JPS58130268A - 無電解めつき用活性化剤 - Google Patents
無電解めつき用活性化剤Info
- Publication number
- JPS58130268A JPS58130268A JP1160582A JP1160582A JPS58130268A JP S58130268 A JPS58130268 A JP S58130268A JP 1160582 A JP1160582 A JP 1160582A JP 1160582 A JP1160582 A JP 1160582A JP S58130268 A JPS58130268 A JP S58130268A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pdcl2
- activator
- concn
- palladium chloride
- electroless plating
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/1879—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミック上のタングステン導体に行なう無
電解めっき用活性化剤に関するものである。
電解めっき用活性化剤に関するものである。
セラミックス基板にタングステンによる導体を形成した
場合、他の回路や部品との接続信頼性を確保する為に、
無電解めっきを行なう方法が知られている。無電解めっ
きの環元反応を行なわしめる前処理工程では、パラジウ
ムをタングステン上に析出させる為の活性化処理を行な
っている。従来、活性化剤には塩酸に塩化パラジウムを
溶解したもの、あるいは苛性ソーダにＥＤＴＡ・２Ｎ、
等のキレート剤を介して塩化パラジウムを溶解したもの
が使用されていた。
場合、他の回路や部品との接続信頼性を確保する為に、
無電解めっきを行なう方法が知られている。無電解めっ
きの環元反応を行なわしめる前処理工程では、パラジウ
ムをタングステン上に析出させる為の活性化処理を行な
っている。従来、活性化剤には塩酸に塩化パラジウムを
溶解したもの、あるいは苛性ソーダにＥＤＴＡ・２Ｎ、
等のキレート剤を介して塩化パラジウムを溶解したもの
が使用されていた。
しかし、塩酸等の酸性タイプの活性化剤では理論的に酸
化したタングステンは溶解しずら〈、パラジウムが析出
ムラを発生する事が多い、その点。
化したタングステンは溶解しずら〈、パラジウムが析出
ムラを発生する事が多い、その点。
アルカリタイプの活性化剤は酸化したタングステンも溶
解する為、析出は均一になる。
解する為、析出は均一になる。
しかし、アルカリタイプの活性化剤はＩＤＴＡ・２Ｎａ
のキレート剤を介して調整する次め、塩化パラジウムが
溶解しずら〈、液の作成に時１’１ｉ１１を要している
。また、活性化の処理時間や温度についても管理範囲が
せまく、量産性に欠けている郷の欠点があった。
のキレート剤を介して調整する次め、塩化パラジウムが
溶解しずら〈、液の作成に時１’１ｉ１１を要している
。また、活性化の処理時間や温度についても管理範囲が
せまく、量産性に欠けている郷の欠点があった。
本発明の目的は、上記した従来の欠点である、液の作成
や管理の難しさ等の作業性と品質安定性を改良した新規
な活性化剤を提供するにある。
や管理の難しさ等の作業性と品質安定性を改良した新規
な活性化剤を提供するにある。
本発明によれば、苛性ソーダ、ＥＤＴＡ・２Ｎａ塩化パ
ラジウムにアンモニア水を添加スルことにょシ、塩化パ
ラジウムの溶解時間が従来の１／１ｏ以下と改良される
。
ラジウムにアンモニア水を添加スルことにょシ、塩化パ
ラジウムの溶解時間が従来の１／１ｏ以下と改良される
。
また、活性化処理の管理条件の温度は、従来の５５〜６
５Ｃの管理範囲に比べ富温で可能であり。
５Ｃの管理範囲に比べ富温で可能であり。
処理時間についても従来の１０秒〜１８０秒より３分〜
１５分と巾広い為１作業性が大巾に改善できる。さらに
、従来はパラジウムの異常付着を洗浄するキレート処理
工程が必要であったが１本発明は活性化処理のみでキレ
ート処理工程を省くことができ、工程の短縮が可能とな
る。
１５分と巾広い為１作業性が大巾に改善できる。さらに
、従来はパラジウムの異常付着を洗浄するキレート処理
工程が必要であったが１本発明は活性化処理のみでキレ
ート処理工程を省くことができ、工程の短縮が可能とな
る。
本発明の活性化剤の一合には、規定され九濃夏の苛性ソ
ーダ、ＩＤＥＡ・２Ｎ、、 アンモニア水、塩化パラジ
ウムを水に溶解すれば良いが、よシ早く塩化パラジウム
を溶解する為には直接アンモニア水の中に塩化パラジウ
ムを溶解すると曳い、また。
ーダ、ＩＤＥＡ・２Ｎ、、 アンモニア水、塩化パラジ
ウムを水に溶解すれば良いが、よシ早く塩化パラジウム
を溶解する為には直接アンモニア水の中に塩化パラジウ
ムを溶解すると曳い、また。
よシ安定な活性化処理を行なう各組成のｌｌｆの範囲は
、塩化パラジウムα０５ｇ７１１．ＩＤＥＡ・２Ｎ畠は
、塩化パラジウムのａ＋ｏｊｌ＆に対して２〜２０倍と
するのが良い、ｔた。アンモニアは、塩化パラジウムの
ｍｏｆｔ濃度に対して１〜５倍が良い、苛性ソーダは、
１００〜２００９／Ｉｔ添加する。
、塩化パラジウムα０５ｇ７１１．ＩＤＥＡ・２Ｎ畠は
、塩化パラジウムのａ＋ｏｊｌ＆に対して２〜２０倍と
するのが良い、ｔた。アンモニアは、塩化パラジウムの
ｍｏｆｔ濃度に対して１〜５倍が良い、苛性ソーダは、
１００〜２００９／Ｉｔ添加する。
以上の＃度で、水に溶解して調合した活性化剤について
、よシ品質安定性、経済性を考慮した場合の最適値は ｐｄａ＊２ ：α１ｇ／４１ ＦＤＴＡ”２Ｎａ：
２ｇ／Ｊ！Ｎ、ＯＨ：１００ｇ／ＩＩ ＮＨ，０ＩＩ
Ｉ２８Ｘ水溶液；２０＠ｊ１／Ｊｌ となる。
、よシ品質安定性、経済性を考慮した場合の最適値は ｐｄａ＊２ ：α１ｇ／４１ ＦＤＴＡ”２Ｎａ：
２ｇ／Ｊ！Ｎ、ＯＨ：１００ｇ／ＩＩ ＮＨ，０ＩＩ
Ｉ２８Ｘ水溶液；２０＠ｊ１／Ｊｌ となる。
以下１本発明を実施例により詳述する。
実施例−１
２８Ｘアンモニア水２０＋＋ｅｊ中に、塩化パラジウム
α１１ｔ溶解した後、水を約５００朧１加える。
α１１ｔ溶解した後、水を約５００朧１加える。
その後、 ｌ１ＤＴＡ・２Ｎａ ２９を溶解して、あ
らかじめ２００ｍ＋１の水に苛性ソーダを溶解し常温に
冷却し友ものを加え、水で全量を１ｊとした本発明の活
性化液で、タングステン導体を有するセラミックス基板
を常温で１０分間浸漬した。ついで水洗し、市販の無電
解ニッケル浴Ｋ１０分間浸漬してめっきを行なり九とこ
ろ、均一で密着が良いニッケルめっき被膜が得られ九。
らかじめ２００ｍ＋１の水に苛性ソーダを溶解し常温に
冷却し友ものを加え、水で全量を１ｊとした本発明の活
性化液で、タングステン導体を有するセラミックス基板
を常温で１０分間浸漬した。ついで水洗し、市販の無電
解ニッケル浴Ｋ１０分間浸漬してめっきを行なり九とこ
ろ、均一で密着が良いニッケルめっき被膜が得られ九。
実施例−２
水７００鴎１に苛性ソーダを２００Ｉｉ’ｉ溶解し室温
に冷却後、ＩＤＴＡ−２Ｎａ１に５ｊｌｌ！解し、塩化
パラジウムαｓｌｌ／１を添加して攪拌後、２８Ｘアン
モニア水を５０■１添加し充分溶解する。これにタング
ステン導体を有するセラミックス基板を１５分浸漬し、
ついで市販の無電解鋼めっき液に１５分間浸漬してめっ
きしたところ、均一で密着のよい銅めっき被膜が得られ
た。
に冷却後、ＩＤＴＡ−２Ｎａ１に５ｊｌｌ！解し、塩化
パラジウムαｓｌｌ／１を添加して攪拌後、２８Ｘアン
モニア水を５０■１添加し充分溶解する。これにタング
ステン導体を有するセラミックス基板を１５分浸漬し、
ついで市販の無電解鋼めっき液に１５分間浸漬してめっ
きしたところ、均一で密着のよい銅めっき被膜が得られ
た。
以上述べたように１本発明による活性化剤は塩化パラジ
ウムの溶解が早く、ま友活性化処理に際して液温は室温
で良く、かつ処理時間も作業性を考慮して３〜１５分の
間の任意の時間にできる。
ウムの溶解が早く、ま友活性化処理に際して液温は室温
で良く、かつ処理時間も作業性を考慮して３〜１５分の
間の任意の時間にできる。
マ穴１本活性化処理後は、キレート処理等異常析出を防
止する為の工程は不要となる。
止する為の工程は不要となる。
代理人弁理士 薄 １）利 ９”’Ｑｐｘ。
Claims (1)
- 苛性ソーダとＥＤＴＡ・２Ｎ、と、塩化パラジウムと、
アンモニアからなることを特徴とするタングステン纒体
上の無電解めっき用活性化剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160582A JPS58130268A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 無電解めつき用活性化剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160582A JPS58130268A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 無電解めつき用活性化剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130268A true JPS58130268A (ja) | 1983-08-03 |
| JPS6157913B2 JPS6157913B2 (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=11782532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160582A Granted JPS58130268A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 無電解めつき用活性化剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130268A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345378A (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
| EP0865515A1 (en) * | 1995-12-08 | 1998-09-23 | Cardiac Crc Nominees Pty. Ltd. | Electroless deposition of metallic coatings on non-conducting substances |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1160582A patent/JPS58130268A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345378A (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
| EP0865515A1 (en) * | 1995-12-08 | 1998-09-23 | Cardiac Crc Nominees Pty. Ltd. | Electroless deposition of metallic coatings on non-conducting substances |
| EP0865515A4 (en) * | 1995-12-08 | 1999-03-17 | Cardiac Crc Nominees Pty Ltd | DEPOSIT OF NON-CURRENT METAL COATINGS ON NON-CONDUCTIVE SUBSTANCES |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157913B2 (ja) | 1986-12-09 |
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