JPS58120538A - カルコゲナイドガラスの製法 - Google Patents
カルコゲナイドガラスの製法Info
- Publication number
- JPS58120538A JPS58120538A JP57001976A JP197682A JPS58120538A JP S58120538 A JPS58120538 A JP S58120538A JP 57001976 A JP57001976 A JP 57001976A JP 197682 A JP197682 A JP 197682A JP S58120538 A JPS58120538 A JP S58120538A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- raw materials
- storage chamber
- raw material
- gas
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水素および水酸基の含有量が少ない高純度のカ
ルコゲナイドガラスの製造方法Ｋｌｌする。
ルコゲナイドガラスの製造方法Ｋｌｌする。
通常、ム８ｍ５１などのカルコゲナイドガラスの製造に
おいては、各構成元素の単体原料上所定比で混合合体し
、これを溶融することＫよってガラス【＃透している。
おいては、各構成元素の単体原料上所定比で混合合体し
、これを溶融することＫよってガラス【＃透している。
そして、この際に、高純度のガラスを得るために上記ガ
ラス原料を蒸留精製することが従来一般に行われている
。ガラス中の金属不純物は、蒸留温度における蒸気圧の
差によや分離される。また酸素不純物は、蒸留精製を水
素雰囲気中にて実施する仁とによ）除去される。
ラス原料を蒸留精製することが従来一般に行われている
。ガラス中の金属不純物は、蒸留温度における蒸気圧の
差によや分離される。また酸素不純物は、蒸留精製を水
素雰囲気中にて実施する仁とによ）除去される。
しかしながら、このような蒸気圧の差や、水素雰囲気に
よる蒸留精製によってはガラス中の水素および水酸基を
取シ除くことは不可能である。他方ガラスの脱水ｔ−目
的として従来、ガラス原料上固体のまま、あるいは液体
の状態で乾燥ガスないし塩素性ガスによって処理するこ
とも行なわれているが、脱水の効果は充分でない。
よる蒸留精製によってはガラス中の水素および水酸基を
取シ除くことは不可能である。他方ガラスの脱水ｔ−目
的として従来、ガラス原料上固体のまま、あるいは液体
の状態で乾燥ガスないし塩素性ガスによって処理するこ
とも行なわれているが、脱水の効果は充分でない。
このため従来のガラス中には約１ ｐｐｉｍから数百ｐ
ｐｍのＯＨ基あるａはＢＨ基中８・基が含有されている
。この結果、波長２声渦から５声畷ノ赤外披長域Ｋｍけ
る光透過性が著しく損われるというＪ１点があった。
ｐｍのＯＨ基あるａはＢＨ基中８・基が含有されている
。この結果、波長２声渦から５声畷ノ赤外披長域Ｋｍけ
る光透過性が著しく損われるというＪ１点があった。
本発明はガラス原料を気相状態にして原着な脱水効果を
達成し九のであって、水素および水酸基と活発に反応す
る塩素性ガス中盲丁テてガラス原料を蒸留精製して水分
を除去し、水素および水酸基の含有量が少なく高純度で
赤外液長域における光透過性の優れ友カルコゲナイドガ
ラスの製造方法を提供すること管目的とする。
達成し九のであって、水素および水酸基と活発に反応す
る塩素性ガス中盲丁テてガラス原料を蒸留精製して水分
を除去し、水素および水酸基の含有量が少なく高純度で
赤外液長域における光透過性の優れ友カルコゲナイドガ
ラスの製造方法を提供すること管目的とする。
以下に本発明を実施例に基づいて詳ＭｉＫ１１１．ｌｌ
Ｉする。
Ｉする。
本発明を実施する装置構成の一例ｔ＠ １１１に示す。
し装置構成はＧｅ−８系ガラスを製造する場合を示した
もので、上流側に硫黄の貯留室１を具え、下流側にゲル
マニウムの貯１Ｉ１１２１Ａえている。該貯留室１およ
び２社石英ガラス製で壱）、通気管３によって互いに連
通され、硫黄の貯留室１の外周にはヒータ４が設ゆられ
ている。更に該貯留室ＩＫ塩素性ガスの貯ｌＩｓが連通
している。該貯槽５には塩化チオニルあるいは塩化硫黄
など適当な条件下で活性な塩素ガスを発生する気体ある
いは液体原料が封入さｎておル、通気管３を通して塩素
性ガスが貯留室ＩＫ送られる。本装置例の貯槽５Ｆｉ液
体原料を貯留しバブリングして塩素性ガスを送るものを
示す。
もので、上流側に硫黄の貯留室１を具え、下流側にゲル
マニウムの貯１Ｉ１１２１Ａえている。該貯留室１およ
び２社石英ガラス製で壱）、通気管３によって互いに連
通され、硫黄の貯留室１の外周にはヒータ４が設ゆられ
ている。更に該貯留室ＩＫ塩素性ガスの貯ｌＩｓが連通
している。該貯槽５には塩化チオニルあるいは塩化硫黄
など適当な条件下で活性な塩素ガスを発生する気体ある
いは液体原料が封入さｎておル、通気管３を通して塩素
性ガスが貯留室ＩＫ送られる。本装置例の貯槽５Ｆｉ液
体原料を貯留しバブリングして塩素性ガスを送るものを
示す。
次に上記装置構成による実施例を説明する。
先ずムｒガスを毎分４００００の流量て貯槽５に送シ込
み４０℃に保持された塩化イオウをバブリングして塩化
イオウのガスを貯留室ＩＫ輸送する。貯留室１にはガラ
ス原料となる６５ｇの硫黄が配置さｎる一方、貯留室２
に＃′１１６ｇのゲルマニウムが配置される。すなわち
硫黄は塩素性雰囲気ガスの流れの上流側に、そしてゲル
マニウムは下流側に配置さｎる。そして貯留室１をヒー
タ４によって約４４０℃に加熱し硫黄を揮発させる。こ
の特写囲気ガスとしてこの加熱部に達した塩化チオニル
は熱分解によル活性な塩素を発生する。この際硫黄中の
水分と以下の反応を生じ蒸気圧の高いガスとなって分離
する。
み４０℃に保持された塩化イオウをバブリングして塩化
イオウのガスを貯留室ＩＫ輸送する。貯留室１にはガラ
ス原料となる６５ｇの硫黄が配置さｎる一方、貯留室２
に＃′１１６ｇのゲルマニウムが配置される。すなわち
硫黄は塩素性雰囲気ガスの流れの上流側に、そしてゲル
マニウムは下流側に配置さｎる。そして貯留室１をヒー
タ４によって約４４０℃に加熱し硫黄を揮発させる。こ
の特写囲気ガスとしてこの加熱部に達した塩化チオニル
は熱分解によル活性な塩素を発生する。この際硫黄中の
水分と以下の反応を生じ蒸気圧の高いガスとなって分離
する。
Ｈ＠Ｏ＋ＢＯＣＬｘ→ＢＣｈ ＋ ２ ＨＯＩ。
この際に上記の反応を促進する友めに硫黄原料１蒸発ぜ
しめ塩化チオニルガスと混合した後に、４４０ｃよシも
もつと高温のｓｏｏ℃以上に加熱してもよい。そして、
ガラスの８２の原料であるゲルマニウムの配電された貯
留’ｉａｘを約１００℃以下に保持し送られてきたガス
のうち気相の硫黄のみ１該貯留室２において選択的にト
ラップする。ここで第２図に、硫黄の蒸気圧一温度−ｌ
ｌ１ｉｌを示す・ ！Ａ２図から明らかなように硫黄は２００℃以下になる
と蒸気圧が着しく低下する。一方、塩化水素や亜硫酸ガ
スの蒸気圧は硫黄の漏気圧に比べ３桁以上も高い。従っ
て貯留’１１２Ｋｋいて硫黄が選択的にトラップされ塩
化水嵩中厘備駿ガスはその１１通気管３を通じて外部に
排出される。この結果原料の硫黄から容蟲に水分が除去
される。なお、本実施例においては硫黄ＯＩＩ貿の際に
初期の揮発物を廃棄し、かっ終段に未蒸発物を残し、結
局２３．５ｇｋゲルマニウム原料の部位にドラッグした
。以上のようにゲルマニウムの配置されていた貯留Ｗ１
２においてガラス原料を合体した後に％該貯留室２會真
空封入した。
しめ塩化チオニルガスと混合した後に、４４０ｃよシも
もつと高温のｓｏｏ℃以上に加熱してもよい。そして、
ガラスの８２の原料であるゲルマニウムの配電された貯
留’ｉａｘを約１００℃以下に保持し送られてきたガス
のうち気相の硫黄のみ１該貯留室２において選択的にト
ラップする。ここで第２図に、硫黄の蒸気圧一温度−ｌ
ｌ１ｉｌを示す・ ！Ａ２図から明らかなように硫黄は２００℃以下になる
と蒸気圧が着しく低下する。一方、塩化水素や亜硫酸ガ
スの蒸気圧は硫黄の漏気圧に比べ３桁以上も高い。従っ
て貯留’１１２Ｋｋいて硫黄が選択的にトラップされ塩
化水嵩中厘備駿ガスはその１１通気管３を通じて外部に
排出される。この結果原料の硫黄から容蟲に水分が除去
される。なお、本実施例においては硫黄ＯＩＩ貿の際に
初期の揮発物を廃棄し、かっ終段に未蒸発物を残し、結
局２３．５ｇｋゲルマニウム原料の部位にドラッグした
。以上のようにゲルマニウムの配置されていた貯留Ｗ１
２においてガラス原料を合体した後に％該貯留室２會真
空封入した。
次いでこｎ＊＊＊電気炉Ｋ”Ｃ９００℃、１０時間加熱
し、その後冷却してガラスロッドを得九。
し、その後冷却してガラスロッドを得九。
第３図に、本発明を実施して作製したＧ・ｓｌ、＄ガラ
スの赤外透過特性を、本発明を実施しない場合のガラス
サンプルと北壁して示した。−線Ｂ＃ｉ前者および曲線
ムは後者の特性−線である。
スの赤外透過特性を、本発明を実施しない場合のガラス
サンプルと北壁して示した。−線Ｂ＃ｉ前者および曲線
ムは後者の特性−線である。
第ｓＷＡから明らかなように波長３声観および４声畷近
傍のＯＨおよび８Ｅ基の吸収ピークの北壁から、本発明
がガラス中のｏＨ及びＢＢの除去に大きな効果を有し、
赤外液長域の光学特性の改善に役立つことが分かる。
傍のＯＨおよび８Ｅ基の吸収ピークの北壁から、本発明
がガラス中のｏＨ及びＢＢの除去に大きな効果を有し、
赤外液長域の光学特性の改善に役立つことが分かる。
なお、以上の実−ＮＫ−おいて＃ｉＧ・−８系ガラスに
′）％Ａて述べ九がこの他ＫＧ・−８・、Ｇ・−Ｐ−ｇ
、 Ｇｅ −１’ −Ｂ＠、ム−−Ｂ 、 ＡＳ
−Ｐ −Ｂ 、 Ａｓ −Ｓｅ、 Ａｓ−−Ｔｏ、ｆｉ
ｂ−８，８ｂ−８ｍ、ａｂ−Ｔｏ勢のガラスあるいはこ
れらの混合ガラスの製造にりｂても同様に本発明を適用
することが可能である。
′）％Ａて述べ九がこの他ＫＧ・−８・、Ｇ・−Ｐ−ｇ
、 Ｇｅ −１’ −Ｂ＠、ム−−Ｂ 、 ＡＳ
−Ｐ −Ｂ 、 Ａｓ −Ｓｅ、 Ａｓ−−Ｔｏ、ｆｉ
ｂ−８，８ｂ−８ｍ、ａｂ−Ｔｏ勢のガラスあるいはこ
れらの混合ガラスの製造にりｂても同様に本発明を適用
することが可能である。
本実施例では、ガラスの各構成原料の合体時に脱水処理
′Ｉｋ織したが当然、これに先立って個別に各原料に本
処理￥ｒ施しても良い。
′Ｉｋ織したが当然、これに先立って個別に各原料に本
処理￥ｒ施しても良い。
さらに、また、各構成原料を合体しガラスを溶融した稜
に１これを再度加熱し気化せしめたところに１１素性ガ
スを導１１て脱水処理を細すことも有効な場合があり０ なお、上記実施例でＦ′ｉ１素性ガスを雰囲気ガスとし
て用いる場合を述べたが、これに換えて、水分との反応
性の高い臭素、璽つ素およびフッ素性のガスについても
使用することもで１４゜以上寮するに不発ｗＪ４は脱水
の対象とする物質を気相状態で塩素性ガスと反応せしめ
水分を除去するものである。一方従来は原料中の水分【
除去するのに原料を同相あるいは液相のまま用いこれに
乾燥ガスあるいは塩素性ガスを送）込は塩素性ガス雰囲
気中にて気相で原料を処理する丸め原料中の水分の拡散
などに律速されず反応効率が極めて高い利点がある。
に１これを再度加熱し気化せしめたところに１１素性ガ
スを導１１て脱水処理を細すことも有効な場合があり０ なお、上記実施例でＦ′ｉ１素性ガスを雰囲気ガスとし
て用いる場合を述べたが、これに換えて、水分との反応
性の高い臭素、璽つ素およびフッ素性のガスについても
使用することもで１４゜以上寮するに不発ｗＪ４は脱水
の対象とする物質を気相状態で塩素性ガスと反応せしめ
水分を除去するものである。一方従来は原料中の水分【
除去するのに原料を同相あるいは液相のまま用いこれに
乾燥ガスあるいは塩素性ガスを送）込は塩素性ガス雰囲
気中にて気相で原料を処理する丸め原料中の水分の拡散
などに律速されず反応効率が極めて高い利点がある。
本発明によって得九Ｇ＠８１．・ガラスを線引きし光フ
ァイバとし良。そして長さ１１外径２００Ｐ鶴の光ファ
イバについて光損失特性の測定からガラス中のＯＨおよ
び８Ｈ基の含量を評価した。その結果は本発明に係る光
ファイバのＯＨ基含有量は０．１〜０．０１ ｐｐｍで
Ｔｏ夛、従来の製法によるものに比較して”／１Ｇ ”
”／１００ Ｋ低下しチオ）、ＸＪｅＢｉｌ、は同じ
くし 〜”／１０００以００ 下に低減化していること″を罹ｍし、本方法の有効性管
確認し喪。
ァイバとし良。そして長さ１１外径２００Ｐ鶴の光ファ
イバについて光損失特性の測定からガラス中のＯＨおよ
び８Ｈ基の含量を評価した。その結果は本発明に係る光
ファイバのＯＨ基含有量は０．１〜０．０１ ｐｐｍで
Ｔｏ夛、従来の製法によるものに比較して”／１Ｇ ”
”／１００ Ｋ低下しチオ）、ＸＪｅＢｉｌ、は同じ
くし 〜”／１０００以００ 下に低減化していること″を罹ｍし、本方法の有効性管
確認し喪。
第１図は本発明の実施に係る装置構成の概略図、第２図
は硫黄の蒸気圧と温度との闇係會示すグラフ、＃ｇ３図
は本発明に係るガラスと他のガラスとの伝送特性を示す
グラフである。 −山 中、 １は硫★の貯留室、 ２ ｔｃゲルマニウムの貯留室。 ３は通気管、 ４はヒータ、 ５は貯槽、である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名） （ＳｚＣｈ） 波長（ｐｍ）
は硫黄の蒸気圧と温度との闇係會示すグラフ、＃ｇ３図
は本発明に係るガラスと他のガラスとの伝送特性を示す
グラフである。 −山 中、 １は硫★の貯留室、 ２ ｔｃゲルマニウムの貯留室。 ３は通気管、 ４はヒータ、 ５は貯槽、である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名） （ＳｚＣｈ） 波長（ｐｍ）
Claims (2)
- （１）硫化物、セレン化物およびテルル化物の１檀又は
２９以上からなるガラスの製造において、上記ガラスの
原料を混合溶融する際、該ガラス原料の混合に先立っで
あるい祉混合時に該ガラス原料ｔ−れ２＃ｍガス雰囲気
にて蒸留精製する工程を含むことｔ特徴とするカルコゲ
ナイドガラスの製法。 - （２） 特許請求の範囲８ｇ１項において、カルコゲ
ンの揮発ガスを塩素性ガスと共に送〕、残余のガラス原
料部分にトラップすることによル礪留することＹｔＩＩ
ｉ徴とするカルコゲナイドガラスの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001976A JPS58120538A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | カルコゲナイドガラスの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001976A JPS58120538A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | カルコゲナイドガラスの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120538A true JPS58120538A (ja) | 1983-07-18 |
| JPS6238294B2 JPS6238294B2 (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=11516569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001976A Granted JPS58120538A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | カルコゲナイドガラスの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58120538A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176942A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-11 | Hitachi Ltd | 赤外光フアイバの製造方法 |
| JPS6445741A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-20 | Hisankabutsu Glass Kenkyu | Production of chalcogenide glass |
| JPH01215740A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラスの製造方法 |
| JPH02124742A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラス原料の精製法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553353A (en) * | 1978-06-24 | 1980-01-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of anhydrous quartz glass |
-
1982
- 1982-01-09 JP JP57001976A patent/JPS58120538A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553353A (en) * | 1978-06-24 | 1980-01-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of anhydrous quartz glass |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176942A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-11 | Hitachi Ltd | 赤外光フアイバの製造方法 |
| JPH0573704B2 (ja) * | 1984-02-20 | 1993-10-14 | Hitachi Ltd | |
| JPS6445741A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-20 | Hisankabutsu Glass Kenkyu | Production of chalcogenide glass |
| JPH0476336B2 (ja) * | 1987-08-12 | 1992-12-03 | Hisankabutsu Garasu Kenkyu Kaihatsu Kk | |
| JPH01215740A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラスの製造方法 |
| JPH02124742A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | カルコゲナイドガラス原料の精製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6238294B2 (ja) | 1987-08-17 |
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