RU2770494C1 - Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий - Google Patents
Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2770494C1 RU2770494C1 RU2021133881A RU2021133881A RU2770494C1 RU 2770494 C1 RU2770494 C1 RU 2770494C1 RU 2021133881 A RU2021133881 A RU 2021133881A RU 2021133881 A RU2021133881 A RU 2021133881A RU 2770494 C1 RU2770494 C1 RU 2770494C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gallium
- glass
- chalcogenide
- reactor
- iii
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B3/00—Charging the melting furnaces
- C03B3/02—Charging the melting furnaces combined with preheating, premelting or pretreating the glass-making ingredients, pellets or cullet
- C03B3/023—Preheating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/321—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, которые являются перспективными материалами для изготовления массивных оптических элементов и волоконных световодов для сенсоров, усилителей и лазеров, работающих в среднем ИК-диапазоне. В способе получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, включающем загрузку компонентов шихты в вакуумированный кварцевый реактор, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизирующее плавление, закалку стеклообразующего расплава и отжиг стекла, халькогенид галлия синтезируют пропусканием паров халькогена над металлическим галлием. Загрузку синтезированного халькогенида галлия в реактор проводят методом химического транспорта при температуре 600–700°С с использованием йодида галлия(III) в качестве транспортирующего агента. Технический результат заключается в снижении содержания в халькогенидных стеклах примесей, поглощающих и рассеивающих излучение в спектральном диапазоне 2–18 мкм, и, как следствие, в увеличении оптической прозрачности стекол. 3 пр.
Description
Изобретение относится к способу получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, которые являются перспективными материалами для изготовления массивных оптических элементов и волоконных световодов для сенсоров, усилителей и лазеров, работающих в среднем ИК-диапазоне.
Важнейшим требованием, предъявляемым к таким стеклам для практического применения в качестве оптических сред, является низкое содержание примесей поглощающих и рассеивающих излучение в спектральном диапазоне 2–18 мкм. К таким примесям относятся: водород в форме OH-, SH-, SeH- и TeH-групп; кислород, химически связанный с компонентами стекла; гетерогенные включения.
Известен способ получения халькогенидных стекол, содержащих галлий [X. Zhang, H. Ma, J.-L. Adam, J. Lucas, G. Chen, D. Zhao, Thermal and optical properties of the Ga–Ge–Sb–Se glasses // Materials Research Bulletin 40 (2005) 1816–1821], включающий дистилляционную загрузку компонентов шихты в кварцевый реактор с галлием, вакуумирование реактора, нагревание до 950°С, гомогенизацию халькогенидного расплава при этой температуре в качающейся печи, охлаждение до 750°С, закалку расплава и отжиг.
Недостатком этого способа является то, что галлий загружают в реактор напрямую, без дистилляционной очистки. Это обусловлено низким давлением насыщенного пара галлия и его халькогенидов [Р.В. Иванова, Химия и технология галлия, Москва: Металлургия, 1973. – 392 с.], делающим невозможным вакуумную загрузку при температурах, приемлемых при использовании кварцевого реактора (1100-1200°С). Поэтому примеси водорода, кислорода и гетерогенных включений, присутствующие в галлии в форме его оксидов и гидроксидов, поступают в халькогенидный стеклообразующий расплав вместе с металлическим галлием. Эти примеси существенно снижают оптическую прозрачность халькогенидных стекол в среднем ИК диапазоне.
Наиболее близким к заявляемому способу по технической сущности и достигаемому результату, выбранным в качестве прототипа, является способ получения халькогенидных стекол, содержащих галлий, [V.S. Shiryaev, A.P. Velmuzhov, Z.Q. Tang. M.F. Churbanov, A. B. Seddon, Preparation of high purity glasses in the Ga–Ge–As–Se system // Optical Materials. – 2014. – Vol. 37. –P. 18–23.], включающий загрузку компонентов шихты вакуумной дистилляцией в кварцевый реактор, загрузку галлия в кварцевый реактор методом химического транспорта, плавление шихты при температуре 850°С в течение 10 часов, закалку стеклообразующего расплава на воздухе и отжиг стекла.
Преимуществом этого способа по сравнению с вышеописанным аналогом является то, что галлий загружается в кварцевый реактор при температуре 600°С методом химического транспорта с использованием йодида галлия(III) в качестве транспортирующего агента по реакции:
GaI3 + 2Ga ⇄ 3GaI. (1)
Образующийся йодид галлия(I) диспропорционирует в холодной зоне реактора при 250°С обратно на йодид галлия(III) и металлический галлий. Галлий осаждается в реакторе, а йодид галлия(III) испаряется в приемник. Такой способ позволяет снизить содержание примесей водорода, кислорода и гетерогенных включений в галлии, используемом для синтеза халькогенидных стекол.
Недостатком способа является то, что металлический галлий в процессе загрузки химическим транспортом и при гомогенизации стеклообразующего расплава до образования халькогенидов галлия взаимодействует со стенками кварцевого реактора:
2Ga + SiO2⇄ Ga2O + SiO, (2)
4Ga + 3SiO2 ⇄ 2Ga2O3 + 3Si. (3)
Образующиеся оксиды и кремний поступают в стеклообразующий расплав. Это приводит к появлению полос поглощения в халькогенидных стеклах в области 9.1 мкм (Si–O), 15–18 мкм (Ga–O) и рассеянию излучения на нерастворенных примесях во всем диапазоне прозрачности стекол [Z. Yang, P. Lucas, Tellurium-Based Far-Infrared Transmitting Glasses, J. Am. Ceram. Soc. 92(12) (2009) 2920–2923].
Техническая проблема, решаемая изобретением, – создание способа получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, с низкой концентрацией примесей, поглощающих и рассеивающих излучение в спектральном диапазоне 2–18 мкм.
Технический результат от использования изобретения заключается в снижении содержания в халькогенидных стеклах примесей, поглощающих и рассеивающих излучение в спектральном диапазоне 2–18 мкм, и, как следствие, в увеличении оптической прозрачности стекол.
Указанный технический результат достигается тем, что в способе получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, включающем загрузку компонентов шихты в вакуумированный кварцевый реактор, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизирующее плавление, закалку стеклообразующего расплава и отжиг стекла, халькогенид галлия синтезируют пропусканием паров халькогена над металлическим галлием, загрузку синтезированного халькогенида галлия в реактор проводят методом химического транспорта при температуре 600–700°С с использованием йодида галлия(III) в качестве транспортирующего агента.
Способ осуществляют следующим образом.
Процесс проводят в вакуумированном реакторе из кварцевого стекла, состоящем из пяти секций. Первая и вторая секции служат испарителями халькогена и йодида галлия(III), соответственно; в третьей находится смесь компонентов шихты с галлием; четвертая является реактором; пятая секция служит для конденсации йодида галлия(III). Над смесью компонентов шихты (германий, сурьма, мышьяк и др) с галлием испарением из первой секции пропускают халькоген при температуре 600–700°С. Образующиеся в третьей секции относительно летучие халькогениды компонентов шихты испаряются и конденсируются в реакторе. Халькогениды галлия, которые обладают низкой летучестью, остаются в третьей секции. Далее при температуре 600–700°С над халькогенидами галлия пропускают йодид галлия(III) испарением из второй секции. При меньших температурах взаимодействие йодида галлия(III) с халькогенидами галлия будет менее эффективным; при более высоких температурах начинается заметное взаимодействие галлия и йодида галлия(III) со стенками кварцевой ампулы. За счет химического транспорта халькогенид галлия переносится в реактор, йодид галлия(III) конденсируется в пятой секции. Реактор отпаивают, помещают в печь, синтезируют стеклообразующий расплав при 800–850°С в зависимости от состав стекла и проводят его гомогенизирующее плавление при этой температуре. Далее стеклообразующий расплав закаливают и отжигают полученное стекло при температуре стеклования.
Новым в способе является то, что халькогениды синтезируют пропусканием паров халькогена над смесью компонентов шихты при температуре 600–700°С в промежуточной секции аппарата из кварцевого стекла в режиме динамического вакуума. Это приводит к взаимодействию водород- и кислородсодержащих примесей, присутствующих в компонентах шихты, с халькогеном по реакциям:
GeO2 + S ⇄ GeS2 + SO2; (4)
Sb2O3 + Se ⇄ Sb2Se3 + SeO2; (5)
2Ga(OH)3 + 9S ⇄ Ga2S3 + 3SO2 + 3H2S. (6)
Образующиеся легколетучие продукты (SO2, SeO2, H2S, H2Se др.) удаляют из реактора в условиях непрерывного вакуумирования системы. Протекание указанных реакций приводит к значительному снижению содержания примеси кислорода и водорода в компонентах шихты и, следовательно, в халькогенидных стеклах. Испарение образующихся халькогенидов компонентов стекла, за исключением халькогенидов галлия, из промежуточной секции кварцевого аппарата в реактор приводит к очистке шихты от гетерогенных примесей на стадии синтеза халькогенидов. Это снижает оптические потери в стеклах, вызванные рассеянием излучения на гетерогенных примесных включениях. Совместное нагревание компонентов шихты с галлием в промежуточной секции аппарата способствует восстановлению примесей оксидов галлием с образованием нелетучего оксида галлия(III):
3GeO2 + 4Ga ⇄ 3Ge + 2Ga2O3; (7)
Sb2O3 + 2Ga ⇄ 2Sb + Ga2O3; (8)
As2O3 + 2Ga ⇄ 2As + Ga2O3. (9)
Это существенно снижает вероятность попадания примесей оксидов в реактор с шихтой.
Новым в способе является то, что загрузку халькогенидов галлия проводят при температуре 600°С–700°С методом химического транспорта с использованием йодида галлия(III) в качестве транспортирующего агента:
Ga2S3 + GaI3 ⇄ 3GaI + 3/2S2; (10)
Ga2Se3 + GaI3 ⇄ 3GaI + 3/2Se2; (11)
Ga2Te3 + GaI3 ⇄ 3GaI + 3/2Te2. (12)
При температуре 600°С–700°С реакции (10)–(12) протекают в прямом направлении, что приводит к образованию летучих продуктов (йодид галлия(I), халькогены), которые испаряются в реактор. При температуре в реакторе 250–300°С реакции (10)–(12) протекают в обратном направлении, что приводит к конденсации халькогенидов галлия на стенках реактора. Йодид галлия(III), образующийся в этих условиях, испаряется из реактора и не входит в состав шихты. Такой способ загрузки халькогенидов галлия эффективно снижает содержание примесей водорода, кислорода и гетерогенных включений в шихте. Это достигается за счет того, что оксиды, гидроксиды галлия и гетерогенные включения не переносятся химическим транспортом в реактор и остаются в промежуточной секции кварцевого аппарата. Так как галлий загружается в реактор не в форме простого вещества, а в форме халькогенида, то при последующем нагревании шихты с целью гомогенизации стеклообразующего расплава, галлий не будет взаимодействовать со стенками кварцевого реактора по реакциям (2) и (3). Это снижает содержание примесей кремния, оксидов кремния и оксидов галлия в халькогенидных стеклах.
Указанные отличительные признаки являются существенными, так как каждый из них необходим, а в совокупности они достаточны для достижения поставленной задачи – разработка способа получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, с низким содержанием примесей, поглощающих в спектральном диапазоне 2–18 мкм.
Пример 1.
Для получения 20 г стекла состава Ga5Ge35S60 в промежуточную ампулу, подпаянную к кварцевому реактору, помещают 1.4486 г галлия марки 7N и 10.5578 г германия марки 6N. Ко второму концу промежуточной ампулы через T-образную кварцевую трубку подпаивают ампулы с 7.9936 г серы марки «осч. 22-4» и 4.6751 г йодида галлия(III) марки 5N. Ампула с йодидом галлия(III) имеет тонкую перегородку, разбиваемую магнитным бойком. Полученную установку вакуумируют до остаточного давления не выше 10-5 мм рт.ст. Реактор нагревают до 250°С, ампулу с галлием и германием нагревают до 600°С, ампулу с серой нагревают до 220°С. Сера испаряется в ампулу с галлием и германием, образуются сульфид германия(II) и сульфид галлия(III). Сульфид германия(II) испаряется и конденсируется в реакторе, сульфид галлия(III) остается в промежуточной ампуле. По окончании загрузки германия продолжают загружать серу до ее полного испарения из исходной ампулы. Далее магнитным бойком с помощью магнита разбивают перегородку ампулы с йодидом галлия(III) и нагревают эту ампулу до 200°С. Йодид галлия(III) испаряется в ампулу с сульфидом галлия(III) и транспортирует его в реактор при температуре 600°С В реакторе сульфид галлия(III) оседает на стенках, йодид галлия(III) пролетает в необогреваемый приемник. После полной загрузки сульфида галлия(III) реактор отпаивают и помещают в печь. Синтезируют стеклообразующий расплав при 850°С и проводят его гомогенизирующее плавление при этой температуре в течение 5 ч в режиме перемешивающего качания. Далее стеклообразующий расплав закаливают на воздухе и полученное стекло отжигают при 320°С в течение часа. Содержание примеси водорода в форме SH-групп в полученном стекле составляет не более 0.2 ат.%; гетерогенные примесные включения микронного (1–100 мкм) и субмикронного (0.06–0.9 мкм) размера не обнаруживаются методами оптической микроскопии и лазерной ультрамикроскопии (предел обнаружения 102 штук/см3).
Пример 2.
Для получения 40 г стекла состава Ga5Ge25Sb10Se60 в промежуточную ампулу, подпаянную к кварцевому реактору, помещают 1.7175 г галлия марки 7N, 8.9413 г германия марки 6N и 5.9991 г сурьмы марки 6N. Ко второму концу промежуточной ампулы через T-образную кварцевую трубку подпаивают ампулы с 23.3421 г селена марки «осч. 22-4» и 11.0857 г йодида галлия(III) марки 5N. Ампула с йодидом галлия(III) имеет тонкую перегородку, разбиваемую магнитным бойком. Полученную установку вакуумируют до остаточного давления не выше 10-5 мм рт.ст. Реактор нагревают до 250°С, ампулу с галлием, сурьмой и германием нагревают до 600°С, ампулу с селеном нагревают до 330°С. Селен испаряется в промежуточную ампулу с галлием, сурьмой и германием, образуются селенид галлия(III), селенид германия(II) и селенид сурьмы(III). Селениды германия и сурьмы испаряются в реактор, селенид галлия(III) остается в промежуточной ампуле. После полного исчерпания германия, сурьмы и селена, с помощью магнита разбивают перегородку ампулы с йодидом галлия(III) и нагревают эту ампулу до 200°С. Йодид галлия(III) испаряется в ампулу с селенидом галлия(III) и транспортирует его в реактор при температуре 650°С. В реакторе селенид галлия(III) оседает на стенках, йодид галлия(III) пролетает в необогреваемый приемник. После полной загрузки селенида галлия(III) реактор отпаивают и помещают в печь. Синтезируют стеклообразующий расплав при 850°С и проводят его гомогенизирующее плавление при этой температуре в течение 5 ч в режиме перемешивающего качания. Далее стеклообразующий расплав закаливают на воздухе и полученное стекло отжигают при 300°С в течение часа. Содержание примеси водорода в форме SeH-групп в полученном стекле составляет не более 0.1 ат.%; примеси кислорода, химически связанного с германием, не более 0.01 мас.%; гетерогенные примесные включения микронного (1–100 мкм) и субмикронного (0.06–0.9 мкм) размера < 102 штук/см3).
Пример 3.
Для получения 60 г стекла состава Ga10Ge15Te75 в промежуточную ампулу, подпаянную к кварцевому реактору, помещают 3.6860 г галлия марки 7N и 5.7566 г германия марки 6N. Ко второму концу промежуточной ампулы через T-образную кварцевую трубку подпаивают ампулы с 50.5954 г теллура марки 5N и 23.7910 г йодида галлия(III) марки 5N. Ампула с йодидом галлия(III) имеет тонкую перегородку, разбиваемую магнитным бойком. Полученную установку вакуумируют до остаточного давления не выше 10-5 мм рт.ст. Реактор нагревают до 250°С, ампулу с галлием и германием нагревают до 600°С, ампулу с теллуром нагревают до 500°С. Теллур испаряется в промежуточную ампулу с галлием и германием, образуются теллурид германия(II) и теллурид галлия(III). Теллурид германия(II) испаряется в реактор, теллурид галлия(III) остается в промежуточной ампуле. После полного исчерпания германия и теллура с помощью магнита разбивают перегородку ампулы с йодидом галлия(III) и нагревают эту ампулу до 200°С. Йодид галлия(III) испаряется в ампулу с теллуридом галлия(III) и транспортирует его в реактор при температуре 700°С. В реакторе теллурид галлия(III) оседает на стенках, йодид галлия(III) пролетает в необогреваемый приемник. После полной загрузки теллурида галлия(III) реактор отпаивают и помещают в печь. Синтезируют стеклообразующий расплав при 850°С и проводят его гомогенизирующее плавление при этой температуре в течение 5 ч в режиме перемешивающего качания. Далее стеклообразующий расплав закаливают на воздухе и полученное стекло отжигают при 170°С в течение часа. Содержание в стекле примеси кислорода, химически связанного с германием, составляет не более 0.01 мас.%; интенсивность полос поглощения за счет оксидов галлия, теллура и кремния – не более 10-4 см-1.
Определение содержания примесей водорода в форме SH-, SeH-групп и кислорода в форме оксида германия проводили методом инфракрасной спектроскопии с использованием известных коэффициентов поглощения [В.Г. Борисевич, В.В. Войцеховский, И.В. Скрипачев, В.Г. Плотниченко, Исследование влияния примесного водорода на оптические свойства халькогенидных стекол системы As – Se, Высокочистые вещества, 1991, №1, С. 65–70; В.Г. Борисевич, В.Г. Плотниченко, И.В. Скрипачев, М.Ф. Чурбанов, Коэффициент экстинкции SH-групп в стеклообразном сульфиде мышьяка, Высокочистые вещества, 1990, №4, С. 11–21; J. Nishii, T. Yamashita, T. Yamagishi, Oxide impurity absorptions in Ge-Se-Te glass fibres, J. of Materials Science 24 (1989) 4293-4297]. Содержание примесей оксидов галлия, кремния и теллура не определяли в виду отсутствия их коэффициентов поглощения в халькогенидных стеклах.
Таким образом, предлагаемый способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, позволяет на 1–2 порядка снизить содержание в стеклах примесей, поглощающих в спектральном диапазоне 2–18 мкм, гетерогенных включений и как следствие, существенно увеличить оптическую прозрачность стекол.
Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 21-73-10104) и Научно-образовательного центра Нижегородской области «Техноплатформа 2035» в рамках соглашения № 16-11-2021/52.
Claims (1)
- Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий, включающий загрузку компонентов шихты в вакуумированный кварцевый реактор, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизирующее плавление, закалку стеклообразующего расплава и отжиг стекла, отличающийся тем, что халькогенид галлия синтезируют пропусканием паров халькогена над металлическим галлием, загрузку синтезированного халькогенида галлия в реактор проводят методом химического транспорта при температуре 600–700°С с использованием йодида галлия(III) в качестве транспортирующего агента.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021133881A RU2770494C1 (ru) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021133881A RU2770494C1 (ru) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2770494C1 true RU2770494C1 (ru) | 2022-04-18 |
Family
ID=81212732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021133881A RU2770494C1 (ru) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2770494C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116675433A (zh) * | 2023-06-06 | 2023-09-01 | 宁波海洋研究院 | 一种Ge-Sb-Se-Ga硫系玻璃及其制备方法 |
RU2807334C1 (ru) * | 2023-07-13 | 2023-11-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук | Способ получения особо чистых теллуридных стекол |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2648389C1 (ru) * | 2017-06-20 | 2018-03-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол системы германий-селен |
CN109320093A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-12 | 宁波大学 | 一种透明微晶玻璃材料及其制备方法 |
RU2698340C1 (ru) * | 2018-12-24 | 2019-08-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол |
US20210230040A1 (en) * | 2017-12-22 | 2021-07-29 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Manufacturing process for striae-free multicomponent chalcogenide glasses via convection mixing |
-
2021
- 2021-11-22 RU RU2021133881A patent/RU2770494C1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2648389C1 (ru) * | 2017-06-20 | 2018-03-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол системы германий-селен |
US20210230040A1 (en) * | 2017-12-22 | 2021-07-29 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Manufacturing process for striae-free multicomponent chalcogenide glasses via convection mixing |
CN109320093A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-12 | 宁波大学 | 一种透明微晶玻璃材料及其制备方法 |
RU2698340C1 (ru) * | 2018-12-24 | 2019-08-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SHIRYAEV V.S. et al. "Preparation of high purity glasses in the Ga-Ge-As-Se system", Optical materials, 2014, vol.37, p.18-23. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116675433A (zh) * | 2023-06-06 | 2023-09-01 | 宁波海洋研究院 | 一种Ge-Sb-Se-Ga硫系玻璃及其制备方法 |
RU2807334C1 (ru) * | 2023-07-13 | 2023-11-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г.Девятых Российской академии наук | Способ получения особо чистых теллуридных стекол |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Shiryaev et al. | Recent advances in preparation of high-purity chalcogenide glasses for mid-IR photonics | |
Calvez | Chalcogenide glasses and glass-ceramics: Transparent materials in the infrared for dual applications | |
Shiryaev et al. | Preparation of high-purity chalcogenide glasses | |
Shiryaev et al. | Preparation of high purity glasses in the Ga–Ge–As–Se system | |
Velmuzhov et al. | Preparation of Ge20Se80 glasses with low hydrogen and oxygen impurities content for middle IR fiber optics | |
US7844162B2 (en) | Method for fabricating IR-transmitting chalcogenide glass fiber | |
RU2770494C1 (ru) | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих галлий | |
Velmuzhov et al. | Preparation of high-purity germanium telluride based glasses with low oxygen impurity content | |
WO2017086227A1 (ja) | 光学ガラス | |
Churbanov et al. | High-purity glasses based on arsenic chalcogenides | |
US20080287278A1 (en) | Low loss chalcogenide glass and process for making same using arsenic monochalcogenide | |
Lu et al. | Ultrabroadband mid-infrared emission from Cr2+-doped infrared transparent chalcogenide glass ceramics embedded with thermally grown ZnS nanorods | |
Velmuzhov et al. | Preparation of especially pure Ge-Se glasses via germanium monoselenide for Mid-IR fiber optics | |
Churbanov et al. | High-purity As-S-Se and As-Se-Te glasses and optical fibers | |
Shiryaev et al. | Heterophase inclusions and dissolved impurities in Ge25Sb10S65 glass | |
Pernice et al. | Crystallization of the K2O· Nb2O5· 2SiO2 glass: evidences for existence of bulk nanocrystalline structure | |
Shiryaev et al. | Preparation and investigation of GaxGe25As15Se60-x (x= 1÷ 5) glasses | |
RU2698340C1 (ru) | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол | |
CN115196875A (zh) | 一种高折射率Ge-Ga-Sb-Se-Te硫系玻璃及其制备方法和应用 | |
Shiryaev et al. | Preparation and investigation of high purity Ge–Te–AgI glasses for optical application | |
Velmuzhov et al. | Physicochemical, optical properties and stability against crystallization of GaxGey-xS100-y (x= 0–8; y= 40–42) glasses | |
Ryzhov et al. | Optical properties of tellurium-based chalcogenide alloys in the far infrared region (λ> 30 μm) | |
Huang et al. | High-purity germanium-sulphide glass for optoelectronic applications synthesised by chemical vapour deposition | |
RU2781425C1 (ru) | Способ получения особо чистых халькогенидных стекол, содержащих йодид серебра | |
Velmuzhov et al. | Preparation of high-purity chalcogenide glasses containing gallium (III) sulfide |