JPH0846875A - 固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法 - Google Patents
固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法Info
- Publication number
- JPH0846875A JPH0846875A JP7120685A JP12068595A JPH0846875A JP H0846875 A JPH0846875 A JP H0846875A JP 7120685 A JP7120685 A JP 7120685A JP 12068595 A JP12068595 A JP 12068595A JP H0846875 A JPH0846875 A JP H0846875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- conductivity type
- signal charge
- solid
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的な制御により露出時間を所望の時間に
良好に可変制御することができるようにすると共に消費
電力も小さくなるようにすることを目的とする。 【構成】 第１の導電型の半導体基板１と、この第１の
導電型の半導体基板１上に形成された第２の導電型の領
域２と、この第２の導電型の領域２の表面に形成された
信号電荷蓄積領域３とを有してなる固体撮像装置のこの
第１の導電型の半導体基板１に掃き出し電圧を供給し、
この信号電荷蓄積領域３に蓄積される信号電荷をこの第
１の導電型の半導体基板１に掃き出させ得るようにした
固体撮像装置において、この第１の導電型の半導体基板
１に供給するこの掃き出し電圧をパルス状とし、このパ
ルス状の掃き出し電圧を供給する時刻を可変することに
より露光時間を制御するようにしたものである。
良好に可変制御することができるようにすると共に消費
電力も小さくなるようにすることを目的とする。 【構成】 第１の導電型の半導体基板１と、この第１の
導電型の半導体基板１上に形成された第２の導電型の領
域２と、この第２の導電型の領域２の表面に形成された
信号電荷蓄積領域３とを有してなる固体撮像装置のこの
第１の導電型の半導体基板１に掃き出し電圧を供給し、
この信号電荷蓄積領域３に蓄積される信号電荷をこの第
１の導電型の半導体基板１に掃き出させ得るようにした
固体撮像装置において、この第１の導電型の半導体基板
１に供給するこの掃き出し電圧をパルス状とし、このパ
ルス状の掃き出し電圧を供給する時刻を可変することに
より露光時間を制御するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えばビデオカメラ、電
子スチルカメラに使用して好適な電子シャッタ機構を有
する固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法
に関する。
子スチルカメラに使用して好適な電子シャッタ機構を有
する固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像装置においては、この固
体撮像装置において電気的手段による露出制御を行い、
これを例えばビデオカメラに使用する場合には、従来一
般に使用される機械的シャッタ装置を不要にし、ビデオ
カメラの小型、軽量、低価格化を図り得る様にすること
が要請されていた。ここに長短２種類の露出時間を選択
し得る様になされた固体撮像装置については既に提案さ
れている。
体撮像装置において電気的手段による露出制御を行い、
これを例えばビデオカメラに使用する場合には、従来一
般に使用される機械的シャッタ装置を不要にし、ビデオ
カメラの小型、軽量、低価格化を図り得る様にすること
が要請されていた。ここに長短２種類の露出時間を選択
し得る様になされた固体撮像装置については既に提案さ
れている。
【０００３】この固体撮像装置は、一方の露出時間を１
フレーム期間と同一時間の１／３０秒とし、他方の露出
時間を垂直ブランキング期間と同一時間の約１／２００
０秒とするものである。即ち、この固体撮像装置は、露
出時間として１／３０秒が選択されたときは、１フレー
ム期間の間に受光部に蓄積された信号電荷をそのまま映
像信号として読み出し、また露出時間として１／２００
０秒が選択されたときは、垂直ブランキング期間前に蓄
積された信号電荷についてはこれをすべて垂直レジスタ
に読み出し、高速転送して掃き出してしまい、新ためて
垂直ブランキング期間中に蓄積された信号電荷のみを映
像信号として読み出し得る様になしたものである。
フレーム期間と同一時間の１／３０秒とし、他方の露出
時間を垂直ブランキング期間と同一時間の約１／２００
０秒とするものである。即ち、この固体撮像装置は、露
出時間として１／３０秒が選択されたときは、１フレー
ム期間の間に受光部に蓄積された信号電荷をそのまま映
像信号として読み出し、また露出時間として１／２００
０秒が選択されたときは、垂直ブランキング期間前に蓄
積された信号電荷についてはこれをすべて垂直レジスタ
に読み出し、高速転送して掃き出してしまい、新ためて
垂直ブランキング期間中に蓄積された信号電荷のみを映
像信号として読み出し得る様になしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、斯る従
来の固体撮像装置においては、露出時間として僅か２種
類の時間しか選択できず、このため、これを例えばビデ
オカメラに使用したとしても、斯るビデオカメラに使用
される機械的シャッタ装置を不要とすることはできない
という不都合があった。
来の固体撮像装置においては、露出時間として僅か２種
類の時間しか選択できず、このため、これを例えばビデ
オカメラに使用したとしても、斯るビデオカメラに使用
される機械的シャッタ装置を不要とすることはできない
という不都合があった。
【０００５】また斯る従来の固体撮像装置においては、
垂直ブランキング期間前に蓄積された信号電荷を掃き出
す場合に垂直レジスタにおいて高速転送を行う必要があ
り、このため、余分な電力を消費するという不都合があ
った。
垂直ブランキング期間前に蓄積された信号電荷を掃き出
す場合に垂直レジスタにおいて高速転送を行う必要があ
り、このため、余分な電力を消費するという不都合があ
った。
【０００６】本発明は、斯る点に鑑み、電気的な制御に
より露出時間を所望の時間に可変制御することができる
様にすると共にこのための消費電力も小さくなる様にし
た固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法を
提供することを目的とする。
より露出時間を所望の時間に可変制御することができる
様にすると共にこのための消費電力も小さくなる様にし
た固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、例えば図１〜図３に示す様に、第１の導電型の半
導体基板１と、この第１の導電型の半導体基板１上に形
成された第２の導電型の領域２と、この第２の導電型の
領域２の表面に形成された信号電荷蓄積領域３とを有し
てなる固体撮像装置のこの第１の導電型の半導体基板１
に掃き出し電圧を供給し、この信号電荷蓄積領域３に蓄
積される信号電荷をこの第１の導電型の半導体基板１に
掃き出させ得るようにした固体撮像装置において、この
第１の導電型の半導体基板１に供給するこの掃き出し電
圧をパルス状とし、このパルス状の掃き出し電圧を供給
する時刻を可変することにより露光時間を制御するよう
にしたものである。
置は、例えば図１〜図３に示す様に、第１の導電型の半
導体基板１と、この第１の導電型の半導体基板１上に形
成された第２の導電型の領域２と、この第２の導電型の
領域２の表面に形成された信号電荷蓄積領域３とを有し
てなる固体撮像装置のこの第１の導電型の半導体基板１
に掃き出し電圧を供給し、この信号電荷蓄積領域３に蓄
積される信号電荷をこの第１の導電型の半導体基板１に
掃き出させ得るようにした固体撮像装置において、この
第１の導電型の半導体基板１に供給するこの掃き出し電
圧をパルス状とし、このパルス状の掃き出し電圧を供給
する時刻を可変することにより露光時間を制御するよう
にしたものである。
【０００８】また本発明ビデオカメラの露光時間制御方
法は第１の導電型の半導体基板１と、この第１の導電型
の半導体基板１上に形成された第２の導電型の領域２
と、この第２の導電型の領域２の表面に形成された信号
電荷蓄積領域３とを有してなる固体撮像装置のこの第１
の導電型の半導体基板１に掃き出し電圧を供給し、この
信号電荷蓄積領域３に蓄積される信号電荷をこの第１の
導電型の半導体基板１に掃き出させ得るようにしたビデ
オカメラの露光時間制御方法において、露光開始の直前
のタイミングでこの第１の導電型の半導体基板１にパル
ス状の掃き出し電圧を供給することにより露光時間を制
御するようにしたものである。
法は第１の導電型の半導体基板１と、この第１の導電型
の半導体基板１上に形成された第２の導電型の領域２
と、この第２の導電型の領域２の表面に形成された信号
電荷蓄積領域３とを有してなる固体撮像装置のこの第１
の導電型の半導体基板１に掃き出し電圧を供給し、この
信号電荷蓄積領域３に蓄積される信号電荷をこの第１の
導電型の半導体基板１に掃き出させ得るようにしたビデ
オカメラの露光時間制御方法において、露光開始の直前
のタイミングでこの第１の導電型の半導体基板１にパル
ス状の掃き出し電圧を供給することにより露光時間を制
御するようにしたものである。
【０００９】
【作用】斯る本発明に依れば、第１の導電型の半導体基
板１にパルス状の所定電圧ＶHを供給し、信号電荷蓄積
領域３に蓄積される信号電荷を第１の導電型の半導体基
板１に掃き出させ得る様になされているので、１フレー
ム期間中又は１フィールド期間中の任意の時点に所定電
圧ＶH を有するパルス信号Ｐ1 を第１の導電型の半導体
基板１に供給することによって、先に信号電荷の読み出
しが行われた時点からこのパルス信号Ｐ1 が供給された
時点までに蓄積された信号電荷を第１の導電型の半導体
基板１に掃き出し、その後、次の読み出し時点までに蓄
積される信号電荷を映像信号として読み出すことができ
る。従って、本発明に依れば、このパルス信号Ｐ1 を第
１の導電型の半導体基板１に供給する時点を可変するこ
とによって露出時間を可変し、所望の露出時間とするこ
とができる。
板１にパルス状の所定電圧ＶHを供給し、信号電荷蓄積
領域３に蓄積される信号電荷を第１の導電型の半導体基
板１に掃き出させ得る様になされているので、１フレー
ム期間中又は１フィールド期間中の任意の時点に所定電
圧ＶH を有するパルス信号Ｐ1 を第１の導電型の半導体
基板１に供給することによって、先に信号電荷の読み出
しが行われた時点からこのパルス信号Ｐ1 が供給された
時点までに蓄積された信号電荷を第１の導電型の半導体
基板１に掃き出し、その後、次の読み出し時点までに蓄
積される信号電荷を映像信号として読み出すことができ
る。従って、本発明に依れば、このパルス信号Ｐ1 を第
１の導電型の半導体基板１に供給する時点を可変するこ
とによって露出時間を可変し、所望の露出時間とするこ
とができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１〜図３を参照して本発明固体撮像
装置及びビデオカメラの露光時間制御方法の実施例につ
き本発明をインターライン転送方式を採用する固体撮像
装置に適用した場合を例にして説明しよう。
装置及びビデオカメラの露光時間制御方法の実施例につ
き本発明をインターライン転送方式を採用する固体撮像
装置に適用した場合を例にして説明しよう。
【００１１】この図１において、１はＮ型シリコン基板
を示し、本例においては、このＮ型シリコン基板１を基
体としてこのＮ型シリコン基板１上に受光部４、垂直レ
ジスタ部５、水平レジスタ部（図示せず）及び出力部
（図示せず）を設け、所謂インターライン転送方式のＣ
ＣＤ形撮像装置として構成する。
を示し、本例においては、このＮ型シリコン基板１を基
体としてこのＮ型シリコン基板１上に受光部４、垂直レ
ジスタ部５、水平レジスタ部（図示せず）及び出力部
（図示せず）を設け、所謂インターライン転送方式のＣ
ＣＤ形撮像装置として構成する。
【００１２】この場合、Ｎ型シリコン基板１の表面側に
Ｐ型領域２を例えばエピタキシャル成長法によって形成
すると共に、更にこのＰ型領域２の表面側にＮ- 型領域
６を形成する。そして、受光部４は、このＮ- 型領域６
の表面領域に浅いＰ++型領域７を形成すると共にこのＰ
++型領域７の下方に信号電荷蓄積領域を構成するＮ+型
領域３を形成することによって構成する。また、この場
合、Ｐ++型領域７及びＮ+ 型領域３に隣接してチャンネ
ルストッパ部を構成するＰ+ 型領域８を形成すると共
に、Ｐ++型領域７上にＳｉＯ2 による絶縁層９を形成す
る。
Ｐ型領域２を例えばエピタキシャル成長法によって形成
すると共に、更にこのＰ型領域２の表面側にＮ- 型領域
６を形成する。そして、受光部４は、このＮ- 型領域６
の表面領域に浅いＰ++型領域７を形成すると共にこのＰ
++型領域７の下方に信号電荷蓄積領域を構成するＮ+型
領域３を形成することによって構成する。また、この場
合、Ｐ++型領域７及びＮ+ 型領域３に隣接してチャンネ
ルストッパ部を構成するＰ+ 型領域８を形成すると共
に、Ｐ++型領域７上にＳｉＯ2 による絶縁層９を形成す
る。
【００１３】また垂直レジスタ部５は、読み出しゲート
領域を構成するＰ型領域１０に隣接して信号電荷転送領
域を構成するＮ+ 型領域１１を形成すると共に、このＮ
+ 型領域１１上にＳｉＯ2 によりなる絶縁層９及びＳｉ
3 Ｎ4 よりなる絶縁層１２を介してポリシリコンよりな
る転送電極１３を形成することによって構成する。
領域を構成するＰ型領域１０に隣接して信号電荷転送領
域を構成するＮ+ 型領域１１を形成すると共に、このＮ
+ 型領域１１上にＳｉＯ2 によりなる絶縁層９及びＳｉ
3 Ｎ4 よりなる絶縁層１２を介してポリシリコンよりな
る転送電極１３を形成することによって構成する。
【００１４】この場合、この転送電極１３の一端を読み
出しゲート電極１３Ａとして兼ねる様にする。また信号
電荷転送領域を構成するＮ+ 型領域１１の下方にスミア
を防止するためのＰ型領域１４を形成すると共に、転送
電極１３の上方に絶縁層９を介して遮光用のアルミニウ
ム層１５を設ける。
出しゲート電極１３Ａとして兼ねる様にする。また信号
電荷転送領域を構成するＮ+ 型領域１１の下方にスミア
を防止するためのＰ型領域１４を形成すると共に、転送
電極１３の上方に絶縁層９を介して遮光用のアルミニウ
ム層１５を設ける。
【００１５】尚、この図１には２個の転送電極１３，１
３のみを示しているが、本例においては、従来周知の様
に４相駆動方式によりこの垂直レジスタ部５を駆動し得
る様に所定数の転送電極を配置する。また水平レジスタ
部及び出力部については図示せずも、従来周知の様に構
成する。
３のみを示しているが、本例においては、従来周知の様
に４相駆動方式によりこの垂直レジスタ部５を駆動し得
る様に所定数の転送電極を配置する。また水平レジスタ
部及び出力部については図示せずも、従来周知の様に構
成する。
【００１６】また本例においては、直流電源１６及び１
７の夫々の負極端子とＰ型領域２とを共通接続して接地
すると共に、直流電源１６及び１７の夫々の正極端子を
スイッチ回路１８の一方及び他方の固定接点１８Ａ及び
１８Ｂに夫々接続し、このスイッチ回路１８の可動接点
１８ＣをＮ型シリコン基板１に接続する。
７の夫々の負極端子とＰ型領域２とを共通接続して接地
すると共に、直流電源１６及び１７の夫々の正極端子を
スイッチ回路１８の一方及び他方の固定接点１８Ａ及び
１８Ｂに夫々接続し、このスイッチ回路１８の可動接点
１８ＣをＮ型シリコン基板１に接続する。
【００１７】この場合、直流電源１６の出力電圧Ｖ
L は、この電圧ＶL をＮ型シリコン基板１に供給した場
合、図２に実線Ｘで示す様にＰ型領域２のポテンシャル
が表面のＰ++型領域７のポテンシャルよりも稍低くな
り、信号電荷蓄積領域３において信号電荷を蓄積できる
と共に有効なブルーミング抑制を行うことができる電
圧、例えば１０Ｖとし、また直流電源１７の出力電圧Ｖ
H はこの電圧ＶH をＮ型シリコン基板１に供給した場合
に図２に破線Ｙで示すようにＰ型領域２のポテンシャル
が信号電荷蓄積領域３のポテンシャルよりも低くなり、
信号電荷蓄積領域３に蓄積された信号電荷をＮ型シリコ
ン基板１に掃き出すことができる電圧、例えば３０Ｖと
する。
L は、この電圧ＶL をＮ型シリコン基板１に供給した場
合、図２に実線Ｘで示す様にＰ型領域２のポテンシャル
が表面のＰ++型領域７のポテンシャルよりも稍低くな
り、信号電荷蓄積領域３において信号電荷を蓄積できる
と共に有効なブルーミング抑制を行うことができる電
圧、例えば１０Ｖとし、また直流電源１７の出力電圧Ｖ
H はこの電圧ＶH をＮ型シリコン基板１に供給した場合
に図２に破線Ｙで示すようにＰ型領域２のポテンシャル
が信号電荷蓄積領域３のポテンシャルよりも低くなり、
信号電荷蓄積領域３に蓄積された信号電荷をＮ型シリコ
ン基板１に掃き出すことができる電圧、例えば３０Ｖと
する。
【００１８】またスイッチ回路１８は制御信号入力端子
１９を介して供給される制御信号によってスイッチング
制御できる様にする。
１９を介して供給される制御信号によってスイッチング
制御できる様にする。
【００１９】この様に構成された本例の固体撮像装置に
おいては、Ｎ型シリコン基板１に直流電源１６の出力電
圧１０Ｖを印加しておき、読み出しゲート電極１３Ａに
図３Ａに示す様な読み出しパルスＰ2 を供給すると、信
号電荷蓄積領域３に蓄積された信号電荷は垂直レジスタ
部５に読み出される。
おいては、Ｎ型シリコン基板１に直流電源１６の出力電
圧１０Ｖを印加しておき、読み出しゲート電極１３Ａに
図３Ａに示す様な読み出しパルスＰ2 を供給すると、信
号電荷蓄積領域３に蓄積された信号電荷は垂直レジスタ
部５に読み出される。
【００２０】そこで本例においては、１フィールド周期
で垂直帰線期間内にこの読み出しパルスＰ2 を読み出し
ゲート電極１３Ａに供給する様にする。
で垂直帰線期間内にこの読み出しパルスＰ2 を読み出し
ゲート電極１３Ａに供給する様にする。
【００２１】そして、また読み出しパルスＰ2 を読み出
しゲート電極１３Ａに供給した後、１フィールド期間内
の任意の時刻にスイッチ回路１８を制御して、Ｎ型シリ
コン基板１に図３Ｂに示す様に電圧３０Ｖのパルスすな
わち掃き出しパルスＰ1 を供給すると、先の読み出しパ
ルスＰ2 の供給後、この掃き出しパルスＰ1 の供給まで
の期間ｔ2 の間に信号電荷蓄積領域３に蓄積された信号
電荷はＮ型シリコン基板１に掃き出される。このため、
次の読み出しパルスＰ2 が読み出しゲート電極１３Ａに
供給されたときは、先の掃き出しパルスＰ1 が供給され
た後、この読み出しパルスＰ2 が供給されるまでの期間
ｔ1 の間に信号電荷蓄積領域３に蓄積された信号電荷が
垂直レジスタ部５に読み出されることになる。
しゲート電極１３Ａに供給した後、１フィールド期間内
の任意の時刻にスイッチ回路１８を制御して、Ｎ型シリ
コン基板１に図３Ｂに示す様に電圧３０Ｖのパルスすな
わち掃き出しパルスＰ1 を供給すると、先の読み出しパ
ルスＰ2 の供給後、この掃き出しパルスＰ1 の供給まで
の期間ｔ2 の間に信号電荷蓄積領域３に蓄積された信号
電荷はＮ型シリコン基板１に掃き出される。このため、
次の読み出しパルスＰ2 が読み出しゲート電極１３Ａに
供給されたときは、先の掃き出しパルスＰ1 が供給され
た後、この読み出しパルスＰ2 が供給されるまでの期間
ｔ1 の間に信号電荷蓄積領域３に蓄積された信号電荷が
垂直レジスタ部５に読み出されることになる。
【００２２】この様に本例の固体撮像装置においては、
掃き出しパルスＰ1 からこの掃き出しパルスＰ1 に後続
する読み出しパルスＰ2 までの期間ｔ1 が露出時間とな
るので、掃き出しパルスＰ1 をＮ型シリコン基板１に供
給する時刻を可変することで所望の露出時間とすること
ができる。
掃き出しパルスＰ1 からこの掃き出しパルスＰ1 に後続
する読み出しパルスＰ2 までの期間ｔ1 が露出時間とな
るので、掃き出しパルスＰ1 をＮ型シリコン基板１に供
給する時刻を可変することで所望の露出時間とすること
ができる。
【００２３】従って、本例の固体撮像装置によれば、こ
れを例えばビデオカメラに使用するときは、機械的シャ
ッタ装置を不要とし、ビデオカメラの小型、軽量、低価
格化を図ることができるという利益がある。
れを例えばビデオカメラに使用するときは、機械的シャ
ッタ装置を不要とし、ビデオカメラの小型、軽量、低価
格化を図ることができるという利益がある。
【００２４】また本例の固体撮像装置においては、信号
電荷を掃き出すのに従来の固体撮像装置の様に垂直レジ
スタ部５を高速動作させる必要がなく、Ｎ型シリコン基
板１に例えば電圧３０Ｖのパルスを供給するのみで足り
る様になされているので、露出制御を行うに必要な電力
を大幅に低減できるという利益がある。
電荷を掃き出すのに従来の固体撮像装置の様に垂直レジ
スタ部５を高速動作させる必要がなく、Ｎ型シリコン基
板１に例えば電圧３０Ｖのパルスを供給するのみで足り
る様になされているので、露出制御を行うに必要な電力
を大幅に低減できるという利益がある。
【００２５】また本例によれば掃き出し電圧としてのパ
ルスＰ1 が露光開始の直前にパルス状にＮ型シリコン基
板１に供給されるため、掃き出しパルスＰ1 を、このＮ
型シリコン基板１に与える期間を短くしてＰ型領域２の
ポテンシャル変動を少なくし、正確な露光時間を得ると
ともに全撮像領域において、均一な露光時間を得ること
ができる利益がある。
ルスＰ1 が露光開始の直前にパルス状にＮ型シリコン基
板１に供給されるため、掃き出しパルスＰ1 を、このＮ
型シリコン基板１に与える期間を短くしてＰ型領域２の
ポテンシャル変動を少なくし、正確な露光時間を得ると
ともに全撮像領域において、均一な露光時間を得ること
ができる利益がある。
【００２６】尚、本発明は上述実施例に限らず、本発明
の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が取り得
ることは勿論である。
の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が取り得
ることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】本発明に依れば、露出時間を可変し、所
望の露出時間にすることができるという利益があり、こ
れを例えばビデオカメラに使用する場合には、機械的シ
ャッタ装置を不要にし、ビデオカメラの小型、軽量、低
価格化を図ることができるという利益がある。
望の露出時間にすることができるという利益があり、こ
れを例えばビデオカメラに使用する場合には、機械的シ
ャッタ装置を不要にし、ビデオカメラの小型、軽量、低
価格化を図ることができるという利益がある。
【００２８】また本発明に依れば、斯る電気的な露出制
御を行うに際し、第１の導電型の半導体基板にパルス状
の所定電圧を供給すれば足り、消費電力を大幅に低減で
きるという利益もある。
御を行うに際し、第１の導電型の半導体基板にパルス状
の所定電圧を供給すれば足り、消費電力を大幅に低減で
きるという利益もある。
【００２９】また、本発明によれば掃き出し電圧が露光
開始の直前にパルス状に第１の導電型の半導体基板に供
給されるため、掃き出し電圧が、この第１の導電型の半
導体基板に与えられる期間が短く、このため第２の導電
型の領域のポテンシャル変動が少なく、正確な露光時間
を得るとともに全撮像領域において均一な露光時間を得
ることができる利益がある。
開始の直前にパルス状に第１の導電型の半導体基板に供
給されるため、掃き出し電圧が、この第１の導電型の半
導体基板に与えられる期間が短く、このため第２の導電
型の領域のポテンシャル変動が少なく、正確な露光時間
を得るとともに全撮像領域において均一な露光時間を得
ることができる利益がある。
【図１】本発明固体撮像装置の実施例の要部を示す構成
図である。
図である。
【図２】図１例における信号電荷蓄積領域を含む厚さ方
向におけるポテンシャルを示す線図である。
向におけるポテンシャルを示す線図である。
【図３】図１例の説明に供給する線図である。
１ Ｎ型シリコン基板 ２ Ｐ型領域 ３ 信号電荷蓄積領域 ４ 受光部 ５ 垂直レジスタ部 ６ Ｎ- 型領域 ７ Ｐ++型領域 １１ 信号電荷転送領域 １６，１７ 直流電源 １８ スイッチ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米本 和也 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の導電型の半導体基板と、該第１の
導電型の半導体基板上に形成された第２の導電型の領域
と、該第２の導電型の領域の表面側に形成された信号電
荷蓄積領域とを有してなる固体撮像装置の上記第１の導
電型の半導体基板に掃き出し電圧を供給し、上記信号電
荷蓄積領域に蓄積される信号電荷を上記第１の導電型の
半導体基板に掃き出させ得るようにした固体撮像装置に
おいて、 上記第１の導電型の半導体基板に供給する上記掃き出し
電圧をパルス状とし、該パルス状の掃き出し電圧を供給
する時刻を可変することにより露光時間を制御するよう
にしたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 第１の導電型の半導体基板と、該第１の
導電型の半導体基板上に形成された第２の導電型の領域
と、該第２の導電型の領域の表面側に形成された信号電
荷蓄積領域とを有してなる固体撮像装置の上記第１の導
電型の半導体基板に掃き出し電圧を供給し、上記信号電
荷蓄積領域に蓄積される信号電荷を上記第１の導電型の
半導体基板に掃き出させ得るようにしたビデオカメラの
露光時間制御方法において、 露光開始の直前のタイミングで上記第１の導電型の半導
体基板にパルス状の掃き出し電圧を供給することにより
露光時間を制御するようにしたことを特徴とするビデオ
カメラの露光時間制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7120685A JP2565247B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7120685A JP2565247B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846875A true JPH0846875A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2565247B2 JP2565247B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=14792422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7120685A Expired - Lifetime JP2565247B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565247B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010182886A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
| JP2010182888A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062518A (ja) * | 1973-10-03 | 1975-05-28 | ||
| JPS5871772A (ja) * | 1981-10-24 | 1983-04-28 | Shimadzu Corp | 固体撮像素子 |
| JPS58125964A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
| JPS58125961A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-27 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
| JPH0759055A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-03-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 映像信号方式変換装置 |
-
1995
- 1995-04-21 JP JP7120685A patent/JP2565247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062518A (ja) * | 1973-10-03 | 1975-05-28 | ||
| JPS5871772A (ja) * | 1981-10-24 | 1983-04-28 | Shimadzu Corp | 固体撮像素子 |
| JPS58125961A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-27 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
| JPS58125964A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
| JPH0759055A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-03-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 映像信号方式変換装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010182886A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
| JP2010182888A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2565247B2 (ja) | 1996-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4875100A (en) | Electronic shutter for a CCD image sensor | |
| KR860000073B1 (ko) | 고체촬상소자(固體撮像素子) | |
| US3931465A (en) | Blooming control for charge coupled imager | |
| CN101924886B (zh) | 固态成像装置、制造以及驱动该装置的方法以及电子设备 | |
| EP0548987A2 (en) | Source follower circuit for image sensor | |
| JPH0815322B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US4856033A (en) | Solid state imager device with exposure control with noise reduction | |
| JP2565247B2 (ja) | 固体撮像装置及びビデオカメラの露光時間制御方法 | |
| JPH0759055B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2517882B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH09275205A (ja) | 電荷転送素子及び電荷転送素子の駆動方法 | |
| US4780765A (en) | Solid state image pick-up device | |
| US4533954A (en) | Solid state image pickup apparatus | |
| JP2565247C (ja) | ||
| JP2605294B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2668883B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2517882C (ja) | ||
| JP2532645B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2970119B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
| JPH01208862A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10112535A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4593751B2 (ja) | リニアセンサ及びその駆動方法 | |
| JP2872476B2 (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| JP2693346B2 (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| JPS58131766A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |