JPS58132652A - Ｎ↓２ガス中における可燃性ガスの検知測定方法 - Google Patents
Ｎ↓２ガス中における可燃性ガスの検知測定方法Info
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- JPS58132652A JPS58132652A JP1484582A JP1484582A JPS58132652A JP S58132652 A JPS58132652 A JP S58132652A JP 1484582 A JP1484582 A JP 1484582A JP 1484582 A JP1484582 A JP 1484582A JP S58132652 A JPS58132652 A JP S58132652A
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- G01M3/00—Investigating fluid-tightness of structures
- G01M3/02—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
- G01M3/04—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point
- G01M3/20—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using special tracer materials, e.g. dye, fluorescent material, radioactive material
- G01M3/22—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using special tracer materials, e.g. dye, fluorescent material, radioactive material for pipes, cables or tubes; for pipe joints or seals; for valves; for welds; for containers, e.g. radiators
- G01M3/226—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using special tracer materials, e.g. dye, fluorescent material, radioactive material for pipes, cables or tubes; for pipe joints or seals; for valves; for welds; for containers, e.g. radiators for containers, e.g. radiators
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、Ｎ、ガス中ｋｊ１Ｆける可燃性ガス１半導
体ガス検知セ／すを用いて検知する測定方法に関するも
のである。□ 第１図はＮ、ガス（不活性ガス）中におけるｔｊＪ燃性
ガスを半導体ガス検知センサを用いて検知するガス検知
装置の従来例を示すもので、！ＫＬＰＧ。
体ガス検知セ／すを用いて検知する測定方法に関するも
のである。□ 第１図はＮ、ガス（不活性ガス）中におけるｔｊＪ燃性
ガスを半導体ガス検知センサを用いて検知するガス検知
装置の従来例を示すもので、！ＫＬＰＧ。
ＬＮＧ等可燃性液体ガスを冷却して保管する保冷槽の外
周ＫＮ、ガスのシール層を設けたものを例にとり説明す
る。
周ＫＮ、ガスのシール層を設けたものを例にとり説明す
る。
ＪＩＥＩＩＩＫｍいて、ＩＧｔＬＰＧ、ＬＮＣｌのｉ％
［体の可燃性ガス、２は保冷槽で、液体の可燃性ガス１
を一１７０℃に冷却して保管している。３は前記保冷槽
２の周囲なＮ、ガスで覆ったシール層。
［体の可燃性ガス、２は保冷槽で、液体の可燃性ガス１
を一１７０℃に冷却して保管している。３は前記保冷槽
２の周囲なＮ、ガスで覆ったシール層。
４は前記シール層３の中に設けたＮ、ガスの鯰入口、Ｓ
は空気の吸入口、６はパイプ、７．８はパルプ、１，１
＠はＮ、ガスまたは空気が流入しているかど５かを検知
し、かつ塵挨等を堆り除く流量計付フィルタ、１１は半
導体ガス検知センサ、１２は吸引ポンプ、１３はケーブ
ル、１４は劃Ｌ１ｓは普報レベルの指示・増幅ユニット
、１＠はズザーを備えた警報二ニツＦである。
は空気の吸入口、６はパイプ、７．８はパルプ、１，１
＠はＮ、ガスまたは空気が流入しているかど５かを検知
し、かつ塵挨等を堆り除く流量計付フィルタ、１１は半
導体ガス検知センサ、１２は吸引ポンプ、１３はケーブ
ル、１４は劃Ｌ１ｓは普報レベルの指示・増幅ユニット
、１＠はズザーを備えた警報二ニツＦである。
次に、動作について説明する。
吸引ポンプ１２を作動させてパルプＴ、−を開くと、吸
入口４よりシール層３中のＮ、ガスが、また、吸入口５
より空気か吸入され、流量計付フィルタ１．１０で流量
がチェックされ、かつ塵挨勢が取り除かれた後、半導体
ガス検知センサ１１でガスの有無が検知された後、吸引
ポンプ１２を経て外部へ排出される。そして半導体ガス
検知センサ１１によりＮ、ガス中に可燃性ガス１が検知
されると指示・増幅ユニットＩＳで指示した所定レベル
に増幅され、警報ユニット１６のブザーが鳴動する。
入口４よりシール層３中のＮ、ガスが、また、吸入口５
より空気か吸入され、流量計付フィルタ１．１０で流量
がチェックされ、かつ塵挨勢が取り除かれた後、半導体
ガス検知センサ１１でガスの有無が検知された後、吸引
ポンプ１２を経て外部へ排出される。そして半導体ガス
検知センサ１１によりＮ、ガス中に可燃性ガス１が検知
されると指示・増幅ユニットＩＳで指示した所定レベル
に増幅され、警報ユニット１６のブザーが鳴動する。
このため、ブザーの鳴動によりＮ、ガス中に可燃性ガス
１が検出されたこと、すなわち、保冷槽２の可燃性ガス
１がシール層３内に漏洩Ｌ″′Ｃ′Ｃ混入とか判明する
。
１が検出されたこと、すなわち、保冷槽２の可燃性ガス
１がシール層３内に漏洩Ｌ″′Ｃ′Ｃ混入とか判明する
。
ところが、もともと半導体ガス検知センサ１１は大気中
で可燃性の微量ガスを検知することが主であり、Ｎｔガ
スだけの中で可燃性ガスを検知することは不可能と考え
られており、そのためＮ。
で可燃性の微量ガスを検知することが主であり、Ｎｔガ
スだけの中で可燃性ガスを検知することは不可能と考え
られており、そのためＮ。
ガス中での可燃性ガスの濃度に対する半導体ガス検知セ
ンサ１１の出力特性は考えられたことかなかった。
ンサ１１の出力特性は考えられたことかなかった。
したがって、Ｎ、ガスで覆われたシール層３に漏洩して
いる可燃性ガス１を検知する場合、一般的な検知方法と
しては、シール層３中のガスをサンプリングし、それを
空気と混合しく実用的にはサンプリングガスと空気との
混合比は１：１）、０、 ａ度が１０％以上の領域で使
用し℃いたので下記のように種々の問題が生じていた。
いる可燃性ガス１を検知する場合、一般的な検知方法と
しては、シール層３中のガスをサンプリングし、それを
空気と混合しく実用的にはサンプリングガスと空気との
混合比は１：１）、０、 ａ度が１０％以上の領域で使
用し℃いたので下記のように種々の問題が生じていた。
■ サンプリングガス中における可燃性ガス１の検出に
は空気を混入する会費があるため、再びＮ、ガスをシー
ル層３へ戻すことができず、省資源の妨げとなる。
は空気を混入する会費があるため、再びＮ、ガスをシー
ル層３へ戻すことができず、省資源の妨げとなる。
■ また、テンプリングシステムとして空気混用のシス
テ＾が付加されるので価格的に高くつき。
テ＾が付加されるので価格的に高くつき。
また、検知Ｍｌの信頼性も低くなる。
■ また、混入する大気の汚染により作動してしまう。
等である。
この発明は、上記の点にかんがみなされたものである。
以下、この発明について＊＠する。
まず、本発明者は、可燃性ガス１としてＣＨ４ガスを用
い、これのＮ、ガス中における濃度（ｐｐｍ）に対して
、０．ガスの混入量をパラメータとして半導体ガス検知
上／す１１の出力電圧（Ｖ）の測定を行った。これを第
２図に示す。
い、これのＮ、ガス中における濃度（ｐｐｍ）に対して
、０．ガスの混入量をパラメータとして半導体ガス検知
上／す１１の出力電圧（Ｖ）の測定を行った。これを第
２図に示す。
１１１２図はＮ、ガス中においてＯ，ガスの含有量なパ
ラメータとした場合のＣＨ，ガスの濃度に対する出力電
圧を示す特性図である。このｇにおいて一１１１ａはＯ
，ガｘｔ１％（Ｍｌ（ＮｔガＸ１Ｘ１００Ｉの場合の特
性で、ごく黴量りＣＭ、ガス濃度１例えばｌＯ〜２０ｐ
ｐｍの範囲で、６．６〜ＪＯＹの出力電圧が検知される
。さらに、ＣＨ，ガス濃度が］ Ｏｐｐｍ以下でも出力
電圧が得られる。 ２０ ｐｐｍ以上では出力電圧は飽
和する傾向な示す、また、曲線すはＯｔガスが０．５％
、１ＩＩＩ＃ｃは同じ（１，０％。
ラメータとした場合のＣＨ，ガスの濃度に対する出力電
圧を示す特性図である。このｇにおいて一１１１ａはＯ
，ガｘｔ１％（Ｍｌ（ＮｔガＸ１Ｘ１００Ｉの場合の特
性で、ごく黴量りＣＭ、ガス濃度１例えばｌＯ〜２０ｐ
ｐｍの範囲で、６．６〜ＪＯＹの出力電圧が検知される
。さらに、ＣＨ，ガス濃度が］ Ｏｐｐｍ以下でも出力
電圧が得られる。 ２０ ｐｐｍ以上では出力電圧は飽
和する傾向な示す、また、曲線すはＯｔガスが０．５％
、１ＩＩＩ＃ｃは同じ（１，０％。
１１１１鱒ｄは同じ（ｔ、ｓ％、＊ＪＩｓは同じ＜１０
−の場合の特性＊＊であり ＩＩＨＩＩｆは前述した従
来の空気を混入した場合の特性−線である。
−の場合の特性＊＊であり ＩＩＨＩＩｆは前述した従
来の空気を混入した場合の特性−線である。
第２図の各−線ｂ〜・かられかるよ５に、０゜カス力０
．５〜２． ＯＳ〕４ノ４：ＩＣＨ，カｘｌｌ）Ｊ［カ
２０〜２００ ｐｐｍで出力電圧４〜ｌ０ＶＫそれぞれ
平行して東北する。また、−纏ｆのように、従来の空気
を漏入した場合には、ＣＨ，ガス濃度が、３００〜１１
００ＯＯｐｐ で出力電圧が２．５〜ＩＯＶとなる。し
たがつ【、第２図によりＮ、ガス中で０２ガスがｏ％、
すなわち０２ガスが存在しなくても可燃性ガスのＣＨ４
ガスの検知がぎわめて高感度で行われることが判明した
。この発明は上記知見に基づきなされたものである。
．５〜２． ＯＳ〕４ノ４：ＩＣＨ，カｘｌｌ）Ｊ［カ
２０〜２００ ｐｐｍで出力電圧４〜ｌ０ＶＫそれぞれ
平行して東北する。また、−纏ｆのように、従来の空気
を漏入した場合には、ＣＨ，ガス濃度が、３００〜１１
００ＯＯｐｐ で出力電圧が２．５〜ＩＯＶとなる。し
たがつ【、第２図によりＮ、ガス中で０２ガスがｏ％、
すなわち０２ガスが存在しなくても可燃性ガスのＣＨ４
ガスの検知がぎわめて高感度で行われることが判明した
。この発明は上記知見に基づきなされたものである。
第３図はこの発明の一夾施例な示す概略構成図で、第４
１１の結果に基づいてなされたものである。
１１の結果に基づいてなされたものである。
この図において、１７はＮ、ガスのパイプ、１８は吐出
口であり、その他部１図と同一符号は同一部分を示す。
口であり、その他部１図と同一符号は同一部分を示す。
この実施例においては、シール層３からのＩＪｆｆｉガ
スを吸引ポンプ１２で吸入口４から吸入し、上記と同様
のシステムで可燃性ガス１を検知し、再び吐出口１畠よ
りシール層３内に戻す。
スを吸引ポンプ１２で吸入口４から吸入し、上記と同様
のシステムで可燃性ガス１を検知し、再び吐出口１畠よ
りシール層３内に戻す。
ところで、菖２図において、被検ガス中の０゜ガス濃度
が分れば、１ｌＮ２ＩｊＡ中の一１１１ａ〜・のどれに
＃当するかが判明するから、定量的に被検ガス濃度を知
ることができることになる。この原履に基づくこの発明
の第２の実施例について第４図により説明する。
が分れば、１ｌＮ２ＩｊＡ中の一１１１ａ〜・のどれに
＃当するかが判明するから、定量的に被検ガス濃度を知
ることができることになる。この原履に基づくこの発明
の第２の実施例について第４図により説明する。
第４図において、１１は第１のセンサであり、被検ガス
である可燃性ガスを検出するものであり、第３図の半導
体ガス検知セ／す１１と同じもので、ガス敏感性半導体
を用い、ＣＨ，ガスの濃度を検出する温度に保たれる。
である可燃性ガスを検出するものであり、第３図の半導
体ガス検知セ／す１１と同じもので、ガス敏感性半導体
を用い、ＣＨ，ガスの濃度を検出する温度に保たれる。
１・は第２のガスセンサで、同じくガス敏感性半導体を
用い、０．ガスの濃度を検出する温度に保たれる。２１
は増幅率が可変できる増幅器で、第１のガスセンサ１９
の出力を入力とし、ａＩ２のガスセンサ２ｏの出方で増
幅率を変化される。２２は指示器で、ＣＨ４ガスの濃度
を表示する。その他は第３図と同じである。
用い、０．ガスの濃度を検出する温度に保たれる。２１
は増幅率が可変できる増幅器で、第１のガスセンサ１９
の出力を入力とし、ａＩ２のガスセンサ２ｏの出方で増
幅率を変化される。２２は指示器で、ＣＨ４ガスの濃度
を表示する。その他は第３図と同じである。
次に、測定の操作について説明する。
パルプγを開けて流量計付フィルタｅと吸引ボ／プ１２
により適宜の流量になるようＫして、シール半層３内か
らガスを吸引する。吸引されたガスは、まず、ｔＩＩｋ
ｌのガスセンサ１−でＣＨ，ガスの濃度に比例した出力
電圧を得る。この出力電圧だけでは、菖２図の特性図中
の曲１ｉ１ａ〜ｅのどれに該当するかが不明であるので
、ＣＨ，ガスの濃度は一義的には定まらない、そこで菖
２のガスセンサ２０で、０！ガス濃度を検出する。これ
により、總２図の特性図中の一１７１ａ〜ｅのどれに該
当するかがわかるので、第２図でいえば、第１のガスセ
ン＋１１の出力電圧の線と第２のガス量／す２・で定め
られた曲線との交点からＣＨ，ガスの濃度を決定するこ
とができる。これを電気的に実行するため、第２のガス
センサスｏの出力電圧の大きさに応じ、増幅５）２１の
増幅率を自動的に変化させると、増幅器２１の出力電圧
はＣＨ４ガスの濃度に比例したものとなる。したがって
、指示器１２の指示からＣＨ，ガスの濃度を直読するこ
とができる。
により適宜の流量になるようＫして、シール半層３内か
らガスを吸引する。吸引されたガスは、まず、ｔＩＩｋ
ｌのガスセンサ１−でＣＨ，ガスの濃度に比例した出力
電圧を得る。この出力電圧だけでは、菖２図の特性図中
の曲１ｉ１ａ〜ｅのどれに該当するかが不明であるので
、ＣＨ，ガスの濃度は一義的には定まらない、そこで菖
２のガスセンサ２０で、０！ガス濃度を検出する。これ
により、總２図の特性図中の一１７１ａ〜ｅのどれに該
当するかがわかるので、第２図でいえば、第１のガスセ
ン＋１１の出力電圧の線と第２のガス量／す２・で定め
られた曲線との交点からＣＨ，ガスの濃度を決定するこ
とができる。これを電気的に実行するため、第２のガス
センサスｏの出力電圧の大きさに応じ、増幅５）２１の
増幅率を自動的に変化させると、増幅器２１の出力電圧
はＣＨ４ガスの濃度に比例したものとなる。したがって
、指示器１２の指示からＣＨ，ガスの濃度を直読するこ
とができる。
なお、上記実施例ではＣＨ，ガスについて示したが、偽
の可燃性ガスについても同様の結果が得られる。また、
ｌａｌ、菖２のガスセンサ１１１．２０の順序は逆にし
てもよい。
の可燃性ガスについても同様の結果が得られる。また、
ｌａｌ、菖２のガスセンサ１１１．２０の順序は逆にし
てもよい。
以上説明したようにこの発明は、可燃性ガスの検出を半
導体ガス検知センサを用いて行う場合。
導体ガス検知センサを用いて行う場合。
Ｎ！ガス中のＯ１湊度がＯｓで空気の混入しない状態で
可燃性ガスを検知するようにしたので、サップリングシ
ステムとして空気混入システムが不用となり、かつサン
プリングした不活性ガスを空中へ放散させることなく再
びシール層へ戻すことができるので、Ｎ、ガスの省資源
化か行われ、検知装置が安価となり４ＩＩＩＩＩ性も向
上できる。
可燃性ガスを検知するようにしたので、サップリングシ
ステムとして空気混入システムが不用となり、かつサン
プリングした不活性ガスを空中へ放散させることなく再
びシール層へ戻すことができるので、Ｎ、ガスの省資源
化か行われ、検知装置が安価となり４ＩＩＩＩＩ性も向
上できる。
さらＫこの発明は、Ｊｌｌ、＄２のガスセンナを用いて
、被側定ガス量と０！ガス量とを決定し、０、ガス量に
よって被側定ガス量を補正して求める被検ガス量を得る
ようにしたので、従来、鴻定＝ｂ＝困難であった黴小量
の被検ガス量も正確、かつ迅速に測定できる優れた利点
がある。
、被側定ガス量と０！ガス量とを決定し、０、ガス量に
よって被側定ガス量を補正して求める被検ガス量を得る
ようにしたので、従来、鴻定＝ｂ＝困難であった黴小量
の被検ガス量も正確、かつ迅速に測定できる優れた利点
がある。
第１図は保冷槽における可燃性ガスの検知装置の従来例
を示す概略構成図、第２図はＮ、ガス中においてＯ，ガ
スの含有量をパラメータとした場合のＣＨ，ガスの濃度
に対する出力電圧の関係を示す特性図、３１１３図はこ
の発明の一実施例を示す概略構成図、＠４図はこの発明
の他の実施例を示す概略構成図である。 図中、１は可燃性ガス、２は保冷槽、３はシール層、４
は吸入口、７はバルブ、１は流量計付フィルタ、１１は
半導体ガス検知センサ、１２は吸引ポンプ、１３はケー
ブル、１４は電源、１５は指示書増幅ユニット、１６は
警報ユニット、１Ｔはパイプ、１８は吐出口、１９は第
１のセンサ、２・は１Ｍ２のセンサ、２１は増幅器、２
２は指示器である。 第１図 第２図 ＣＨ４“力１１度（ｐｐｍ） − 第３図 第４図
を示す概略構成図、第２図はＮ、ガス中においてＯ，ガ
スの含有量をパラメータとした場合のＣＨ，ガスの濃度
に対する出力電圧の関係を示す特性図、３１１３図はこ
の発明の一実施例を示す概略構成図、＠４図はこの発明
の他の実施例を示す概略構成図である。 図中、１は可燃性ガス、２は保冷槽、３はシール層、４
は吸入口、７はバルブ、１は流量計付フィルタ、１１は
半導体ガス検知センサ、１２は吸引ポンプ、１３はケー
ブル、１４は電源、１５は指示書増幅ユニット、１６は
警報ユニット、１Ｔはパイプ、１８は吐出口、１９は第
１のセンサ、２・は１Ｍ２のセンサ、２１は増幅器、２
２は指示器である。 第１図 第２図 ＣＨ４“力１１度（ｐｐｍ） − 第３図 第４図
Claims (2)
- （１） Ｎ、ガス中に混入した可燃性ガスを空気の混
入なしに半導体ガス検知センサを用いて検知することを
特徴とするＮ、ガス中における可燃性ガスの検知方法。 - （２） Ｎ、ガスまたはわずかの０．ガスが含まれた
Ｎ、ガス中の可燃性ガスの濃度測定に際し、蕗】のガス
センサにより前記可燃性ガス量または０゜ガス量を測定
し、次いでｓ２のガスセンサにより０、ガス量または可
燃性ガス量を測定り、１１１１記０゜ガス量によって前
記可燃性ガス量を補正して求める可燃性ガス量を得るこ
とを脣徽とするＮ、ガス中における可燃性ガスの測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1484582A JPS58132652A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | Ｎ↓２ガス中における可燃性ガスの検知測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1484582A JPS58132652A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | Ｎ↓２ガス中における可燃性ガスの検知測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132652A true JPS58132652A (ja) | 1983-08-08 |
| JPS6155060B2 JPS6155060B2 (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=11872368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1484582A Granted JPS58132652A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | Ｎ↓２ガス中における可燃性ガスの検知測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132652A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0397842A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 溶融めっき付着量制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS519898A (ja) * | 1974-07-15 | 1976-01-26 | Figaro Eng | Gasukenshutsusochi |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1484582A patent/JPS58132652A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS519898A (ja) * | 1974-07-15 | 1976-01-26 | Figaro Eng | Gasukenshutsusochi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6155060B2 (ja) | 1986-11-26 |
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