JPS5812341A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5812341A
JPS5812341A JP56111064A JP11106481A JPS5812341A JP S5812341 A JPS5812341 A JP S5812341A JP 56111064 A JP56111064 A JP 56111064A JP 11106481 A JP11106481 A JP 11106481A JP S5812341 A JPS5812341 A JP S5812341A
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JP
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lead
fin
radiation fin
base
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JP56111064A
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「徳」丸　征也
Seiya Tokumaru
Yoshimasa Kudo
工藤　好正
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超小■化されゐ７ラツ）／＃ツケージ瀝の集積
回路として適する半導体装置に関する。
近時、機器の小臘化に伴ない、集積回路の外囲器もチェ
アル・インツイン・バック−ｙＩＩＫとどまらず、よ〕
小臘の７ラツトΔツクージ履のもＯＫ移行しククある。
ｔｆｃ回路の大規模化、多機能化に伴な−、外囲器のＣ
ン数も増加の一途を九どりている・とζろが従来の７ラ
ツトバツクージは、その構造上熱低抗が高く、消費電力
の小さい一般のｇｏｓ集積回路とか、回路規模が小さく
消費電力が小さくて済んだ一部Ｏｄイ４−２集積回路に
しか使用できなかつた。
一方、熱低抗が低くて消費電力が高ｖｈ＠積回路を塔載
で龜る放熱ツイン付き外囲器は、そＯ製造方法等の制限
よル寸法が大龜（ならざるを得なかり九・例えば置込み
放熱フィンｔａｏ４゜ｔノ させておく必要がない。しかしフィンがモールド樹脂で
全面的に覆われてしまうので放熱効果が小さくなシ、所
望の効果を得るためＫは、どうしてもフィンそのものを
大きくする必要があうた。ｔた露出放熱フィン型のもの
は、第１図に示されるように放熱フィンＪを、フレーム
の複数のインナーリード２の一部を用いて機械的にかし
め、該リードの７レームに保持させていゐのが一般的で
あった。しかしこの方法だとかしめの作業性、かしめ部
３の機械工作の精度上などによｐ、フィン１は余分な延
長部分４を有さざるを得ないし、リード２との間隔ｔを
設けなければならないので、その分外形寸法が大きくな
るものであった。またリード２は樹脂モールド工程にい
たるまで宙に浮いた形となるため、工程中に引掛けたル
して補修を要した夛、また各リード間の間隔が不均一化
されてがンデインダ失敗の原因となったりするものであ
った。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、放熱フィン
とリードの固定の仕方、形状等を工夫することによシ、
前記従来の問題点を一掃し得る半導体装置を提供しよう
とするものである。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第２
図に示されるように、半導体ペレットのマウント基台を
兼ねる放熱フィンとして、熱伝導率の高い金属例えば銅
、リン育銅、アルミニウム等からなる円板状のフィン１
１を用意する。また第３図に示されるように、フレーム
１２として、ベッド部が全くなくかつ放射状配置のリー
ド１３とその外枠１４からなるものを用意するっそして
第４図に示されるようにフレーム１２の各リード１３の
先端領域に、例えばポリイミド樹脂からなる環状の両面
接着性のチーｆ１５をセットし、更に前述の放熱フィン
１１をのせ、熱圧着等によシテーｆ１５を介して、フレ
ーム１２のインナーリード部と放熱フィン１１を接着固
定する。この際リード１３とフィン１１とチーブ１５の
３者間に位置ずれを生じさせないため、これらの間を位
置決めする型枠等を用いた９、マークをつけたシしてお
くとよい。また第５図に示されるように、放熱フィン１
１のリード配置面側の中央部に直接半導体ペレット１６
ｔ−１導電性及び良導熱性を有する接着剤を用いてマウ
ントシ、ペレット１６の所望の・童ツドとリード１３の
所望のインナーリード部とを、例えば金よプなるワイヤ
１７でがンデイング接続する。次に第６図に示されるよ
うに型成型技術を用いて、プラスチックモールド樹脂に
よシ、放熱フィン１ノの一面＠（ペレットマウント面と
は反対側の面）が露出するようにしてペレット１６、イ
ンナーリード及びワイヤ１７等を封止し、所望のフラッ
ト・ヤッケージ型モールド外囲−１８を形成する。最後
にカッティング技術により、フレーム１２の外枠１４等
を切り取って各リード１３を独立化するものである。
このようにして形成されたフラットノ母ツクーノ型半導
体装置には、次のような利点が具備される。即ち露出型
の放熱フィン１１に直接ペレット１６をマウントできる
ので、熱抵抗を低くすることができる。ちなみに、従来
の放熱フィンなしのフラット・ぞツケージの外囲器の熱
抵抗は、１８０〜２３０Ｃ／Ｗであったのに対し、上記
本発明の構成の外囲器の熱抵抗は、９０〜１００　Ｃ／
Ｗと非常に低いものでめった。また放熱フィン１１とリ
ード１３間が接着構成でこれらの間が薄くなるし、従来
のようなかしめ部も不要となシ、また上記の知く放熱性
が良好でフィン１１の小型化が可能となる等で、従来の
外囲器に比し格段の小型化が可能となる。また各リード
１３は接着チーｆｚｓで固定されるため、工程中にリー
ド１３を何かで引掛けて補修を要したシ、各リード１３
間の間隔が不均一化されて？ンデイング失敗したシする
こともなくなる。
またフレーム１２と放熱フィン１１の面どうしが、接着
チーｆｚ５を間に挾んで互に平行になるので、型成型時
の型枠と放熱フィン１１の平行出しが極めて容易に保証
され、モールド樹脂１８とフィンＩＪの面どうしも平行
になる。更にこの時、フィン１１の露出表面へのモール
ド樹脂の流れも著しく減少し、外観上よシきれいな仕上
りとなる。また放熱フィン１１は円板形であるため、モ
ールド成型時に型枠内に均一に樹脂が流れ込むし、冷却
後フィン１１とモールド樹脂１８の界面付近の残留応力
が均一になり、樹脂１８に割れなどが生じにくくなって
、信頼性が向上する。
第７図は本発明の他の実施例を示す。この場合放熱フィ
ン１１′は四角形の角が切シ落され、かつ相対する２辺
にくぼみ２１が設けられ５九形状をしている。また、こ
のくぼみ２１がある部分で、リード１３及びチーブ１５
に位置合わせ用目印（マーク）として、孔２２．２３が
設けられている。
このように放熱フィン１１′とチー′ｆ１５とリード１
３のそれぞれに対応した位置に、位置合わせ用目印を設
けておくことによシ、これら３者を互に接着させる時に
容易に位置決めができ、組立て工程の作業性が大幅に改
善される。更に上記３考間の相互位置が正確に設定でき
るので、寸法のばらつきがなくなり、その分小型化が口
Ｊ能となる。また放熱フィン１１を、第７図（６）の如
く角を切シ取っておくことにより、その切り取られた角
に対応するリード（ピン）の番号識別にも便利になる。
またこのようにピンの識別マークともなるので、従−来
のようにモールド樹脂そのものの四辺のどこかに、くぼ
みをつけた９角を切ったシする必要がない。このためモ
ールド樹脂の四辺の全ての個所をピンのために用いるこ
とができ、その発条ビン化することも可能となるもので
ある。
なお本発明は実施例のみに限定されるものではなく、種
々の応用が可能である。例えば放熱フィンを、実施例の
形状以外の例えば四角形としたシ、該任意形状の放熱フ
ィンに、例えば第７図の場合と同様の位置合わせ用目印
としての孔をあけたシしてもよい。ま九実施例では、放
熱フィンとリード間の接着固定を行なう接着部（１＋Ｐ 材として、両面接着性のテープ１５を用いたが、例えば
片面接層性で、他の片面には他の接着剤を用いるように
してもよい。また実施例では、本発明を７ラツト・譬ツ
ケージ型のものに適用した場合を説明したが、デュアル
・インライン・・母ツケーノ型等に適用してもよい。
以上説明した如く本発明によれば、片面露出型放熱フィ
ンに直接ペレットをマウントし、該放熱フィンとリード
とを接着構造で固定するようにしたため、放熱性が良好
で、外囲器の超小型化も可能となシ、また工程中にリー
ドを引掛けて補修を要し九シ、コンディング失敗が生じ
九シすることのない半導体装置が提供できるものである
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の放熱フィン付・母ツケージ型装置を説明
するための構成を示す斜視図、第２図ないし第６図は本
発明の一実施例を説明するためのもので、第２図は放熱
フィンの斜視図、第３図はフレームの概略的斜視図、第
４図（ａ）は組立て工聯途中の断面図、同図（６）は同
平面図、第５図も組立て途中の断面図、第６図（ｄ）は
完成装置の斜視図、同図（６）は同断面図、第７図（ｄ
）は本発明の他の実施例を説明するための断面図、同図
（ｂ）呼量平面図である。 １１・・・放熱フィン（基台）、１３・・・リード、１
５・・・接着チーブ、１６・・・半導体ペレット、１７
・・・ボンディングワイヤ、１８・・・モールド樹脂（
外囲器）。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第１１ 第２図 １３図 第４図 （ａ） 第５図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （リ　熱伝導率Ｏ１４％／ｈ金属基台と、該基台Ｏ−■
    儒に配殴１れるり−ｒと、腋ＩＪ−１’と前記基會関に
    ６りてこれら両者を緩着す為ａ縁性豪着Ｓ材と、前記基
    台の一画側で前記ｖ−ＰＯ近傍にマりシト畜れ為半導体
    ４Ｖツトと、諌ペレツシと藺配り−ｒ間を接続するワイ
    ヤと、前記基台０４レフトマクン）面側で前記ベレツシ
    、ワイヤ及び￥−ＦＯ先瑠側を封止しかり前記基台０４
    レットマウント画七は反対側の画を露出させる樹脂外■
    器上を＾備し九ことを特徴七す為半導体装置。 （２）１記基台は円Ｉ［形状である特許請求の範園籐１
    項に記載Ｏ半導体装置・ （萄　前記接着ＩＩ＆材は両ＩＩ會九は片ｉｉｒｍ着デ
    ーｆ″ｃＴｏｈ４Ｉ許請求の颯■籐１項に記載Ｏ半導体
    装置・ （４）　　前記基台、リード及び接着部材のそれぞれ対
    区した位置に位置合わせ用の＠印が設炒られた特許請求
    の範１１ｊ１１項に記載の半導体装置。
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