JPS58125964A - 電荷転送撮像装置の駆動方法 - Google Patents
電荷転送撮像装置の駆動方法Info
- Publication number
- JPS58125964A JPS58125964A JP57008437A JP843782A JPS58125964A JP S58125964 A JPS58125964 A JP S58125964A JP 57008437 A JP57008437 A JP 57008437A JP 843782 A JP843782 A JP 843782A JP S58125964 A JPS58125964 A JP S58125964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- adverse
- period
- bias voltage
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は％１何転送装置の駆動方法に関するものである
。
。
亀伺転送装飯を用いた撮ｇＩ！装置はフレーム転送方式
、インターライン転送方式と呼はれる方式が開発されて
おり、一体４に置の特徴である小型、低消費電力、緬（
Ｎ練性をａＫ急速に発展している。しかし撮像装置の利
害得失を考えると、先に述べた向体俟箇の利点の外、雑
音、残像、焼き付き、等では現在使用されている撮像管
より優れているがプルーミング、スミア現象に問題を残
している。
、インターライン転送方式と呼はれる方式が開発されて
おり、一体４に置の特徴である小型、低消費電力、緬（
Ｎ練性をａＫ急速に発展している。しかし撮像装置の利
害得失を考えると、先に述べた向体俟箇の利点の外、雑
音、残像、焼き付き、等では現在使用されている撮像管
より優れているがプルーミング、スミア現象に問題を残
している。
またこの様な電傭転送装置をカメラ勢のシステムとして
用いる場合に入射光源を調節するため機械的根本、すな
わち紋りを心機とする。
用いる場合に入射光源を調節するため機械的根本、すな
わち紋りを心機とする。
従来のインターライン転送方式によるｔｍ転送伽悔ｋ１
１は第１図に不すよ５に同−電荷転送電棚群で＆ｌＡ勤
する複数列の垂直シフトレジスタ１１と、各垂直シフト
レンスタのｍ個に＠接し、且つ互いに′＃Ｌ気的に分離
された光電変換部１２と、垂臨シフトレジスタと光電変
換部の信号電荷転送を制御するトランスフアゲ−１に物
１３と、各垂直シフトレンスフの一端に電気的に結合し
た亀醒転送水半シフトレンスタ１４と、水平シフトレジ
スタのｍ−に信号１萄を検出する装置１５が設けられて
いる。
１は第１図に不すよ５に同−電荷転送電棚群で＆ｌＡ勤
する複数列の垂直シフトレジスタ１１と、各垂直シフト
レンスタのｍ個に＠接し、且つ互いに′＃Ｌ気的に分離
された光電変換部１２と、垂臨シフトレジスタと光電変
換部の信号電荷転送を制御するトランスフアゲ−１に物
１３と、各垂直シフトレンスフの一端に電気的に結合し
た亀醒転送水半シフトレンスタ１４と、水平シフトレジ
スタのｍ−に信号１萄を検出する装置１５が設けられて
いる。
このようなインターライン転送方式による電倫転送撮倫
装置は、光電変ｌ１１部１２で入射光量にｋｈじて信号
電倫を、例えはトランスファグー）１３を介してそれぞ
れに対応する垂直シフトレンスフ１１へ転送する。垂直
シフトレンスタヘ（を号亀傭を転送した彼、トランス７
アグートが閉じられ、光電変換部１１社次の周期の！４
亀向を蓄積する。
装置は、光電変ｌ１１部１２で入射光量にｋｈじて信号
電倫を、例えはトランスファグー）１３を介してそれぞ
れに対応する垂直シフトレンスフ１１へ転送する。垂直
シフトレンスタヘ（を号亀傭を転送した彼、トランス７
アグートが閉じられ、光電変換部１１社次の周期の！４
亀向を蓄積する。
一方ｆ！直シフトレンスタ１１へ転送された信号電荷は
並列に本論方向に転送し、各垂直シフトレジスタの一水
平ライン毎に、水平シフトレンスフＩｔに転送される。
並列に本論方向に転送し、各垂直シフトレジスタの一水
平ライン毎に、水平シフトレンスフＩｔに転送される。
水平シフトレンスフへ送られた１鎗は次の垂直シフトレ
ンスフから信号が転送されて来る関に水平方向に信号電
荷を転送し検出する装置１５から信号として外部に取り
出される。
ンスフから信号が転送されて来る関に水平方向に信号電
荷を転送し検出する装置１５から信号として外部に取り
出される。
第２図は第１図に示す電荷転送撮像装置のＡ−Ａ’縁線
上断面を模式的に示したものである。嬉２−において、
基板半導体１６とＰ−Ｎ接合を形成し且つ、接合の深さ
が異なる二つのＰ型領域２２．。
上断面を模式的に示したものである。嬉２−において、
基板半導体１６とＰ−Ｎ接合を形成し且つ、接合の深さ
が異なる二つのＰ型領域２２．。
２３が形成されており、及び接合の浅いＰｉｌｌ域２２
上２２上型の光′ａ変換餉域２４が形成されており、接
合の沫いＰ型領域２３上にはＮｆｉの埋込みチャネルの
垂直シフトレジスタ２５が形成されている。
上２２上型の光′ａ変換餉域２４が形成されており、接
合の沫いＰ型領域２３上にはＮｆｉの埋込みチャネルの
垂直シフトレジスタ２５が形成されている。
第３図は第２図に光電変換部ＱＢ −Ｂ／−上の電位分
布図であり、横軸は深さ方向の距慝、縦軸は電位を表し
ている。今第２１ＮＫ示すチャネルスト、プ憔域２０の
電位を基準電位、（この場合Ｏポルト）とする。Ｎ型の
光電変換領域２４はトランスファゲート１３の電圧をｖ
９゜、トランスファゲートの閾値電圧を■、とすると■
、。−ｖ、Ｏ電位でセットされる６またＰｆｉ領域２２
と基、＄１６に印加する直流の逆バイアス電圧■、Ｉｌ
ｂ を曲＃２６で示す低い電圧から、より＾い逆バイ
アス電圧ｖｓｏｂＫすると曲線２７のようにＰＭ！伯域
２２は完全に空乏化する。光電変換領域２４に光が照射
され信号電荷がＳ＊すると、充電変換領域２４の電位は
曲線２８から曲Ｉ！２９のように小さくなうてゆき最終
的には曲線３０のように充電変換領域２４とｐｍｔａ域
２２の接合は順方向となり、これ以上光電変換領域２４
で発生した電荷はＰｆｉ基板餉域２２を介して基板半導
体１６へ流れ込む。すなわち第２因で示すトランスファ
グー）１３直下、チャネルスト、プ領域２０［下、およ
び図ポしていないが光電変換領域２４を曲む全ての領域
の表面電位より光電変換領域２４とＰａ１ｍ域２２の接
合電位が轟くなるように基板半導体とＰ製１１Ｋ域２２
に直流の逆バイアス電圧を印加することにより、充電変
換ｆｉＩ域２４で発生する過剰′ＳＩＬ術は完全に基板
半導体１６へ掃き出すことができる。この構造及び動作
によって１ルーミング現象を完全に抑制することができ
る。
布図であり、横軸は深さ方向の距慝、縦軸は電位を表し
ている。今第２１ＮＫ示すチャネルスト、プ憔域２０の
電位を基準電位、（この場合Ｏポルト）とする。Ｎ型の
光電変換領域２４はトランスファゲート１３の電圧をｖ
９゜、トランスファゲートの閾値電圧を■、とすると■
、。−ｖ、Ｏ電位でセットされる６またＰｆｉ領域２２
と基、＄１６に印加する直流の逆バイアス電圧■、Ｉｌ
ｂ を曲＃２６で示す低い電圧から、より＾い逆バイ
アス電圧ｖｓｏｂＫすると曲線２７のようにＰＭ！伯域
２２は完全に空乏化する。光電変換領域２４に光が照射
され信号電荷がＳ＊すると、充電変換領域２４の電位は
曲線２８から曲Ｉ！２９のように小さくなうてゆき最終
的には曲線３０のように充電変換領域２４とｐｍｔａ域
２２の接合は順方向となり、これ以上光電変換領域２４
で発生した電荷はＰｆｉ基板餉域２２を介して基板半導
体１６へ流れ込む。すなわち第２因で示すトランスファ
グー）１３直下、チャネルスト、プ領域２０［下、およ
び図ポしていないが光電変換領域２４を曲む全ての領域
の表面電位より光電変換領域２４とＰａ１ｍ域２２の接
合電位が轟くなるように基板半導体とＰ製１１Ｋ域２２
に直流の逆バイアス電圧を印加することにより、充電変
換ｆｉＩ域２４で発生する過剰′ＳＩＬ術は完全に基板
半導体１６へ掃き出すことができる。この構造及び動作
によって１ルーミング現象を完全に抑制することができ
る。
ｍ４ｓＦｉ新しい駆動方法のタイミングチャートｆｔ示
すものである。第４凶に示す駆動方法の特徴は、第２図
に示した半導体基板とＰ−Ｎ接合を形成し且つ接合深さ
が異なる二つ＋２）ＰＷ領埴２２゜２３との間に印加す
る逆バイアス−圧φ、ｕｂが二つのレベルｍｙｓ″、＊
Ｖ 、 ｓを持つことである。
すものである。第４凶に示す駆動方法の特徴は、第２図
に示した半導体基板とＰ−Ｎ接合を形成し且つ接合深さ
が異なる二つ＋２）ＰＷ領埴２２゜２３との間に印加す
る逆バイアス−圧φ、ｕｂが二つのレベルｍｙｓ″、＊
Ｖ 、 ｓを持つことである。
第５図は第３図と同様に、第２図に不す電鎗転送撮偉装
置のＢ−Ｂ’線上の深さ方向の電位を示したものである
。
置のＢ−Ｂ’線上の深さ方向の電位を示したものである
。
第４図における時刻ｔ！のとき、半導体基板１６とＰ−
Ｎ接合を形成するＰ麺領域２２との間に１」加する逆バ
イアス電圧φａｍｂは′″ｖ＠′である。
Ｎ接合を形成するＰ麺領域２２との間に１」加する逆バ
イアス電圧φａｍｂは′″ｖ＠′である。
第５図において、この逆バイアス電圧φｓｕｂ”ｏ”は
Ｎ型の光電変換領域２４とＰ型韻域２２が順方向となる
必袈がある。第５図にこの逆バイアス電圧φ、、＠■。
Ｎ型の光電変換領域２４とＰ型韻域２２が順方向となる
必袈がある。第５図にこの逆バイアス電圧φ、、＠■。
′ の作る電位分布の曲−を３１′ｔ″ボす、この逆バ
イアス電圧φ。ｂ＠Ｖｏ′のレベルの期間、光電変換領
域２４に入射して発生した１１１１Ｌ倫は、Ｎｉｊ＆の
光電変ｆ１４域２４とＰ型餉城２２が順方向となってい
るため基板半導体１６に掃き出されるため、信号電荷と
はならない。
イアス電圧φ。ｂ＠Ｖｏ′のレベルの期間、光電変換領
域２４に入射して発生した１１１１Ｌ倫は、Ｎｉｊ＆の
光電変ｆ１４域２４とＰ型餉城２２が順方向となってい
るため基板半導体１６に掃き出されるため、信号電荷と
はならない。
時刻ｔ、のとき、逆バイアス電圧φｓｕｂは１■。′か
ら１■、′に変るため、光電変換部の深さ方向電位を示
す曲線は３１から曲線２７に変る。逆バイアス電圧φ□
、が“■ｓ′のレベルのＪ９］１１５中、Ｎｆｉの光電
変換領域２４に入射した光によって発生した１１！体は
信号電画となり、Ｎｉｌの光電１換領域２４に蓄積され
、入射光量ＫＺじてＮ型の光電変換領域２４の電位は曲
線２８から小さくなっていく。
ら１■、′に変るため、光電変換部の深さ方向電位を示
す曲線は３１から曲線２７に変る。逆バイアス電圧φ□
、が“■ｓ′のレベルのＪ９］１１５中、Ｎｆｉの光電
変換領域２４に入射した光によって発生した１１！体は
信号電画となり、Ｎｉｌの光電１換領域２４に蓄積され
、入射光量ＫＺじてＮ型の光電変換領域２４の電位は曲
線２８から小さくなっていく。
陶ａ＠Ｓのとき、トランスファゲートに電圧ｖ１．が印
加され、Ｎｊｌｌの光電変換領域２４に蓄線されていた
個号電￥ＲＦｉ垂直シフトレジスタ１１に転送される。
加され、Ｎｊｌｌの光電変換領域２４に蓄線されていた
個号電￥ＲＦｉ垂直シフトレジスタ１１に転送される。
この時、Ｎｆｆ１の光電１換領域２４は■、。−■？
の電位でセットされる。
の電位でセットされる。
垂直シフトレンスタが竜角転送を始める前の時刻１４
のとき、Ｎ型の光電変換領域２４は再び逆バイアス電圧
φｓｕｂ”＊”が印加され、次のフィールドの動作を瞳
り返していく。
のとき、Ｎ型の光電変換領域２４は再び逆バイアス電圧
φｓｕｂ”＊”が印加され、次のフィールドの動作を瞳
り返していく。
この動作により１フイールドでの光の蓄積時間は時刻ｔ
、から時刻ｔ１までの期間Ｔ１である。期間Ｔ、會大入
射光に応じ、入射光量が多い時に短く、入射光量が少な
い時は長くすること罠より信号電荷を制御できる。
、から時刻ｔ１までの期間Ｔ１である。期間Ｔ、會大入
射光に応じ、入射光量が多い時に短く、入射光量が少な
い時は長くすること罠より信号電荷を制御できる。
ところが第１図に示す電荷転送撮像装置を１゛■カメラ
等の光学系と組み合せて撮像する場合、入射光量の調節
は機械的機構、すなわち絞りの機構を用いなけれは電荷
転送撮像装置の信号ｔａ量を制御できない、従来のｔ荷
転送１１像装置を用いて撮像するための構成図を第６図
に示す。
等の光学系と組み合せて撮像する場合、入射光量の調節
は機械的機構、すなわち絞りの機構を用いなけれは電荷
転送撮像装置の信号ｔａ量を制御できない、従来のｔ荷
転送１１像装置を用いて撮像するための構成図を第６図
に示す。
第６図は、被写体を結倖するために用いるし／ズ３２と
光量を調節する紋り３３とから成る光学系３４と、被写
体からの光を電気信号に変換する従来の電荷転送撮像装
置３５と、電荷転送撮像装置を駆動する論理回路３６と
論理回路３６からの信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆
動する。＜ルス反び直流電圧を供給する駆動回路３７、
駆動回路に電源を供給する電源回路３８より構成されて
いる。この様な構成では入射光量の！ｌ１６節は光学系
３４にある絞り３３によって行う。入射光量を決める絞
りの値はレンズの明るさに依って決まり、普通絞りが最
も開いている値、例えばＦ ＝ １．４から顯に２，１
８，４，５．６，８，１１，１６と２乗分の１づつ紋ら
れるようＫなっていて、外部で設定できる。また例えば
、絞りはＦ ＝ １．４とＦ＝２の間の中間の値を選ぶ
ことができる。ところが絞り３３は通常機械的機構とな
っているため、絞り自身を機械精度良く作る必要があり
、機械であるため寿命があるという問題がある。また機
械的な絞りの値と入射光量との関係が精度の点でゆるい
という欠点がある。
光量を調節する紋り３３とから成る光学系３４と、被写
体からの光を電気信号に変換する従来の電荷転送撮像装
置３５と、電荷転送撮像装置を駆動する論理回路３６と
論理回路３６からの信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆
動する。＜ルス反び直流電圧を供給する駆動回路３７、
駆動回路に電源を供給する電源回路３８より構成されて
いる。この様な構成では入射光量の！ｌ１６節は光学系
３４にある絞り３３によって行う。入射光量を決める絞
りの値はレンズの明るさに依って決まり、普通絞りが最
も開いている値、例えばＦ ＝ １．４から顯に２，１
８，４，５．６，８，１１，１６と２乗分の１づつ紋ら
れるようＫなっていて、外部で設定できる。また例えば
、絞りはＦ ＝ １．４とＦ＝２の間の中間の値を選ぶ
ことができる。ところが絞り３３は通常機械的機構とな
っているため、絞り自身を機械精度良く作る必要があり
、機械であるため寿命があるという問題がある。また機
械的な絞りの値と入射光量との関係が精度の点でゆるい
という欠点がある。
本発明の目的は上記の欠点を無くした電荷転送撮像装置
を用いた新らしい駆動方法を提供することにある。
を用いた新らしい駆動方法を提供することにある。
本発明によれに、半導体基板の主面に、前記基板と反対
の導電魚を形成してなる接合領域で、前記接合深さが浅
い第１の領域と、前記接合深さが深い第２の領域を紋け
、前記第１の領域の主面に光電変換素子群を形成し、前
記第２の領域の主面に前記光電変換素子群から信号を読
み出す装置を形成してなる電荷転送！Ｉｌｌ偉装置にお
いて、１フイールドの期間中に前記第１の領域と光電変
換素子群とが順方向となるように通常の逆バイアス電圧
より高い電圧を前記第１の領域及び第２の領域と前記半
導体基板間に印加して一定期間の後、前記第１の領域が
完全に空乏化するのに必要な通常の逆バイアス電圧を前
記第１の領域及び第２の領域と前記半導体基板に印加す
る回路を外部で制御し、通常の逆バイアス電圧を印加す
る期間を任意に設定して撮像すること特徴とする電荷転
送撮像装置の駆動方法が得られる。
の導電魚を形成してなる接合領域で、前記接合深さが浅
い第１の領域と、前記接合深さが深い第２の領域を紋け
、前記第１の領域の主面に光電変換素子群を形成し、前
記第２の領域の主面に前記光電変換素子群から信号を読
み出す装置を形成してなる電荷転送！Ｉｌｌ偉装置にお
いて、１フイールドの期間中に前記第１の領域と光電変
換素子群とが順方向となるように通常の逆バイアス電圧
より高い電圧を前記第１の領域及び第２の領域と前記半
導体基板間に印加して一定期間の後、前記第１の領域が
完全に空乏化するのに必要な通常の逆バイアス電圧を前
記第１の領域及び第２の領域と前記半導体基板に印加す
る回路を外部で制御し、通常の逆バイアス電圧を印加す
る期間を任意に設定して撮像すること特徴とする電荷転
送撮像装置の駆動方法が得られる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第７図は本発明の一実施例を説明するためのものである
。１１ｇ７図は外部で入射光量を制御する方法である。
。１１ｇ７図は外部で入射光量を制御する方法である。
第７図は、被写体を結像するために用いるレンズ３９と
開口４０とからなる光学系４１と、被写体からの光を電
気信号に変換する第２図に示した構造の電荷転送撮像装
置４２と、電体転送撮像装置を駆動する論理回路４３と
論理回路４３から信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆動
するパルスと直流電源を供給する駆動回路４４と躯動回
路４４に電源を供給する電源回路４５と、入射光量を制
御するための光量設ｗ＊ａｅと光量を設定され餡に論理
化する光量制御論理回路４７と光量制御回路からの信号
を増幅し９２図に示す基板半導体に印加するパルスφ□
ｂ電圧発生回路４８より構成されている。
開口４０とからなる光学系４１と、被写体からの光を電
気信号に変換する第２図に示した構造の電荷転送撮像装
置４２と、電体転送撮像装置を駆動する論理回路４３と
論理回路４３から信号を増幅し電荷転送撮像装置を駆動
するパルスと直流電源を供給する駆動回路４４と躯動回
路４４に電源を供給する電源回路４５と、入射光量を制
御するための光量設ｗ＊ａｅと光量を設定され餡に論理
化する光量制御論理回路４７と光量制御回路からの信号
を増幅し９２図に示す基板半導体に印加するパルスφ□
ｂ電圧発生回路４８より構成されている。
次に本発明の実施例としての駆動方法について飲用する
。第７因に示した本発明の重要な要素で）る＃１４２図
に示した構造の亀鉤転送抛像装置４２、光量設定１１ｉ
４６、光量制御論理回路４７、パルス電圧発生回路４８
、反び開口４０を用いた撮倫方法を説明する。
。第７因に示した本発明の重要な要素で）る＃１４２図
に示した構造の亀鉤転送抛像装置４２、光量設定１１ｉ
４６、光量制御論理回路４７、パルス電圧発生回路４８
、反び開口４０を用いた撮倫方法を説明する。
第２図に示した構造の電荷転送撮像装置１１４２はすで
に述べたように基板半導体とＰ型領域との間に印加する
逆バイアス電圧が第４図のタイミングチャートで示す１
■。”の電圧である期間は光電変挨翰域２４で発生する
電荷は基板に掃き出され、逆バイアス電圧が第４図のタ
イミングチャートでポす＠ Ｖ 、＋１１の期間ＴＩ″
ｔ’ｈ信号電傭が蓄積される。
に述べたように基板半導体とＰ型領域との間に印加する
逆バイアス電圧が第４図のタイミングチャートで示す１
■。”の電圧である期間は光電変挨翰域２４で発生する
電荷は基板に掃き出され、逆バイアス電圧が第４図のタ
イミングチャートでポす＠ Ｖ 、＋１１の期間ＴＩ″
ｔ’ｈ信号電傭が蓄積される。
このことより期間Ｔ１を制御することにより信号電荷の
発生する量を制御できるので入射光量を調節できること
Ｋなる。すなわち期間Ｔ、を調節することが絞りの役目
を果たすことになる。
発生する量を制御できるので入射光量を調節できること
Ｋなる。すなわち期間Ｔ、を調節することが絞りの役目
を果たすことになる。
第７１における光電設定部４６は信号蓄積期間Ｔ、を設
定するものであり、ディンタルスイ、テまたはアナログ
スイッチである。′５１１：量設定鄭４６で設定された
信号蓄積期間Ｔ、は実除には光量制御論理回路４７で論
理回路４３からのパル１９１号をカウンタ回路等を用い
て論理毎号レベルの周期Ｔ、を作る。パルス電圧発生回
路４８は論理信号レベルの電圧の変換を行い逆バイアス
電圧φｓｕｂとし、基板半導体を二値のレベルの１■。
定するものであり、ディンタルスイ、テまたはアナログ
スイッチである。′５１１：量設定鄭４６で設定された
信号蓄積期間Ｔ、は実除には光量制御論理回路４７で論
理回路４３からのパル１９１号をカウンタ回路等を用い
て論理毎号レベルの周期Ｔ、を作る。パルス電圧発生回
路４８は論理信号レベルの電圧の変換を行い逆バイアス
電圧φｓｕｂとし、基板半導体を二値のレベルの１■。
′、＠Ｖ、ｌｌで逆バイアスのスイッチングを行い、そ
の粕来、匍号電簡の蓄積期間はＴ１となる。例えは信号
蓄積期間ＴＩを１フイールド有効走査期間の２５６Ｈ（
ＩＨが一水平走査期間）から類に１２８Ｈ，６４Ｈ。
の粕来、匍号電簡の蓄積期間はＴ１となる。例えは信号
蓄積期間ＴＩを１フイールド有効走査期間の２５６Ｈ（
ＩＨが一水平走査期間）から類に１２８Ｈ，６４Ｈ。
３２Ｈ，１６Ｈ，８Ｈ，４Ｈ，２Ｈ，ＩＨとし、２５６
Ｈをレンズの絞りがある時の開放とすると、入射−ｙｔ
、ｊＩＩはレンズの絞りがある時と同じ様に信号＃ｉ棟
期間が１２８Ｈ，６４Ｈ，・−、ＩＨと減少することＫ
より２乗分のｌづつ減少する。このため従未必賛であっ
た機械的な紋りは有限な開口を持つ開口４０だけを持つ
だけで良い。
Ｈをレンズの絞りがある時の開放とすると、入射−ｙｔ
、ｊＩＩはレンズの絞りがある時と同じ様に信号＃ｉ棟
期間が１２８Ｈ，６４Ｈ，・−、ＩＨと減少することＫ
より２乗分のｌづつ減少する。このため従未必賛であっ
た機械的な紋りは有限な開口を持つ開口４０だけを持つ
だけで良い。
また信号蓄積期間ＴＩの設定は、ｌフィールドの有効走
査期間２５６ＨからＩ Ｈづつ減少させていく方法でも
良いし、アナログ的に任意に変えられるようにしても艮
い。敵手の単位は水平りｐ、タケ用いて１）１より小さ
いテンタル値に設定しても艮い。
査期間２５６ＨからＩ Ｈづつ減少させていく方法でも
良いし、アナログ的に任意に変えられるようにしても艮
い。敵手の単位は水平りｐ、タケ用いて１）１より小さ
いテンタル値に設定しても艮い。
一８図は尋発明の他の実施例を説明するためのもので、
入射光量を自動的に側室して入射光量をｉｌｌ １１す
る方法である。ａ！８図で第７図と異る点は光学系４９
で被写体光をハーフミラ−５０で一部分割しその光を受
光素子５１ｇ１％ＵえはＣｄ８が淘ｊ光し、これを細光
回路５２へ伝える。ａｔ＋光回路５２は入射光蓋を計算
し、その結果を入射光量制御回路５３へ送る。入射光量
制御論理回路５．３は御」光回路５２から送られくる入
射光蓋の計算値より、信４５′＃ｌＬ荷を蓄積する期間
Ｔ、を決定し、期間Ｔ１を論理回路レベル信号としパル
ス発生回路４８へ送られる。パルス発生回路４８は第４
図に不した２倫レベルの電圧を基板半導体１６１Ｃ供給
する。１フイールド内で期１ｉ１ｉ Ｔ を以外の期間
は基板半導体１６とＰ−Ｎ接合を形成するＰｆｉ領域２
２との間に逆バイアス電圧φ。＠ Ｖ 、１１が印加さ
れるため被写体光で発生する電荷は基板半導体１６に掃
き出され、期間Ｔ１では基板半導体１６とＰ−Ｎ＠合を
形成するＰ屋憐域２２との間に逆バイアス電圧φ３ｕｂ
＠ｖｓ′が印加され被写体光で発生した電荷は信号とな
る。このＩＮＫ入射光量の一部を受光素子で掬元し、光
の蓄積期間Ｔ、を自動的に制御でるため従未必費であっ
た紋りの機構は全く不要となり、電子回路によって絞り
の機能を精度良く果九すことができる。この実施例で、
被写体光の＃ｊ光をハーフミラ−を用いているが、他の
側光法でも良い。
入射光量を自動的に側室して入射光量をｉｌｌ １１す
る方法である。ａ！８図で第７図と異る点は光学系４９
で被写体光をハーフミラ−５０で一部分割しその光を受
光素子５１ｇ１％ＵえはＣｄ８が淘ｊ光し、これを細光
回路５２へ伝える。ａｔ＋光回路５２は入射光蓋を計算
し、その結果を入射光量制御回路５３へ送る。入射光量
制御論理回路５．３は御」光回路５２から送られくる入
射光蓋の計算値より、信４５′＃ｌＬ荷を蓄積する期間
Ｔ、を決定し、期間Ｔ１を論理回路レベル信号としパル
ス発生回路４８へ送られる。パルス発生回路４８は第４
図に不した２倫レベルの電圧を基板半導体１６１Ｃ供給
する。１フイールド内で期１ｉ１ｉ Ｔ を以外の期間
は基板半導体１６とＰ−Ｎ接合を形成するＰｆｉ領域２
２との間に逆バイアス電圧φ。＠ Ｖ 、１１が印加さ
れるため被写体光で発生する電荷は基板半導体１６に掃
き出され、期間Ｔ１では基板半導体１６とＰ−Ｎ＠合を
形成するＰ屋憐域２２との間に逆バイアス電圧φ３ｕｂ
＠ｖｓ′が印加され被写体光で発生した電荷は信号とな
る。このＩＮＫ入射光量の一部を受光素子で掬元し、光
の蓄積期間Ｔ、を自動的に制御でるため従未必費であっ
た紋りの機構は全く不要となり、電子回路によって絞り
の機能を精度良く果九すことができる。この実施例で、
被写体光の＃ｊ光をハーフミラ−を用いているが、他の
側光法でも良い。
ｖＪ１図は従来のｔ＠転送装置を用いた撮ｇＩ装置の平
面図、第２図は第１図に示すＡ−Ａ／縁線上断面検式図
に、第３図は第２図に示すＢ−Ｂ／縁線上電位分布舌・
ボしている。第４図は駆動パルス波形、第５図は第２図
に示すＢ−Ｂ／縁線上電位分布を示している。第６図は
従来の電信転送撮像装置を用いた撮像方法を説明するた
めのブｐ、り図、縞７図は本発明の詳細な説明するため
のプロ、り図、第８図は他の実施例を脱明するためのプ
ロ、り図である。 因において、１１・・・垂直シフトレジスタ、１２・・
・光電変換部、１３・・・トランスフッブート、１４・
・・水平シフトレンスタ、１５・・・％傭検出装置、１
６−・半導体基板−１７・・・絶縁膜、１８・・・垂直
シフトレジスタ１１ｓ！、１９・・・トランスファゲー
ト電検、２０・・・チャンネルストップバー、２１・・
・光遮蔽、２２．２３・・・ＰＩＩｆＩＡ域、２４・・
・Ｎ塵の光電変換愉域、２５・・・Ｎｆｌｌの垂直シ７
トレンスタ、２６゜２７．２Ｂ、２９，３０，３１・・
・電位分布を示す曲線、３２・・・レンズ、３３・・・
絞り、３４−・・光学系、３５・・・従来の電荷転送撮
像装置、３６・・・論理回路、３７・・・能動回路、３
８・・・電源回路、３９・・・レンズ、４０・・・開口
、４１・・・光学系、４２・・・電信転送撮像装置、４
３・・・論理回路、４４川駆動回路、４５・・・電源回
路、４６・・・光量設定部、４７・−・光量制御論理回
路、４８・・・パルス電圧発生回路、４９・−・光学系
、５０・・・ハーフミラ−１５１・・・受光素子、５２
・・・測光回路、５３・・・入射光量制御回路である。 代駄弁理士内鳳 普 第１図 第 ら図 第７図 南 ８ 図
面図、第２図は第１図に示すＡ−Ａ／縁線上断面検式図
に、第３図は第２図に示すＢ−Ｂ／縁線上電位分布舌・
ボしている。第４図は駆動パルス波形、第５図は第２図
に示すＢ−Ｂ／縁線上電位分布を示している。第６図は
従来の電信転送撮像装置を用いた撮像方法を説明するた
めのブｐ、り図、縞７図は本発明の詳細な説明するため
のプロ、り図、第８図は他の実施例を脱明するためのプ
ロ、り図である。 因において、１１・・・垂直シフトレジスタ、１２・・
・光電変換部、１３・・・トランスフッブート、１４・
・・水平シフトレンスタ、１５・・・％傭検出装置、１
６−・半導体基板−１７・・・絶縁膜、１８・・・垂直
シフトレジスタ１１ｓ！、１９・・・トランスファゲー
ト電検、２０・・・チャンネルストップバー、２１・・
・光遮蔽、２２．２３・・・ＰＩＩｆＩＡ域、２４・・
・Ｎ塵の光電変換愉域、２５・・・Ｎｆｌｌの垂直シ７
トレンスタ、２６゜２７．２Ｂ、２９，３０，３１・・
・電位分布を示す曲線、３２・・・レンズ、３３・・・
絞り、３４−・・光学系、３５・・・従来の電荷転送撮
像装置、３６・・・論理回路、３７・・・能動回路、３
８・・・電源回路、３９・・・レンズ、４０・・・開口
、４１・・・光学系、４２・・・電信転送撮像装置、４
３・・・論理回路、４４川駆動回路、４５・・・電源回
路、４６・・・光量設定部、４７・−・光量制御論理回
路、４８・・・パルス電圧発生回路、４９・−・光学系
、５０・・・ハーフミラ−１５１・・・受光素子、５２
・・・測光回路、５３・・・入射光量制御回路である。 代駄弁理士内鳳 普 第１図 第 ら図 第７図 南 ８ 図
Claims (1)
- 半導体基板の主面に、前記基板と反対の導電渥を形成し
てなる接合領域で、前記接合深さが浅い第１の領域と、
前１ｃｉｉｋ合深さが深い第２の領域を設け、前記第１
の領域の主面に光ｍ叢換票子群を形成し、前記第２の領
域の主面に前記光電変換素子群からの信号を読み出す装
置を形成してなる電萄転送撫倖装置において、１フイー
ルドの期間中に前記第１の領域と光電変換素子群とが順
方向となるように通常の逆バイアス電圧より＾い電圧を
前記第１の領域及び第２の領域と前記半導体基板間に印
加して一定期間の後、＊記第１の領域が光全に空乏化す
るのに必要な通常の逆バイ”７ス亀圧を前記第１の領域
及び第２の領域と前記半導体基板に印加する回路を外部
で制御し、通常の逆バイアス電圧を印加する期間を任意
に設定して撮像す
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008437A JPS58125964A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008437A JPS58125964A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125964A true JPS58125964A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0377713B2 JPH0377713B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=11693097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008437A Granted JPS58125964A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125964A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125081A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 自動露出制御装置 |
| JPS60125082A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS60143077A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体ビデオカメラ |
| JPS61192183A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Nec Corp | 固体撮像カメラ |
| JPS6218178A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Nec Corp | 固体撮像カメラ |
| JPS6446379A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-20 | Sony Corp | Solid-state image-pick up device |
| JPH02134990A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nec Corp | 固体撮像素子の駆動方法 |
| JPH02162976A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Asahi Optical Co Ltd | 撮像素子の駆動装置 |
| JPH0846875A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-02-16 | Sony Corp | 固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法 |
| JP2007295301A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置、固体撮像装置および撮像装置の駆動方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3896485A (en) * | 1973-12-03 | 1975-07-22 | Fairchild Camera Instr Co | Charge-coupled device with overflow protection |
| JPS5495116A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-27 | Toshiba Corp | Solid image pickup unit |
| JPS5644271A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-23 | Sony Corp | Ccd image pickup device |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008437A patent/JPS58125964A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3896485A (en) * | 1973-12-03 | 1975-07-22 | Fairchild Camera Instr Co | Charge-coupled device with overflow protection |
| JPS5495116A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-27 | Toshiba Corp | Solid image pickup unit |
| JPS5644271A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-23 | Sony Corp | Ccd image pickup device |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125081A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 自動露出制御装置 |
| JPS60125082A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS60143077A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 固体ビデオカメラ |
| JPS61192183A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Nec Corp | 固体撮像カメラ |
| JPS6218178A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Nec Corp | 固体撮像カメラ |
| JPS6446379A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-20 | Sony Corp | Solid-state image-pick up device |
| JPH02134990A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nec Corp | 固体撮像素子の駆動方法 |
| JPH02162976A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Asahi Optical Co Ltd | 撮像素子の駆動装置 |
| JPH0846875A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-02-16 | Sony Corp | 固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法 |
| JP2007295301A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置、固体撮像装置および撮像装置の駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377713B2 (ja) | 1991-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0280511B1 (en) | Still video camera | |
| EP0127363A1 (en) | Image sensors | |
| JPS6138405B2 (ja) | ||
| JPS58125964A (ja) | 電荷転送撮像装置の駆動方法 | |
| US4819074A (en) | Electronic still camera | |
| TW200922321A (en) | Method for resetting image sensing operation and image sensing device therewith | |
| TW567707B (en) | All-electronic high-resolution digital still camera | |
| JPS62272773A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6350059A (ja) | 撮像装置 | |
| USRE36812E (en) | Driving apparatus of image pick-up device for preventing leakage of accumulated electrical charges | |
| KR20010039867A (ko) | 고체 영상 픽업 디바이스의 구동 방법 및 영상 픽업 시스템 | |
| US4734773A (en) | Imaging apparatus having high-frequency electron purging circuit operable during an exposure time | |
| US4985776A (en) | Method of driving solid-state imaging element | |
| US4621191A (en) | Self-scanning type photoelectric conversion element drive device responsive to different detected light intensities for focus detection | |
| US4279000A (en) | Photoelectric information input apparatus | |
| JPH0377712B2 (ja) | ||
| KR910007703B1 (ko) | 고체촬상소자의 블루밍 측정방법 및 그 장치 | |
| TWI289991B (en) | Control for a photosensor array | |
| JP3168599B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| CN110113545A (zh) | 一种mm-ccd的成像方法 | |
| JPH0377714B2 (ja) | ||
| CN116405793A (zh) | 像素电路及其控制方法、像素电路结构以及图像传感器 | |
| JPS58125974A (ja) | 固体撮像装置の光電変換制御方法 | |
| JP4284783B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02218276A (ja) | 固体撮像装置 |