JPS6345378A - 無電解ニツケルめつき用活性化液 - Google Patents
無電解ニツケルめつき用活性化液Info
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 15
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 2
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は無電解ニッケルめっき用活性化液に関するもの
である。
である。
(従来の技術)
無電解ニッケルめっきにおいては、無電解ニッケルめっ
き反応をスタートさせるため素材に前処理としての活性
化処理を行っている。すなわち無電解ニッケルめっきに
おいては、素材をいきなりめっき液中に浸漬しても反応
が起らず、活性化処理を行って素材表面上に反応の核と
なる金属を付着させる必要があるのであり、めっき膜は
この核となる金属を中心として成長する。核となる金泥
はpt等の貴金属である。
き反応をスタートさせるため素材に前処理としての活性
化処理を行っている。すなわち無電解ニッケルめっきに
おいては、素材をいきなりめっき液中に浸漬しても反応
が起らず、活性化処理を行って素材表面上に反応の核と
なる金属を付着させる必要があるのであり、めっき膜は
この核となる金属を中心として成長する。核となる金泥
はpt等の貴金属である。
ところで素材表面の全面に無電解ニッケルめっきを施す
のでなく、例えばセラミック基板の表面に形成したメタ
ライズ配線パターン上のみに無電解ニッケルめっきを形
成するというように、素材表面の一部分に無電解ニッケ
ルめっきを施すことが要求される場合がある。この場合
にはもちろん当該一部分のみに選択的に核となる金属を
形成する必要がある。
のでなく、例えばセラミック基板の表面に形成したメタ
ライズ配線パターン上のみに無電解ニッケルめっきを形
成するというように、素材表面の一部分に無電解ニッケ
ルめっきを施すことが要求される場合がある。この場合
にはもちろん当該一部分のみに選択的に核となる金属を
形成する必要がある。
ところで従来においてこのような場合の活性化処理のた
めの活性化液は、Sn2+を主成分とするセンシタイザ
−と称する液と、Pd2+を主成分とするアクチヘータ
と称する液との21夜がある。
めの活性化液は、Sn2+を主成分とするセンシタイザ
−と称する液と、Pd2+を主成分とするアクチヘータ
と称する液との21夜がある。
活性化処理を行うには、まず素材をセンシタイザーに浸
漬する。するとセンシタイザ−中のSn2+がめっきす
べき金属部分に選択的に付着する5次いで素材をアクチ
ベーターに浸漬すれば、アクナベ−ター中のPd2+が
上記のSn2+とVIl換してめっきすべき金属部分に
付着するのである。
漬する。するとセンシタイザ−中のSn2+がめっきす
べき金属部分に選択的に付着する5次いで素材をアクチ
ベーターに浸漬すれば、アクナベ−ター中のPd2+が
上記のSn2+とVIl換してめっきすべき金属部分に
付着するのである。
なお活性化液にはSn”+とPd”+とが混在する1液
のものもある。
のものもある。
このようにSn2+が選択性を有するから、例えば前述
のセラミック基板上に形成したタングステンメタライズ
などの配線パターン上に無電解ニッケルめっきを行うこ
とができる。
のセラミック基板上に形成したタングステンメタライズ
などの配線パターン上に無電解ニッケルめっきを行うこ
とができる。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし上記従来の活性化液にも次のような問題点がある
。
。
すなわち、センシタイザ−とアクチベーターの2液を用
いるのは厄介である。また上記のようにSn2+とPd
2+とが混在する1液のものもあるが、Sn2+とPd
2+のイオン濃度のバランスを保つための液管理が厄介
である。
いるのは厄介である。また上記のようにSn2+とPd
2+とが混在する1液のものもあるが、Sn2+とPd
2+のイオン濃度のバランスを保つための液管理が厄介
である。
さらには、Sn2+は選択性を有してめっきすべき金属
部分のみに付着するが、Pd2+は選択性を有さないの
で、非金、冗部分、すなわら前記の例ではセラミック基
板上にも若干付着して、該部位にまで無電解ニッケルめ
っき膜が形成され、高密度な配線パターンでは配線パタ
ーンを短絡させるおそれがある。
部分のみに付着するが、Pd2+は選択性を有さないの
で、非金、冗部分、すなわら前記の例ではセラミック基
板上にも若干付着して、該部位にまで無電解ニッケルめ
っき膜が形成され、高密度な配線パターンでは配線パタ
ーンを短絡させるおそれがある。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
あり、その目的とするところは、1液でよく、かつ選択
性に優れ、目的とする部位のみに確実にめっきを行える
無電解ニッケルめっき用活性化液を提供するにある。
あり、その目的とするところは、1液でよく、かつ選択
性に優れ、目的とする部位のみに確実にめっきを行える
無電解ニッケルめっき用活性化液を提供するにある。
(発明の構成)
本発明は上記問題点を解消するため次の構成を備える。
すなわち、パラジウムアンモニウム錯体と水酸化アルカ
リ金属とを含むことを特徴とする。
リ金属とを含むことを特徴とする。
パラジウムアンモニウム錯体は、もちろん無電解ニッケ
ルめっき反応のスタートとなる核となる金属の供給源で
ある。パラジウムアンモニウム錯体の濃度はlppm程
度の微量であっても有効であり、また特に上限はない。
ルめっき反応のスタートとなる核となる金属の供給源で
ある。パラジウムアンモニウム錯体の濃度はlppm程
度の微量であっても有効であり、また特に上限はない。
しかしパラジウム化合物は高価であり、濃度を高(する
と持ち出し量が多くなって不経済であるから、パラジウ
ムアンモニウム錯体の濃度は1ppi〜10g/ I!
程度とするのがよい。
と持ち出し量が多くなって不経済であるから、パラジウ
ムアンモニウム錯体の濃度は1ppi〜10g/ I!
程度とするのがよい。
水酸化アルカリ金属は、KOH、Na0N等が有効であ
り、めっき部位の金属、例えばタングステンを若干溶解
し、W6+とじて液中に存在させ乙。水酸化アルカリ金
属は活性化液を強アルカリにする。
り、めっき部位の金属、例えばタングステンを若干溶解
し、W6+とじて液中に存在させ乙。水酸化アルカリ金
属は活性化液を強アルカリにする。
上記のW6+と置換してパラジウムがめつき部位の金属
に付着するのである。
に付着するのである。
パラジウムアンモニウム錯体は液中ではPd2+でなく
錯イオンとして存在する。そしてこの錯イオンの形では
タングステン等の配線パターン上およびセラミック基板
表面上に付着することはない。
錯イオンとして存在する。そしてこの錯イオンの形では
タングステン等の配線パターン上およびセラミック基板
表面上に付着することはない。
前記したようにW5+と置換してパラジウムが金属パラ
ジウム化合物形で配線パターン上に選択的に付着するの
である。すなわちパラジウムはアンモニウム基と解離し
てPdの形で付着する。パラジウムアンモニウム錯体の
解離エネルギーはそれ程高(なく、W5+との冒換力に
よって解離するとみられる。このようにパラジウムアン
モニウム錯体はそれ程安定度の高いものではないが、セ
ラミック基板表面に対しては充分安定であって前記した
ように錯イオンとして付着することもな(、また解離し
てPdO形で付着することもない。
ジウム化合物形で配線パターン上に選択的に付着するの
である。すなわちパラジウムはアンモニウム基と解離し
てPdの形で付着する。パラジウムアンモニウム錯体の
解離エネルギーはそれ程高(なく、W5+との冒換力に
よって解離するとみられる。このようにパラジウムアン
モニウム錯体はそれ程安定度の高いものではないが、セ
ラミック基板表面に対しては充分安定であって前記した
ように錯イオンとして付着することもな(、また解離し
てPdO形で付着することもない。
したがってパラジウムアンモニウム錯体は、メタライズ
配線パターン上のみにPdO形で極めて選択性よく付着
する結果となり、所望の活性化液が得られた。なおこの
選択性はWのみならず、10等の■族の金属一般に良好
であった。
配線パターン上のみにPdO形で極めて選択性よく付着
する結果となり、所望の活性化液が得られた。なおこの
選択性はWのみならず、10等の■族の金属一般に良好
であった。
パラジウムアンモニウム錯体としては、Pd’ (NH
3) a [:L 、Pd (NH3) aBr2、P
d (NH3) 4 SO4等が好適に用いられる。こ
れらは液中でPd (Nl!3)i’の錯イオンの形で
存在する。その他のアンモニウム錯体としてはPd (
N)li)′、+の錯イオンとなるものでもよい。
3) a [:L 、Pd (NH3) aBr2、P
d (NH3) 4 SO4等が好適に用いられる。こ
れらは液中でPd (Nl!3)i’の錯イオンの形で
存在する。その他のアンモニウム錯体としてはPd (
N)li)′、+の錯イオンとなるものでもよい。
一二おパラジウムのシアン錯体は液中での安定度が富<
、容易に解離せず、核金属の付着、形成は不充分であっ
た。
、容易に解離せず、核金属の付着、形成は不充分であっ
た。
以下に具体的な実施例を示す
〔実施例〕
Pd (N)13)41f)2350mg/ lKO3
200g/β 浴温 40〜b上記組成の活
性化液に■族(W、Mo、あるいはno−Mn)金属の
メタライズ配線パターンを有するセラミック基板を1〜
5分間浸漬してパラジウムをメタライズ配線パターン上
に析出させた。このセラミック基板を無電解ニッケルめ
っき液に浸漬したところ、充分選択性のあるニッケルめ
っき膜が得られた。
200g/β 浴温 40〜b上記組成の活
性化液に■族(W、Mo、あるいはno−Mn)金属の
メタライズ配線パターンを有するセラミック基板を1〜
5分間浸漬してパラジウムをメタライズ配線パターン上
に析出させた。このセラミック基板を無電解ニッケルめ
っき液に浸漬したところ、充分選択性のあるニッケルめ
っき膜が得られた。
Pd (Nt13)4CLの代りに、Pd (NH3)
aB r2、Pd (NH3) a SO4をそれぞ
れ用いたところ上記と同様に選択性に優れた無電解ニッ
ケルめっき膜を得た。
aB r2、Pd (NH3) a SO4をそれぞ
れ用いたところ上記と同様に選択性に優れた無電解ニッ
ケルめっき膜を得た。
(発明の効果)
以上のように本発明に係る無電解ニッケルめっき用活性
化液によれば、1液でよくて液管理が容易であると共に
、選択性に優れ、目的とする部位のみに確実に核金属と
なるパラジウムを付着させることができる。
化液によれば、1液でよくて液管理が容易であると共に
、選択性に優れ、目的とする部位のみに確実に核金属と
なるパラジウムを付着させることができる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パラジウムアンモニウム錯体と水酸化アルカリ金属
とを含むことを特徴とする無電解ニッケルめっき用活性
化液 2、パラジウムアンモニウム錯体が液中でPd(NH_
3)である特許請求の範囲第1項記載の無電解ニッケル
めっき用活性化液。 3、パラジウムアンモニウム錯体が液中でPd(NH_
3)である特許請求の範囲第1項記載の無電解ニッケル
めっき用活性化液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18718286A JPS6345378A (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18718286A JPS6345378A (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6345378A true JPS6345378A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16201542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18718286A Pending JPS6345378A (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 無電解ニツケルめつき用活性化液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6345378A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH021127A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
CN114959665A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-30 | 金川集团股份有限公司 | 一种印制线路板化学镀铜用胶体钯活化液的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5234573A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-16 | Kubota Ltd | Carrying device for thing such as ashes |
JPS58130268A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Hitachi Ltd | 無電解めつき用活性化剤 |
-
1986
- 1986-08-09 JP JP18718286A patent/JPS6345378A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5234573A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-16 | Kubota Ltd | Carrying device for thing such as ashes |
JPS58130268A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Hitachi Ltd | 無電解めつき用活性化剤 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH021127A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-01-05 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
CN114959665A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-30 | 金川集团股份有限公司 | 一种印制线路板化学镀铜用胶体钯活化液的制备方法 |
CN114959665B (zh) * | 2022-04-25 | 2024-03-01 | 金川集团股份有限公司 | 一种印制线路板化学镀铜用胶体钯活化液的制备方法 |
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