JPS58135197A - 結晶製造装置 - Google Patents
結晶製造装置Info
- Publication number
- JPS58135197A JPS58135197A JP1506382A JP1506382A JPS58135197A JP S58135197 A JPS58135197 A JP S58135197A JP 1506382 A JP1506382 A JP 1506382A JP 1506382 A JP1506382 A JP 1506382A JP S58135197 A JPS58135197 A JP S58135197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- diameter
- camera
- crystals
- itv
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分計〕
本発明は１Ｃ２法（チ、タラルスキー法）を利用した結
晶製造装置の改良に関する。
晶製造装置の改良に関する。
［発明技術的背景とその問題点〕
従来、ＣＺ結晶を製造するには、第１図に示すように結
晶融液１０を収容した石英製ルッケ１１において、種結
晶１２を結晶融液１０につけ引き上げを行表い、一定の
引上操作と融液温度の調整のあとにネックダウン１３、
肩づくり１４および一定径１５の制御を行なっている・
この場合においては、ネックダウン１３および肩づ＜９
１４はオ（レータによりて行なわれるが、一定径になる
とＩＴＶ １６を固液界面Ｉ７にセットし信号レベルを
合せて一定径の自動制御を行なう・なお、第１図中１８
はカメラコントローラ、１９はモニタ画像をそれぞれ示
している。
晶融液１０を収容した石英製ルッケ１１において、種結
晶１２を結晶融液１０につけ引き上げを行表い、一定の
引上操作と融液温度の調整のあとにネックダウン１３、
肩づくり１４および一定径１５の制御を行なっている・
この場合においては、ネックダウン１３および肩づ＜９
１４はオ（レータによりて行なわれるが、一定径になる
とＩＴＶ １６を固液界面Ｉ７にセットし信号レベルを
合せて一定径の自動制御を行なう・なお、第１図中１８
はカメラコントローラ、１９はモニタ画像をそれぞれ示
している。
ところが、このような従来方法では容易に２値化ができ
る固液界面に幅センサーをセ、トシである九め、石英ル
ツ？１１と結晶融液１ｏとのぬれ性の問題や、融液１０
の対流による液面の上下移動によって幅センサーの出力
にノイズが発生し直径±２〔■〕程度の制御しか行なう
ことができなかった。
る固液界面に幅センサーをセ、トシである九め、石英ル
ツ？１１と結晶融液１ｏとのぬれ性の問題や、融液１０
の対流による液面の上下移動によって幅センサーの出力
にノイズが発生し直径±２〔■〕程度の制御しか行なう
ことができなかった。
また、近年マイクロプロセッサ−の開発が急速に進み、
種づけ、ネックダウンおよび贋作シと云うオイレータが
行なっていた操作を自動化しようとする動きが進められ
ている。しかし、成長結晶の外形信号を電気的に取シ出
すことが困礫なためにそれらの動きは停滞している。
種づけ、ネックダウンおよび贋作シと云うオイレータが
行なっていた操作を自動化しようとする動きが進められ
ている。しかし、成長結晶の外形信号を電気的に取シ出
すことが困礫なためにそれらの動きは停滞している。
本発明の目的とするところは、結晶外径の直径制御精度
の向上および成長結晶の処理の簡略化をはかシ得て、さ
らに結晶成長工程におけるネックダウン、贋作シおよび
一定直径制御等の自動化に寄与し得る結晶製造装置を提
供することにある。
の向上および成長結晶の処理の簡略化をはかシ得て、さ
らに結晶成長工程におけるネックダウン、贋作シおよび
一定直径制御等の自動化に寄与し得る結晶製造装置を提
供することにある。
結晶外径の直径制御精度を上げるためには、形状が変化
しやすい固液界面をモニタせずに、界面から１〜２〔■
〕程度上の成長結晶の外形を検出すればよい、また±１
００〔μｍ〕程度の分ｙ！ｌｌ′＠をセンサーにもたせ
る高倍率の光学系を備え、ネックダウンから一定直径（
１００ｓｍφ）まで連続的に結晶直径を測定できる幅セ
ンサーが作成できれｈ高精度の直径制御、ネックダウン
から一定直径制御までの自動化が可能となる。
しやすい固液界面をモニタせずに、界面から１〜２〔■
〕程度上の成長結晶の外形を検出すればよい、また±１
００〔μｍ〕程度の分ｙ！ｌｌ′＠をセンサーにもたせ
る高倍率の光学系を備え、ネックダウンから一定直径（
１００ｓｍφ）まで連続的に結晶直径を測定できる幅セ
ンサーが作成できれｈ高精度の直径制御、ネックダウン
から一定直径制御までの自動化が可能となる。
以上の観点から、本発明では２台のＩＴＶカメラを使用
し、それぞれを高倍率にして±１００〔μｍ〕の分解能
とし、測定は固液界面の１〔■〕〜２〔■〕根度上の成
長結晶の外径を２ｆＭを使用して傾斜と外径を測定する
・測定においてネックダウン部は１台で測定しカメラ１
台の測定範囲をこえた時点で２台のカメラを移動させな
がら両端部の位置測定する方式を採用する。
し、それぞれを高倍率にして±１００〔μｍ〕の分解能
とし、測定は固液界面の１〔■〕〜２〔■〕根度上の成
長結晶の外径を２ｆＭを使用して傾斜と外径を測定する
・測定においてネックダウン部は１台で測定しカメラ１
台の測定範囲をこえた時点で２台のカメラを移動させな
がら両端部の位置測定する方式を採用する。
すなわち、本発明は結晶融液を収納したルツがと、この
ルツボ内の結晶融液に種結晶を接触させ該種結晶を引き
上げることによシ得られる結晶インゴットを成長せしめ
る手段と、上記成長中の結晶インゴットの直径をモニタ
する手段とを具備し、上記モニタされ九直径に応じて結
晶引上速度或いは結晶融液温度を制御することによって
一定径の結晶インが、トを得る結晶製造装置において１
前記結晶直径をモニタするセンサーとして２台のＩＴＶ
を使用し、ネックダウン部ｔ［１のＩＴＶで測定し、肩
作シ途中で結晶直径がセンサー視野より大きくなった場
合に第１および第２のＩＴＶを使用して結晶インゴット
の両端の位置を測定し、この測定によシ得られた値から
結晶径を算出するようにしたものである。
ルツボ内の結晶融液に種結晶を接触させ該種結晶を引き
上げることによシ得られる結晶インゴットを成長せしめ
る手段と、上記成長中の結晶インゴットの直径をモニタ
する手段とを具備し、上記モニタされ九直径に応じて結
晶引上速度或いは結晶融液温度を制御することによって
一定径の結晶インが、トを得る結晶製造装置において１
前記結晶直径をモニタするセンサーとして２台のＩＴＶ
を使用し、ネックダウン部ｔ［１のＩＴＶで測定し、肩
作シ途中で結晶直径がセンサー視野より大きくなった場
合に第１および第２のＩＴＶを使用して結晶インゴット
の両端の位置を測定し、この測定によシ得られた値から
結晶径を算出するようにしたものである。
従来例が固液界面端部の位置変動しか読みとれなく、シ
かも制御ｎ度が結晶直径の±２〔箇〕ｉｆしかないのに
比して、本発明によれば直径１〜５０〔■φ〕ｌｉ度ま
で（目的とする成長結晶の径まで）±１００ （Ｊｉｍ
）の精度で測定できる・さらに、本発明のセンナによ
れば、直径１〜１００ （ｓｉ ） ｔで高ｎ度＜±１
００μｍ）で連続的に測定でき、かつ結１両側の傾きが
同時に測定できるため、ｉイクロコンビ、−夕を使用す
ることで穫づけ後の結晶成長工程の自動化が可能となる
。
かも制御ｎ度が結晶直径の±２〔箇〕ｉｆしかないのに
比して、本発明によれば直径１〜５０〔■φ〕ｌｉ度ま
で（目的とする成長結晶の径まで）±１００ （Ｊｉｍ
）の精度で測定できる・さらに、本発明のセンナによ
れば、直径１〜１００ （ｓｉ ） ｔで高ｎ度＜±１
００μｍ）で連続的に測定でき、かつ結１両側の傾きが
同時に測定できるため、ｉイクロコンビ、−夕を使用す
ることで穫づけ後の結晶成長工程の自動化が可能となる
。
第２図および第３図はそれぞれ本発明の一実施例を説明
するためのもので、第２図は幅センサの光学部を示す概
略構成図、第３図は幅センサの全体構成を示す概略構成
図である。第２図において２１ ａ ｍ ２ ｌ ｂは
光学装置、２２ａ。
するためのもので、第２図は幅センサの光学部を示す概
略構成図、第３図は幅センサの全体構成を示す概略構成
図である。第２図において２１ ａ ｍ ２ ｌ ｂは
光学装置、２２ａ。
２２ｂはマウント、ｊ ３ ａ ＃ ｊ ３ ｂ Ｆｉ
ＩＴＶ ｐメラ、２４は被測定物を示している・ＩＴＶ
カメラ２３＆ｅ２３ｂＣ）撮像面における視野は２５［
ｓｍ）×２５〔■〕とする。このときのセンサの分解能
は±１００〔μｍ〕である・第３図において拡３１はリ
ミットセンナｚ３２ｈｅ３２ｂは第１および第２のＩＴ
Ｖカメラ、３３ｍ 、３３ｂは移動ステージ、３４ｍ、
３４ｂはパルスモータ、３５ａ。
ＩＴＶ ｐメラ、２４は被測定物を示している・ＩＴＶ
カメラ２３＆ｅ２３ｂＣ）撮像面における視野は２５［
ｓｍ）×２５〔■〕とする。このときのセンサの分解能
は±１００〔μｍ〕である・第３図において拡３１はリ
ミットセンナｚ３２ｈｅ３２ｂは第１および第２のＩＴ
Ｖカメラ、３３ｍ 、３３ｂは移動ステージ、３４ｍ、
３４ｂはパルスモータ、３５ａ。
ｓｓｂはマグネスケール、５６ｍｍ３６ｂはモニタＴＶ
、 り７はコントローラを示している。なお、コント
ローラ３７は、カメラコントローラ３１ａ１ ドライバ
３７ ｂ ＝ ’３７ ｅ ｅ Ａ ／ Ｄ変換器３７
ｄ１カウンタ３７・、ＣＰＵＪ７ｆｓ出力装置３７ｇお
よび操作板３７ｂ等から構成されている。
、 り７はコントローラを示している。なお、コント
ローラ３７は、カメラコントローラ３１ａ１ ドライバ
３７ ｂ ＝ ’３７ ｅ ｅ Ａ ／ Ｄ変換器３７
ｄ１カウンタ３７・、ＣＰＵＪ７ｆｓ出力装置３７ｇお
よび操作板３７ｂ等から構成されている。
次に、このように構成された本装置の作用を説明する。
第４図は上記実施例装置の動作を示す流れ作業図である
。まず、メイン電源をＯＮにし前記カメラ！ ２１ ＃
３２ ｂを第５図（ａ）に示す如くそれぞれ原点Ｓム
ｅ ＳＢへ移動する。続いて、カメラ３２＆（第１のカ
メラ）のみＸｏ移動する。そして、マグネスケール３５
ｍからＸｏ ＝ Ｘｏ十ΔＸを読み込みカメラ３２ｍを
第５図（ｂ）に示す基準線Ａに合わせる。カメラ３２龜
が基準＠Ａに合った時点でスタート鎧をＯＮ Ｌ、ネッ
クダウン工程へと移る。ネックダウン工程では、まずサ
ンシリングラインＹ１ムｖ Ｙ２ムのデータを読み込み
第５ ＦＩＡ （ｃ） Ｋ示す距離＆ｇｂｅＣｔｄをそ
れぞれ算出する。結晶外径Ｗおよび左右の結晶の傾きα
Ｌ、αｚ （Ｗ ＝ａ ＋ ｂ ｅαｂ＝ （ａ −ｅ
）／ Ｌ 、 （Ｘａ ＝ （ｂ −ｄ ）／ Ａ
＃ΔＸ＝（ａ −ｂ ）／２）を算出する・そして、上
記工程はＩｋｅｂ＊ｅｅｄがそれぞれ所定の値Ｄ１（Ｄ
Ｉ＝６．４■）を越えるまで繰シ返される。
。まず、メイン電源をＯＮにし前記カメラ！ ２１ ＃
３２ ｂを第５図（ａ）に示す如くそれぞれ原点Ｓム
ｅ ＳＢへ移動する。続いて、カメラ３２＆（第１のカ
メラ）のみＸｏ移動する。そして、マグネスケール３５
ｍからＸｏ ＝ Ｘｏ十ΔＸを読み込みカメラ３２ｍを
第５図（ｂ）に示す基準線Ａに合わせる。カメラ３２龜
が基準＠Ａに合った時点でスタート鎧をＯＮ Ｌ、ネッ
クダウン工程へと移る。ネックダウン工程では、まずサ
ンシリングラインＹ１ムｖ Ｙ２ムのデータを読み込み
第５ ＦＩＡ （ｃ） Ｋ示す距離＆ｇｂｅＣｔｄをそ
れぞれ算出する。結晶外径Ｗおよび左右の結晶の傾きα
Ｌ、αｚ （Ｗ ＝ａ ＋ ｂ ｅαｂ＝ （ａ −ｅ
）／ Ｌ 、 （Ｘａ ＝ （ｂ −ｄ ）／ Ａ
＃ΔＸ＝（ａ −ｂ ）／２）を算出する・そして、上
記工程はＩｋｅｂ＊ｅｅｄがそれぞれ所定の値Ｄ１（Ｄ
Ｉ＝６．４■）を越えるまで繰シ返される。
ａ ｅ ｂ ｅ ｅ ＊ （１）Ｄ １とな−ｚｆｃ時
点でカメラ３２ａ。
点でカメラ３２ａ。
ｓｚｂを第５図（ｄ）に示す如く移動する。すなわち、
カメラ３２ａはＸＡ ＝ Ｘ□ Ｄ！＋カメラ３２ｂ
はＸｓ ＝ Ｘ６ ＋Ｄｌの位置に移動する。そして、
リニアスケールを読み込みＸＡ、 Ｘｍをリニアスケー
ル値に合わせる。この状態で第５図（、）に示す各サン
プリングラインＹ１ム、 Ｙ２ム＃’ＹＩＢ ｓ Ｙ２
Ｂの各データを読み込み、ａ＠１）＠ｅ＋ｄをそれぞれ
算出する・次いで一前記と同様にＷ＃αＬｔα凰、ΔＸ
（Ｗ＝２Ｉｈ＋（ｅ＋ｄ ）”）を算出するＯ次いで、
ｂ＞Ｄｓ或いはａ）ｐ、（Ｄｓ＝３）となるとき再び前
記第５図（ｄ）に示したカメラ３２鳳＊３２ｂの移動工
程に戻る。ｂ ＜ Ｄ ｓ 、ＩＬ ＜Ｄｉとなるとき
は前記第５図（・）に示した工程に戻ｐ各値の算出金貸
なう。
カメラ３２ａはＸＡ ＝ Ｘ□ Ｄ！＋カメラ３２ｂ
はＸｓ ＝ Ｘ６ ＋Ｄｌの位置に移動する。そして、
リニアスケールを読み込みＸＡ、 Ｘｍをリニアスケー
ル値に合わせる。この状態で第５図（、）に示す各サン
プリングラインＹ１ム、 Ｙ２ム＃’ＹＩＢ ｓ Ｙ２
Ｂの各データを読み込み、ａ＠１）＠ｅ＋ｄをそれぞれ
算出する・次いで一前記と同様にＷ＃αＬｔα凰、ΔＸ
（Ｗ＝２Ｉｈ＋（ｅ＋ｄ ）”）を算出するＯ次いで、
ｂ＞Ｄｓ或いはａ）ｐ、（Ｄｓ＝３）となるとき再び前
記第５図（ｄ）に示したカメラ３２鳳＊３２ｂの移動工
程に戻る。ｂ ＜ Ｄ ｓ 、ＩＬ ＜Ｄｉとなるとき
は前記第５図（・）に示した工程に戻ｐ各値の算出金貸
なう。
次に、本実施例装置を実際の結晶成長の自動化に適用し
九例を第６図乃至第７図を適時参照して説明する拳なお
、図中４０は結晶、５０は融液を示している。第５図は
ネックダウンの工程を示しており、カメラは３２ａの１
台のみ使用している・このときの状態は第４図のフロー
チャートのネックダウン工程に対応する。カメラ３２１
によシサンゾリングラインＹ１ム、Ｙ２ムにおける長さ
＊ｅｂ＊Ｗが求められ１結晶外径Ｗ （Ｗ ＝ ａ ＋
ｂ ）、左右の結晶の傾きαＬ。
九例を第６図乃至第７図を適時参照して説明する拳なお
、図中４０は結晶、５０は融液を示している。第５図は
ネックダウンの工程を示しており、カメラは３２ａの１
台のみ使用している・このときの状態は第４図のフロー
チャートのネックダウン工程に対応する。カメラ３２１
によシサンゾリングラインＹ１ム、Ｙ２ムにおける長さ
＊ｅｂ＊Ｗが求められ１結晶外径Ｗ （Ｗ ＝ ａ ＋
ｂ ）、左右の結晶の傾きαＬ。
α、（αｘ、＝（ａ−ｅ）／ｌ−αｉ＋−（ｂ ｄ）
／ｚ）が算出される・そして％ ａｐｂｓｅ＊ｄの各値
が６．４（ｍ）を越えると２台のＩＴＶカメラ３２ａ。
／ｚ）が算出される・そして％ ａｐｂｓｅ＊ｄの各値
が６．４（ｍ）を越えると２台のＩＴＶカメラ３２ａ。
ＪＺｂを使用し第７図に示す如くして夏作シ部の測定を
始める。このとき、結晶外径はＷ＝２Ｄ！＋（ａ ＋
ｂ ）として算出される。
始める。このとき、結晶外径はＷ＝２Ｄ！＋（ａ ＋
ｂ ）として算出される。
ま九、一定直径制御は第８図に示す如くして行なう。
かくして得られた結晶は３インチφｘｉ（ｍ）であった
、この実施例における特徴を従来例と比較すると次の通
ｐである・すなわち、従来例は１．１１１界面端部の位
置変動しか読みとれなく、しかも制御精度が結晶直径の
±２〔■〕１ｉ度しか無い、しかるに本実施列によると
、直径１〜１００〔−φ〕程度まで±１００〔踊〕の精
度で測定できる・さらに本実施例の幅セ汚−は既に示し
たように直径１〜１００ （ｖｍ ）まで高精度で連続
的に測定でき、かつ結晶両側の傾きを同時に測定できる
。このため、マイクロコンビ、−夕を使用することで、
種づけ後の結晶成長工程の自動化が可能となる・また、
装置自体の価格は従来例と比較した場合約２倍となって
いるが、本実施例の特徴である結晶成長自動化を主体と
して使用することによ多結晶成長装置をオペレータ１人
で１０台程度は監視することができる・しかも、引き上
げられた結晶はあらかじめ想定した外形とほとんど一致
したものが得られる６以上の理由から本装置は、結晶製
造グランドに特に適しておシ、装置価格の高い点は、自
動化による人件費が１／３程度になるため、成長結晶の
価格は３０チ程安くなる。
、この実施例における特徴を従来例と比較すると次の通
ｐである・すなわち、従来例は１．１１１界面端部の位
置変動しか読みとれなく、しかも制御精度が結晶直径の
±２〔■〕１ｉ度しか無い、しかるに本実施列によると
、直径１〜１００〔−φ〕程度まで±１００〔踊〕の精
度で測定できる・さらに本実施例の幅セ汚−は既に示し
たように直径１〜１００ （ｖｍ ）まで高精度で連続
的に測定でき、かつ結晶両側の傾きを同時に測定できる
。このため、マイクロコンビ、−夕を使用することで、
種づけ後の結晶成長工程の自動化が可能となる・また、
装置自体の価格は従来例と比較した場合約２倍となって
いるが、本実施例の特徴である結晶成長自動化を主体と
して使用することによ多結晶成長装置をオペレータ１人
で１０台程度は監視することができる・しかも、引き上
げられた結晶はあらかじめ想定した外形とほとんど一致
したものが得られる６以上の理由から本装置は、結晶製
造グランドに特に適しておシ、装置価格の高い点は、自
動化による人件費が１／３程度になるため、成長結晶の
価格は３０チ程安くなる。
１
第１図は従来のＣＺ結晶成長装置を示す模式図、第２図
およびＷＪ３図はそれぞれ本発明の一実施例を説明する
ためのもので第２図は幅センサ七学部を示す概略構成図
、第３図は幅セ汁−全体構成を示す概略構成図、第４図
および第５図（ａ）〜（＠）はそれぞれ上記実施例装置
の動作を説明するためのもので第４図は流れ作業図、′
第５図（ａ）〜（・）は模式図、第６図乃至第８図はそ
れぞれ実施例装置を実際に結晶成長に使用した時のＩＴ
Ｖカメラの動をと得られた出力とを示す模式図である。 １０・・・結晶融液、１１・・・ルツｄ’、１２”・種
結晶、１３・・・ネックダウン、１４・・・肩作シ部、
１５・・・一定直径、１６・・・ＩＴＶカメラ、１１・
・・固液界面、１８・・・カメラコントローラ、１９・
・・モニタＴＶｓ ２１ ＆ ｅ ２ ｌ ｂ ””光
学装置、ｊ Ｊ ＆ ｅｊ ２ ｂ−ｆｆウントｓ Ｊ
３ ａ 、 ２ Ｊ ｂ−・ＩＴＶカメラ、３１・・
・リミットセンサ、Ｊ Ｊ ｈ ｅ Ｊ ２ ｂ・・・
ＩＴＶカメラ、Ｊ Ｊ ａ Ｉ Ｊ Ｓ ｂ ”・移動
ステージ、３４ｍ、３４ｂ＝ｔ’ルスモータ、３５ｍ、
３５ｂ・・・マグネスケール、８６ｍｍ３６ｂ・・・モ
ニタＴＶ％３１・・・幅センサコントローラ、４０・・
・成長結晶、５０・・・結晶融液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１１１ 第２図 第３図 Ｗ ＪＲａｔ。 （ａ） 第５１ｉ（ｂ） （Ｃ） （ｄ）（ｄ） 手続補正書（方式） 昭和５７年、６月−８日 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 特−昭５７−１５０６３号 ２、発明の名称 結晶製造装置 ３、補ＩＥをする者 事件との関係 特許出願人 （３υ７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 昭和５７年５月２５日 ６、補正の対象 図 向 ７、補正の内容 図面の図番第５図（ｄ）を別紙（＝朱筆する通り第５図
（ｅ）と訂正する。
およびＷＪ３図はそれぞれ本発明の一実施例を説明する
ためのもので第２図は幅センサ七学部を示す概略構成図
、第３図は幅セ汁−全体構成を示す概略構成図、第４図
および第５図（ａ）〜（＠）はそれぞれ上記実施例装置
の動作を説明するためのもので第４図は流れ作業図、′
第５図（ａ）〜（・）は模式図、第６図乃至第８図はそ
れぞれ実施例装置を実際に結晶成長に使用した時のＩＴ
Ｖカメラの動をと得られた出力とを示す模式図である。 １０・・・結晶融液、１１・・・ルツｄ’、１２”・種
結晶、１３・・・ネックダウン、１４・・・肩作シ部、
１５・・・一定直径、１６・・・ＩＴＶカメラ、１１・
・・固液界面、１８・・・カメラコントローラ、１９・
・・モニタＴＶｓ ２１ ＆ ｅ ２ ｌ ｂ ””光
学装置、ｊ Ｊ ＆ ｅｊ ２ ｂ−ｆｆウントｓ Ｊ
３ ａ 、 ２ Ｊ ｂ−・ＩＴＶカメラ、３１・・
・リミットセンサ、Ｊ Ｊ ｈ ｅ Ｊ ２ ｂ・・・
ＩＴＶカメラ、Ｊ Ｊ ａ Ｉ Ｊ Ｓ ｂ ”・移動
ステージ、３４ｍ、３４ｂ＝ｔ’ルスモータ、３５ｍ、
３５ｂ・・・マグネスケール、８６ｍｍ３６ｂ・・・モ
ニタＴＶ％３１・・・幅センサコントローラ、４０・・
・成長結晶、５０・・・結晶融液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１１１ 第２図 第３図 Ｗ ＪＲａｔ。 （ａ） 第５１ｉ（ｂ） （Ｃ） （ｄ）（ｄ） 手続補正書（方式） 昭和５７年、６月−８日 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 特−昭５７−１５０６３号 ２、発明の名称 結晶製造装置 ３、補ＩＥをする者 事件との関係 特許出願人 （３υ７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 昭和５７年５月２５日 ６、補正の対象 図 向 ７、補正の内容 図面の図番第５図（ｄ）を別紙（＝朱筆する通り第５図
（ｅ）と訂正する。
Claims (1)
- 結晶融液を収納したルツゲと、このルツデ内の結晶融液
に種結晶を接触させ該種結晶を引き上げることによシ結
晶インゴットを成長せしめる手段と、上記成長中の結晶
インゴットの直径をモニタする手段とを具備し、上記モ
ニタされた直径に応じて結晶引上速度或いは結晶融液温
度を制御することによりて一定径の結晶インゴ、トラ得
る結晶製造装置において、前記結晶直往をモニタするセ
ンサーとして２台のＩＴＶを使用し、ネックダウン部は
第１のＩＴＶで測定し、肩作り途中で結晶直径がセンサ
ー視野より大きくなった場合に第１および第２のＩＴＶ
を使用して結晶インゴットの両端の位置を測定し、この
測だによシ得られた値から結晶径を算出することを％微
とする結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1506382A JPS58135197A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1506382A JPS58135197A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135197A true JPS58135197A (ja) | 1983-08-11 |
Family
ID=11878376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1506382A Pending JPS58135197A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | 結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135197A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472907A2 (en) * | 1990-07-28 | 1992-03-04 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Crystal diameter measuring device |
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| DE19738438B4 (de) * | 1997-09-03 | 2010-04-08 | Crystal Growing Systems Gmbh | Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung des Durchmessers eines Kristalls |
| JP2013087039A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Ftb Research Institute Co Ltd | 単結晶インゴット直径制御方法 |
-
1982
- 1982-02-02 JP JP1506382A patent/JPS58135197A/ja active Pending
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