JPS58119682A - Ｌｅｄランプ - Google Patents
ＬｅｄランプInfo
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- JPS58119682A JPS58119682A JP57001359A JP135982A JPS58119682A JP S58119682 A JPS58119682 A JP S58119682A JP 57001359 A JP57001359 A JP 57001359A JP 135982 A JP135982 A JP 135982A JP S58119682 A JPS58119682 A JP S58119682A
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- effect transistor
- led lamp
- diode chip
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
-
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
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- H05B45/395—Linear regulators
-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ブラケットに抜挿自在として取り付けられる
ＬＥＤ’ランプに関するものである。
ＬＥＤ’ランプに関するものである。
タングステンランプは、使用される機器の電源電圧に応
じて種々の定格のランプを容易に構成することができる
が、ＬＥＤランプはその発光メカニズム上の特徴から１
個の発光ダイオードチップに対する電流及び電圧値が決
定されているので使用される機器側に何らかの調整回路
を必要とするものであった。従ってＬＥＤランプはタン
グステンランプと同等の形状に構成しても定格電圧の違
いによって互換性を持たせることができない場合が多く
、それがタングステンランプに比し耐震性に優れ、信頼
性の高いＬＥＤランプの需用拡大の妨げになっていた。
じて種々の定格のランプを容易に構成することができる
が、ＬＥＤランプはその発光メカニズム上の特徴から１
個の発光ダイオードチップに対する電流及び電圧値が決
定されているので使用される機器側に何らかの調整回路
を必要とするものであった。従ってＬＥＤランプはタン
グステンランプと同等の形状に構成しても定格電圧の違
いによって互換性を持たせることができない場合が多く
、それがタングステンランプに比し耐震性に優れ、信頼
性の高いＬＥＤランプの需用拡大の妨げになっていた。
本発明は以上のような点に鑑みて成されたものであり、
電源電圧の異なる種々の機器に対しても自由に使用でき
、しかも電源電圧が変動しても発光輝度が一定に維持さ
れるＬＥＤランプを提供することを目的とするものであ
る。
電源電圧の異なる種々の機器に対しても自由に使用でき
、しかも電源電圧が変動しても発光輝度が一定に維持さ
れるＬＥＤランプを提供することを目的とするものであ
る。
すなわち、本発明は、ブラケットに着脱自在として取１
）付けられるＬＥＤランプであって、重置ダイオードチ
ップが取り付けられる先端発光部と、１−記ブラケツト
への装着時にブラケットの接点と接触されるランプ側接
点と、このランプ側接点と上記発光ダイオードチップと
の間に設けられ、該発光ダイオードチップの電流を制御
する′Ｉｔｆ界効果トランジスタによる定電流回路と、
を具備することを特徴とするものである。
）付けられるＬＥＤランプであって、重置ダイオードチ
ップが取り付けられる先端発光部と、１−記ブラケツト
への装着時にブラケットの接点と接触されるランプ側接
点と、このランプ側接点と上記発光ダイオードチップと
の間に設けられ、該発光ダイオードチップの電流を制御
する′Ｉｔｆ界効果トランジスタによる定電流回路と、
を具備することを特徴とするものである。
次に、本発明に係る第１の実施例を第１図乃至第１０図
について説明する。
について説明する。
図中ｌがＬＥＤランプで、該ＬＥＤランプ１は、その先
端に設けられる先端発光部としてへ反射口１１２と、こ
の反射器２より導出されるリード琢を内包する外殻３と
で構成されている。上記反射器２は第３図の断面図に示
すように円板状の底部２ａと輪状の外周壁部２ｂとが一
体に形成された略回転体形状とされており、その外１、
’？Ｉ壁部２ｂの内側壁２ｃは内底面２ｄより外方に向
けて広げられてなるテーバを有し、内側壁２ｃと回転体
の回転軸とのなす角θは３００とされている。さらに、
上記反射器２内には、ＩＪ−ド線４．５が埋設されてい
ると共に、該リード線４，５の一部であるリード端子面
４ａ、５ａが内底面２ｄに表出されており、これにより
リード端子面４ａ、５ａと内底面２ｄとは同−平一ゝり 面上に位置されている。また、上記リード端子面４ａ、
５ａと同様にして該リート端子面４ａ。
端に設けられる先端発光部としてへ反射口１１２と、こ
の反射器２より導出されるリード琢を内包する外殻３と
で構成されている。上記反射器２は第３図の断面図に示
すように円板状の底部２ａと輪状の外周壁部２ｂとが一
体に形成された略回転体形状とされており、その外１、
’？Ｉ壁部２ｂの内側壁２ｃは内底面２ｄより外方に向
けて広げられてなるテーバを有し、内側壁２ｃと回転体
の回転軸とのなす角θは３００とされている。さらに、
上記反射器２内には、ＩＪ−ド線４．５が埋設されてい
ると共に、該リード線４，５の一部であるリード端子面
４ａ、５ａが内底面２ｄに表出されており、これにより
リード端子面４ａ、５ａと内底面２ｄとは同−平一ゝり 面上に位置されている。また、上記リード端子面４ａ、
５ａと同様にして該リート端子面４ａ。
５ａの間にはマウント端子面６，７．８が表出されてお
り、このマウント端子面６，７．８上には第１乃至第３
の発光ダイオードチップＤ１〜Ｄ３がボンディングされ
ている。さらに、上記リート端子面５ａ上には、電界効
果トランジスタＴのチップがボンディングされており、
この電界効果トランジスタＴは第９図の拡大図に示すよ
うにサブストレートがＰ形シリコンとされると共に、こ
のサブストレート上にＮ形のソース電極Ｓとドレイン電
極りが形成されてなる接合形ＦＥＴとされ、そのサブス
トレート自体がゲート電極Ｇとされている。
り、このマウント端子面６，７．８上には第１乃至第３
の発光ダイオードチップＤ１〜Ｄ３がボンディングされ
ている。さらに、上記リート端子面５ａ上には、電界効
果トランジスタＴのチップがボンディングされており、
この電界効果トランジスタＴは第９図の拡大図に示すよ
うにサブストレートがＰ形シリコンとされると共に、こ
のサブストレート上にＮ形のソース電極Ｓとドレイン電
極りが形成されてなる接合形ＦＥＴとされ、そのサブス
トレート自体がゲート電極Ｇとされている。
ト記ソース’ＴＪｔ ＩＩＡ Ｓとリード端子面５ａと
の間、−１−記ドレイン電極りとマウント端子面８との
間、第３のダイオードチップＤ３とマウント端子面７と
の間、第２のダイオードチップＤ２とマウント端子面６
との間、及び第１のダイオードチップＤ１とリード端子
面４ａ、との間は、それぞれ金属細線Ｗにより接続され
ており、これを回路図で表わしたのが第４１Ｎ（Ｂ）で
あって、すなわち、第１、第２．第３のダイオードチッ
プＤＩ ＋ Ｄ２ ｒＤ３及び電界効果トランジスタＴ
のゲート電極Ｇとソース電極Ｓとの間が直接接続されて
いる。
の間、−１−記ドレイン電極りとマウント端子面８との
間、第３のダイオードチップＤ３とマウント端子面７と
の間、第２のダイオードチップＤ２とマウント端子面６
との間、及び第１のダイオードチップＤ１とリード端子
面４ａ、との間は、それぞれ金属細線Ｗにより接続され
ており、これを回路図で表わしたのが第４１Ｎ（Ｂ）で
あって、すなわち、第１、第２．第３のダイオードチッ
プＤＩ ＋ Ｄ２ ｒＤ３及び電界効果トランジスタＴ
のゲート電極Ｇとソース電極Ｓとの間が直接接続されて
いる。
従って、上記電界効果トランジスタＴにより定電流回路
９が構成され、上記各ダイオードチップＤ、 、 Ｄ２
． Ｄ３を流れる電流はこの定電流回路９によりほぼ一
定となる構成とされており、この実施例に用いられてい
る定電流回路９は、第１４図のグラフ図に示すように電
界効果トランジスタＴのドレイン・ソース間’ｔ 圧カ
フ （Ｖ）〜３゜■）の間にあれば電流は１０（ｍＡ）
〜１２（ｍＡ）の間に維持される構成とされている。ま
た上記内底面２ｄと内壁面２ｃとで作られた空間【こは
、上記ダイオードチップＤ１〜Ｄ３及び電界効果トラン
ジスタＴを被覆するようにして透明樹脂が充填され、ラ
イトガイド部１０が形成されており、このライトガイド
部１０の前端部は中央が隆起され、凸レンズ状とされて
いる。
９が構成され、上記各ダイオードチップＤ、 、 Ｄ２
． Ｄ３を流れる電流はこの定電流回路９によりほぼ一
定となる構成とされており、この実施例に用いられてい
る定電流回路９は、第１４図のグラフ図に示すように電
界効果トランジスタＴのドレイン・ソース間’ｔ 圧カ
フ （Ｖ）〜３゜■）の間にあれば電流は１０（ｍＡ）
〜１２（ｍＡ）の間に維持される構成とされている。ま
た上記内底面２ｄと内壁面２ｃとで作られた空間【こは
、上記ダイオードチップＤ１〜Ｄ３及び電界効果トラン
ジスタＴを被覆するようにして透明樹脂が充填され、ラ
イトガイド部１０が形成されており、このライトガイド
部１０の前端部は中央が隆起され、凸レンズ状とされて
いる。
一方、上記反射器２の背部に設けられる外殻３は、円筒
状のリード線通挿部３ａと、該＋１一ド線通挿部３ａの
後端から後方に突出形成される接点保持部３ｂを有して
おり、この接点保持部３ｂは略長方体状とされ、該接点
保持部３ｂの外側面より上記リード線４，５に形成され
ている突出部４ｂ、５ｂが突出した状態で保持されてい
る。上記外殻３はこの実施例では半割嵌着形とされてお
り、すなわち第５図、第６図に示すように外殻３は前後
方向に沿って二つに分割され、分割された一方が外殻雄
部１１、他方が外殻雌部１２とされている。上記外殻雄
部１１及び外殻雌部１２の内側には、その先端側に前記
反射器２の背部が嵌入して接合される接合開＋１１３と
、反Ｂ １１１１２の位置決めを行う係止部１４が形成
さね、この係止部１４の背部側は仕切板１５により左右
に仕切られたリード線通挿空間１６ａ、１６ｂとされて
おり、前記接点保持部３ｂと対応する位置における外殻
雄部１１と外殻雌部１２の夫々には、前記リード線４，
５の一部と突出部４ｂ、５ｂが嵌入されるスリット１７
、、 １８が形成され、該スリット１７．１８の一部は
接点保持部３ｂの外側面に至るスリット開ＩＩ］１７ａ
、１８ａとされている。さらに外殻雄部１１側には外殻
雌部１２方向に突出する結合ピン１９．１９が形成され
、外殻雌部１２個Ｇこけその結合ピン１９．１９が嵌着
される結合孔２０．２０が形成されている。しかして上
記外殻雄部１１と外殻雌部１２とが前記反射器２及びリ
ード線４，５を挾み込むようにして嵌着されて、接合開
口１３には反射器２が位置され、リード線通挿空間１６
ａ、１６ｂにはリード線４．５が収納されると共に、ス
リット開口１７ａ、１８ａからは突出部４ｂ、５ｂが外
方に向けて突出されている。ざら【こ、この突出部４ｂ
、５ｂ＆こはその一部が切り欠かれて位ｉ（ｉ決め係合
部２１，２１とされており、また、ト記す−ド線通挿部
３ａＧこおける外周壁部にはＬＥＤランプ１の取り外し
操作時に用いられる係合溝２２が形成されている。
状のリード線通挿部３ａと、該＋１一ド線通挿部３ａの
後端から後方に突出形成される接点保持部３ｂを有して
おり、この接点保持部３ｂは略長方体状とされ、該接点
保持部３ｂの外側面より上記リード線４，５に形成され
ている突出部４ｂ、５ｂが突出した状態で保持されてい
る。上記外殻３はこの実施例では半割嵌着形とされてお
り、すなわち第５図、第６図に示すように外殻３は前後
方向に沿って二つに分割され、分割された一方が外殻雄
部１１、他方が外殻雌部１２とされている。上記外殻雄
部１１及び外殻雌部１２の内側には、その先端側に前記
反射器２の背部が嵌入して接合される接合開＋１１３と
、反Ｂ １１１１２の位置決めを行う係止部１４が形成
さね、この係止部１４の背部側は仕切板１５により左右
に仕切られたリード線通挿空間１６ａ、１６ｂとされて
おり、前記接点保持部３ｂと対応する位置における外殻
雄部１１と外殻雌部１２の夫々には、前記リード線４，
５の一部と突出部４ｂ、５ｂが嵌入されるスリット１７
、、 １８が形成され、該スリット１７．１８の一部は
接点保持部３ｂの外側面に至るスリット開ＩＩ］１７ａ
、１８ａとされている。さらに外殻雄部１１側には外殻
雌部１２方向に突出する結合ピン１９．１９が形成され
、外殻雌部１２個Ｇこけその結合ピン１９．１９が嵌着
される結合孔２０．２０が形成されている。しかして上
記外殻雄部１１と外殻雌部１２とが前記反射器２及びリ
ード線４，５を挾み込むようにして嵌着されて、接合開
口１３には反射器２が位置され、リード線通挿空間１６
ａ、１６ｂにはリード線４．５が収納されると共に、ス
リット開口１７ａ、１８ａからは突出部４ｂ、５ｂが外
方に向けて突出されている。ざら【こ、この突出部４ｂ
、５ｂ＆こはその一部が切り欠かれて位ｉ（ｉ決め係合
部２１，２１とされており、また、ト記す−ド線通挿部
３ａＧこおける外周壁部にはＬＥＤランプ１の取り外し
操作時に用いられる係合溝２２が形成されている。
上記ＬＥＤランプ１は第１０図に示すようにブラケット
Ｂに抜挿自在として装着されるものであり、このブラケ
ットＢはランプ挿入孔３０トコの挿入孔３０内に形成さ
れるブラケット接点３１．３２を有し、該ブラケット接
点３１゜３２の先端には前記位置決め係合部２１，２１
と係合される係合突起３１ａ、３２１１が形成され、他
端はプラテン）Ｈの外部に導出されて接続端子部３１ｂ
、３２ｂとされている。しかしてＬＥＤランプ１がブラ
ケットＢ内に装着された状態においては、前記突出部４
ｂ、５ｂがランプ側接点として、上記ブラケット接点３
１ 。
Ｂに抜挿自在として装着されるものであり、このブラケ
ットＢはランプ挿入孔３０トコの挿入孔３０内に形成さ
れるブラケット接点３１．３２を有し、該ブラケット接
点３１゜３２の先端には前記位置決め係合部２１，２１
と係合される係合突起３１ａ、３２１１が形成され、他
端はプラテン）Ｈの外部に導出されて接続端子部３１ｂ
、３２ｂとされている。しかしてＬＥＤランプ１がブラ
ケットＢ内に装着された状態においては、前記突出部４
ｂ、５ｂがランプ側接点として、上記ブラケット接点３
１ 。
３２と接触され、電気的な接続が成されており、ＬＥＤ
ランプ１は上記位置決め係合部２１．２１と係合突起３
１ａ、３２ａとの係合により抜は市めが成されている。
ランプ１は上記位置決め係合部２１．２１と係合突起３
１ａ、３２ａとの係合により抜は市めが成されている。
次に、ト述した構成によるＬＥＤランプの製法を説明す
る。
る。
まず、第７図に示すリードフレーム２３を作成する。こ
のリードフレーム２３は、金属薄板にその不要部分を取
り除いて、前記外部リード線４，５と、リード端子部４
ａ、５ａと、マウント端子面６，７．８と、支持枠部２
５と、を−・体に形成したものであり、この各部材を有
するリードフレーム２３は図示のように多数枚並設され
るようにしてパンチプレス等により形成されるものであ
る。
のリードフレーム２３は、金属薄板にその不要部分を取
り除いて、前記外部リード線４，５と、リード端子部４
ａ、５ａと、マウント端子面６，７．８と、支持枠部２
５と、を−・体に形成したものであり、この各部材を有
するリードフレーム２３は図示のように多数枚並設され
るようにしてパンチプレス等により形成されるものであ
る。
次に、第７図に一点鎖線Ｓで示した箇所に、第８図に示
す金型２６，２７を挾持させて、該金型２６，２７に溶
融したプラスチック材を注入する。１−記金型２６側に
は、前記反射器２の外周壁部２ｂに対応する型２６＆が
形成され、他方の金型２７側には、反射器２の底部２ａ
に対応する型２７ａとスプルー２７ｂが形成されている
。
す金型２６，２７を挾持させて、該金型２６，２７に溶
融したプラスチック材を注入する。１−記金型２６側に
は、前記反射器２の外周壁部２ｂに対応する型２６＆が
形成され、他方の金型２７側には、反射器２の底部２ａ
に対応する型２７ａとスプルー２７ｂが形成されている
。
また、上記金型２６．２７に注入されるプラスチック材
として、ポリサルホン熱可塑性樹ｆｌｉｔ又はポリエス
テル熱可塑性樹脂あるいはエポキシ熱硬化性樹脂に、光
反射剤として酸化チタン（Ｔｉ Ｏ，、）、酸化アルミ
ニウム（Ａ１２０３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）、炭
酸カルシウム（ＣａＣＯ３）の少なくともいずれかを５
％〜４０％混入した材料が用いられている。
として、ポリサルホン熱可塑性樹ｆｌｉｔ又はポリエス
テル熱可塑性樹脂あるいはエポキシ熱硬化性樹脂に、光
反射剤として酸化チタン（Ｔｉ Ｏ，、）、酸化アルミ
ニウム（Ａ１２０３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）、炭
酸カルシウム（ＣａＣＯ３）の少なくともいずれかを５
％〜４０％混入した材料が用いられている。
こうして、リードフレーム２３には、上記インサート成
形により先端発光部としての反射■２が形成される。
形により先端発光部としての反射■２が形成される。
次に、上記リードフレーム２３の支持枠部２５を切除し
て外部リード線４，５と、反射＋１１１２と、突出部４
ｂ、５ｂのみを残した状態とする。次に、リード線４，
５を後方に折曲させ、各マウント端子面６，７．８にダ
イオードチップＤ１〜Ｄ３をボンディングすると共に、
リード端子部５ａに電界効果トランジスタＴのチップを
ボンディングする。しかして外筐３のリード線通挿空間
１６ａ、１６ｂ内にリード線４，５を入れ、ス１１ソト
１７，１８内に突出部４ｂ、５ｂを挿入するようにして
外殻雄部１１と外殻雌部１２を嵌着させると、第１図に
示すＬＥＤランプ１が構成され、突出部４ｂ、５ｂはス
リット開口１７ａ。
て外部リード線４，５と、反射＋１１１２と、突出部４
ｂ、５ｂのみを残した状態とする。次に、リード線４，
５を後方に折曲させ、各マウント端子面６，７．８にダ
イオードチップＤ１〜Ｄ３をボンディングすると共に、
リード端子部５ａに電界効果トランジスタＴのチップを
ボンディングする。しかして外筐３のリード線通挿空間
１６ａ、１６ｂ内にリード線４，５を入れ、ス１１ソト
１７，１８内に突出部４ｂ、５ｂを挿入するようにして
外殻雄部１１と外殻雌部１２を嵌着させると、第１図に
示すＬＥＤランプ１が構成され、突出部４ｂ、５ｂはス
リット開口１７ａ。
１８ａより突出した状態で保持される。
次に、上述した構成によるＬＥＤランプ１の作用を説明
する。
する。
１）社記リード線４，５が電源と接続されると、第１．
第２．第３の発光ダイオードチップＤ、〜Ｄ３及び電界
効果トランジスタＴのドレイン・ソース間を直列に電流
が流れ、各ダイオードチップＤ１〜Ｄ３が発光する。こ
のとき、電界効果トランジスタＴのソース・ゲート間が
接続されているので、リード線４，５間に加えられる電
圧に応して電界効果トランジスタＴのソース・ゲート間
の導′市率が変動し、電源電圧の変動があっても各ダイ
オードＤ１〜Ｄ３を流れる電流はほぼ一定に保持され、
その発光輝度が一定に維持される。すなわち、電界効果
トランジスタＴのドレイン・ソース間電圧（Ｖ）と電流
（ｍＡ）との関怪は、第１４図に示す特性を有している
ため、各ダイオードチップＤ１〜Ｄ３による電圧降下分
をのぞいて電界効果トランジスタＴのドレイン・ソース
間の電圧が７（ｖ）〜３０（Ｖ）となる範囲の電圧を有
する電源に対して共通に使用することができることにな
る。さらに、この実施例では、反射器２内に電界効果ト
ランジスタＴが組み込まれているので、きわめてコンパ
クトなＬＥＤランプとなっている。
第２．第３の発光ダイオードチップＤ、〜Ｄ３及び電界
効果トランジスタＴのドレイン・ソース間を直列に電流
が流れ、各ダイオードチップＤ１〜Ｄ３が発光する。こ
のとき、電界効果トランジスタＴのソース・ゲート間が
接続されているので、リード線４，５間に加えられる電
圧に応して電界効果トランジスタＴのソース・ゲート間
の導′市率が変動し、電源電圧の変動があっても各ダイ
オードＤ１〜Ｄ３を流れる電流はほぼ一定に保持され、
その発光輝度が一定に維持される。すなわち、電界効果
トランジスタＴのドレイン・ソース間電圧（Ｖ）と電流
（ｍＡ）との関怪は、第１４図に示す特性を有している
ため、各ダイオードチップＤ１〜Ｄ３による電圧降下分
をのぞいて電界効果トランジスタＴのドレイン・ソース
間の電圧が７（ｖ）〜３０（Ｖ）となる範囲の電圧を有
する電源に対して共通に使用することができることにな
る。さらに、この実施例では、反射器２内に電界効果ト
ランジスタＴが組み込まれているので、きわめてコンパ
クトなＬＥＤランプとなっている。
また、ダイオードチップＤ１〜Ｄ３より発光された光は
、ライトガイド部１０を透過して外部に取り出されるの
であるが、ライトガイド部１０内で反射される光におい
ても、内底面２ｄと内壁面２ｃとの間は継ぎ目のない連
続状とされているのでライトガイド部１０内での減衰は
きわめて少ないものとなっている。
、ライトガイド部１０を透過して外部に取り出されるの
であるが、ライトガイド部１０内で反射される光におい
ても、内底面２ｄと内壁面２ｃとの間は継ぎ目のない連
続状とされているのでライトガイド部１０内での減衰は
きわめて少ないものとなっている。
また、スリット開Ｄ１７ａ、１８ａより突出されている
突出部４ｂ、５ｂは、外殻３の接点保持部３ｂにより確
実に保持されていると共に、外殻３内に収納されている
リード１ＹＴＩｉ！４．５と一体とされているので抜け
たり位置がずれたりするおそれかなく、構造的に機械的
強度が非常に強いものとなっている。
突出部４ｂ、５ｂは、外殻３の接点保持部３ｂにより確
実に保持されていると共に、外殻３内に収納されている
リード１ＹＴＩｉ！４．５と一体とされているので抜け
たり位置がずれたりするおそれかなく、構造的に機械的
強度が非常に強いものとなっている。
次に、本発明に係る第２の実施例を第１１図乃至１３図
について説明する。なお上述した第１の実施例と同様の
箇所には同等の符号を付し、その説明は省略する。
について説明する。なお上述した第１の実施例と同様の
箇所には同等の符号を付し、その説明は省略する。
この第２の実施例では、前記反射器２の背部に略円柱状
とされる絶縁性の接点保持具３３が固定され、この接点
保持具３３には該保持具３３の後方に突出するランプ側
接点４０．５０が取り付けられており、さらに、この接
点４０．５０の後方側！／、ｌＡｊ部には断面略矢じり
形状とされる絶縁性の案内具３４が取り付けられている
。さらＧこ」１記ランプ側接点４０．５０間にはセラミ
ック材による絶縁基板３５が設けられ、この基板。
とされる絶縁性の接点保持具３３が固定され、この接点
保持具３３には該保持具３３の後方に突出するランプ側
接点４０．５０が取り付けられており、さらに、この接
点４０．５０の後方側！／、ｌＡｊ部には断面略矢じり
形状とされる絶縁性の案内具３４が取り付けられている
。さらＧこ」１記ランプ側接点４０．５０間にはセラミ
ック材による絶縁基板３５が設けられ、この基板。
３５上には前記リード線４，５と上記ランプ側接点１０
．５０との間を電気的に接続するプリント配線３６．３
７が形成されており、一方のプリント配線３７はその途
中に絶縁ギャップ；３８が形成されて、接点側プリント
配線３７ａとリード線側プリント配線３７ｂとに分離さ
れていると共に、その接点側プリント配線３７ａ十〇こ
電界効果トランジスタＴのチップがポンディングされて
いる。さらに、この電界効果トランジスタＴのソース電
極Ｓと接点側プリント配Ｎ３７ａとの間、及びドレイン
電極りとリード線側プリント配線３７ｂとの間が金属細
線Ｗにより接続されている。一方、この第２の実施例に
おける上記反射器２内には、前記第１の実施例Ｇこおい
て取り付けられていた電界効果トランジスタに換えて第
４の発光ダイオードＤ４が取り付けられており、これに
より第１３図の回路図Ｇこ示すように反射器２内には、
４個の発光ダイオードＤ１〜Ｄ、が直列に接続された状
態で設けられ、この各ダイオードＤ１〜Ｄ４とランプ側
接点５ｏとの間に電界効果トランジスタＴよりなる宇電
流回路９が設けられた構成になるものである。さらに、
上記電界効果トランジスタＴは絶縁材３９によりモール
ドされている。
．５０との間を電気的に接続するプリント配線３６．３
７が形成されており、一方のプリント配線３７はその途
中に絶縁ギャップ；３８が形成されて、接点側プリント
配線３７ａとリード線側プリント配線３７ｂとに分離さ
れていると共に、その接点側プリント配線３７ａ十〇こ
電界効果トランジスタＴのチップがポンディングされて
いる。さらに、この電界効果トランジスタＴのソース電
極Ｓと接点側プリント配Ｎ３７ａとの間、及びドレイン
電極りとリード線側プリント配線３７ｂとの間が金属細
線Ｗにより接続されている。一方、この第２の実施例に
おける上記反射器２内には、前記第１の実施例Ｇこおい
て取り付けられていた電界効果トランジスタに換えて第
４の発光ダイオードＤ４が取り付けられており、これに
より第１３図の回路図Ｇこ示すように反射器２内には、
４個の発光ダイオードＤ１〜Ｄ、が直列に接続された状
態で設けられ、この各ダイオードＤ１〜Ｄ４とランプ側
接点５ｏとの間に電界効果トランジスタＴよりなる宇電
流回路９が設けられた構成になるものである。さらに、
上記電界効果トランジスタＴは絶縁材３９によりモール
ドされている。
従って、この第２の実施例では、反射器２の外部に電界
効果トランジスタＴが設けられるため、反射＋１１１２
内に多くの発光ダイオードＤ、〜Ｄ４を取り付けること
ができ、それだけ大きな光量を得ることができる。
効果トランジスタＴが設けられるため、反射＋１１１２
内に多くの発光ダイオードＤ、〜Ｄ４を取り付けること
ができ、それだけ大きな光量を得ることができる。
以旧説明したように本発明によれば、ＬＥＤランプ内に
その発光ダイオードの電流を制御する電界効果トランジ
スタを組み込んだ構成としたので、電源電工の異なる種
々の機器にそのまま取り付けても、発光ダイオードの電
流は自動的に一定値に保持される効果があり、これによ
り種々の機器に対して自由に使用できる効果がある。し
かも使用中に電源電圧が変動しても、電流が一定に保た
れることから、発光輝度の安定したＬＥＤランプを提供
することができる効果がある。
その発光ダイオードの電流を制御する電界効果トランジ
スタを組み込んだ構成としたので、電源電工の異なる種
々の機器にそのまま取り付けても、発光ダイオードの電
流は自動的に一定値に保持される効果があり、これによ
り種々の機器に対して自由に使用できる効果がある。し
かも使用中に電源電圧が変動しても、電流が一定に保た
れることから、発光輝度の安定したＬＥＤランプを提供
することができる効果がある。
また、本発明において電界効果トランジスタを反射１１
１１内に組み込んだ構成とすれば、非常にコンパクトな
ＬＥＤランプを形成することができる効果がある。
１１内に組み込んだ構成とすれば、非常にコンパクトな
ＬＥＤランプを形成することができる効果がある。
第１図は本発明に係るＬＥＤランプの第１の実施例を示
す斜視図、第２図は同市面図、第３図は第２図の■−■
線における反射器の部分を示す断面図、第４図（Ａ）
（Ｂ）は電気的な構成を示す説明図及び回路図、第５図
は第１図の分解斜視図、第６図は第５図の外殻雄部を逆
方向から見た斜視図、第７図は本発明に係るＬＥＤラン
プに用いられるリードフレームの平面図、第８図は同Ｌ
ＥＤランプの製作時に用いられる金型を示す断面図、第
９図は反射器に取り付けられた電界効果トランジスタを
示す拡大斜視図、第１０図はＬＥＤランプがブラケット
に装着された状態を示すブラケットの断面図、第１１図
は本発明に係るＬＥＤランプの第２の実施例を示す側面
図、第１２図は同断面図、第１３図は同電気的構成を示
す回路図、第１４図は電界効果トランジスタの特性を示
すグラフ図である。 １・・・ＬＥＤランプ、２・・・先端発光部としての反
射器、ｌｂ、５ｂ・・・ランプ側接点としての突出部、
４（１，５０・・・ランプ側接点、９・・・定電流回路
、Ｄ、〜Ｄ４・・・発光ダイオードチップ、Ｔ・・・電
界効ｉ１：）ランジスタ、Ｂ・・・ブラケット、３５・
・・絶縁基板。 特許出願人 日本デンヨー株式会社代理人 弁
理上 西 村 教 光 ４Ｃ
す斜視図、第２図は同市面図、第３図は第２図の■−■
線における反射器の部分を示す断面図、第４図（Ａ）
（Ｂ）は電気的な構成を示す説明図及び回路図、第５図
は第１図の分解斜視図、第６図は第５図の外殻雄部を逆
方向から見た斜視図、第７図は本発明に係るＬＥＤラン
プに用いられるリードフレームの平面図、第８図は同Ｌ
ＥＤランプの製作時に用いられる金型を示す断面図、第
９図は反射器に取り付けられた電界効果トランジスタを
示す拡大斜視図、第１０図はＬＥＤランプがブラケット
に装着された状態を示すブラケットの断面図、第１１図
は本発明に係るＬＥＤランプの第２の実施例を示す側面
図、第１２図は同断面図、第１３図は同電気的構成を示
す回路図、第１４図は電界効果トランジスタの特性を示
すグラフ図である。 １・・・ＬＥＤランプ、２・・・先端発光部としての反
射器、ｌｂ、５ｂ・・・ランプ側接点としての突出部、
４（１，５０・・・ランプ側接点、９・・・定電流回路
、Ｄ、〜Ｄ４・・・発光ダイオードチップ、Ｔ・・・電
界効ｉ１：）ランジスタ、Ｂ・・・ブラケット、３５・
・・絶縁基板。 特許出願人 日本デンヨー株式会社代理人 弁
理上 西 村 教 光 ４Ｃ
Claims (3)
- （１） ブラケットに着脱自在として取り付けられる
ＬＥＤランプであって、発光ダイオードチップが取り付
けられる先端発光部と、上詰ブラケットへの装着時にブ
ラケットの接点と接触されるランプ側接点と、このラン
プ側接点と上記発光ダイオードチップとの間に設けられ
、該発光ダイオードチップの電流を制御する電界効果ト
ランジスタレこよる定電流回路と、を具備することを特
徴とするＬＥＤランプ。 - （２） 前記定電流回路は、前記ランプ側接点間にお
いて絶縁基板を介して取り付けられている特許請求の範
囲第１項記載によるＬＥＤランプ。 - （３） 前記定電流回路は、前記発光ダイオードチッ
プが取り付けられる先端発光部内に設けられている特許
請求の範囲第１項記載によるＬＥＤランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001359A JPS58119682A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | Ｌｅｄランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001359A JPS58119682A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | Ｌｅｄランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119682A true JPS58119682A (ja) | 1983-07-16 |
Family
ID=11499297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001359A Pending JPS58119682A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | Ｌｅｄランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119682A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153562U (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | ||
| JPH0265366U (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-16 | ||
| WO2000013469A1 (en) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Fiber Optics Designs, Inc. | Preferred embodiment to led light string |
| US6461019B1 (en) | 1998-08-28 | 2002-10-08 | Fiber Optic Designs, Inc. | Preferred embodiment to LED light string |
| US7066628B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-06-27 | Fiber Optic Designs, Inc. | Jacketed LED assemblies and light strings containing same |
| US7250730B1 (en) | 2006-01-17 | 2007-07-31 | Fiber Optic Designs, Inc. | Unique lighting string rectification |
| US7265496B2 (en) | 2005-09-23 | 2007-09-04 | Fiber Optic Designs, Inc. | Junction circuit for LED lighting chain |
| US7276858B2 (en) | 2005-10-28 | 2007-10-02 | Fiber Optic Designs, Inc. | Decorative lighting string with stacked rectification |
| US7931390B2 (en) | 1999-02-12 | 2011-04-26 | Fiber Optic Designs, Inc. | Jacketed LED assemblies and light strings containing same |
-
1982
- 1982-01-09 JP JP57001359A patent/JPS58119682A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153562U (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | ||
| JPH0265366U (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-16 | ||
| WO2000013469A1 (en) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Fiber Optics Designs, Inc. | Preferred embodiment to led light string |
| US6461019B1 (en) | 1998-08-28 | 2002-10-08 | Fiber Optic Designs, Inc. | Preferred embodiment to LED light string |
| US6830358B2 (en) | 1998-08-28 | 2004-12-14 | Fiber Optic Designs, Inc. | Preferred embodiment to led light string |
| US7344275B2 (en) | 1998-08-28 | 2008-03-18 | Fiber Optic Designs, Inc. | LED assemblies and light strings containing same |
| US7220022B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-05-22 | Fiber Optic Designs, Inc. | Jacketed LED assemblies and light strings containing same |
| US7931390B2 (en) | 1999-02-12 | 2011-04-26 | Fiber Optic Designs, Inc. | Jacketed LED assemblies and light strings containing same |
| US9410668B2 (en) | 1999-02-12 | 2016-08-09 | Fiber Optic Designs, Inc. | Light strings including jacketed LED assemblies |
| US7066628B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-06-27 | Fiber Optic Designs, Inc. | Jacketed LED assemblies and light strings containing same |
| US7265496B2 (en) | 2005-09-23 | 2007-09-04 | Fiber Optic Designs, Inc. | Junction circuit for LED lighting chain |
| US7276858B2 (en) | 2005-10-28 | 2007-10-02 | Fiber Optic Designs, Inc. | Decorative lighting string with stacked rectification |
| US7250730B1 (en) | 2006-01-17 | 2007-07-31 | Fiber Optic Designs, Inc. | Unique lighting string rectification |
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