JPH09199528A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アイランドに対して半導体チップの主面側を
接続する樹脂封止型半導体装置では、アイランドを絶縁
板で構成すると、その機械的な強度の低下により半導体
チップの変形が生じ、かつ耐湿性が低下される。 【解決手段】 アイランド２に半導体チップ１０を搭載
し、かつ半導体チップ１０の内部電極１１とリードフレ
ーム１の内部リード４とを金属細線６で接続し、これら
を樹脂７で封止してなる樹脂封止型半導体装置におい
て、アイランド２をリードフレーム１と一体に形成し、
かつ半導体チップ１０は内部電極１１が形成されている
主面をアイランド２の裏面にマウントする。アイランド
２がリードフレーム１と一体に金属で形成されるため、
その機械的な強度が向上され、半導体チップ１０の変形
が防止され、かつ封止樹脂７との密接性の劣化が生じる
ことがなく、耐湿性が改善される。
接続する樹脂封止型半導体装置では、アイランドを絶縁
板で構成すると、その機械的な強度の低下により半導体
チップの変形が生じ、かつ耐湿性が低下される。 【解決手段】 アイランド２に半導体チップ１０を搭載
し、かつ半導体チップ１０の内部電極１１とリードフレ
ーム１の内部リード４とを金属細線６で接続し、これら
を樹脂７で封止してなる樹脂封止型半導体装置におい
て、アイランド２をリードフレーム１と一体に形成し、
かつ半導体チップ１０は内部電極１１が形成されている
主面をアイランド２の裏面にマウントする。アイランド
２がリードフレーム１と一体に金属で形成されるため、
その機械的な強度が向上され、半導体チップ１０の変形
が防止され、かつ封止樹脂７との密接性の劣化が生じる
ことがなく、耐湿性が改善される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレームに半
導体チップを搭載し、かつ半導体チップを樹脂で封止し
た半導体装置に関し、特に信頼性の向上を図った樹脂封
止型半導体装置に関する。
導体チップを搭載し、かつ半導体チップを樹脂で封止し
た半導体装置に関し、特に信頼性の向上を図った樹脂封
止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の樹脂封止型半導体装置において
は、半導体チップの内部電極の設計の自由度を高めるこ
とを目的として、内部電極が配置されている半導体チッ
プの主面側をリードフレームに接着固定する構成が提案
されている。例えば、特開平３−６４９３４号公報に提
案されたものを図３に示す。同図において、（ａ）は内
部構造の平面図、（ｂ）はそのＣＣ線に沿う断面図であ
る。この樹脂封止型半導体装置では、アイランド２２は
内部配線２３が施されて半導体チップ１０よりも小寸法
とされた薄型絶縁板で構成されており、その四隅の角部
においてリードフレーム２１に支持されている。そし
て、半導体チップ１０は内部電極１１が形成されている
主面がアイランド２２の裏面に接着され、内部電極１１
は金属細線２４により内部配線２３に接続され、あるい
は金属細線２４によりリードフレーム２１の内部リード
２５に接続される。また、内部配線２３と内部リード２
５も金属細線２４により形成される。その上で、アイラ
ンド２２、半導体チップ１０、内部リード２５等が樹脂
２６により封止される。
は、半導体チップの内部電極の設計の自由度を高めるこ
とを目的として、内部電極が配置されている半導体チッ
プの主面側をリードフレームに接着固定する構成が提案
されている。例えば、特開平３−６４９３４号公報に提
案されたものを図３に示す。同図において、（ａ）は内
部構造の平面図、（ｂ）はそのＣＣ線に沿う断面図であ
る。この樹脂封止型半導体装置では、アイランド２２は
内部配線２３が施されて半導体チップ１０よりも小寸法
とされた薄型絶縁板で構成されており、その四隅の角部
においてリードフレーム２１に支持されている。そし
て、半導体チップ１０は内部電極１１が形成されている
主面がアイランド２２の裏面に接着され、内部電極１１
は金属細線２４により内部配線２３に接続され、あるい
は金属細線２４によりリードフレーム２１の内部リード
２５に接続される。また、内部配線２３と内部リード２
５も金属細線２４により形成される。その上で、アイラ
ンド２２、半導体チップ１０、内部リード２５等が樹脂
２６により封止される。
【０００３】この従来の樹脂封止型半導体装置では、半
導体チップ１０の内部電極１１と内部リード２５あるい
はアイランド２２の内部配線２３とが略同一平面上に位
置されるため、金属細線２４の長さを極力短くすること
が可能であり、このために金属細線２４におけるショー
トを未然に防止することができ、これにより半導体チッ
プ１０における内部電極１１の配設位置の設計の自由度
を高めることが可能となる。
導体チップ１０の内部電極１１と内部リード２５あるい
はアイランド２２の内部配線２３とが略同一平面上に位
置されるため、金属細線２４の長さを極力短くすること
が可能であり、このために金属細線２４におけるショー
トを未然に防止することができ、これにより半導体チッ
プ１０における内部電極１１の配設位置の設計の自由度
を高めることが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の樹脂封止型半導体装置は、アイランド２２が薄型絶
縁板で形成されているため、変形され易いものとなって
おり、特に樹脂封止時における金型内での樹脂の注入圧
力によってアイランド２２およびこれに搭載された半導
体チップ１０が傾斜され、あるいは上下位置が変化され
る等の変形が生じ、この変形が顕著な場合には金属細線
２４が断線される等、半導体装置の信頼性が低下される
という問題が生じ易い。また、封止樹脂内にリードフレ
ーム２１を構成する金属と、アイランド２２を構成する
薄型絶縁板が存在しているため、封止樹脂２６内に異種
界面が存在され、温度変化による熱膨張率の差に伴って
界面での密接力が低下され、耐湿性が劣化されるという
問題もある。特にアイランド２２はその四隅が長く延長
されてリードフレーム２１に支持されているため、アイ
ランド２２と樹脂２６との界面の面積が大きくなり、リ
ードフレーム２１を構成する金属との界面密接性を高め
ている封止樹脂においては、絶縁膜板で構成されている
アイランド２２との密接力が低下され、この部分での耐
湿性が劣化され易いものとなっている。
来の樹脂封止型半導体装置は、アイランド２２が薄型絶
縁板で形成されているため、変形され易いものとなって
おり、特に樹脂封止時における金型内での樹脂の注入圧
力によってアイランド２２およびこれに搭載された半導
体チップ１０が傾斜され、あるいは上下位置が変化され
る等の変形が生じ、この変形が顕著な場合には金属細線
２４が断線される等、半導体装置の信頼性が低下される
という問題が生じ易い。また、封止樹脂内にリードフレ
ーム２１を構成する金属と、アイランド２２を構成する
薄型絶縁板が存在しているため、封止樹脂２６内に異種
界面が存在され、温度変化による熱膨張率の差に伴って
界面での密接力が低下され、耐湿性が劣化されるという
問題もある。特にアイランド２２はその四隅が長く延長
されてリードフレーム２１に支持されているため、アイ
ランド２２と樹脂２６との界面の面積が大きくなり、リ
ードフレーム２１を構成する金属との界面密接性を高め
ている封止樹脂においては、絶縁膜板で構成されている
アイランド２２との密接力が低下され、この部分での耐
湿性が劣化され易いものとなっている。
【０００５】本発明の目的は、このような半導体チップ
における変形や耐湿性の劣化に伴う半導体装置の信頼性
の低下を抑制して、信頼性を改善した樹脂封止型半導体
装置を提供することにある。
における変形や耐湿性の劣化に伴う半導体装置の信頼性
の低下を抑制して、信頼性を改善した樹脂封止型半導体
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、アイランドに
半導体チップを搭載し、かつ半導体チップの内部電極と
リードフレームの内部リードとを金属細線で接続し、こ
れらを樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置におい
て、アイランドをリードフレームと一体に形成し、かつ
半導体チップは内部電極が形成されている主面をアイラ
ンドの裏面にマウントしたことを特徴とする。ここで、
半導体チップの主面を絶縁性のマウント材によりアイラ
ンドに接着固定する。また、アイランドの表面に配線板
を一体に接着し、この配線板に形成された配線と半導体
チップの内部電極、内部リードとを金属細線により接続
することが好ましい。さらに、半導体チップの主面と反
対側の面を封止樹脂から露呈させる構成としてもよい。
半導体チップを搭載し、かつ半導体チップの内部電極と
リードフレームの内部リードとを金属細線で接続し、こ
れらを樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置におい
て、アイランドをリードフレームと一体に形成し、かつ
半導体チップは内部電極が形成されている主面をアイラ
ンドの裏面にマウントしたことを特徴とする。ここで、
半導体チップの主面を絶縁性のマウント材によりアイラ
ンドに接着固定する。また、アイランドの表面に配線板
を一体に接着し、この配線板に形成された配線と半導体
チップの内部電極、内部リードとを金属細線により接続
することが好ましい。さらに、半導体チップの主面と反
対側の面を封止樹脂から露呈させる構成としてもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導
体装置の第１の実施形態を示し、（ａ）は内部構造の平
面図、（ｂ）はそのＡＡ線に沿う断面図である。図示の
ように、アイランド２はリードフレーム１と一体に銅板
等の金属板を加工して形成されており、略正方形に形成
されたアイランド２の四隅は吊りリード３によりリード
フレーム１に支持され、またアイランド２の周囲には同
様にリードフレーム１と一体に形成された多数本の内部
リード４が配列位置されている。ここで、前記アイラン
ド２は搭載する半導体チップ１０よりもその縦横寸法が
小さく形成されている。さらに、前記アイランドの２図
示下側の裏面には、熱可塑性のフィルム状ポリイミド等
からなる絶縁性マウント材５により半導体チップ１０が
接着固定され、アイランド２に一体化されている。この
半導体チップ１０は、内部電極１１が形成されている主
面においてアイランド２に接着固定され、半導体チップ
１０の主面の周辺部に配置された内部電極１１はアイラ
ンド２の周辺部において露呈されている。そして、前記
内部電極１１と内部リード４は金属細線６により電気接
続され、その上で前記アイランド２、半導体チップ１
０、内部リード４、金属細線６はエポキシ系の封止樹脂
７により一体的に樹脂封止されている。
面を参照して説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導
体装置の第１の実施形態を示し、（ａ）は内部構造の平
面図、（ｂ）はそのＡＡ線に沿う断面図である。図示の
ように、アイランド２はリードフレーム１と一体に銅板
等の金属板を加工して形成されており、略正方形に形成
されたアイランド２の四隅は吊りリード３によりリード
フレーム１に支持され、またアイランド２の周囲には同
様にリードフレーム１と一体に形成された多数本の内部
リード４が配列位置されている。ここで、前記アイラン
ド２は搭載する半導体チップ１０よりもその縦横寸法が
小さく形成されている。さらに、前記アイランドの２図
示下側の裏面には、熱可塑性のフィルム状ポリイミド等
からなる絶縁性マウント材５により半導体チップ１０が
接着固定され、アイランド２に一体化されている。この
半導体チップ１０は、内部電極１１が形成されている主
面においてアイランド２に接着固定され、半導体チップ
１０の主面の周辺部に配置された内部電極１１はアイラ
ンド２の周辺部において露呈されている。そして、前記
内部電極１１と内部リード４は金属細線６により電気接
続され、その上で前記アイランド２、半導体チップ１
０、内部リード４、金属細線６はエポキシ系の封止樹脂
７により一体的に樹脂封止されている。
【０００８】この構成の半導体装置では、半導体チップ
１０が接着固定されるアイランド２は、リードフレーム
１と一体に金属材によって構成されているため、封止樹
脂７による封止時、特に金型内における封止樹脂の注入
圧力によっても変形されることはなく、半導体チップ１
０が移動されることもない。これにより、半導体チップ
１０の内部電極１１と内部リード４とを接続する金属細
線６に応力が加えられて金属細線６が断線される等の不
具合が生じることが防止される。また、アイランド２は
リードフレーム１と同じ金属材であるため、封止樹脂７
に対しては同種界面を構成することになり、リードフレ
ーム１に対する密接性の高い樹脂に対してアイランド２
の密接性も高いものとなり、耐湿性の低下が防止され
る。
１０が接着固定されるアイランド２は、リードフレーム
１と一体に金属材によって構成されているため、封止樹
脂７による封止時、特に金型内における封止樹脂の注入
圧力によっても変形されることはなく、半導体チップ１
０が移動されることもない。これにより、半導体チップ
１０の内部電極１１と内部リード４とを接続する金属細
線６に応力が加えられて金属細線６が断線される等の不
具合が生じることが防止される。また、アイランド２は
リードフレーム１と同じ金属材であるため、封止樹脂７
に対しては同種界面を構成することになり、リードフレ
ーム１に対する密接性の高い樹脂に対してアイランド２
の密接性も高いものとなり、耐湿性の低下が防止され
る。
【０００９】なお、アイランド２の周辺部を適宜内方に
切り欠いて、この切り欠き領域に半導体チップ１０の内
部電極１１を配置するようにすれば、半導体チップ１０
における内部電極１１の配設位置の自由度を高めること
も可能である。また、半導体チップ１０は主面において
アイランド２に接着固定しているため、主面に形成され
た内部電極１１と内部リード４との平面位置を略同一に
でき、金属細線６の長さを短くでき、金属細線６の撓み
等によるアイランド２や隣接金属細線との間のショート
を防止できることは言うまでもない。
切り欠いて、この切り欠き領域に半導体チップ１０の内
部電極１１を配置するようにすれば、半導体チップ１０
における内部電極１１の配設位置の自由度を高めること
も可能である。また、半導体チップ１０は主面において
アイランド２に接着固定しているため、主面に形成され
た内部電極１１と内部リード４との平面位置を略同一に
でき、金属細線６の長さを短くでき、金属細線６の撓み
等によるアイランド２や隣接金属細線との間のショート
を防止できることは言うまでもない。
【００１０】図２は本発明の第２の実施形態を示す図で
あり、（ａ）は内部構造の平面図、（ｂ）はそのＢＢ線
に沿う断面図である。この実施形態では、前記第１の実
施形態と同様に、アイランド２はリードフレーム１と一
体に金属材で形成され、かつアイランド２の下側の裏面
に、半導体チップ１０の内部電極１１が形成されている
主面が絶縁性マウント材５により接着固定されている。
また、この実施形態では、アイランド２の上側の表面
に、薄い配線板８が接着固定されている。この配線板８
は、薄いポリイミド樹脂等の表面に銅箔等で所要パター
ンの内部配線９が形成されており、その裏面が接着剤に
よりアイランド２の表面に固定されている。そして、前
記半導体チップ１０の内部電極１１の一部は、この配線
板８の内部配線９に対して金属細線６により電気接続さ
れている。また、内部電極１１の他の一部は金属細線６
により内部リード４に接続され、さらに内部配線９の一
部は金属細線６により内部リード４に接続されている。
そして、前記アイランド２、半導体チップ１０、内部リ
ード４、金属細線６、及び配線板８はポリイミンド樹脂
７によって樹脂封止されているが、ここでは半導体チッ
プ１０の背面は封止樹脂７の下側面において露呈される
ように構成されている。
あり、（ａ）は内部構造の平面図、（ｂ）はそのＢＢ線
に沿う断面図である。この実施形態では、前記第１の実
施形態と同様に、アイランド２はリードフレーム１と一
体に金属材で形成され、かつアイランド２の下側の裏面
に、半導体チップ１０の内部電極１１が形成されている
主面が絶縁性マウント材５により接着固定されている。
また、この実施形態では、アイランド２の上側の表面
に、薄い配線板８が接着固定されている。この配線板８
は、薄いポリイミド樹脂等の表面に銅箔等で所要パター
ンの内部配線９が形成されており、その裏面が接着剤に
よりアイランド２の表面に固定されている。そして、前
記半導体チップ１０の内部電極１１の一部は、この配線
板８の内部配線９に対して金属細線６により電気接続さ
れている。また、内部電極１１の他の一部は金属細線６
により内部リード４に接続され、さらに内部配線９の一
部は金属細線６により内部リード４に接続されている。
そして、前記アイランド２、半導体チップ１０、内部リ
ード４、金属細線６、及び配線板８はポリイミンド樹脂
７によって樹脂封止されているが、ここでは半導体チッ
プ１０の背面は封止樹脂７の下側面において露呈される
ように構成されている。
【００１１】この第２の実施形態の半導体装置において
も、半導体チップ１０が接着固定されるアイランド２
は、リードフレーム１と一体に金属材によって構成され
ているため、封止樹脂７による封止時、特に金型内にお
ける封止樹脂の注入圧力によっても変形されることはな
く、半導体チップ１０が移動されることもない。これに
より、半導体チップ１０の内部電極１１と内部リード４
とを接続する金属細線６に応力が加えられて金属細線６
が断線される等の不具合が生じることが防止される。ま
た、この実施形態ではアイランド２はその表面に配線板
８が形成されており、封止樹脂７に対してリードフレー
ム１と異なる素材による異種界面を構成することになる
が、配線板８は薄膜に形成されているためその影響は少
なく、リードフレーム１に対する密接性の高い樹脂に対
してアイランド２の密接性が低下されることが抑制さ
れ、封止樹脂７に対する耐湿性の低下が防止される。
も、半導体チップ１０が接着固定されるアイランド２
は、リードフレーム１と一体に金属材によって構成され
ているため、封止樹脂７による封止時、特に金型内にお
ける封止樹脂の注入圧力によっても変形されることはな
く、半導体チップ１０が移動されることもない。これに
より、半導体チップ１０の内部電極１１と内部リード４
とを接続する金属細線６に応力が加えられて金属細線６
が断線される等の不具合が生じることが防止される。ま
た、この実施形態ではアイランド２はその表面に配線板
８が形成されており、封止樹脂７に対してリードフレー
ム１と異なる素材による異種界面を構成することになる
が、配線板８は薄膜に形成されているためその影響は少
なく、リードフレーム１に対する密接性の高い樹脂に対
してアイランド２の密接性が低下されることが抑制さ
れ、封止樹脂７に対する耐湿性の低下が防止される。
【００１２】なお、この実施形態においては配線板８の
周辺部を適宜内方に切り欠いて、この切り欠き領域に半
導体チップ１０の内部電極１１を配置しているため、半
導体チップ１０における内部電極１１の配設位置の自由
度を高めることが可能となる。また、半導体チップ１０
は主面においてアイランド２に接着固定しているため、
主面に形成された内部電極１１と内部リード４との平面
位置を略同一にでき、金属細線６の長さを短くでき、金
属細線６の撓み等によるアイランドや隣接金属細線との
間のショートを防止できることは言うまでもない。ま
た、半導体チップ１０はその背面が封止樹脂７から露呈
されているため、半導体チップ１０で発生された熱を効
果的に放熱でき、半導体装置の放熱性を高めることが可
能となる。なお、この半導体チップの背面を露呈させる
構成は、第１の実施形態においても適用することが可能
である。
周辺部を適宜内方に切り欠いて、この切り欠き領域に半
導体チップ１０の内部電極１１を配置しているため、半
導体チップ１０における内部電極１１の配設位置の自由
度を高めることが可能となる。また、半導体チップ１０
は主面においてアイランド２に接着固定しているため、
主面に形成された内部電極１１と内部リード４との平面
位置を略同一にでき、金属細線６の長さを短くでき、金
属細線６の撓み等によるアイランドや隣接金属細線との
間のショートを防止できることは言うまでもない。ま
た、半導体チップ１０はその背面が封止樹脂７から露呈
されているため、半導体チップ１０で発生された熱を効
果的に放熱でき、半導体装置の放熱性を高めることが可
能となる。なお、この半導体チップの背面を露呈させる
構成は、第１の実施形態においても適用することが可能
である。
【００１３】また、第２実施形態では、配線板は金属材
のアイランド上に搭載されているため、図３に示した従
来構造の配線板に比較してインダクタンスを低減するこ
とができ、半導体チップを含む半導体装置の動作速度を
向上する上でも有利なものとなる。因みに、従来例のイ
ンダクタンスの値２１ｎＨに対して、本実施形態のイン
ダクタンス値は１２ｎＨであった。
のアイランド上に搭載されているため、図３に示した従
来構造の配線板に比較してインダクタンスを低減するこ
とができ、半導体チップを含む半導体装置の動作速度を
向上する上でも有利なものとなる。因みに、従来例のイ
ンダクタンスの値２１ｎＨに対して、本実施形態のイン
ダクタンス値は１２ｎＨであった。
【００１４】ここで、図１の第１の実施形態、図２の第
２の実施形態、図３の従来の各樹脂封止型半導体装置に
おける半導体チップの変形（傾き、上下位置）と耐湿性
についての評価試験を行った結果を表１に示す。
２の実施形態、図３の従来の各樹脂封止型半導体装置に
おける半導体チップの変形（傾き、上下位置）と耐湿性
についての評価試験を行った結果を表１に示す。
【表１】
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の樹脂封止型
半導体装置は、アイランドをリードフレームと一体に形
成し、かつ半導体チップは内部電極が形成されている主
面をアイランドの裏面にマウントしているので、半導体
チップの内部電極と内部リードとを略同一面に位置させ
て金属細線を短くし、金属細線におけるショートを防止
することができる一方で、アイランドの機械的な強度が
高められて半導体チップの傾きや上下位置等の変形を防
止し、かつアイランドと封止樹脂との密接性を改善して
耐湿性を改善し、半導体装置の信頼性を向上することが
できる効果がある。また、アイランド上に配線板を搭載
し、この配線板に半導体チップの内部電極を金属細線に
より接続することで、配線板の裏面に存在する金属製の
アイランドによって配線板、および半導体チップを含む
回路のインダクタンスを低くでき、半導体装置の動作速
度を向上することができる効果もある。
半導体装置は、アイランドをリードフレームと一体に形
成し、かつ半導体チップは内部電極が形成されている主
面をアイランドの裏面にマウントしているので、半導体
チップの内部電極と内部リードとを略同一面に位置させ
て金属細線を短くし、金属細線におけるショートを防止
することができる一方で、アイランドの機械的な強度が
高められて半導体チップの傾きや上下位置等の変形を防
止し、かつアイランドと封止樹脂との密接性を改善して
耐湿性を改善し、半導体装置の信頼性を向上することが
できる効果がある。また、アイランド上に配線板を搭載
し、この配線板に半導体チップの内部電極を金属細線に
より接続することで、配線板の裏面に存在する金属製の
アイランドによって配線板、および半導体チップを含む
回路のインダクタンスを低くでき、半導体装置の動作速
度を向上することができる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の第１の実施形
態の内部構造を示す平面図とＡＡ線断面図である。
態の内部構造を示す平面図とＡＡ線断面図である。
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の第２の実施形
態の内部構造を示す平面図とＢＢ線断面図である。
態の内部構造を示す平面図とＢＢ線断面図である。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置の一例の内部構造
を示す平面図とＣＣ線断面図である。
を示す平面図とＣＣ線断面図である。
１ リードフレーム ２ アイランド ３ 吊りリード ４ 内部リード ５ 絶縁性マウント材 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 ８ 配線板 ９ 内部配線 １０ 半導体チップ １１ 内部電極
Claims (4)
- 【請求項１】 アイランドに半導体チップを搭載し、か
つ半導体チップの内部電極とリードフレームの内部リー
ドとを金属細線で接続し、これらを樹脂で封止してなる
樹脂封止型半導体装置において、前記アイランドを前記
リードフレームと一体に形成し、かつ前記半導体チップ
は前記内部電極が形成されている主面を前記アイランド
の裏面にマウントしたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項２】 半導体チップの主面を絶縁性のマウント
材によりアイランドに接着固定する請求項１の樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項３】 アイランドの表面に配線板を一体に接着
し、この配線板に形成された配線と半導体チップの内部
電極、内部リードとを金属細線により接続する請求項１
または２の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 半導体チップの主面と反対側の面を封止
樹脂から露呈させる請求項１ないし３のいずれかの樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8007942A JP2795245B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8007942A JP2795245B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199528A true JPH09199528A (ja) | 1997-07-31 |
| JP2795245B2 JP2795245B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=11679566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8007942A Expired - Lifetime JP2795245B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2795245B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812341A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6284928U (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | ||
| JPS6292653U (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-13 | ||
| JPH0364934A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1996
- 1996-01-22 JP JP8007942A patent/JP2795245B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812341A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6284928U (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-30 | ||
| JPS6292653U (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-13 | ||
| JPH0364934A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2795245B2 (ja) | 1998-09-10 |
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