JPS6345378A - 無電解ニツケルめつき用活性化液 - Google Patents
無電解ニツケルめつき用活性化液Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は無電解ニッケルめっき用活性化液に関するもの
である。
である。
（従来の技術）
無電解ニッケルめっきにおいては、無電解ニッケルめっ
き反応をスタートさせるため素材に前処理としての活性
化処理を行っている。すなわち無電解ニッケルめっきに
おいては、素材をいきなりめっき液中に浸漬しても反応
が起らず、活性化処理を行って素材表面上に反応の核と
なる金属を付着させる必要があるのであり、めっき膜は
この核となる金属を中心として成長する。核となる金泥
はｐｔ等の貴金属である。
き反応をスタートさせるため素材に前処理としての活性
化処理を行っている。すなわち無電解ニッケルめっきに
おいては、素材をいきなりめっき液中に浸漬しても反応
が起らず、活性化処理を行って素材表面上に反応の核と
なる金属を付着させる必要があるのであり、めっき膜は
この核となる金属を中心として成長する。核となる金泥
はｐｔ等の貴金属である。
ところで素材表面の全面に無電解ニッケルめっきを施す
のでなく、例えばセラミック基板の表面に形成したメタ
ライズ配線パターン上のみに無電解ニッケルめっきを形
成するというように、素材表面の一部分に無電解ニッケ
ルめっきを施すことが要求される場合がある。この場合
にはもちろん当該一部分のみに選択的に核となる金属を
形成する必要がある。
のでなく、例えばセラミック基板の表面に形成したメタ
ライズ配線パターン上のみに無電解ニッケルめっきを形
成するというように、素材表面の一部分に無電解ニッケ
ルめっきを施すことが要求される場合がある。この場合
にはもちろん当該一部分のみに選択的に核となる金属を
形成する必要がある。
ところで従来においてこのような場合の活性化処理のた
めの活性化液は、Ｓｎ２＋を主成分とするセンシタイザ
−と称する液と、Ｐｄ２＋を主成分とするアクチヘータ
と称する液との２１夜がある。
めの活性化液は、Ｓｎ２＋を主成分とするセンシタイザ
−と称する液と、Ｐｄ２＋を主成分とするアクチヘータ
と称する液との２１夜がある。
活性化処理を行うには、まず素材をセンシタイザーに浸
漬する。するとセンシタイザ−中のＳｎ２＋がめっきす
べき金属部分に選択的に付着する５次いで素材をアクチ
ベーターに浸漬すれば、アクナベ−ター中のＰｄ２＋が
上記のＳｎ２＋とＶＩｌ換してめっきすべき金属部分に
付着するのである。
漬する。するとセンシタイザ−中のＳｎ２＋がめっきす
べき金属部分に選択的に付着する５次いで素材をアクチ
ベーターに浸漬すれば、アクナベ−ター中のＰｄ２＋が
上記のＳｎ２＋とＶＩｌ換してめっきすべき金属部分に
付着するのである。
なお活性化液にはＳｎ”＋とＰｄ”＋とが混在する１液
のものもある。
のものもある。
このようにＳｎ２＋が選択性を有するから、例えば前述
のセラミック基板上に形成したタングステンメタライズ
などの配線パターン上に無電解ニッケルめっきを行うこ
とができる。
のセラミック基板上に形成したタングステンメタライズ
などの配線パターン上に無電解ニッケルめっきを行うこ
とができる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし上記従来の活性化液にも次のような問題点がある
。
。
すなわち、センシタイザ−とアクチベーターの２液を用
いるのは厄介である。また上記のようにＳｎ２＋とＰｄ
２＋とが混在する１液のものもあるが、Ｓｎ２＋とＰｄ
２＋のイオン濃度のバランスを保つための液管理が厄介
である。
いるのは厄介である。また上記のようにＳｎ２＋とＰｄ
２＋とが混在する１液のものもあるが、Ｓｎ２＋とＰｄ
２＋のイオン濃度のバランスを保つための液管理が厄介
である。
さらには、Ｓｎ２＋は選択性を有してめっきすべき金属
部分のみに付着するが、Ｐｄ２＋は選択性を有さないの
で、非金、冗部分、すなわら前記の例ではセラミック基
板上にも若干付着して、該部位にまで無電解ニッケルめ
っき膜が形成され、高密度な配線パターンでは配線パタ
ーンを短絡させるおそれがある。
部分のみに付着するが、Ｐｄ２＋は選択性を有さないの
で、非金、冗部分、すなわら前記の例ではセラミック基
板上にも若干付着して、該部位にまで無電解ニッケルめ
っき膜が形成され、高密度な配線パターンでは配線パタ
ーンを短絡させるおそれがある。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
あり、その目的とするところは、１液でよく、かつ選択
性に優れ、目的とする部位のみに確実にめっきを行える
無電解ニッケルめっき用活性化液を提供するにある。
あり、その目的とするところは、１液でよく、かつ選択
性に優れ、目的とする部位のみに確実にめっきを行える
無電解ニッケルめっき用活性化液を提供するにある。
（発明の構成）
本発明は上記問題点を解消するため次の構成を備える。
すなわち、パラジウムアンモニウム錯体と水酸化アルカ
リ金属とを含むことを特徴とする。
リ金属とを含むことを特徴とする。
パラジウムアンモニウム錯体は、もちろん無電解ニッケ
ルめっき反応のスタートとなる核となる金属の供給源で
ある。パラジウムアンモニウム錯体の濃度はｌｐｐｍ程
度の微量であっても有効であり、また特に上限はない。
ルめっき反応のスタートとなる核となる金属の供給源で
ある。パラジウムアンモニウム錯体の濃度はｌｐｐｍ程
度の微量であっても有効であり、また特に上限はない。
しかしパラジウム化合物は高価であり、濃度を高（する
と持ち出し量が多くなって不経済であるから、パラジウ
ムアンモニウム錯体の濃度は１ｐｐｉ〜１０ｇ／ Ｉ！
程度とするのがよい。
と持ち出し量が多くなって不経済であるから、パラジウ
ムアンモニウム錯体の濃度は１ｐｐｉ〜１０ｇ／ Ｉ！
程度とするのがよい。
水酸化アルカリ金属は、ＫＯＨ、Ｎａ０Ｎ等が有効であ
り、めっき部位の金属、例えばタングステンを若干溶解
し、Ｗ６＋とじて液中に存在させ乙。水酸化アルカリ金
属は活性化液を強アルカリにする。
り、めっき部位の金属、例えばタングステンを若干溶解
し、Ｗ６＋とじて液中に存在させ乙。水酸化アルカリ金
属は活性化液を強アルカリにする。
上記のＷ６＋と置換してパラジウムがめつき部位の金属
に付着するのである。
に付着するのである。
パラジウムアンモニウム錯体は液中ではＰｄ２＋でなく
錯イオンとして存在する。そしてこの錯イオンの形では
タングステン等の配線パターン上およびセラミック基板
表面上に付着することはない。
錯イオンとして存在する。そしてこの錯イオンの形では
タングステン等の配線パターン上およびセラミック基板
表面上に付着することはない。
前記したようにＷ５＋と置換してパラジウムが金属パラ
ジウム化合物形で配線パターン上に選択的に付着するの
である。すなわちパラジウムはアンモニウム基と解離し
てＰｄの形で付着する。パラジウムアンモニウム錯体の
解離エネルギーはそれ程高（なく、Ｗ５＋との冒換力に
よって解離するとみられる。このようにパラジウムアン
モニウム錯体はそれ程安定度の高いものではないが、セ
ラミック基板表面に対しては充分安定であって前記した
ように錯イオンとして付着することもな（、また解離し
てＰｄＯ形で付着することもない。
ジウム化合物形で配線パターン上に選択的に付着するの
である。すなわちパラジウムはアンモニウム基と解離し
てＰｄの形で付着する。パラジウムアンモニウム錯体の
解離エネルギーはそれ程高（なく、Ｗ５＋との冒換力に
よって解離するとみられる。このようにパラジウムアン
モニウム錯体はそれ程安定度の高いものではないが、セ
ラミック基板表面に対しては充分安定であって前記した
ように錯イオンとして付着することもな（、また解離し
てＰｄＯ形で付着することもない。
したがってパラジウムアンモニウム錯体は、メタライズ
配線パターン上のみにＰｄＯ形で極めて選択性よく付着
する結果となり、所望の活性化液が得られた。なおこの
選択性はＷのみならず、１０等の■族の金属一般に良好
であった。
配線パターン上のみにＰｄＯ形で極めて選択性よく付着
する結果となり、所望の活性化液が得られた。なおこの
選択性はＷのみならず、１０等の■族の金属一般に良好
であった。
パラジウムアンモニウム錯体としては、Ｐｄ’ （ＮＨ
３） ａ ［：Ｌ 、Ｐｄ （ＮＨ３） ａＢｒ２、Ｐ
ｄ （ＮＨ３） ４ ＳＯ４等が好適に用いられる。こ
れらは液中でＰｄ （Ｎｌ！３）ｉ’の錯イオンの形で
存在する。その他のアンモニウム錯体としてはＰｄ （
Ｎ）ｌｉ）′、＋の錯イオンとなるものでもよい。
３） ａ ［：Ｌ 、Ｐｄ （ＮＨ３） ａＢｒ２、Ｐ
ｄ （ＮＨ３） ４ ＳＯ４等が好適に用いられる。こ
れらは液中でＰｄ （Ｎｌ！３）ｉ’の錯イオンの形で
存在する。その他のアンモニウム錯体としてはＰｄ （
Ｎ）ｌｉ）′、＋の錯イオンとなるものでもよい。
一二おパラジウムのシアン錯体は液中での安定度が富＜
、容易に解離せず、核金属の付着、形成は不充分であっ
た。
、容易に解離せず、核金属の付着、形成は不充分であっ
た。
以下に具体的な実施例を示す
〔実施例〕
Ｐｄ （Ｎ）１３）４１ｆ）２３５０ｍｇ／ ｌＫＯ３
２００ｇ／β 浴温 ４０〜ｂ上記組成の活
性化液に■族（Ｗ、Ｍｏ、あるいはｎｏ−Ｍｎ）金属の
メタライズ配線パターンを有するセラミック基板を１〜
５分間浸漬してパラジウムをメタライズ配線パターン上
に析出させた。このセラミック基板を無電解ニッケルめ
っき液に浸漬したところ、充分選択性のあるニッケルめ
っき膜が得られた。
２００ｇ／β 浴温 ４０〜ｂ上記組成の活
性化液に■族（Ｗ、Ｍｏ、あるいはｎｏ−Ｍｎ）金属の
メタライズ配線パターンを有するセラミック基板を１〜
５分間浸漬してパラジウムをメタライズ配線パターン上
に析出させた。このセラミック基板を無電解ニッケルめ
っき液に浸漬したところ、充分選択性のあるニッケルめ
っき膜が得られた。
Ｐｄ （Ｎｔ１３）４ＣＬの代りに、Ｐｄ （ＮＨ３）
ａＢ ｒ２、Ｐｄ （ＮＨ３） ａ ＳＯ４をそれぞ
れ用いたところ上記と同様に選択性に優れた無電解ニッ
ケルめっき膜を得た。
ａＢ ｒ２、Ｐｄ （ＮＨ３） ａ ＳＯ４をそれぞ
れ用いたところ上記と同様に選択性に優れた無電解ニッ
ケルめっき膜を得た。
（発明の効果）
以上のように本発明に係る無電解ニッケルめっき用活性
化液によれば、１液でよくて液管理が容易であると共に
、選択性に優れ、目的とする部位のみに確実に核金属と
なるパラジウムを付着させることができる。
化液によれば、１液でよくて液管理が容易であると共に
、選択性に優れ、目的とする部位のみに確実に核金属と
なるパラジウムを付着させることができる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パラジウムアンモニウム錯体と水酸化アルカリ金属
とを含むことを特徴とする無電解ニッケルめっき用活性
化液 ２、パラジウムアンモニウム錯体が液中でＰｄ（ＮＨ＿
３）である特許請求の範囲第１項記載の無電解ニッケル
めっき用活性化液。 ３、パラジウムアンモニウム錯体が液中でＰｄ（ＮＨ＿
３）である特許請求の範囲第１項記載の無電解ニッケル
めっき用活性化液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18718286A JPS6345378A (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18718286A JPS6345378A (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345378A true JPS6345378A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16201542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18718286A Pending JPS6345378A (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345378A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH021127A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
| CN114959665A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-30 | 金川集团股份有限公司 | 一种印制线路板化学镀铜用胶体钯活化液的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5234573A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-16 | Kubota Ltd | Carrying device for thing such as ashes |
| JPS58130268A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Hitachi Ltd | 無電解めつき用活性化剤 |
-
1986
- 1986-08-09 JP JP18718286A patent/JPS6345378A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5234573A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-16 | Kubota Ltd | Carrying device for thing such as ashes |
| JPS58130268A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Hitachi Ltd | 無電解めつき用活性化剤 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH021127A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
| CN114959665A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-30 | 金川集团股份有限公司 | 一种印制线路板化学镀铜用胶体钯活化液的制备方法 |
| CN114959665B (zh) * | 2022-04-25 | 2024-03-01 | 金川集团股份有限公司 | 一种印制线路板化学镀铜用胶体钯活化液的制备方法 |
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