と同様の特性及び機能を有し、
第１図の場合と同様な層作成手馴と条件によって形成さ
れる。
次に本発明の光導電部材の製造方法の一例を１ｌｌＫ従
−）？ａ＠する〇 嬉Ｓ図に光導電ｌＩ＃の製造装置の一例を示す。
−）？ａ＠する〇 嬉Ｓ図に光導電ｌＩ＃の製造装置の一例を示す。
図中の３０２〜３０６のオスボンベには、本発明の夫々
の層を形成する九めに使用されるガスが書匈されてお珈
、その１例として、たとえば、３０２はＨ・で稀釈され
一＊８ｉＨ４カス（純度９９．９１１９囁、以下８ ｉ
Ｈ，ｉＨ・と略す。）ボンベ、３０３はＨ・９９．９９
％）ボンベ、ａｏｂはムｒガスボンベ、３０６は、Ｈ・
で稀釈され九Ｓ ｉ Ｆ、ｌｊス（純度９９．９４１９
１Ｇ。
の層を形成する九めに使用されるガスが書匈されてお珈
、その１例として、たとえば、３０２はＨ・で稀釈され
一＊８ｉＨ４カス（純度９９．９１１９囁、以下８ ｉ
Ｈ，ｉＨ・と略す。）ボンベ、３０３はＨ・９９．９９
％）ボンベ、ａｏｂはムｒガスボンベ、３０６は、Ｈ・
で稀釈され九Ｓ ｉ Ｆ、ｌｊス（純度９９．９４１９
１Ｇ。
以下Ｓ Ｉ Ｆ、ｉＨ・と略す）ボンベである。
これらのガスを反応１ａ１３０１に流入させるにはオス
ボンベ３０２〜３０６のパルプ３２２〜３２６、リータ
パルプ３３５が閉じられていることを確認し、又、流入
パルプ３１２〜３１６、ｆｆ１ｔｔｉバ、ｍｙ ｙｒ
３１７〜３２１１補助バルブ３３２が開かれていること
を確認して先ずメインパルプ３３４を開いて反応室ｓｏ
ｉ、及びカス配管内を排気する。
ボンベ３０２〜３０６のパルプ３２２〜３２６、リータ
パルプ３３５が閉じられていることを確認し、又、流入
パルプ３１２〜３１６、ｆｆ１ｔｔｉバ、ｍｙ ｙｒ
３１７〜３２１１補助バルブ３３２が開かれていること
を確認して先ずメインパルプ３３４を開いて反応室ｓｏ
ｉ、及びカス配管内を排気する。
次に真空計３３６の読みが約５Ｘ１Ｇ−”ｔｏｒｒＫ＊
つ九時点で、補助バルブ３３２、流入パルプａｍｌ〜３
１６、［出パルプ３１７〜３２１を閉じる。
つ九時点で、補助バルブ３３２、流入パルプａｍｌ〜３
１６、［出パルプ３１７〜３２１を閉じる。
その後、反応１ｉ［３０１内に導入すべきガスＯＩンぺ
に接続されているガス配管のパルプを所定過）操作して
、所望するガスを反応室３０１ Ｍに導入する。
に接続されているガス配管のパルプを所定過）操作して
、所望するガスを反応室３０１ Ｍに導入する。
次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部材を作成
する場合の一例の概略を述べる。
する場合の一例の概略を述べる。
所定の支持体３３７上に、先ず補助層をスパッタリング
織によって形成するには、まずシャッター３４２を開く
。すべてのｊス供給パルプは一旦閉じられ、反応１ｍ！
３０１はメインパルプ３３４ を全一することにより
、排気される。為圧電力が比率でターゲットとして設置
されている。オスボンベｇｏｓよ多ムｒガスを、ガスボ
ンベ３０６１り８１ Ｐ′４／Ｈ・ガスを夫々、所定の
パルプを操作して反応室３０１内に導入し、室の内圧が
Ｏ，ＯＳ〜ｌスパッタリングすることにより、シリコン
原子。
織によって形成するには、まずシャッター３４２を開く
。すべてのｊス供給パルプは一旦閉じられ、反応１ｍ！
３０１はメインパルプ３３４ を全一することにより
、排気される。為圧電力が比率でターゲットとして設置
されている。オスボンベｇｏｓよ多ムｒガスを、ガスボ
ンベ３０６１り８１ Ｐ′４／Ｈ・ガスを夫々、所定の
パルプを操作して反応室３０１内に導入し、室の内圧が
Ｏ，ＯＳ〜ｌスパッタリングすることにより、シリコン
原子。
皇嵩鳳子よ）Ｊｋる非晶質材料で構成され九補助層を支
持体３ｓ７上に形成することがてきる０層形威中紘、支
持体３３７は、加熱ヒータ３３８によって所望の温１１
！ＫＪＩ熱される。
持体３ｓ７上に形成することがてきる０層形威中紘、支
持体３３７は、加熱ヒータ３３８によって所望の温１１
！ＫＪＩ熱される。
補助層をグ麿−款電法によって形成する場合に線、各、
パルプを操作して、ボンベ３０２よシ５ｉｌｌ、／Ｈ＠
カスを、ボンベ３０４よシＮＨ，ガスを、ボンベ３０藝
よ）引ｒ、、メＨ＠ガスを、夫々、所望する流量比で反
応室３０１内に導入し、所望時間の閾！ロー款電を行う
ことによって、支持体上に補助層を形成することが出来
る。
パルプを操作して、ボンベ３０２よシ５ｉｌｌ、／Ｈ＠
カスを、ボンベ３０４よシＮＨ，ガスを、ボンベ３０藝
よ）引ｒ、、メＨ＠ガスを、夫々、所望する流量比で反
応室３０１内に導入し、所望時間の閾！ロー款電を行う
ことによって、支持体上に補助層を形成することが出来
る。
次に、飾記ＯＩＩ鞠層上に電荷注入防止層を形成する◎
補助層の形成終了後、電源！４０をＯＦＰ Ｋ シて款
電を中止し、一旦、装置のガス導入用の配管０食系のパ
ルプを閉じ、反応室３０１Ｐ３に残存するガスを反応１
１１３０１外に排出して所定の真空ｌＩ！にする。
電を中止し、一旦、装置のガス導入用の配管０食系のパ
ルプを閉じ、反応室３０１Ｐ３に残存するガスを反応１
１１３０１外に排出して所定の真空ｌＩ！にする。
その後、シャッター３４２を閉じ、オスボンベ３０意よ
り ８１Ｈａ／ＨｅガスＩをＪｊ Ｘ ｄｉ ７ペＳＯ
３より馴馴１・オスを、夫々パルプ３２！ 、 ３２３
を−ｉて出口圧ダーク３２７ 、３２１１０圧を１＃／
ａＩＩＫ調整し、流入パルプｉｌｌ！ 、 ３１１を徐
々に−けて、マス７ａ＝をントローラ３０７ 、３Ｇ１
１内に夫々流入させる。引き絖？？＃ｍ出パルプ３１７
、３１８、補助パルプ３３２を徐々ＫＭいて夫々のオ
スを反応室３０１内Ｋｊ１入させる。このときの８１Ｈ
ｚ乍・オス流量、Ｂ、Ｈ，／）Ｉ＠ガス流量の夫々の比
が所望の値になるよう流出パルプ３１７ 、８１１１を
調整し、まえ、反応室３０１内の圧力が所望Ｏ値になる
ように真空針３３６のＩ！与を見ながらメインパルプ８
３４の一口を調整する。 １
そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３８によ参
ｓＯ〜４００℃の範ｌ０１ｍ度に設定されて−ることが
確認され先後、電源３４０を個にして所望の電力に設定
し、反応ｊｍ！ ３０１内にグロー放電を生起させて支
持体３３７上に電荷注入防止層を形成する。− 電荷注入防止層上に設けられる、光導電性を示す非晶質
層の形成は、例えばボンベ３０藝内に充填されている８
１し１・ガスを使用し、前記しえ電荷注入防止層の場合
と同様の手１［Ｋよって行うことが出来る〇 非畠質層の形成の−に使用される原料ガス種としては、
５ｉＩｌｉ、ガスの伽に１殊に８ｉ、Ｈ，ガスが層形成
適度の向上を計る為に有効である◎実施例１ ＩＩ３図に示した製造装置により、アｘｉ＝ウム基板上
に以下の条件で層形成を行った。
り ８１Ｈａ／ＨｅガスＩをＪｊ Ｘ ｄｉ ７ペＳＯ
３より馴馴１・オスを、夫々パルプ３２！ 、 ３２３
を−ｉて出口圧ダーク３２７ 、３２１１０圧を１＃／
ａＩＩＫ調整し、流入パルプｉｌｌ！ 、 ３１１を徐
々に−けて、マス７ａ＝をントローラ３０７ 、３Ｇ１
１内に夫々流入させる。引き絖？？＃ｍ出パルプ３１７
、３１８、補助パルプ３３２を徐々ＫＭいて夫々のオ
スを反応室３０１内Ｋｊ１入させる。このときの８１Ｈ
ｚ乍・オス流量、Ｂ、Ｈ，／）Ｉ＠ガス流量の夫々の比
が所望の値になるよう流出パルプ３１７ 、８１１１を
調整し、まえ、反応室３０１内の圧力が所望Ｏ値になる
ように真空針３３６のＩ！与を見ながらメインパルプ８
３４の一口を調整する。 １
そして支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３８によ参
ｓＯ〜４００℃の範ｌ０１ｍ度に設定されて−ることが
確認され先後、電源３４０を個にして所望の電力に設定
し、反応ｊｍ！ ３０１内にグロー放電を生起させて支
持体３３７上に電荷注入防止層を形成する。− 電荷注入防止層上に設けられる、光導電性を示す非晶質
層の形成は、例えばボンベ３０藝内に充填されている８
１し１・ガスを使用し、前記しえ電荷注入防止層の場合
と同様の手１［Ｋよって行うことが出来る〇 非畠質層の形成の−に使用される原料ガス種としては、
５ｉＩｌｉ、ガスの伽に１殊に８ｉ、Ｈ，ガスが層形成
適度の向上を計る為に有効である◎実施例１ ＩＩ３図に示した製造装置により、アｘｉ＝ウム基板上
に以下の条件で層形成を行った。
纂１表
故ｔ ＩＩ ｆｌ １１１１ ： １Ｂ４６ ＭＨｚ
こうし−ｔｌｌられた電子写真用像形成部材を複写装置
に設置し、ｌＩ［５ｋＶで０．２ ｓｅｃ間コロナ帯電
を行い、光１１１ ｔ！−照射した。光源はタングステ
ンランプを用い、装置は１．０ ｌｕｘ ＠ ｓｅｃと
した。
こうし−ｔｌｌられた電子写真用像形成部材を複写装置
に設置し、ｌＩ［５ｋＶで０．２ ｓｅｃ間コロナ帯電
を行い、光１１１ ｔ！−照射した。光源はタングステ
ンランプを用い、装置は１．０ ｌｕｘ ＠ ｓｅｃと
した。
潜像はｅｌｋ電性の曳像剤（トナーとキャリヤを含む）
によって現儂され、通常の紙に転写され走転Ｊｌｌｉ＊
における画偉欠陥（黒地部の白ヌケ等）の有無をチェツ
タしたが、それは全く認められず、−質は極めて良好な
ものであった。転写されないで感光体−Ｅに残つ九トナ
ーは、ゴムブレードによってクリーニングされ、次の複
写工程に移る。このような工程を繰り返し１０万回以上
行っても１ｉｉｆ＊欠陥、層の剥れが全く生じなかった
。
によって現儂され、通常の紙に転写され走転Ｊｌｌｉ＊
における画偉欠陥（黒地部の白ヌケ等）の有無をチェツ
タしたが、それは全く認められず、−質は極めて良好な
ものであった。転写されないで感光体−Ｅに残つ九トナ
ーは、ゴムブレードによってクリーニングされ、次の複
写工程に移る。このような工程を繰り返し１０万回以上
行っても１ｉｉｆ＊欠陥、層の剥れが全く生じなかった
。
実施例２
スパッタリング用ターゲットである８ｉ ウェハと８
ｉ１Ｎ４ウエハの面積比をかえることによ抄、補助層に
おけるシリコン原子に対する窒素原子の含有量を変化さ
せる以外は実施例１と全く同様な方法によって寛子写真
用俸形成部材を作製し、実施例１と同様にして評価した
結果を次に示す。
ｉ１Ｎ４ウエハの面積比をかえることによ抄、補助層に
おけるシリコン原子に対する窒素原子の含有量を変化さ
せる以外は実施例１と全く同様な方法によって寛子写真
用俸形成部材を作製し、実施例１と同様にして評価した
結果を次に示す。
第 ２ 表
補助層の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様な方
法によって電子与真相像彫成部材を作製し、実施例１と
同様にして評価した結果を次に示す。
法によって電子与真相像彫成部材を作製し、実施例１と
同様にして評価した結果を次に示す。
ｍ３表
実施例４
電萄注入防止層の層厚と硼素含有量を次のように変える
以外社、実施例１と全く同様にして電子写真用像形＆部
材を作製した。結果はいずれも良好であった。
以外社、実施例１と全く同様にして電子写真用像形＆部
材を作製した。結果はいずれも良好であった。
実施例５
ｗＪ３図に示した製造装置によりアル、％ ニウム基板
上に以下の条件で層形成を行った。
上に以下の条件で層形成を行った。
總５表
こうして得られ九電子写真用像形成部材を実施例１と同
様にして評価したところ極め１良好な結果が得られた。
様にして評価したところ極め１良好な結果が得られた。
実施例６
縞３図にボした胸造装随により、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件にした以外扛、実施例１と同様にし
て層形成を打つ九。
基板上に以下の条件にした以外扛、実施例１と同様にし
て層形成を打つ九。
第６表
こうして得られた亀子↓真用像彫成部材を、実施例１と
同様にして評価したとζろ極めて良好な結果が得られた
。
同様にして評価したとζろ極めて良好な結果が得られた
。
第１図及び第２図は夫々、本発明の先導一部材の好適な
実施態様例の構成をボす模式的構成図、銀３図は本発明
の先導一部材を製造する為の装置の一例を示す模式的説
明図である。 １００．２００・・・光導電部材 １０１．２０１・・
・支持体１０２．２９２，２０４・・・補助層 １０３
，２０３・−・電荷注入防止層 １０４，２０５・・
・非晶質層１０５．２０６・・・自由表面 出 願 人 キャノン株式会社 第 １２ ぢ？霞
実施態様例の構成をボす模式的構成図、銀３図は本発明
の先導一部材を製造する為の装置の一例を示す模式的説
明図である。 １００．２００・・・光導電部材 １０１．２０１・・
・支持体１０２．２９２，２０４・・・補助層 １０３
，２０３・−・電荷注入防止層 １０４，２０５・・
・非晶質層１０５．２０６・・・自由表面 出 願 人 キャノン株式会社 第 １２ ぢ？霞
Claims (1)
- 光導−＠部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、
構成原子としてノ・ｐゲン鳳子と、３０＆ｔｏｍｉｇ参
までの窒素原子を含有する非晶質材料で構成され九補励
層と、シリコン原子を母体とし、周期律ＩＩ第膳族に属
する原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成さ
れ九電荷注入防止層と、シリコン原子を母体とし、構Ｍ
、ＩｊＬ子として水嵩原子又はノ・關ゲン原子のいずれ
か一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され、光
導電性を示す非晶質層と、を有する事を特徴とする光導
電部材０
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021597A JPS58139148A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 光導電部材 |
| US06/463,043 US4452874A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-01 | Photoconductive member with multiple amorphous Si layers |
| CA000420977A CA1183380A (en) | 1982-02-08 | 1983-02-04 | Photoconductive member including amorphous si matrix in each of interface, rectifying and photoconductive layers |
| FR8301874A FR2521316B1 (fr) | 1982-02-08 | 1983-02-07 | Element photoconducteur |
| DE19833304198 DE3304198A1 (de) | 1982-02-08 | 1983-02-08 | Photoleitfaehiges bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021597A JPS58139148A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139148A true JPS58139148A (ja) | 1983-08-18 |
| JPH0368382B2 JPH0368382B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12059439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021597A Granted JPS58139148A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-12 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139148A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2527144Y2 (ja) * | 1992-11-19 | 1997-02-26 | モレックス インコーポレーテッド | プリント回路基板接続用電気コネクタ |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57021597A patent/JPS58139148A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0368382B2 (ja) | 1991-10-28 |
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