JPS5812331A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5812331A JPS5812331A JP11138981A JP11138981A JPS5812331A JP S5812331 A JPS5812331 A JP S5812331A JP 11138981 A JP11138981 A JP 11138981A JP 11138981 A JP11138981 A JP 11138981A JP S5812331 A JPS5812331 A JP S5812331A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本!&用は、半導体装置の製造方法にかかり、とくに表
面に素子が形成される半導体基板の裏面に。
面に素子が形成される半導体基板の裏面に。
有害不純物をゲッタリングさせて、半導体素子の歩留ま
りを向上させる半導体装置の製造方法に関する。
りを向上させる半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体基板の裏面に、有害不純物をゲッタリング
する方法として、機械的加工により歪層を形成する方法
、イオン注入により歪層を形成する方法、高濃度O9ン
を拡散する方法、P・Ly −8i展あるいは8i、N
4膜を形成する方法等がある。
する方法として、機械的加工により歪層を形成する方法
、イオン注入により歪層を形成する方法、高濃度O9ン
を拡散する方法、P・Ly −8i展あるいは8i、N
4膜を形成する方法等がある。
この中で、裏面リン拡散法は、高濃度4ン拡散による結
晶欠陥でのゲッタリング作用と、リン原子により偏析が
増大する効果によるゲッタリング作用とを合わせ持って
おり、非常に強力なゲッタリング効果を持つものである
。しかし、裏面リン拡散法では、素子を形成する表面を
保護するため。
晶欠陥でのゲッタリング作用と、リン原子により偏析が
増大する効果によるゲッタリング作用とを合わせ持って
おり、非常に強力なゲッタリング効果を持つものである
。しかし、裏面リン拡散法では、素子を形成する表面を
保護するため。
拡散の際に保護マスクを形成せねばならぬ難点がある。
又、上述した有効なゲッタリング効果を持たせるにはh
1050℃以上でりン拡散を行なわなければならない
。この高温処理のため、素子を形成する基板表面に、結
晶欠陥ができ易く、素子特性に悪影響を与える欠点があ
り、又、予しめ表面に導入された不純物が、高温処理に
より再分布するため、裏面リン拡散工程は、素子形成プ
ル七スO最初の工程に限られ、そのためゲッタリング効
能の維持に難点があった。
1050℃以上でりン拡散を行なわなければならない
。この高温処理のため、素子を形成する基板表面に、結
晶欠陥ができ易く、素子特性に悪影響を与える欠点があ
り、又、予しめ表面に導入された不純物が、高温処理に
より再分布するため、裏面リン拡散工程は、素子形成プ
ル七スO最初の工程に限られ、そのためゲッタリング効
能の維持に難点があった。
本発明の目的は、上述した裏面リン拡散法の欠点を除き
、ざらにゲッタリングの効能を増加させる方法を提供す
ることにある。
、ざらにゲッタリングの効能を増加させる方法を提供す
ることにある。
本発明の特徴は、表面に素子が形成されるシリコン単結
晶基板の裏面に、リンガラス層を付与する工程と、該基
板裏面にレーザー光照射する工程とを含む半導体装置の
製造方法にある。
晶基板の裏面に、リンガラス層を付与する工程と、該基
板裏面にレーザー光照射する工程とを含む半導体装置の
製造方法にある。
本発明によれば、裏面にリンガラス層を付与後、レーザ
光照射によりリンを溶融拡散する際に、素子を形成する
基板表面を低温に保つことができる。
光照射によりリンを溶融拡散する際に、素子を形成する
基板表面を低温に保つことができる。
このため、予じめ表面に導入された不純物が再分布する
ことはなく、不発明によるゲッタリング処理は、任意の
素子形成工程間に行なうことができる。又、表面保護マ
スクを形成する必要もない。
ことはなく、不発明によるゲッタリング処理は、任意の
素子形成工程間に行なうことができる。又、表面保護マ
スクを形成する必要もない。
以下に、本発明を実施例に基づいて、説明する。
第1WJにおいて、P型シリコン基板11を用い、N”
I[fi込層12を形成し、N型エピタキシャル層1
3を形成し、絶縁分離酸化膜領域14を形成後、本発明
によるゲッタリング処理工程、すなわち裏面にリンガラ
ス層15を付与した後、レーザ光jを照射する工程を施
す。その後、第2図に示す様に、P型ベース領域、及び
N+型エミッター領域22とN+型コレクター領域23
を形成し、電極領域24を形成して、裏面ゲッタリング
領域25を持つアイソプレーナー型バイポーラトランジ
スターを作成した。
I[fi込層12を形成し、N型エピタキシャル層1
3を形成し、絶縁分離酸化膜領域14を形成後、本発明
によるゲッタリング処理工程、すなわち裏面にリンガラ
ス層15を付与した後、レーザ光jを照射する工程を施
す。その後、第2図に示す様に、P型ベース領域、及び
N+型エミッター領域22とN+型コレクター領域23
を形成し、電極領域24を形成して、裏面ゲッタリング
領域25を持つアイソプレーナー型バイポーラトランジ
スターを作成した。
又1本発明によるゲッタリング処理の効果を比較するた
め、裏面リン拡散法によるゲッタリング処理した。第2
図に示す様な、アイソプレーナー型バイポーラトランジ
スターを作成した。ここに。
め、裏面リン拡散法によるゲッタリング処理した。第2
図に示す様な、アイソプレーナー型バイポーラトランジ
スターを作成した。ここに。
裏面リン拡散法による。1oso℃以上での裏面リン拡
散処理は、予しめ表面に導入された不純物の再分布を避
けるため、第1図におけるN+型埋込層12を形成する
前にしか行なうことができない。
散処理は、予しめ表面に導入された不純物の再分布を避
けるため、第1図におけるN+型埋込層12を形成する
前にしか行なうことができない。
以上の2つのゲッタリング処理したアイソプレーナー型
バイポーラトランジスターの歩留まりの評価を行なった
ところ、裏面リン拡散法においては32多、本発明によ
るゲッタリング処理したものにおいては、99%と顕著
な違いが現われた。本発明によるゲッタリング処理が優
れているのは、高濃度リン拡散法におけるゲッタリング
効能に、レーザ照射によるゲッタリング効能が付加され
ていること、及びゲッタリング効能を維持できる様にゲ
ッタリング処理工程を素子形成プレ七ス上の任意の工程
間に行なえることなどによる。以上の様にt本発明によ
るゲッタリング処理法は、素子の歩留まり向上に役立つ
ものである。
バイポーラトランジスターの歩留まりの評価を行なった
ところ、裏面リン拡散法においては32多、本発明によ
るゲッタリング処理したものにおいては、99%と顕著
な違いが現われた。本発明によるゲッタリング処理が優
れているのは、高濃度リン拡散法におけるゲッタリング
効能に、レーザ照射によるゲッタリング効能が付加され
ていること、及びゲッタリング効能を維持できる様にゲ
ッタリング処理工程を素子形成プレ七ス上の任意の工程
間に行なえることなどによる。以上の様にt本発明によ
るゲッタリング処理法は、素子の歩留まり向上に役立つ
ものである。
なお、本実施例においては、本発明によるゲッタリング
処理を、第1WJに示す様に、絶縁分離酸化膜領域14
を形成後の1回のみ施したが、容易に、任意の工程間に
施すことができ、又複数回施すこともできる。
処理を、第1WJに示す様に、絶縁分離酸化膜領域14
を形成後の1回のみ施したが、容易に、任意の工程間に
施すことができ、又複数回施すこともできる。
又、本実施例においては、アインプレーナー型装置等、
他の半導体装置においても、又これらが複数個集合して
形成される集積回路装置においても1本発明が有効であ
ることは、当然である。
他の半導体装置においても、又これらが複数個集合して
形成される集積回路装置においても1本発明が有効であ
ることは、当然である。
第1図は、本発明の実施例におけるゲッタリング処理工
程を説明するための断面図、第2図は、本発明の実施例
のゲッタリング処理領域を持つアイソプレーナ型バイポ
ーラトランジスターの断面図を示す図である。 なお図において、1l−pHシリコン基板、12・・・
N+MW4込層、13・・・N型エピタキシャル層、1
4・・・絶縁分離酸化膜領域、15・・・リンガラスm
、21・・・P型ベース領域、22・・・N+型エミッ
ター領域、23・・・N+コレクター領域、24・・・
電極I領域、25・・・裏面ゲッタリング領域%j°°
。 レーザ光、である。
程を説明するための断面図、第2図は、本発明の実施例
のゲッタリング処理領域を持つアイソプレーナ型バイポ
ーラトランジスターの断面図を示す図である。 なお図において、1l−pHシリコン基板、12・・・
N+MW4込層、13・・・N型エピタキシャル層、1
4・・・絶縁分離酸化膜領域、15・・・リンガラスm
、21・・・P型ベース領域、22・・・N+型エミッ
ター領域、23・・・N+コレクター領域、24・・・
電極I領域、25・・・裏面ゲッタリング領域%j°°
。 レーザ光、である。
Claims (1)
- 表面に素子が形成されるシリコン単結晶基鈑の裏面に、
予しめリンガラス層を付与する工程と、譲基板裏面にレ
ーザ光照射する工程とを含むことを曹微とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11138981A JPS5812331A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11138981A JPS5812331A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5812331A true JPS5812331A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14559925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11138981A Pending JPS5812331A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5812331A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5296385A (en) * | 1991-12-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Conditioning of semiconductor wafers for uniform and repeatable rapid thermal processing |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5655040A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Treatment of semiconductor substrate |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11138981A patent/JPS5812331A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5655040A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Treatment of semiconductor substrate |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5296385A (en) * | 1991-12-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Conditioning of semiconductor wafers for uniform and repeatable rapid thermal processing |
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