JPS58125964A - 電荷転送撮像装置の駆動方法 - Google Patents
電荷転送撮像装置の駆動方法Info
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- JPS58125964A JPS58125964A JP57008437A JP843782A JPS58125964A JP S58125964 A JPS58125964 A JP S58125964A JP 57008437 A JP57008437 A JP 57008437A JP 843782 A JP843782 A JP 843782A JP S58125964 A JPS58125964 A JP S58125964A
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- adverse
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は%1何転送装置の駆動方法に関するものである
。
。
亀伺転送装飯を用いた撮gI!装置はフレーム転送方式
、インターライン転送方式と呼はれる方式が開発されて
おり、一体4に置の特徴である小型、低消費電力、緬(
N練性をaK急速に発展している。しかし撮像装置の利
害得失を考えると、先に述べた向体俟箇の利点の外、雑
音、残像、焼き付き、等では現在使用されている撮像管
より優れているがプルーミング、スミア現象に問題を残
している。
、インターライン転送方式と呼はれる方式が開発されて
おり、一体4に置の特徴である小型、低消費電力、緬(
N練性をaK急速に発展している。しかし撮像装置の利
害得失を考えると、先に述べた向体俟箇の利点の外、雑
音、残像、焼き付き、等では現在使用されている撮像管
より優れているがプルーミング、スミア現象に問題を残
している。
またこの様な電傭転送装置をカメラ勢のシステムとして
用いる場合に入射光源を調節するため機械的根本、すな
わち紋りを心機とする。
用いる場合に入射光源を調節するため機械的根本、すな
わち紋りを心機とする。
従来のインターライン転送方式によるtm転送伽悔k1
1は第1図に不すよ5に同−電荷転送電棚群で&lA勤
する複数列の垂直シフトレジスタ11と、各垂直シフト
レンスタのm個に@接し、且つ互いに′#L気的に分離
された光電変換部12と、垂臨シフトレジスタと光電変
換部の信号電荷転送を制御するトランスフアゲ−1に物
13と、各垂直シフトレンスフの一端に電気的に結合し
た亀醒転送水半シフトレンスタ14と、水平シフトレジ
スタのm−に信号1萄を検出する装置15が設けられて
いる。
1は第1図に不すよ5に同−電荷転送電棚群で&lA勤
する複数列の垂直シフトレジスタ11と、各垂直シフト
レンスタのm個に@接し、且つ互いに′#L気的に分離
された光電変換部12と、垂臨シフトレジスタと光電変
換部の信号電荷転送を制御するトランスフアゲ−1に物
13と、各垂直シフトレンスフの一端に電気的に結合し
た亀醒転送水半シフトレンスタ14と、水平シフトレジ
スタのm−に信号1萄を検出する装置15が設けられて
いる。
このようなインターライン転送方式による電倫転送撮倫
装置は、光電変l11部12で入射光量にkhじて信号
電倫を、例えはトランスファグー)13を介してそれぞ
れに対応する垂直シフトレンスフ11へ転送する。垂直
シフトレンスタヘ(を号亀傭を転送した彼、トランス7
アグートが閉じられ、光電変換部11社次の周期の!4
亀向を蓄積する。
装置は、光電変l11部12で入射光量にkhじて信号
電倫を、例えはトランスファグー)13を介してそれぞ
れに対応する垂直シフトレンスフ11へ転送する。垂直
シフトレンスタヘ(を号亀傭を転送した彼、トランス7
アグートが閉じられ、光電変換部11社次の周期の!4
亀向を蓄積する。
一方f!直シフトレンスタ11へ転送された信号電荷は
並列に本論方向に転送し、各垂直シフトレジスタの一水
平ライン毎に、水平シフトレンスフItに転送される。
並列に本論方向に転送し、各垂直シフトレジスタの一水
平ライン毎に、水平シフトレンスフItに転送される。
水平シフトレンスフへ送られた1鎗は次の垂直シフトレ
ンスフから信号が転送されて来る関に水平方向に信号電
荷を転送し検出する装置15から信号として外部に取り
出される。
ンスフから信号が転送されて来る関に水平方向に信号電
荷を転送し検出する装置15から信号として外部に取り
出される。
第2図は第1図に示す電荷転送撮像装置のA−A’縁線
上断面を模式的に示したものである。嬉2−において、
基板半導体16とP−N接合を形成し且つ、接合の深さ
が異なる二つのP型領域22.。
上断面を模式的に示したものである。嬉2−において、
基板半導体16とP−N接合を形成し且つ、接合の深さ
が異なる二つのP型領域22.。
23が形成されており、及び接合の浅いPill域22
上22上型の光′a変換餉域24が形成されており、接
合の沫いP型領域23上にはNfiの埋込みチャネルの
垂直シフトレジスタ25が形成されている。
上22上型の光′a変換餉域24が形成されており、接
合の沫いP型領域23上にはNfiの埋込みチャネルの
垂直シフトレジスタ25が形成されている。
第3図は第2図に光電変換部QB −B/−上の電位分
布図であり、横軸は深さ方向の距慝、縦軸は電位を表し
ている。今第21NK示すチャネルスト、プ憔域20の
電位を基準電位、(この場合Oポルト)とする。N型の
光電変換領域24はトランスファゲート13の電圧をv
9゜、トランスファゲートの閾値電圧を■、とすると■
、。−v、O電位でセットされる6またPfi領域22
と基、$16に印加する直流の逆バイアス電圧■、Il
b を曲#26で示す低い電圧から、より^い逆バイ
アス電圧vsobKすると曲線27のようにPM!伯域
22は完全に空乏化する。光電変換領域24に光が照射
され信号電荷がS*すると、充電変換領域24の電位は
曲線28から曲I!29のように小さくなうてゆき最終
的には曲線30のように充電変換領域24とpmta域
22の接合は順方向となり、これ以上光電変換領域24
で発生した電荷はPfi基板餉域22を介して基板半導
体16へ流れ込む。すなわち第2因で示すトランスファ
グー)13直下、チャネルスト、プ領域20[下、およ
び図ポしていないが光電変換領域24を曲む全ての領域
の表面電位より光電変換領域24とPa1m域22の接
合電位が轟くなるように基板半導体とP製11K域22
に直流の逆バイアス電圧を印加することにより、充電変
換fiI域24で発生する過剰′SIL術は完全に基板
半導体16へ掃き出すことができる。この構造及び動作
によって1ルーミング現象を完全に抑制することができ
る。
布図であり、横軸は深さ方向の距慝、縦軸は電位を表し
ている。今第21NK示すチャネルスト、プ憔域20の
電位を基準電位、(この場合Oポルト)とする。N型の
光電変換領域24はトランスファゲート13の電圧をv
9゜、トランスファゲートの閾値電圧を■、とすると■
、。−v、O電位でセットされる6またPfi領域22
と基、$16に印加する直流の逆バイアス電圧■、Il
b を曲#26で示す低い電圧から、より^い逆バイ
アス電圧vsobKすると曲線27のようにPM!伯域
22は完全に空乏化する。光電変換領域24に光が照射
され信号電荷がS*すると、充電変換領域24の電位は
曲線28から曲I!29のように小さくなうてゆき最終
的には曲線30のように充電変換領域24とpmta域
22の接合は順方向となり、これ以上光電変換領域24
で発生した電荷はPfi基板餉域22を介して基板半導
体16へ流れ込む。すなわち第2因で示すトランスファ
グー)13直下、チャネルスト、プ領域20[下、およ
び図ポしていないが光電変換領域24を曲む全ての領域
の表面電位より光電変換領域24とPa1m域22の接
合電位が轟くなるように基板半導体とP製11K域22
に直流の逆バイアス電圧を印加することにより、充電変
換fiI域24で発生する過剰′SIL術は完全に基板
半導体16へ掃き出すことができる。この構造及び動作
によって1ルーミング現象を完全に抑制することができ
る。
m4sFi新しい駆動方法のタイミングチャートft示
すものである。第4凶に示す駆動方法の特徴は、第2図
に示した半導体基板とP−N接合を形成し且つ接合深さ
が異なる二つ+2)PW領埴22゜23との間に印加す
る逆バイアス−圧φ、ubが二つのレベルmys″、*
V 、 sを持つことである。
すものである。第4凶に示す駆動方法の特徴は、第2図
に示した半導体基板とP−N接合を形成し且つ接合深さ
が異なる二つ+2)PW領埴22゜23との間に印加す
る逆バイアス−圧φ、ubが二つのレベルmys″、*
V 、 sを持つことである。
第5図は第3図と同様に、第2図に不す電鎗転送撮偉装
置のB−B’線上の深さ方向の電位を示したものである
。
置のB−B’線上の深さ方向の電位を示したものである
。
第4図における時刻t!のとき、半導体基板16とP−
N接合を形成するP麺領域22との間に1」加する逆バ
イアス電圧φambは′″v@′である。
N接合を形成するP麺領域22との間に1」加する逆バ
イアス電圧φambは′″v@′である。
第5図において、この逆バイアス電圧φsub”o”は
N型の光電変換領域24とP型韻域22が順方向となる
必袈がある。第5図にこの逆バイアス電圧φ、、@■。
N型の光電変換領域24とP型韻域22が順方向となる
必袈がある。第5図にこの逆バイアス電圧φ、、@■。
′ の作る電位分布の曲−を31′t″ボす、この逆バ
イアス電圧φ。b@Vo′のレベルの期間、光電変換領
域24に入射して発生した1111L倫は、Nij&の
光電変f14域24とP型餉城22が順方向となってい
るため基板半導体16に掃き出されるため、信号電荷と
はならない。
イアス電圧φ。b@Vo′のレベルの期間、光電変換領
域24に入射して発生した1111L倫は、Nij&の
光電変f14域24とP型餉城22が順方向となってい
るため基板半導体16に掃き出されるため、信号電荷と
はならない。
時刻t、のとき、逆バイアス電圧φsubは1■。′か
ら1■、′に変るため、光電変換部の深さ方向電位を示
す曲線は31から曲線27に変る。逆バイアス電圧φ□
、が“■s′のレベルのJ9]115中、Nfiの光電
変換領域24に入射した光によって発生した11!体は
信号電画となり、Nilの光電1換領域24に蓄積され
、入射光量KZじてN型の光電変換領域24の電位は曲
線28から小さくなっていく。
ら1■、′に変るため、光電変換部の深さ方向電位を示
す曲線は31から曲線27に変る。逆バイアス電圧φ□
、が“■s′のレベルのJ9]115中、Nfiの光電
変換領域24に入射した光によって発生した11!体は
信号電画となり、Nilの光電1換領域24に蓄積され
、入射光量KZじてN型の光電変換領域24の電位は曲
線28から小さくなっていく。
陶a@Sのとき、トランスファゲートに電圧v1.が印
加され、Njllの光電変換領域24に蓄線されていた
個号電¥RFi垂直シフトレジスタ11に転送される。
加され、Njllの光電変換領域24に蓄線されていた
個号電¥RFi垂直シフトレジスタ11に転送される。
この時、Nff1の光電1換領域24は■、。−■?
の電位でセットされる。
の電位でセットされる。
垂直シフトレンスタが竜角転送を始める前の時刻14
のとき、N型の光電変換領域24は再び逆バイアス電圧
φsub”*”が印加され、次のフィールドの動作を瞳
り返していく。
のとき、N型の光電変換領域24は再び逆バイアス電圧
φsub”*”が印加され、次のフィールドの動作を瞳
り返していく。
この動作により1フイールドでの光の蓄積時間は時刻t
、から時刻t1までの期間T1である。期間T、會大入
射光に応じ、入射光量が多い時に短く、入射光量が少な
い時は長くすること罠より信号電荷を制御できる。
、から時刻t1までの期間T1である。期間T、會大入
射光に応じ、入射光量が多い時に短く、入射光量が少な
い時は長くすること罠より信号電荷を制御できる。
ところが第1図に示す電荷転送撮像装置を1゛■カメラ
等の光学系と組み合せて撮像する場合、入射光量の調節
は機械的機構、すなわち絞りの機構を用いなけれは電荷
転送撮像装置の信号ta量を制御できない、従来のt荷
転送11像装置を用いて撮像するための構成図を第6図
に示す。
等の光学系と組み合せて撮像する場合、入射光量の調節
は機械的機構、すなわち絞りの機構を用いなけれは電荷
転送撮像装置の信号ta量を制御できない、従来のt荷
転送11像装置を用いて撮像するための構成図を第6図
に示す。
第6図は、被写体を結倖するために用いるし/ズ32と
光量を調節する紋り33とから成る光学系34と、被写
体からの光を電気信号に変換する従来の電荷転送撮像装
置35と、電荷転送撮像装置を駆動する論理回路36と
論理回路36からの信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆
動する。<ルス反び直流電圧を供給する駆動回路37、
駆動回路に電源を供給する電源回路38より構成されて
いる。この様な構成では入射光量の!l16節は光学系
34にある絞り33によって行う。入射光量を決める絞
りの値はレンズの明るさに依って決まり、普通絞りが最
も開いている値、例えばF = 1.4から顯に2,1
8,4,5.6,8,11,16と2乗分の1づつ紋ら
れるようKなっていて、外部で設定できる。また例えば
、絞りはF = 1.4とF=2の間の中間の値を選ぶ
ことができる。ところが絞り33は通常機械的機構とな
っているため、絞り自身を機械精度良く作る必要があり
、機械であるため寿命があるという問題がある。また機
械的な絞りの値と入射光量との関係が精度の点でゆるい
という欠点がある。
光量を調節する紋り33とから成る光学系34と、被写
体からの光を電気信号に変換する従来の電荷転送撮像装
置35と、電荷転送撮像装置を駆動する論理回路36と
論理回路36からの信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆
動する。<ルス反び直流電圧を供給する駆動回路37、
駆動回路に電源を供給する電源回路38より構成されて
いる。この様な構成では入射光量の!l16節は光学系
34にある絞り33によって行う。入射光量を決める絞
りの値はレンズの明るさに依って決まり、普通絞りが最
も開いている値、例えばF = 1.4から顯に2,1
8,4,5.6,8,11,16と2乗分の1づつ紋ら
れるようKなっていて、外部で設定できる。また例えば
、絞りはF = 1.4とF=2の間の中間の値を選ぶ
ことができる。ところが絞り33は通常機械的機構とな
っているため、絞り自身を機械精度良く作る必要があり
、機械であるため寿命があるという問題がある。また機
械的な絞りの値と入射光量との関係が精度の点でゆるい
という欠点がある。
本発明の目的は上記の欠点を無くした電荷転送撮像装置
を用いた新らしい駆動方法を提供することにある。
を用いた新らしい駆動方法を提供することにある。
本発明によれに、半導体基板の主面に、前記基板と反対
の導電魚を形成してなる接合領域で、前記接合深さが浅
い第1の領域と、前記接合深さが深い第2の領域を紋け
、前記第1の領域の主面に光電変換素子群を形成し、前
記第2の領域の主面に前記光電変換素子群から信号を読
み出す装置を形成してなる電荷転送!Ill偉装置にお
いて、1フイールドの期間中に前記第1の領域と光電変
換素子群とが順方向となるように通常の逆バイアス電圧
より高い電圧を前記第1の領域及び第2の領域と前記半
導体基板間に印加して一定期間の後、前記第1の領域が
完全に空乏化するのに必要な通常の逆バイアス電圧を前
記第1の領域及び第2の領域と前記半導体基板に印加す
る回路を外部で制御し、通常の逆バイアス電圧を印加す
る期間を任意に設定して撮像すること特徴とする電荷転
送撮像装置の駆動方法が得られる。
の導電魚を形成してなる接合領域で、前記接合深さが浅
い第1の領域と、前記接合深さが深い第2の領域を紋け
、前記第1の領域の主面に光電変換素子群を形成し、前
記第2の領域の主面に前記光電変換素子群から信号を読
み出す装置を形成してなる電荷転送!Ill偉装置にお
いて、1フイールドの期間中に前記第1の領域と光電変
換素子群とが順方向となるように通常の逆バイアス電圧
より高い電圧を前記第1の領域及び第2の領域と前記半
導体基板間に印加して一定期間の後、前記第1の領域が
完全に空乏化するのに必要な通常の逆バイアス電圧を前
記第1の領域及び第2の領域と前記半導体基板に印加す
る回路を外部で制御し、通常の逆バイアス電圧を印加す
る期間を任意に設定して撮像すること特徴とする電荷転
送撮像装置の駆動方法が得られる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第7図は本発明の一実施例を説明するためのものである
。11g7図は外部で入射光量を制御する方法である。
。11g7図は外部で入射光量を制御する方法である。
第7図は、被写体を結像するために用いるレンズ39と
開口40とからなる光学系41と、被写体からの光を電
気信号に変換する第2図に示した構造の電荷転送撮像装
置42と、電体転送撮像装置を駆動する論理回路43と
論理回路43から信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆動
するパルスと直流電源を供給する駆動回路44と躯動回
路44に電源を供給する電源回路45と、入射光量を制
御するための光量設w*aeと光量を設定され餡に論理
化する光量制御論理回路47と光量制御回路からの信号
を増幅し92図に示す基板半導体に印加するパルスφ□
b電圧発生回路48より構成されている。
開口40とからなる光学系41と、被写体からの光を電
気信号に変換する第2図に示した構造の電荷転送撮像装
置42と、電体転送撮像装置を駆動する論理回路43と
論理回路43から信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆動
するパルスと直流電源を供給する駆動回路44と躯動回
路44に電源を供給する電源回路45と、入射光量を制
御するための光量設w*aeと光量を設定され餡に論理
化する光量制御論理回路47と光量制御回路からの信号
を増幅し92図に示す基板半導体に印加するパルスφ□
b電圧発生回路48より構成されている。
次に本発明の実施例としての駆動方法について飲用する
。第7因に示した本発明の重要な要素で)る#142図
に示した構造の亀鉤転送抛像装置42、光量設定11i
46、光量制御論理回路47、パルス電圧発生回路48
、反び開口40を用いた撮倫方法を説明する。
。第7因に示した本発明の重要な要素で)る#142図
に示した構造の亀鉤転送抛像装置42、光量設定11i
46、光量制御論理回路47、パルス電圧発生回路48
、反び開口40を用いた撮倫方法を説明する。
第2図に示した構造の電荷転送撮像装置1142はすで
に述べたように基板半導体とP型領域との間に印加する
逆バイアス電圧が第4図のタイミングチャートで示す1
■。”の電圧である期間は光電変挨翰域24で発生する
電荷は基板に掃き出され、逆バイアス電圧が第4図のタ
イミングチャートでポす@ V 、+11の期間TI″
t’h信号電傭が蓄積される。
に述べたように基板半導体とP型領域との間に印加する
逆バイアス電圧が第4図のタイミングチャートで示す1
■。”の電圧である期間は光電変挨翰域24で発生する
電荷は基板に掃き出され、逆バイアス電圧が第4図のタ
イミングチャートでポす@ V 、+11の期間TI″
t’h信号電傭が蓄積される。
このことより期間T1を制御することにより信号電荷の
発生する量を制御できるので入射光量を調節できること
Kなる。すなわち期間T、を調節することが絞りの役目
を果たすことになる。
発生する量を制御できるので入射光量を調節できること
Kなる。すなわち期間T、を調節することが絞りの役目
を果たすことになる。
第71における光電設定部46は信号蓄積期間T、を設
定するものであり、ディンタルスイ、テまたはアナログ
スイッチである。′511:量設定鄭46で設定された
信号蓄積期間T、は実除には光量制御論理回路47で論
理回路43からのパル191号をカウンタ回路等を用い
て論理毎号レベルの周期T、を作る。パルス電圧発生回
路48は論理信号レベルの電圧の変換を行い逆バイアス
電圧φsubとし、基板半導体を二値のレベルの1■。
定するものであり、ディンタルスイ、テまたはアナログ
スイッチである。′511:量設定鄭46で設定された
信号蓄積期間T、は実除には光量制御論理回路47で論
理回路43からのパル191号をカウンタ回路等を用い
て論理毎号レベルの周期T、を作る。パルス電圧発生回
路48は論理信号レベルの電圧の変換を行い逆バイアス
電圧φsubとし、基板半導体を二値のレベルの1■。
′、@V、llで逆バイアスのスイッチングを行い、そ
の粕来、匍号電簡の蓄積期間はT1となる。例えは信号
蓄積期間TIを1フイールド有効走査期間の256H(
IHが一水平走査期間)から類に128H,64H。
の粕来、匍号電簡の蓄積期間はT1となる。例えは信号
蓄積期間TIを1フイールド有効走査期間の256H(
IHが一水平走査期間)から類に128H,64H。
32H,16H,8H,4H,2H,IHとし、256
Hをレンズの絞りがある時の開放とすると、入射−yt
、jIIはレンズの絞りがある時と同じ様に信号#i棟
期間が128H,64H,・−、IHと減少することK
より2乗分のlづつ減少する。このため従未必賛であっ
た機械的な紋りは有限な開口を持つ開口40だけを持つ
だけで良い。
Hをレンズの絞りがある時の開放とすると、入射−yt
、jIIはレンズの絞りがある時と同じ様に信号#i棟
期間が128H,64H,・−、IHと減少することK
より2乗分のlづつ減少する。このため従未必賛であっ
た機械的な紋りは有限な開口を持つ開口40だけを持つ
だけで良い。
また信号蓄積期間TIの設定は、lフィールドの有効走
査期間256HからI Hづつ減少させていく方法でも
良いし、アナログ的に任意に変えられるようにしても艮
い。敵手の単位は水平りp、タケ用いて1)1より小さ
いテンタル値に設定しても艮い。
査期間256HからI Hづつ減少させていく方法でも
良いし、アナログ的に任意に変えられるようにしても艮
い。敵手の単位は水平りp、タケ用いて1)1より小さ
いテンタル値に設定しても艮い。
一8図は尋発明の他の実施例を説明するためのもので、
入射光量を自動的に側室して入射光量をill 11す
る方法である。a!8図で第7図と異る点は光学系49
で被写体光をハーフミラ−50で一部分割しその光を受
光素子51g1%UえはCd8が淘j光し、これを細光
回路52へ伝える。at+光回路52は入射光蓋を計算
し、その結果を入射光量制御回路53へ送る。入射光量
制御論理回路5.3は御」光回路52から送られくる入
射光蓋の計算値より、信45′#lL荷を蓄積する期間
T、を決定し、期間T1を論理回路レベル信号としパル
ス発生回路48へ送られる。パルス発生回路48は第4
図に不した2倫レベルの電圧を基板半導体161C供給
する。1フイールド内で期1i1i T を以外の期間
は基板半導体16とP−N接合を形成するPfi領域2
2との間に逆バイアス電圧φ。@ V 、11が印加さ
れるため被写体光で発生する電荷は基板半導体16に掃
き出され、期間T1では基板半導体16とP−N@合を
形成するP屋憐域22との間に逆バイアス電圧φ3ub
@vs′が印加され被写体光で発生した電荷は信号とな
る。このINK入射光量の一部を受光素子で掬元し、光
の蓄積期間T、を自動的に制御でるため従未必費であっ
た紋りの機構は全く不要となり、電子回路によって絞り
の機能を精度良く果九すことができる。この実施例で、
被写体光の#j光をハーフミラ−を用いているが、他の
側光法でも良い。
入射光量を自動的に側室して入射光量をill 11す
る方法である。a!8図で第7図と異る点は光学系49
で被写体光をハーフミラ−50で一部分割しその光を受
光素子51g1%UえはCd8が淘j光し、これを細光
回路52へ伝える。at+光回路52は入射光蓋を計算
し、その結果を入射光量制御回路53へ送る。入射光量
制御論理回路5.3は御」光回路52から送られくる入
射光蓋の計算値より、信45′#lL荷を蓄積する期間
T、を決定し、期間T1を論理回路レベル信号としパル
ス発生回路48へ送られる。パルス発生回路48は第4
図に不した2倫レベルの電圧を基板半導体161C供給
する。1フイールド内で期1i1i T を以外の期間
は基板半導体16とP−N接合を形成するPfi領域2
2との間に逆バイアス電圧φ。@ V 、11が印加さ
れるため被写体光で発生する電荷は基板半導体16に掃
き出され、期間T1では基板半導体16とP−N@合を
形成するP屋憐域22との間に逆バイアス電圧φ3ub
@vs′が印加され被写体光で発生した電荷は信号とな
る。このINK入射光量の一部を受光素子で掬元し、光
の蓄積期間T、を自動的に制御でるため従未必費であっ
た紋りの機構は全く不要となり、電子回路によって絞り
の機能を精度良く果九すことができる。この実施例で、
被写体光の#j光をハーフミラ−を用いているが、他の
側光法でも良い。
vJ1図は従来のt@転送装置を用いた撮gI装置の平
面図、第2図は第1図に示すA−A/縁線上断面検式図
に、第3図は第2図に示すB−B/縁線上電位分布舌・
ボしている。第4図は駆動パルス波形、第5図は第2図
に示すB−B/縁線上電位分布を示している。第6図は
従来の電信転送撮像装置を用いた撮像方法を説明するた
めのブp、り図、縞7図は本発明の詳細な説明するため
のプロ、り図、第8図は他の実施例を脱明するためのプ
ロ、り図である。 因において、11・・・垂直シフトレジスタ、12・・
・光電変換部、13・・・トランスフッブート、14・
・・水平シフトレンスタ、15・・・%傭検出装置、1
6−・半導体基板−17・・・絶縁膜、18・・・垂直
シフトレジスタ11s!、19・・・トランスファゲー
ト電検、20・・・チャンネルストップバー、21・・
・光遮蔽、22.23・・・PIIfIA域、24・・
・N塵の光電変換愉域、25・・・Nfllの垂直シ7
トレンスタ、26゜27.2B、29,30,31・・
・電位分布を示す曲線、32・・・レンズ、33・・・
絞り、34−・・光学系、35・・・従来の電荷転送撮
像装置、36・・・論理回路、37・・・能動回路、3
8・・・電源回路、39・・・レンズ、40・・・開口
、41・・・光学系、42・・・電信転送撮像装置、4
3・・・論理回路、44川駆動回路、45・・・電源回
路、46・・・光量設定部、47・−・光量制御論理回
路、48・・・パルス電圧発生回路、49・−・光学系
、50・・・ハーフミラ−151・・・受光素子、52
・・・測光回路、53・・・入射光量制御回路である。 代駄弁理士内鳳 普 第1図 第 ら図 第7図 南 8 図
面図、第2図は第1図に示すA−A/縁線上断面検式図
に、第3図は第2図に示すB−B/縁線上電位分布舌・
ボしている。第4図は駆動パルス波形、第5図は第2図
に示すB−B/縁線上電位分布を示している。第6図は
従来の電信転送撮像装置を用いた撮像方法を説明するた
めのブp、り図、縞7図は本発明の詳細な説明するため
のプロ、り図、第8図は他の実施例を脱明するためのプ
ロ、り図である。 因において、11・・・垂直シフトレジスタ、12・・
・光電変換部、13・・・トランスフッブート、14・
・・水平シフトレンスタ、15・・・%傭検出装置、1
6−・半導体基板−17・・・絶縁膜、18・・・垂直
シフトレジスタ11s!、19・・・トランスファゲー
ト電検、20・・・チャンネルストップバー、21・・
・光遮蔽、22.23・・・PIIfIA域、24・・
・N塵の光電変換愉域、25・・・Nfllの垂直シ7
トレンスタ、26゜27.2B、29,30,31・・
・電位分布を示す曲線、32・・・レンズ、33・・・
絞り、34−・・光学系、35・・・従来の電荷転送撮
像装置、36・・・論理回路、37・・・能動回路、3
8・・・電源回路、39・・・レンズ、40・・・開口
、41・・・光学系、42・・・電信転送撮像装置、4
3・・・論理回路、44川駆動回路、45・・・電源回
路、46・・・光量設定部、47・−・光量制御論理回
路、48・・・パルス電圧発生回路、49・−・光学系
、50・・・ハーフミラ−151・・・受光素子、52
・・・測光回路、53・・・入射光量制御回路である。 代駄弁理士内鳳 普 第1図 第 ら図 第7図 南 8 図
Claims (1)
- 半導体基板の主面に、前記基板と反対の導電渥を形成し
てなる接合領域で、前記接合深さが浅い第1の領域と、
前1ciik合深さが深い第2の領域を設け、前記第1
の領域の主面に光m叢換票子群を形成し、前記第2の領
域の主面に前記光電変換素子群からの信号を読み出す装
置を形成してなる電萄転送撫倖装置において、1フイー
ルドの期間中に前記第1の領域と光電変換素子群とが順
方向となるように通常の逆バイアス電圧より^い電圧を
前記第1の領域及び第2の領域と前記半導体基板間に印
加して一定期間の後、*記第1の領域が光全に空乏化す
るのに必要な通常の逆バイ”7ス亀圧を前記第1の領域
及び第2の領域と前記半導体基板に印加する回路を外部
で制御し、通常の逆バイアス電圧を印加する期間を任意
に設定して撮像す
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57008437A JPS58125964A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57008437A JPS58125964A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58125964A true JPS58125964A (ja) | 1983-07-27 |
JPH0377713B2 JPH0377713B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=11693097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57008437A Granted JPS58125964A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58125964A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60125081A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 自動露出制御装置 |
JPS60125082A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS60143077A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体ビデオカメラ |
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JPH02162976A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Asahi Optical Co Ltd | 撮像素子の駆動装置 |
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JP2007295301A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置、固体撮像装置および撮像装置の駆動方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3896485A (en) * | 1973-12-03 | 1975-07-22 | Fairchild Camera Instr Co | Charge-coupled device with overflow protection |
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JPS5644271A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-23 | Sony Corp | Ccd image pickup device |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008437A patent/JPS58125964A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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JP2007295301A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置、固体撮像装置および撮像装置の駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0377713B2 (ja) | 1991-12-11 |
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