JPS58135119A - シリカゲルの製造方法 - Google Patents
シリカゲルの製造方法Info
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- JPS58135119A JPS58135119A JP1527182A JP1527182A JPS58135119A JP S58135119 A JPS58135119 A JP S58135119A JP 1527182 A JP1527182 A JP 1527182A JP 1527182 A JP1527182 A JP 1527182A JP S58135119 A JPS58135119 A JP S58135119A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリカゲルの製造方法に関するものである。ｔ
ｉＩＣ詳しくは、吸着剤、−謀担体及び、このシリカゲ
ルをミクロンサイズに調整したつヤ消し剤、粘着防止剤
等の用途を有する細孔容積の大きなり９カゲルの製造方
法に係わるものである。
ｉＩＣ詳しくは、吸着剤、−謀担体及び、このシリカゲ
ルをミクロンサイズに調整したつヤ消し剤、粘着防止剤
等の用途を有する細孔容積の大きなり９カゲルの製造方
法に係わるものである。
高分子化合物の吸着分離では細孔容積の大なる吸着剤が
要求され、また、触媒担体としてのシリカゲルは、細孔
容積が大きい方が触媒の担持址が多く、その触媒活性が
大きくなる。また、つや消し剤、粘着、防止剤として使
用されるミクロンサイズドＶリカは、塗料、インキ、プ
ラスチック等に混入して使用されるが、それぞれの透明
性を損うことなく、それぞれの目的を果さなければなら
ない。これ等を満足するシリカゲルは細孔容積を大きく
した方が有効と舊われている。このような細孔容積の大
きなりリカゲルを得るには、ケイ酸ソーダと無機酸との
反応によって生成させたシリカゾルをゲル化し、得られ
たシリカヒドロゲルを高温、高ｐＨの水中で水熱処理す
る方法が知られている。しかし、この方法では、シリカ
ヒドロゲルの乾燥工程での収縮等の理由でシリカゲルの
細孔容積の大きさには限界がある。又、特開昭４４−２
３０１１８には、シリカヒドロゲルを有機酸で処理する
方法が記載されているが、この方法は５００〜６００℃
【瓜燻して過剰の有機酸を除去する工程が必要である。
要求され、また、触媒担体としてのシリカゲルは、細孔
容積が大きい方が触媒の担持址が多く、その触媒活性が
大きくなる。また、つや消し剤、粘着、防止剤として使
用されるミクロンサイズドＶリカは、塗料、インキ、プ
ラスチック等に混入して使用されるが、それぞれの透明
性を損うことなく、それぞれの目的を果さなければなら
ない。これ等を満足するシリカゲルは細孔容積を大きく
した方が有効と舊われている。このような細孔容積の大
きなりリカゲルを得るには、ケイ酸ソーダと無機酸との
反応によって生成させたシリカゾルをゲル化し、得られ
たシリカヒドロゲルを高温、高ｐＨの水中で水熱処理す
る方法が知られている。しかし、この方法では、シリカ
ヒドロゲルの乾燥工程での収縮等の理由でシリカゲルの
細孔容積の大きさには限界がある。又、特開昭４４−２
３０１１８には、シリカヒドロゲルを有機酸で処理する
方法が記載されているが、この方法は５００〜６００℃
【瓜燻して過剰の有機酸を除去する工程が必要である。
更に１例えば、特開昭４７−１３６８号には非品性Ｖリ
カを希薄フッ化水素酸＃Ｉ液で処理する方法が記載され
ているが、これは、１００μ以下の粒径な有する粉末シ
リカの製法であり、この方法においても、５００〜６０
０℃において井ｌ焼する工程を施す必要がある。
カを希薄フッ化水素酸＃Ｉ液で処理する方法が記載され
ているが、これは、１００μ以下の粒径な有する粉末シ
リカの製法であり、この方法においても、５００〜６０
０℃において井ｌ焼する工程を施す必要がある。
本発明者等は上記の公知の方法よりもより簡便な手法に
より、ｆｉ孔容積の大きなシリカゲルを得る方法を見出
すべく種々検討の結果、生成するシリカヒドロシル中の
Ｓｉｎｇが１０〜２２重量％となるよう、濃度を調整し
たケイ酸ソーダと硫酸とを反応させ、該シリカヒドロシ
ルをゲル化して得られるシリカヒドロゲルをＰＨ５〜１
０の水で水洗及び水熱処理し１次いでＰＨ１〜３にｔｉ
ｌｌ！ｌた硫酸、塩酸、硝酸、酢酸等の無機酸又は有機
酸水浴液で処理したのち約１３０℃程度の低温で乾燥す
ることにより、細孔容積が従来公知の方法よりも３０〜
６５％増大し、且つ１粒子径も数ミクロンから畝ミリメ
ートルの広範囲の粒子径を有するシリカゲルが得られる
ことを見出した。しかもこの方法によって得られたシリ
カゲルは粒子の機械的強度例えば本屋式硬度計による測
定値が約４．０緒と高く、固定床触媒層、動的吸着装置
の充填用として充分耐衝撃性を有している。
より、ｆｉ孔容積の大きなシリカゲルを得る方法を見出
すべく種々検討の結果、生成するシリカヒドロシル中の
Ｓｉｎｇが１０〜２２重量％となるよう、濃度を調整し
たケイ酸ソーダと硫酸とを反応させ、該シリカヒドロシ
ルをゲル化して得られるシリカヒドロゲルをＰＨ５〜１
０の水で水洗及び水熱処理し１次いでＰＨ１〜３にｔｉ
ｌｌ！ｌた硫酸、塩酸、硝酸、酢酸等の無機酸又は有機
酸水浴液で処理したのち約１３０℃程度の低温で乾燥す
ることにより、細孔容積が従来公知の方法よりも３０〜
６５％増大し、且つ１粒子径も数ミクロンから畝ミリメ
ートルの広範囲の粒子径を有するシリカゲルが得られる
ことを見出した。しかもこの方法によって得られたシリ
カゲルは粒子の機械的強度例えば本屋式硬度計による測
定値が約４．０緒と高く、固定床触媒層、動的吸着装置
の充填用として充分耐衝撃性を有している。
以下に本発明を更に詳細に説明すると、本発明ではケイ
酸ソーダと硫酸とを反応させシリカヒドロシルを生成さ
せるに当ってシリカヒドロシル中のｓｔｏｗ濃度が１０
〜２２重量％の範囲となるようにケイ酸ソーダ及び硫酸
の濃度及び量を調整することが必要である。この範囲外
１例えばこの範囲より５ｌｏｔ濃度が低い場合は、シリ
カヒドロシルがゲル化する時間が長く、工業的に合わな
い。
酸ソーダと硫酸とを反応させシリカヒドロシルを生成さ
せるに当ってシリカヒドロシル中のｓｔｏｗ濃度が１０
〜２２重量％の範囲となるようにケイ酸ソーダ及び硫酸
の濃度及び量を調整することが必要である。この範囲外
１例えばこの範囲より５ｌｏｔ濃度が低い場合は、シリ
カヒドロシルがゲル化する時間が長く、工業的に合わな
い。
又、逆にこの範囲より高いと、ゲル化時間が短かすぎ拘
−なシリカヒドロゲルが生成しない。
−なシリカヒドロゲルが生成しない。
上記ヒドロシルを生成させる反応は１回分法、連続法の
いずれｔこよっても行うことができ、連続法を適用する
場合は、ケイ酸ソーダ及び硫酸は所定濃度に調整する他
所定の流菫となるよう調整する必要があることは勿論で
ある。次に生成させたシリカヒドロシルをゲル化させ、
７ｇ力にドロゲルとする。このシリカヒドロゲルをｒ別
して、充分水洗し、脱環水中Ｅ＠濁し、アンモニア水等
を加えてｐＨを５〜１０に調整し、５０〜９５ｔの加温
下に１０〜５０時間水熱処理させる。ここに水熱処理と
はシリカヒドロゲルを一定温度に一定時間加熱保温する
ことを意味する。この場合。
いずれｔこよっても行うことができ、連続法を適用する
場合は、ケイ酸ソーダ及び硫酸は所定濃度に調整する他
所定の流菫となるよう調整する必要があることは勿論で
ある。次に生成させたシリカヒドロシルをゲル化させ、
７ｇ力にドロゲルとする。このシリカヒドロゲルをｒ別
して、充分水洗し、脱環水中Ｅ＠濁し、アンモニア水等
を加えてｐＨを５〜１０に調整し、５０〜９５ｔの加温
下に１０〜５０時間水熱処理させる。ここに水熱処理と
はシリカヒドロゲルを一定温度に一定時間加熱保温する
ことを意味する。この場合。
ｐＨの調整は５〜１０の範囲とすることが必要である。
ｐＨ値がこの範囲外、即ち、この範囲より低い場合は次
の工程の酸処理効□果がない。又、逆にこの範囲より高
い場合は、シリカの溶解度が高くなり好ましくない。本
発明は水熱処理の終った上記シリカヒドロゲルをＰ別し
、酸処理工程を施すことにより１ｍ孔容積の大きなシリ
カゲルを得ることを特徴とする。即ち、該シリカヒドロ
ゲルを無機酸又は有機酸例えば硫酸、塩酸、硝酸、リン
酸、酢酸等でＰＨ１〜３に調整した脱塩水中に懸濁し、
室温で０．５〜２４時間放置するか、或いは、カラムに
充填して、上記ｐＨを調整した脱塩水を連続的に流して
ｐＨ値をこの範囲に保持されるよう調整し乍ら酸処理を
行う。この場合％ｐＨ値が上記範囲外である場合は、上
記範囲より低い場合も、高い場合も細孔容積の増加率が
低下するので好ましくない。このようにして、酸処理を
行ったシリカヒドロゲルをＰ別し、水洗して熱風乾燥謡
により約１３０℃で１０〜２４時間乾燥して所望の細孔
容積の大きなシリカゲルを得ることができる。
の工程の酸処理効□果がない。又、逆にこの範囲より高
い場合は、シリカの溶解度が高くなり好ましくない。本
発明は水熱処理の終った上記シリカヒドロゲルをＰ別し
、酸処理工程を施すことにより１ｍ孔容積の大きなシリ
カゲルを得ることを特徴とする。即ち、該シリカヒドロ
ゲルを無機酸又は有機酸例えば硫酸、塩酸、硝酸、リン
酸、酢酸等でＰＨ１〜３に調整した脱塩水中に懸濁し、
室温で０．５〜２４時間放置するか、或いは、カラムに
充填して、上記ｐＨを調整した脱塩水を連続的に流して
ｐＨ値をこの範囲に保持されるよう調整し乍ら酸処理を
行う。この場合％ｐＨ値が上記範囲外である場合は、上
記範囲より低い場合も、高い場合も細孔容積の増加率が
低下するので好ましくない。このようにして、酸処理を
行ったシリカヒドロゲルをＰ別し、水洗して熱風乾燥謡
により約１３０℃で１０〜２４時間乾燥して所望の細孔
容積の大きなシリカゲルを得ることができる。
本発明は以上のべたように、 ｓｔｏｗ濃度が特定の重
量％となるよう調整して生成されたシリカゲルをゲル化
し、特定範囲のＰＨ１ＩＩＣ保存した水中で水熱処理さ
せ、得られたシリカゲルをＰＨ１〜３に保存した酸水溶
液で処理し、約１３０℃という極めて低い温度で乾燥す
ること゛により、従来公知の方法によって得られるシリ
カゲルよりもはるかに細孔容積を大きくしたシリカゲル
を得ることがでする。しかも該シリカゲルは１粒子径は
同等であり、又粒子機械的強度は高く、高分子化合物の
吸着分離、固定床或いは流動床触媒の担体また。
量％となるよう調整して生成されたシリカゲルをゲル化
し、特定範囲のＰＨ１ＩＩＣ保存した水中で水熱処理さ
せ、得られたシリカゲルをＰＨ１〜３に保存した酸水溶
液で処理し、約１３０℃という極めて低い温度で乾燥す
ること゛により、従来公知の方法によって得られるシリ
カゲルよりもはるかに細孔容積を大きくしたシリカゲル
を得ることがでする。しかも該シリカゲルは１粒子径は
同等であり、又粒子機械的強度は高く、高分子化合物の
吸着分離、固定床或いは流動床触媒の担体また。
これを電タロンナイズに調整し、塗料、インキのつや消
し剤、デ′５スチック、特殊紙等の粘着防止剤等の用途
に適している。尚１本発明は球状型。
し剤、デ′５スチック、特殊紙等の粘着防止剤等の用途
に適している。尚１本発明は球状型。
破砕型のいずれのシリカゲルにも適用できるものである
。
。
実施例１
生成するりリカ区ドロゾル中のｓ ｉ ０１濃度が１４
重′ｌｉ％となるよう、ケイ酸ソーダと硫酸の濃度及び
流量を調製しつつ、度広させ、得られたｙ９力とドロゾ
ルをゲル化して球状のシリカヒドロゲルとした。このシ
リカヒドロゲルをｆ別し、水道水で洗液の電導度が０．
１ｎｙ ／ ｓとなる迄水洗した。
重′ｌｉ％となるよう、ケイ酸ソーダと硫酸の濃度及び
流量を調製しつつ、度広させ、得られたｙ９力とドロゾ
ルをゲル化して球状のシリカヒドロゲルとした。このシ
リカヒドロゲルをｆ別し、水道水で洗液の電導度が０．
１ｎｙ ／ ｓとなる迄水洗した。
水洗した球状のシリカヒドロゲルをアンモニア水を添加
してＰ■＠Ｅ＠整した脱塩水に懸濁し。
してＰ■＠Ｅ＠整した脱塩水に懸濁し。
１度８５℃で４２時間水熱処理させた。得られたシリカ
ヒドロゲルをｆ別し、２５０９の供試々料１１個を作成
した。次に第１表に示すように、酸処理液として硫酸水
溶液３００ｓＪ１１１ｍ！−用意し。
ヒドロゲルをｆ別し、２５０９の供試々料１１個を作成
した。次に第１表に示すように、酸処理液として硫酸水
溶液３００ｓＪ１１１ｍ！−用意し。
それぞれに、上記各シリカヒドロゲルを入れ室温（約２
０℃）で２時間浸漬し、Ｆｊ＊シ、熱風乾燥器により約
１３０℃で１６時間乾燥して、シリカゲルを得た。尚、
酸処理中、液のｐＨを調整していない為、液のｐＨは第
１表の通り処理後変化している。その結果を第１表に示
す。
０℃）で２時間浸漬し、Ｆｊ＊シ、熱風乾燥器により約
１３０℃で１６時間乾燥して、シリカゲルを得た。尚、
酸処理中、液のｐＨを調整していない為、液のｐＨは第
１表の通り処理後変化している。その結果を第１表に示
す。
第１表
積測定装置（柴田化学機械工学社３Ａ−１０００）を用
いて測定した値。
いて測定した値。
ｑ、ｑ ｍ孔容積は水滴工法によった。
註３ シ９カゲルのｐＨは脱塩水中に懸濁し５０３）
％スラリー状で測定した。
註４４１１孔容積増加率（％）は酸処理しないＶＣ斗）
リカゲルの表面積は、処理酸水溶液ｐＨ値には影響され
ず、略々一定である。しかし、処理液のＰＨが２．２以
下の場合細孔容積は急激に上昇していることがわかる。
ず、略々一定である。しかし、処理液のＰＨが２．２以
下の場合細孔容積は急激に上昇していることがわかる。
また、上記第１表に示す本発明の球状シリカゲルの粒子
径は２．３８〜４．００ｍｍ、平均粒子強度は本屋式硬
度計で４．０〜６．０＃を示した。
径は２．３８〜４．００ｍｍ、平均粒子強度は本屋式硬
度計で４．０〜６．０＃を示した。
実施例２
実施例１と同一条件によって得られたシリカヒドロゲル
−にアンモニア水を添加してＰＨ８，３ａＣ５ｌ整した
５０℃の脱塩水を加え１２時間水洗して水熱処理も同時
−行った。水熱処理の終ったｙｙカヒドーゲ〃をｆ別し
、２５０Ｆの供試々料７個を作成した６次に、酸処理液
として、硫酸水溶液３００ｍ７１１を用意し、それぞれ
に上記各シリカゲルを入れ室温（２０℃）で２時間浸漬
して酸処理を行ったのち、Ｆ別して熱風乾燥器により約
１３０℃で１６時間乾燥して、シリカゲルを得た。尚。
−にアンモニア水を添加してＰＨ８，３ａＣ５ｌ整した
５０℃の脱塩水を加え１２時間水洗して水熱処理も同時
−行った。水熱処理の終ったｙｙカヒドーゲ〃をｆ別し
、２５０Ｆの供試々料７個を作成した６次に、酸処理液
として、硫酸水溶液３００ｍ７１１を用意し、それぞれ
に上記各シリカゲルを入れ室温（２０℃）で２時間浸漬
して酸処理を行ったのち、Ｆ別して熱風乾燥器により約
１３０℃で１６時間乾燥して、シリカゲルを得た。尚。
実施例１と同様酸処理中液のｐＨは調整しなかった。
第２表
註 ｙ９カゲルの物性の測定については実施例１１ｃ同
じ。
じ。
第２表の結果から明らかなとおり、処理液のｐ）が２．
０９以下の場合１ＭＡ孔容積の増加率が急激に上昇して
いることが分る。
０９以下の場合１ＭＡ孔容積の増加率が急激に上昇して
いることが分る。
実施Ｎ３
生成するシリカとドロゾル中の８１０＠濃度が２１．５
重量％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度な＃Ｉｌ
ｌて１反応させ、得られたシリカヒドロシルをゲル化し
て破砕状のＶリカ監ドロゲルとした。このＳ’９カヒド
ログルにアン篭ニア水を添加して、ＰＨ８，２Ｃ調整し
た８５″Ｃの脱塩水を加え２０時間水洗、水熱処理も同
時に行った。水熱処理ノ終ったシリカヒドロゲルをｆ別
し、２５０Ｐの供試々料１１個を作成した。次にｌｌ１
１３表に示すように、酸処理液として、硫酸水溶液３０
０ｍＩＯ個を用意し、それぞれに、上記各Ｖ９カゲルを
入れ、室温（１２０℃）で、２時間浸漬して、酸処理を
行ったのち、Ｐ別して、熱風乾燥ｌｌＩｃより約１３０
℃で１６時間乾燥して、シリカゲルな得た。＊施例１と
同様、酸処理空液のＰＨは＃Ｉ！１しなかった。この結
果を第３表に示す。
重量％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度な＃Ｉｌ
ｌて１反応させ、得られたシリカヒドロシルをゲル化し
て破砕状のＶリカ監ドロゲルとした。このＳ’９カヒド
ログルにアン篭ニア水を添加して、ＰＨ８，２Ｃ調整し
た８５″Ｃの脱塩水を加え２０時間水洗、水熱処理も同
時に行った。水熱処理ノ終ったシリカヒドロゲルをｆ別
し、２５０Ｐの供試々料１１個を作成した。次にｌｌ１
１３表に示すように、酸処理液として、硫酸水溶液３０
０ｍＩＯ個を用意し、それぞれに、上記各Ｖ９カゲルを
入れ、室温（１２０℃）で、２時間浸漬して、酸処理を
行ったのち、Ｐ別して、熱風乾燥ｌｌＩｃより約１３０
℃で１６時間乾燥して、シリカゲルな得た。＊施例１と
同様、酸処理空液のＰＨは＃Ｉ！１しなかった。この結
果を第３表に示す。
［第３表
註 シリカゲルの物性の測定については実施例１に同じ
。
。
実施例４
生成するシリカヒドロシル中の５ｉｌｌ濃度が１９重量
％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度をＩＩＡ畳し
て反応させ、得られたシリカヒドロシルをゲル化して破
砕状のシリカヒドロゲルとした。
％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度をＩＩＡ畳し
て反応させ、得られたシリカヒドロシルをゲル化して破
砕状のシリカヒドロゲルとした。
このシリカとドロゲルにアン峰ニア水を添加してＰＨ８
，２Ｃ１１１１した８５℃の脱り水＆７Ｊｌ、ｔ、 ３
８時間水洗、水熱ｍ場を同時に行った。水熱処理の終っ
たシリカヒドロゲルをｆ別し、２５０ｆ’の供試々料１
０個を作成した。次に、第４表に示すように、酸処理液
として硫酸水＃液３００ｓ？７個を用意し、それぞれに
、上記各シリカゲルを入れ一室温（２０℃）で２時間浸
漬して、酸処理を行ったのち、Ｆ別して熱風乾燥器によ
り約１３０℃で１６時間乾燥してシリカゲルを得た９こ
の結果を第４表に示す。尚、実施例１と同様、酸処理空
液のＰＨはＩＩｌ、Ｌなかった。
，２Ｃ１１１１した８５℃の脱り水＆７Ｊｌ、ｔ、 ３
８時間水洗、水熱ｍ場を同時に行った。水熱処理の終っ
たシリカヒドロゲルをｆ別し、２５０ｆ’の供試々料１
０個を作成した。次に、第４表に示すように、酸処理液
として硫酸水＃液３００ｓ？７個を用意し、それぞれに
、上記各シリカゲルを入れ一室温（２０℃）で２時間浸
漬して、酸処理を行ったのち、Ｆ別して熱風乾燥器によ
り約１３０℃で１６時間乾燥してシリカゲルを得た９こ
の結果を第４表に示す。尚、実施例１と同様、酸処理空
液のＰＨはＩＩｌ、Ｌなかった。
第４表
註 シリカゲルの物性の測定については実施例１と同じ
。
。
実施例５
実施例４と同嫌の方法で水洗、水熱処理して得られたＳ
／リカヒドロゲルを、硫酸、塩酸、硝酸及び酢酸の水溶
液で酸処理し、次にｆ別して、ＩＩＩ！風乾ＩＩＩＩに
より約１３０℃で１６時間乾燥してＶすカゲルを得た。
／リカヒドロゲルを、硫酸、塩酸、硝酸及び酢酸の水溶
液で酸処理し、次にｆ別して、ＩＩＩ！風乾ＩＩＩＩに
より約１３０℃で１６時間乾燥してＶすカゲルを得た。
その結果を第５表に示す。尚、この場合も酸処理中部の
ＰＨは調整しなカムった。
ＰＨは調整しなカムった。
第５表
註 シリカゲルの物性の測定については実施例１と同じ
。
。
実施例６
実施例１〜５では酸処理中部のｐＨは調整していない為
、処理前と後では液のｐＨは大きく変化している。そこ
で有効なｐＨ領域な求める為、処理中のｐＨを調整する
必要がある。そこで調整のかわりにカラ五式で連続的に
流し処理したのが実施例６である。
、処理前と後では液のｐＨは大きく変化している。そこ
で有効なｐＨ領域な求める為、処理中のｐＨを調整する
必要がある。そこで調整のかわりにカラ五式で連続的に
流し処理したのが実施例６である。
実施例４と同様の方法で水洗、水熱処理して得られたＶ
リカヒドロゲルを、直径５０■、高さ２５０１のガフス
カラムに充填し、次の第６表に示す範囲ｃｐ）Ｉを調整
した硫酸水溶液を１０ｍ／ａｌｌの速度で約３時間流し
、入口の硫酸水溶液のｐＨと出口の硫酸水溶液のｐＨが
一致したところで。
リカヒドロゲルを、直径５０■、高さ２５０１のガフス
カラムに充填し、次の第６表に示す範囲ｃｐ）Ｉを調整
した硫酸水溶液を１０ｍ／ａｌｌの速度で約３時間流し
、入口の硫酸水溶液のｐＨと出口の硫酸水溶液のｐＨが
一致したところで。
酸処理を終りカラムからとり出して水切りし、実施例４
と同じ方法で乾燥し、シリカゲルを得た。
と同じ方法で乾燥し、シリカゲルを得た。
その結果を第６表に示す。
第６表
註 シリカゲルの物性の測定法は実施例１に同じ。
以上の結果から明らかなとおり、酸処理中における酸処
理水溶液のＰＨ値を１〜３に保持したものは、この範囲
より大きいものにくらべて、帽孔賽積の増加率が大きい
ことが分る。
理水溶液のＰＨ値を１〜３に保持したものは、この範囲
より大きいものにくらべて、帽孔賽積の増加率が大きい
ことが分る。
代理人 弁理士 足置 勉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 生成するシリカヒドロシル中の５ｔｅａ濃度が１０
〜２２重量％となるようケイ酸ソーダと硫酸とを濃度を
調整して反応させ、該シリカヒドロシルをゲル化して得
られたシリカヒドロゲルをＰＨ５〜１０の水で水洗及び
水熱処理し１次いでＰＨ１〜３の無機酸又は・有機酸溶
液で処理したのち乾燥することを特徴とする細孔容積の
大きなシリカゲルの製造方法。 ２ 無機酸又は有機酸溶液が硫酸、塩酸、硝酸、酢酸の
いずれかである特許請求の範囲第１項記載のシリカゲル
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1527182A JPS58135119A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | シリカゲルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1527182A JPS58135119A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | シリカゲルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135119A true JPS58135119A (ja) | 1983-08-11 |
| JPH0323487B2 JPH0323487B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=11884192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1527182A Granted JPS58135119A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | シリカゲルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135119A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925858U (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-17 | 坂元 茂 | 電話器用架台 |
| JPH02221112A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-04 | Fuji Debuison Kagaku Kk | 球状シリカゲルの製造法 |
| EP1048615A1 (en) * | 1996-12-30 | 2000-11-02 | Uop Llc | Unimodal, large pore silicas prepared by hydrothermal treatment of silica powders |
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1982
- 1982-02-01 JP JP1527182A patent/JPS58135119A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323487B2 (ja) | 1991-03-29 |
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