JPH0323487B2 - - Google Patents
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- JPH0323487B2 JPH0323487B2 JP1527182A JP1527182A JPH0323487B2 JP H0323487 B2 JPH0323487 B2 JP H0323487B2 JP 1527182 A JP1527182 A JP 1527182A JP 1527182 A JP1527182 A JP 1527182A JP H0323487 B2 JPH0323487 B2 JP H0323487B2
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- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明はシリカゲルの製造方法に関するもので
ある。更に詳しくは、吸着剤、触媒担体及び、こ
のシリカゲルをミクロンサイズに調整したつや消
し剤、粘着防止剤等の用途を有する細孔容積の大
きなシリカゲルの製造方法に係わるものである。 高分子化合物の吸着分離では細孔容積の大なる
吸着剤が要求され、また、触媒担体としてのシリ
カゲルは、細孔容積が大きい方が触媒の担持量が
多く、その触媒活性が大きくなる。また、つや消
し剤、粘着防止剤として使用されるミクロンサイ
ズドシリカは、塗料、インキ、プラスチツク等に
混入して使用されるが、それぞれの透明性を損う
ことなく、それぞれの目的を果さなければならな
い。これ等を満足するシリカゲルは細孔容積を大
きくした方が有効と言われている。このような細
孔容積の大きなシリカゲルを得るには、ケイ酸ソ
ーダと無機酸との反応によつて生成させたシリカ
ゾルをゲル化し、得られたシリカヒドロゲルを高
温、高PHの水中で水熱処理する方法が知られてい
る。しかし、この方法では、シリカヒドロゲルの
乾燥工程での収縮等の理由でシリカゲルの細孔容
積の大きさには限界がある。又、特開昭44−
23011号には、シリカヒドロゲルを有機酸で処理
する方法が記載されているが、この方法は500〜
600℃に〓焼して過剰の有機酸を除去する工程が
必要である。更に、例えば、特開昭47−1368号に
は非晶性シリカを希薄フツ化水素酸溶液で処理す
る方法が記載されているが、これは、100μ以下
の粒径を有する粉末シリカの製法であり、この方
法においても、500〜600℃において〓焼する工程
を施す必要がある。 本発明者等は上記の公知の方法よりもより簡便
な手法により、細孔容積の大きなシリカゲルを得
る方法を見出すべく種々検討の結果、生成するシ
リカヒドロゾル中のSiO2が10〜22重量％となる
よう、濃度を調整したケイ酸ソーダと硫酸とを反
応させ、該シリカヒドロゾルをゲル化して得られ
るシリカヒドロゲルをPH５〜10の水で水洗及び水
熱処理し、次いでPH１〜３に調整した硫酸、塩
酸、硝酸、酢酸等の無機酸又は有機酸水溶液で処
理したのち約130℃程度の低温で乾燥することに
より、細孔容積が従来公知の方法よりも30〜65％
増大し、且つ、粒子径も数ミクロンから数ミリメ
ートルの広範囲の粒子径を有するシリカゲルが得
られることを見出した。しかもこの方法によつて
得られたシリカゲルは粒子の機械的強度例えば木
屋式硬度計による測定値が約4.0Kgと高く、固定
床触媒層、動的吸着装置の充填用として充分耐衝
撃性を有している。 以下に本発明を更に詳細に説明すると、本発明
ではケイ酸ソーダと硫酸とを反応させシリカヒド
ロゾルを生成させるに当つてシリカヒドロゾル中
のSiO2濃度が10〜22重量％の範囲となるように
ケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度及び量を調整するこ
とが必要である。この範囲外、例えばこの範囲よ
りSiO2濃度が低い場合は、シリカヒドロゾルが
ゲル化する時間が長く、工業的に合わない。 又、逆にこの範囲より高いと、ゲル化時間が短
かすぎ均一なシリカヒドロゲルが生成しない。 上記ヒドロゾルを生成させる反応は、回分法、
連続法のいずれによつても行うことができ、連続
法を適用する場合は、ケイ酸ソーダ及び硫酸は所
定濃度に調整する他所定の流量となるよう調整す
る必要があることは勿論である。次に生成させた
シリカヒドロゾルをゲル化させ、シリカヒドロゲ
ルとする。このシリカヒドロゲルを別して、充
分水洗し、脱塩水中に懸濁し、アンモニア水等を
加えてPHを５〜10に調整し、50〜95℃の加温下に
10〜50時間水熱処理させる。ここに水鉄処理とは
シリカヒドロゲルを一定温度に一定時間加熱保温
することを意味する。この場合、PHの調整は５〜
10の範囲とすることが必要である。PH値がこの範
囲外、即ち、この範囲より低い場合は次の工程の
酸処理効果がない。又、逆にこの範囲より高い場
合は、シリカの溶解度が高くなり好ましくない。
本発明は水熱処理の終つた上記シリカヒドロゲル
を別し、酸処理工程を施すことにより、細孔容
積の大きなシリカゲルを得ることを特徴とする。
即ち、該シリカヒドロゲルを無機酸又は有機酸例
えば硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、酢酸等でPH１〜
３で調整した脱塩水中に懸濁し、室温で0.5〜24
時間放置するか、或いは、カラムに充填して、上
記PHを調整した脱塩水を連続的に流してPH値をこ
の範囲に保持されるよう調整し乍ら酸処理を行
う。この場合、PH値が上記範囲外である場合は、
上記範囲より低い場合も、高い場合も細孔容積の
増加率が低下するので好ましくない。このように
して、酸処理を行つたシリカヒドロゲルを別
し、水洗して熱風乾燥器により約130℃で10〜24
時間乾燥して所望の細孔容積の大きなシリカゲル
を得ることができる。 本発明は以上のべたように、SiO2濃度が特定
の重量％となるよう調整して生成されたシリカゾ
ルをゲル化し、特定範囲のPH値に保存した水中で
水熱処理させ、得られたシリカゲルをPH１〜３に
保存した酸水溶液で処理し、約130℃という極め
て低い温度で乾燥することにより、従来公知の方
法によつて得られるシリカゲルよりもはるかに細
孔容積を大きくしたシリカゲルを得ることができ
る。しかも該シリカゲルは、粒子径は同等であ
り、又粒子機械的強度は高く、高分子化合物の吸
着分離、固定床或いは流動床触媒の担体また、こ
れをミクロンサイズに調整し、塗料、インキのつ
や消し剤、プラスチツク、特殊紙等の粘着防止剤
等の用途に適している。尚、本発明は球状型、破
砕型のいずれのシリカゲルにも適用できるもので
ある。 実施例 １ 生成するシリカヒドロゾル中のSiO2濃度が14
重量％となるよう、ケイ酸ソーダと硫酸の濃度及
び流量を調製しつつ、反応させ、得られたシリカ
ヒドロゾルをゲル化して球状のシリカヒドロゲル
とした。このシリカヒドロゲルを別し、水道水
で洗液の電導度が0.1mv／cmとなる迄水洗した。 水洗した球状のシリカヒドロゲルをアンモニア
水を添加してPH８に調整した脱塩水に懸濁し、温
度85℃で42時間水熱処理させた。得られたシリカ
ヒドロゲルを別し、250ｇの供試々料11個を作
成した。次に第１表に示すように、酸処理液とし
て硫酸水溶液300ml11個を用意し、それぞれに、
上記各シリカヒドロゲルを入れ室温（約20℃）で
２時間浸漬し、別し、熱風乾燥器により約130
℃で16時間乾燥して、シリカゲルを得た。尚、酸
処理中、液のPHを調整していない為、液のPHは第
１表の通り処理後変化している。その結果を第１
表に示す。
ある。更に詳しくは、吸着剤、触媒担体及び、こ
のシリカゲルをミクロンサイズに調整したつや消
し剤、粘着防止剤等の用途を有する細孔容積の大
きなシリカゲルの製造方法に係わるものである。 高分子化合物の吸着分離では細孔容積の大なる
吸着剤が要求され、また、触媒担体としてのシリ
カゲルは、細孔容積が大きい方が触媒の担持量が
多く、その触媒活性が大きくなる。また、つや消
し剤、粘着防止剤として使用されるミクロンサイ
ズドシリカは、塗料、インキ、プラスチツク等に
混入して使用されるが、それぞれの透明性を損う
ことなく、それぞれの目的を果さなければならな
い。これ等を満足するシリカゲルは細孔容積を大
きくした方が有効と言われている。このような細
孔容積の大きなシリカゲルを得るには、ケイ酸ソ
ーダと無機酸との反応によつて生成させたシリカ
ゾルをゲル化し、得られたシリカヒドロゲルを高
温、高PHの水中で水熱処理する方法が知られてい
る。しかし、この方法では、シリカヒドロゲルの
乾燥工程での収縮等の理由でシリカゲルの細孔容
積の大きさには限界がある。又、特開昭44−
23011号には、シリカヒドロゲルを有機酸で処理
する方法が記載されているが、この方法は500〜
600℃に〓焼して過剰の有機酸を除去する工程が
必要である。更に、例えば、特開昭47−1368号に
は非晶性シリカを希薄フツ化水素酸溶液で処理す
る方法が記載されているが、これは、100μ以下
の粒径を有する粉末シリカの製法であり、この方
法においても、500〜600℃において〓焼する工程
を施す必要がある。 本発明者等は上記の公知の方法よりもより簡便
な手法により、細孔容積の大きなシリカゲルを得
る方法を見出すべく種々検討の結果、生成するシ
リカヒドロゾル中のSiO2が10〜22重量％となる
よう、濃度を調整したケイ酸ソーダと硫酸とを反
応させ、該シリカヒドロゾルをゲル化して得られ
るシリカヒドロゲルをPH５〜10の水で水洗及び水
熱処理し、次いでPH１〜３に調整した硫酸、塩
酸、硝酸、酢酸等の無機酸又は有機酸水溶液で処
理したのち約130℃程度の低温で乾燥することに
より、細孔容積が従来公知の方法よりも30〜65％
増大し、且つ、粒子径も数ミクロンから数ミリメ
ートルの広範囲の粒子径を有するシリカゲルが得
られることを見出した。しかもこの方法によつて
得られたシリカゲルは粒子の機械的強度例えば木
屋式硬度計による測定値が約4.0Kgと高く、固定
床触媒層、動的吸着装置の充填用として充分耐衝
撃性を有している。 以下に本発明を更に詳細に説明すると、本発明
ではケイ酸ソーダと硫酸とを反応させシリカヒド
ロゾルを生成させるに当つてシリカヒドロゾル中
のSiO2濃度が10〜22重量％の範囲となるように
ケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度及び量を調整するこ
とが必要である。この範囲外、例えばこの範囲よ
りSiO2濃度が低い場合は、シリカヒドロゾルが
ゲル化する時間が長く、工業的に合わない。 又、逆にこの範囲より高いと、ゲル化時間が短
かすぎ均一なシリカヒドロゲルが生成しない。 上記ヒドロゾルを生成させる反応は、回分法、
連続法のいずれによつても行うことができ、連続
法を適用する場合は、ケイ酸ソーダ及び硫酸は所
定濃度に調整する他所定の流量となるよう調整す
る必要があることは勿論である。次に生成させた
シリカヒドロゾルをゲル化させ、シリカヒドロゲ
ルとする。このシリカヒドロゲルを別して、充
分水洗し、脱塩水中に懸濁し、アンモニア水等を
加えてPHを５〜10に調整し、50〜95℃の加温下に
10〜50時間水熱処理させる。ここに水鉄処理とは
シリカヒドロゲルを一定温度に一定時間加熱保温
することを意味する。この場合、PHの調整は５〜
10の範囲とすることが必要である。PH値がこの範
囲外、即ち、この範囲より低い場合は次の工程の
酸処理効果がない。又、逆にこの範囲より高い場
合は、シリカの溶解度が高くなり好ましくない。
本発明は水熱処理の終つた上記シリカヒドロゲル
を別し、酸処理工程を施すことにより、細孔容
積の大きなシリカゲルを得ることを特徴とする。
即ち、該シリカヒドロゲルを無機酸又は有機酸例
えば硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、酢酸等でPH１〜
３で調整した脱塩水中に懸濁し、室温で0.5〜24
時間放置するか、或いは、カラムに充填して、上
記PHを調整した脱塩水を連続的に流してPH値をこ
の範囲に保持されるよう調整し乍ら酸処理を行
う。この場合、PH値が上記範囲外である場合は、
上記範囲より低い場合も、高い場合も細孔容積の
増加率が低下するので好ましくない。このように
して、酸処理を行つたシリカヒドロゲルを別
し、水洗して熱風乾燥器により約130℃で10〜24
時間乾燥して所望の細孔容積の大きなシリカゲル
を得ることができる。 本発明は以上のべたように、SiO2濃度が特定
の重量％となるよう調整して生成されたシリカゾ
ルをゲル化し、特定範囲のPH値に保存した水中で
水熱処理させ、得られたシリカゲルをPH１〜３に
保存した酸水溶液で処理し、約130℃という極め
て低い温度で乾燥することにより、従来公知の方
法によつて得られるシリカゲルよりもはるかに細
孔容積を大きくしたシリカゲルを得ることができ
る。しかも該シリカゲルは、粒子径は同等であ
り、又粒子機械的強度は高く、高分子化合物の吸
着分離、固定床或いは流動床触媒の担体また、こ
れをミクロンサイズに調整し、塗料、インキのつ
や消し剤、プラスチツク、特殊紙等の粘着防止剤
等の用途に適している。尚、本発明は球状型、破
砕型のいずれのシリカゲルにも適用できるもので
ある。 実施例 １ 生成するシリカヒドロゾル中のSiO2濃度が14
重量％となるよう、ケイ酸ソーダと硫酸の濃度及
び流量を調製しつつ、反応させ、得られたシリカ
ヒドロゾルをゲル化して球状のシリカヒドロゲル
とした。このシリカヒドロゲルを別し、水道水
で洗液の電導度が0.1mv／cmとなる迄水洗した。 水洗した球状のシリカヒドロゲルをアンモニア
水を添加してPH８に調整した脱塩水に懸濁し、温
度85℃で42時間水熱処理させた。得られたシリカ
ヒドロゲルを別し、250ｇの供試々料11個を作
成した。次に第１表に示すように、酸処理液とし
て硫酸水溶液300ml11個を用意し、それぞれに、
上記各シリカヒドロゲルを入れ室温（約20℃）で
２時間浸漬し、別し、熱風乾燥器により約130
℃で16時間乾燥して、シリカゲルを得た。尚、酸
処理中、液のPHを調整していない為、液のPHは第
１表の通り処理後変化している。その結果を第１
表に示す。
【表】
第１表の結果から明らかなとおり、得られたシ
リカゲルの表面積は、処理酸水溶液PH値には影響
されず、略々一定である。しかし、処理液のPHが
2.2以下の場合細孔容積は急激に上昇しているこ
とがわかる。また、上記第１表に示す本発明の球
状シリカゲルの粒子径は2.38〜4.00mm、平均粒子
強度は木屋式硬度計で4.0〜6.0Kgを示した。 実施例 ２ 実施例１と同一条件によつて得られたシリカヒ
ドロゲルにアンモニア水を添加してPH8.3に調整
した50℃の脱塩水を加え12時間水洗して水熱処理
も同時に行つた。水熱処理の終つたシリカヒドロ
ゲルを別し、250grの供試々料７個を作成した。
次に、酸処理液として、硫酸水溶液300ml７個を
用意し、それぞれに上記各シリカゲルを入れ室温
（20℃）で２時間浸漬して酸処理を行つたのち、
別して熱風乾燥器により約130℃で16時間乾燥
して、シリカゲルを得た。尚、実施例１と同様酸
処理中液のPHは調整しなかつた。
リカゲルの表面積は、処理酸水溶液PH値には影響
されず、略々一定である。しかし、処理液のPHが
2.2以下の場合細孔容積は急激に上昇しているこ
とがわかる。また、上記第１表に示す本発明の球
状シリカゲルの粒子径は2.38〜4.00mm、平均粒子
強度は木屋式硬度計で4.0〜6.0Kgを示した。 実施例 ２ 実施例１と同一条件によつて得られたシリカヒ
ドロゲルにアンモニア水を添加してPH8.3に調整
した50℃の脱塩水を加え12時間水洗して水熱処理
も同時に行つた。水熱処理の終つたシリカヒドロ
ゲルを別し、250grの供試々料７個を作成した。
次に、酸処理液として、硫酸水溶液300ml７個を
用意し、それぞれに上記各シリカゲルを入れ室温
（20℃）で２時間浸漬して酸処理を行つたのち、
別して熱風乾燥器により約130℃で16時間乾燥
して、シリカゲルを得た。尚、実施例１と同様酸
処理中液のPHは調整しなかつた。
【表】
第２表の結果から明らかなとおり、処理液のPH
が2.09以下の場合、細孔容積の増加率が急激に上
昇していることが分る。 実施例 ３ 生成するシリカヒドロゾル中のSiO2濃度が21.5
重量％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度を
調整して、反応させ、得られたシリカヒドロゾル
をゲル化して破砕状のシリカヒドロゲルとした。
このシリカヒドロゲルにアンモニア水を添加し
て、PH8.2に調整した85℃の脱塩水を加え、20時
間水洗、水熱処理も同時に行つた。水熱処理の終
つたシリカヒドロゲルを別し、250grの供試々
料11個を作成した。次に第３表に示すように、酸
処理液として、硫酸水溶液300ml10個を用意し、
それぞれに、上記各シリカゲルを入れ、室温
（120℃）で、２時間浸漬して、酸処理を行つたの
ち、別して、熱風乾燥器により約130℃で16時
間乾燥して、シリカゲルを得た。実施例１と同
様、酸処理中液のPHは調整しなかつた。この結果
を第３表に示す。
が2.09以下の場合、細孔容積の増加率が急激に上
昇していることが分る。 実施例 ３ 生成するシリカヒドロゾル中のSiO2濃度が21.5
重量％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度を
調整して、反応させ、得られたシリカヒドロゾル
をゲル化して破砕状のシリカヒドロゲルとした。
このシリカヒドロゲルにアンモニア水を添加し
て、PH8.2に調整した85℃の脱塩水を加え、20時
間水洗、水熱処理も同時に行つた。水熱処理の終
つたシリカヒドロゲルを別し、250grの供試々
料11個を作成した。次に第３表に示すように、酸
処理液として、硫酸水溶液300ml10個を用意し、
それぞれに、上記各シリカゲルを入れ、室温
（120℃）で、２時間浸漬して、酸処理を行つたの
ち、別して、熱風乾燥器により約130℃で16時
間乾燥して、シリカゲルを得た。実施例１と同
様、酸処理中液のPHは調整しなかつた。この結果
を第３表に示す。
【表】
実施例 ４
生成するシリカヒドロゾル中のSiO2濃度が19
重量％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度を
調整して反応させ、得られたシリカヒドロゾルを
ゲル化して破砕状のシリカヒドロゲルとした。 このシリカヒドロゲルにアンモニア水を添加し
てPH8.2に調整した85℃の脱塩水を加え、38時間
水洗、水熱処理を同時に行つた。水熱処理の終つ
たシリカヒドロゲルを別し、250grの供試々料
10個を作成した。次に、第４表に示すように、酸
処理液として硫酸水溶液300ml７個を用意し、そ
れぞれに、上記各シリカゲルを入れ、室温（20
℃）で２時間浸漬して、酸処理を行つたのち、
別して熱風乾燥器により約130℃で16時間乾燥し
てシリカゲルを得た。この結果を第４表に示す。
尚、実施例１と同様、酸処理中液のPHは調整しな
かつた。
重量％となるようケイ酸ソーダ及び硫酸の濃度を
調整して反応させ、得られたシリカヒドロゾルを
ゲル化して破砕状のシリカヒドロゲルとした。 このシリカヒドロゲルにアンモニア水を添加し
てPH8.2に調整した85℃の脱塩水を加え、38時間
水洗、水熱処理を同時に行つた。水熱処理の終つ
たシリカヒドロゲルを別し、250grの供試々料
10個を作成した。次に、第４表に示すように、酸
処理液として硫酸水溶液300ml７個を用意し、そ
れぞれに、上記各シリカゲルを入れ、室温（20
℃）で２時間浸漬して、酸処理を行つたのち、
別して熱風乾燥器により約130℃で16時間乾燥し
てシリカゲルを得た。この結果を第４表に示す。
尚、実施例１と同様、酸処理中液のPHは調整しな
かつた。
【表】
実施例 ５
実施例４と同様の方法で水洗、水熱処理して得
られたシリカヒドロゲルを、硫酸、塩酸、硝酸及
び酢酸の水溶液で酸処理し、次に別して、熱風
乾燥器により約130℃で16時間乾燥してシリカゲ
ルを得た。その結果を第５表に示す。尚、この場
合も酸処理中液のPHは調整しなかつた。
られたシリカヒドロゲルを、硫酸、塩酸、硝酸及
び酢酸の水溶液で酸処理し、次に別して、熱風
乾燥器により約130℃で16時間乾燥してシリカゲ
ルを得た。その結果を第５表に示す。尚、この場
合も酸処理中液のPHは調整しなかつた。
【表】
【表】
実施例 ６
実施例１〜５では酸処理中液のPHは調整してい
ない為、処理前と後では液のPHは大きく変化して
いる。そこで有効なPH領域を求める為、処理中の
PHを調整する必要がある。そこで調整のかわりに
カラム式で連続的に流し処理したのが実施例６で
ある。 実施例４と同様の方法で水洗、水熱処理して得
られたシリカヒドロゲルを、直径50mm、高さ250
mmのガラスカラムに充填し、次の第６表に示す範
囲にPHを調整した硫酸水溶液を10ml／minの速度
で約３時間流し、入口の硫酸水溶液のPHと出口の
硫酸水溶液のPHが一致したところで、酸処理を終
りカラムからとり出して水切りし、実施例４と同
じ方法で乾燥し、シリカゲルを得た。 その結果を第６表に示す。
ない為、処理前と後では液のPHは大きく変化して
いる。そこで有効なPH領域を求める為、処理中の
PHを調整する必要がある。そこで調整のかわりに
カラム式で連続的に流し処理したのが実施例６で
ある。 実施例４と同様の方法で水洗、水熱処理して得
られたシリカヒドロゲルを、直径50mm、高さ250
mmのガラスカラムに充填し、次の第６表に示す範
囲にPHを調整した硫酸水溶液を10ml／minの速度
で約３時間流し、入口の硫酸水溶液のPHと出口の
硫酸水溶液のPHが一致したところで、酸処理を終
りカラムからとり出して水切りし、実施例４と同
じ方法で乾燥し、シリカゲルを得た。 その結果を第６表に示す。
【表】
【表】
註 シリカゲルの物性の測定法は実施例１に
同じ。
以上の結果から明らかなとおり、酸処理中にお
ける酸処理水溶液のPH値を１〜３に保持したもの
は、この範囲より大きいものにくらべて、細孔容
積の増加率が大きいことが分る。
同じ。
以上の結果から明らかなとおり、酸処理中にお
ける酸処理水溶液のPH値を１〜３に保持したもの
は、この範囲より大きいものにくらべて、細孔容
積の増加率が大きいことが分る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 生成するシリカヒドロゾル中のSiO2濃度が
10〜22重量％となるようケイ酸ソーダと硫酸とを
濃度を調整して反応させ、該シリカヒドロゾルを
ゲル化して得られたシリカヒドロゲルをPH５〜10
の水で水洗及び水熱処理し、次いでPH１〜３の無
機酸又は有機酸溶液で処理したのち乾燥すること
を特徴とする細孔容積の大きなシリカゲルの製造
方法。 ２ 無機酸又は有機酸溶液が硫酸、塩酸、硝酸、
酢酸のいずれかである特許請求の範囲第１項記載
のシリカゲルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1527182A JPS58135119A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | シリカゲルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1527182A JPS58135119A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | シリカゲルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135119A JPS58135119A (ja) | 1983-08-11 |
| JPH0323487B2 true JPH0323487B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=11884192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1527182A Granted JPS58135119A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | シリカゲルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135119A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925858U (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-17 | 坂元 茂 | 電話器用架台 |
| JPH0699135B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1994-12-07 | 富士デヴィソン株式会社 | 球状シリカゲルの製造法 |
| US5976479A (en) * | 1996-12-30 | 1999-11-02 | Uop Llc | Hydrothermal process for preparing a unimodal large pore silica |
| ES2150354B1 (es) * | 1998-04-21 | 2001-07-01 | Consejo Superior Investigacion | Procedimiento de atrapamiento de acidos mediante desarrollo de un sistema gelificado de base silicica. |
| KR100740346B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2007-07-19 | 이엔비나노텍(주) | 나노기공 실리카의 제조장치 및 그 제조방법 |
| JP5599164B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-10-01 | 花王株式会社 | 歯磨剤 |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP1527182A patent/JPS58135119A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58135119A (ja) | 1983-08-11 |
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