JPS58123719A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPS58123719A JPS58123719A JP654082A JP654082A JPS58123719A JP S58123719 A JPS58123719 A JP S58123719A JP 654082 A JP654082 A JP 654082A JP 654082 A JP654082 A JP 654082A JP S58123719 A JPS58123719 A JP S58123719A
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- quartz tube
- tubes
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造装置、特に酸化−拡散炉石
英チューブおよび化学的気相成長（以下、ＣｖＤと記す
）用石英チューブの改良に関するものである。
英チューブおよび化学的気相成長（以下、ＣｖＤと記す
）用石英チューブの改良に関するものである。
第１図は、従来用いられている減圧気相成長（以下、Ｉ
、ＰＣＶＤと記す）ＩＩ置の一例である。
、ＰＣＶＤと記す）ＩＩ置の一例である。
ＬＰＣＶＤ法では、金属＊、半半導体膜絶絶縁膜ど多種
多様な薄膜を生成する事が可能であるが、ここではＢＬ
ｌｌａ と０３の反応によって生成されるシリコン酸化
膜Ｂ ｉ Ｏ，の場合について説明する。
多様な薄膜を生成する事が可能であるが、ここではＢＬ
ｌｌａ と０３の反応によって生成されるシリコン酸化
膜Ｂ ｉ Ｏ，の場合について説明する。
第１図に示す様に、メカニカルブースターポンプ５と油
回転真空ポンプ６により、石英チューブ１の中の圧力が
αＱ １ ｔｏｒｒ以下まで予備排気した後、ガス導入
管１２および１５より８１Ｈ４ガスおよび０禽ガスおよ
び希釈ガスとしてＨｅガスを導入して、抵抗加熱ｆ２で
約４０（ＩｃＫ熱せられた石英ボート９上に配置された
半導体基板１０の表面に、シリコン酸化膜８１０箇を積
層する事が一般に行なわれている。
回転真空ポンプ６により、石英チューブ１の中の圧力が
αＱ １ ｔｏｒｒ以下まで予備排気した後、ガス導入
管１２および１５より８１Ｈ４ガスおよび０禽ガスおよ
び希釈ガスとしてＨｅガスを導入して、抵抗加熱ｆ２で
約４０（ＩｃＫ熱せられた石英ボート９上に配置された
半導体基板１０の表面に、シリコン酸化膜８１０箇を積
層する事が一般に行なわれている。
ところがこの製造装置では、半導体基ｆ２１０上に８１
０３が積層するだけでなく、第１図に示す様に石英チュ
ーブの内壁にも５ｉｌｌが付着し、何度も積層する事に
より厚い付着ｌ［１４が形成される。この付着膜１４の
厚さが２０μ〜３０μ以上にもなると、内壁からはく離
し、半導体基板１０上に、いわゆるフレークとして付着
し、半導体製品の歩留りを著しく落とす事になる。この
為、付Ｎ膜１４がはく離する前ＫＬＰＯＶＤ装置より石
英チューブ１を取り外し、チューブ洗浄槽で希釈しｆＣ
ＨＦ＃！液郷で付着した８１０．膜をエツチングするが
、この時、場所によって付着の程度が異方る為％第２図
に示す様に石英チューブの内壁に凹凸１５が形成され、
石英チューブの寿命を短かくすると同時に、薄膜が付着
しやすくなったりはく離しやすくなる。上記の様な間醜
を解決する為に第Ｓ図に示すＳに、石英チューブ内壁の
付着物をこすり落とす方法が提案されているが、付着物
の庫い領域は石英チューブの奥側にある為、こすり棒１
６の分だけ余分に洗浄槽を長くしなければならない事と
、付着物を落としＫ〈いという欠点を有している。
０３が積層するだけでなく、第１図に示す様に石英チュ
ーブの内壁にも５ｉｌｌが付着し、何度も積層する事に
より厚い付着ｌ［１４が形成される。この付着膜１４の
厚さが２０μ〜３０μ以上にもなると、内壁からはく離
し、半導体基板１０上に、いわゆるフレークとして付着
し、半導体製品の歩留りを著しく落とす事になる。この
為、付Ｎ膜１４がはく離する前ＫＬＰＯＶＤ装置より石
英チューブ１を取り外し、チューブ洗浄槽で希釈しｆＣ
ＨＦ＃！液郷で付着した８１０．膜をエツチングするが
、この時、場所によって付着の程度が異方る為％第２図
に示す様に石英チューブの内壁に凹凸１５が形成され、
石英チューブの寿命を短かくすると同時に、薄膜が付着
しやすくなったりはく離しやすくなる。上記の様な間醜
を解決する為に第Ｓ図に示すＳに、石英チューブ内壁の
付着物をこすり落とす方法が提案されているが、付着物
の庫い領域は石英チューブの奥側にある為、こすり棒１
６の分だけ余分に洗浄槽を長くしなければならない事と
、付着物を落としＫ〈いという欠点を有している。
本発明は、以上の問題点を解決する様な、ま次チューブ
洗浄を容易に行なえる様な石英チューブを提供するもの
である。
洗浄を容易に行なえる様な石英チューブを提供するもの
である。
第４図に、本発明の石英チューブの概略を記す。
すなわち第４図に示す橡に、石英チューブを二つに分け
、前方チューブ１７と後方チューブ１８の連結は、すり
合わせ部１９ｔ−用いて行なう。前方チューブ１７の長
さ１１と後方チューブ１８の長さ１１の決め方は、付着
物の付着具合で適当に選定する０石英チューブの尾管部
だけに特に付着物が付着しやすければ、１雪を短かくす
る事が望ましい、第４図に示す様なすり合わせ方式の石
英チューブＹｔＬ’ＰＯＶＤで用いる場合燻、第５図に
示す様にアウターチューブ２０を用いる。このアウター
チューブ２０會用いる事によ妙、すり合わせ部１９から
リークする問題がなくなる。またアウターチューブ２０
とすり合わせ方式の石英チューブ２１との間には、反応
ガスがほとんど入り込まないので、アウターチューブ２
０の内壁に薄膜が付着する事もないし、たとえ付着して
その付着物がはく離しても、半導体基板１（ＨＣＣ畳替
る事はほとんどない、付着物の積層したすり合わせ方式
の石英チューブを洗浄する場合、前方チューブ１７と後
方チューブ１８の二つの部分に分離し、それぞれ別々に
洗浄する事ができる。付着物の多い後方チューブは、１
本の石英チューブの半分はどの長さしかない為に、第５
図に示す方法が、その他の方法で、付着物を除去する事
が容易となる。
、前方チューブ１７と後方チューブ１８の連結は、すり
合わせ部１９ｔ−用いて行なう。前方チューブ１７の長
さ１１と後方チューブ１８の長さ１１の決め方は、付着
物の付着具合で適当に選定する０石英チューブの尾管部
だけに特に付着物が付着しやすければ、１雪を短かくす
る事が望ましい、第４図に示す様なすり合わせ方式の石
英チューブＹｔＬ’ＰＯＶＤで用いる場合燻、第５図に
示す様にアウターチューブ２０を用いる。このアウター
チューブ２０會用いる事によ妙、すり合わせ部１９から
リークする問題がなくなる。またアウターチューブ２０
とすり合わせ方式の石英チューブ２１との間には、反応
ガスがほとんど入り込まないので、アウターチューブ２
０の内壁に薄膜が付着する事もないし、たとえ付着して
その付着物がはく離しても、半導体基板１（ＨＣＣ畳替
る事はほとんどない、付着物の積層したすり合わせ方式
の石英チューブを洗浄する場合、前方チューブ１７と後
方チューブ１８の二つの部分に分離し、それぞれ別々に
洗浄する事ができる。付着物の多い後方チューブは、１
本の石英チューブの半分はどの長さしかない為に、第５
図に示す方法が、その他の方法で、付着物を除去する事
が容易となる。
また、石英洗浄槽の大きさも、通常の大きさの半分ｌ！
麿で行なえる為、狭い所でも洗浄可能である。
麿で行なえる為、狭い所でも洗浄可能である。
陶、本発明は、上述したｂｐｏｖｎ装置にとどまる所で
はなく％酸化および拡散装置の石英チューブ拡散炉型の
常圧ｃｖｎ装置の石英チューブ等に本採用できる事は明
らかである。
はなく％酸化および拡散装置の石英チューブ拡散炉型の
常圧ｃｖｎ装置の石英チューブ等に本採用できる事は明
らかである。
第１図は、従来のＬＰＯＶＩ）装置の概略図、第２図は
、石英チューブに付着した反応物をエツチングした後に
１石英管の内壁に形成される凹凸を模式的に描いた図で
ある。 第３図は、石英チューブの内壁を洗浄する為の治具の一
例を示す図、第４図は、本発明のすり合わせ式石英チュ
ーブを模式的ｖｃｌ！Ｉｔいた図である。 ｔｊ１４５図は、本発明のすり合わせ式石英チューブを
ＬＰＯＶＤ装置に応用した場合、特にアウターチューブ
が必要な事を示すＬＰ（！ＶＤ装置の模式１・・・石英
チューブ ２・・・加熱装置ト°°尾管部フランジ
４・・・トラップ装置５・・・メカニカルブースタ
ーポンプ ６・・・油拡散ポンプ ７．８・・・ガス排気用配管 ９・・・石英ボート１０
・・・半導体基板 １１・・・石英チューブトピラ １２．１３・・・ガス導入配管・ １４・・・反応種の付着物 １５・・・尾管部のくほみ
１６・・・石英チューブ洗浄治具 １７・・・前方チューブ １８・・・後方チューブ１
９・・・すり合わせ部 ２０・・・アウターチューブ ２１・・・すり合わせ式石英チューブ 以上 第２［ａ 第３図 ！ 第４図
、石英チューブに付着した反応物をエツチングした後に
１石英管の内壁に形成される凹凸を模式的に描いた図で
ある。 第３図は、石英チューブの内壁を洗浄する為の治具の一
例を示す図、第４図は、本発明のすり合わせ式石英チュ
ーブを模式的ｖｃｌ！Ｉｔいた図である。 ｔｊ１４５図は、本発明のすり合わせ式石英チューブを
ＬＰＯＶＤ装置に応用した場合、特にアウターチューブ
が必要な事を示すＬＰ（！ＶＤ装置の模式１・・・石英
チューブ ２・・・加熱装置ト°°尾管部フランジ
４・・・トラップ装置５・・・メカニカルブースタ
ーポンプ ６・・・油拡散ポンプ ７．８・・・ガス排気用配管 ９・・・石英ボート１０
・・・半導体基板 １１・・・石英チューブトピラ １２．１３・・・ガス導入配管・ １４・・・反応種の付着物 １５・・・尾管部のくほみ
１６・・・石英チューブ洗浄治具 １７・・・前方チューブ １８・・・後方チューブ１
９・・・すり合わせ部 ２０・・・アウターチューブ ２１・・・すり合わせ式石英チューブ 以上 第２［ａ 第３図 ！ 第４図
Claims (2)
- （１） 少なくとも二つの石英チューブをすり合わせ
方式で連結する事ｔ４Ｉ黴とする半導体装置の製造装置
。 - （２） 前記少なくとも二つの石英チューブの外側を
気密性の良いチューブで被う事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP654082A JPS58123719A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP654082A JPS58123719A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123719A true JPS58123719A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11641172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP654082A Pending JPS58123719A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123719A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377114A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気炉用炉芯管 |
| JPH0281035U (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-22 |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP654082A patent/JPS58123719A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377114A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気炉用炉芯管 |
| JPH0281035U (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-22 |
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