JPS582079A - Ledランプ及びその製法 - Google Patents

Ledランプ及びその製法

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JPS582079A
JPS582079A JP56099721A JP9972181A JPS582079A JP S582079 A JPS582079 A JP S582079A JP 56099721 A JP56099721 A JP 56099721A JP 9972181 A JP9972181 A JP 9972181A JP S582079 A JPS582079 A JP S582079A
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JP
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lead
light emitting
outer shell
diode chip
emitting diode
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JP56099721A
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Osamu Abe
修 阿部
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Nippon Denyo Co Ltd
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Nippon Denyo Co Ltd
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、発光ダイオードチップが?ンデ・インクされ
た反射皿と、その発光ダイードチップと接続されるリー
ド線が外殻によシ保持きれているLEI)ランプに関す
るものである。
タングステンランプは、使用される機器の電源電圧に応
じて種々の定格のランプを容易に構成することができる
が、LEDランプはその発光メカニズム上の特徴から1
個の発光ダイオードチップに対する電流及び電圧、値が
決定されているので使用される機器側に伺らかの調整回
路を必要とするものであった。従ってLEDランプはタ
ングステンランプと同等の形状に構成しても定格電圧の
違いによって互換性を持たせることができない場合が多
く、それがタングステンランプに比し耐震性に優れ、信
頼性の高いLEDランプの需要拡大の妨げになっていた
本発明は以上のような点に鑑みて成されたものであり、
LET)ランプの外殻内におけるリード線の途中に発光
ダイオードチップに流れる電流を制御する電子素子を組
み込んだ構成として、使用される機器の電源電圧に応じ
た定格のL’ E Dラングを提供できるようにするこ
とを目的とするものである。
次に、本発明を図示の一実施例について説明する。第1
図は本発明に係るLEDランプの斜視図、第2図は同正
面図、第3図は同背面図である。図中1がLEDランゾ
で、該LEDランゾ1は、その先端に設けられる反射器
2と、この反射器2より導出されるリード線を内包する
外殻3とで構成きれている。上記反射器2は第4図の断
面図に示すように円板状の底部2aと輪状の外周壁部2
bとが一体に形成された略回転体形状とされており、そ
の外周壁部2bの内側壁2cは内底面2dより外方に向
けて広げられてなるテーパを有し、内側・: 壁2cと回転体の回転軸との表す角θは30°とされて
いる。さらに、上記反射器2内には、リード線4.5が
埋設されていると共に、該リード線4I5の一部である
リード端子面4a、5aが内底面2dに表出されており
、これによりリート端子面4a、5aと2円底面2dと
は同一平面上に位置されている。また、上記リード端子
面4a、5aと同様にして該リード端子面4a、5aの
両側にはマウント端子面6.7が表出されており、この
マウント端子面6,7上と上記リード端子面5a上には
第1乃至第4の発光ダイオードチップDl−D4がデン
ディングされている。上記第1乃至第4のダイオードチ
ップDr −D4のなかで第1のダイオードチップ病は
上記一方のマウント端子面6上にデンディングされ、第
2及び第4のダイオードチップD2 、 D4はリード
端子面5a上にデンディングされ、第3のダイオードチ
ップD3は他方のマウント端子面7上にデンディングさ
れておシ、各ダイオードチップD1.. D2− Da
 、 D4は略正方形の各頂点゛に位置するようにして
配置されている。さら(、リード端子面4aと第1のダ
イオードチップD1との間、マウント端子面6と第2の
ダイオードチップD2との間、リード端子面4aと第3
のダイオードチップD3との間、及びマウント端子面7
と第4のダイオードチップD4との間は、それぞれ金属
細線Wにより接続されており、これを回路図で表わした
のが第5図(B)であって、すなわち、それぞれ、直列
に接続された第1及び第2のダイオードチップD+ 、
 D2と、第3及び第4のダイオードチップD3+I)
4が、蓬列に接続された構成とてれている。きらに、上
記反射器2の外部側におけるリード線4の途中には、セ
ラミック板8上に抵抗導体9が被着された被膜抵抗器よ
り成る抵抗Rが設けられており、この抵抗Rは上記各ダ
イオードチップI)+ + D2 +D3 、 D4に
対して直列に接続されている。また、上記内底面2dと
内壁面2Cとで作られた空間には、上記各ダイオードチ
ップD+ −D4を被覆するようにして透明樹脂が充填
され、ライトガイド部10が形成されており、このライ
トガイド部10の前端部は中央が隆起され、凸レンズ状
とされている。
一方、上記反射器2の背部に設けられる外殻3は、円筒
状のリード線通挿部3aと、該リード線通挿部3aの後
端から後方に突出形成される接点保持部3bを有してお
り、この接点保持部3bは略長方体状とされ、該接亦保
持部3bの外側面より上記リード線4.5に形成されて
いる突出部4b、5bが突出した状態で保持されている
。上記外殻3はこの実施例では半割嵌着形とされており
、すなわち第6図、第7図に示すように外殻3は前後方
向に沿って二つに分割され、分割された一方が外殻雄部
11.他方が外殻雌部12とされている。上記外殻雄部
11及び外殻雌部12の内側には、その先端側に前記反
射器2の背部が嵌入して接合される接合開口13と、反
射器2の位置決めを行う係止部14が形成され、との係
止部14の背部側は仕切板15によシ左右に仕切られた
リード線通挿空間16a、16bとされており、前記接
点保持部3bと対応する位置における外殻雄部11と外
殻雌部12の夫々には、前記リード  ・線4,5の一
部と突出部4b、5bが嵌入されるスリット17.18
が形成され、該スリット17゜18の一部は接点保持部
3bの外側面に至るスリット開口17 a 、 48 
aとされている。さらに外殻雄部11側には外殻雌部1
2方向に突出する結合ピン19.19が形成され、外殻
雌部12側にはその結合ビン19.19が嵌着される結
合孔20.20が形成されている。しかして上記外殻雄
部11と外殻雌部12とが前記反射器2及びリード線4
.5を挾み込むようにして嵌着されて、接合開口13に
は反射器2が位置され、リード線通挿空間16a、16
bにはリード線4.5及び抵抗Rが収納されると共に、
スリット開017a。
18aからは突出部4b、5bが外方に向けて突出され
ている。さらに、この突出部4b、5bにはその一部が
切り欠かれて位置決め係合部21゜21とされており、
また、上記リード線通挿部3aにおける外周壁部にはL
EDランランの取り外し、操作時に用いられる保合溝2
2が形成されている。
上記LEDランf1は第12図に示すようにブラケツ)
Bに抜挿自在として装着:1されるものであり、このブ
ラケットBはランプ挿入孔30とこの挿入孔30内に形
成されるブラケット接点31゜32を有し、該ブラケッ
ト接点31,32の先備には前記位置決め係合部21,
21と係合これる係合突部31 a + 32 aが形
成され、他端はブラケツ)Bの外部に導出されて接続端
子部31b。
32bとされている。しかしてLEI)ランプ1がブラ
ケツ)B内に装着された状態においては、前記突出部4
b、5bがランプ側接点として、上記ブラケット、接点
31.32と接触され、電憚的な接続が成されており、
LEDランプ1は上記位置決め係合部21.21と係合
突部31a、32aとの係合により抜は止めが成されて
いる。
次に、上述した構成によるLEDランプの製法を説明す
る。
まず、第8図に示すリードフレーム23を作成する。こ
のリードフレーム23は、金属薄板にその不要部分を取
シ除いて、前記外部リード線4゜5と、リード端子面4
a、5aと、マウント端子面6.7と、電子素子接続部
24と、支持枠部25と、を一体に形成したものであり
、この各部材を有するリードフレーム23は図示のよう
に多数枚並設されるようにしてパンチプレス等により形
成されるものである。
次に、第8図に一点釦線Sで示した箇所に、−第9図に
示す金型26.27を挾持させて、該金型26.27に
溶融したプラスチック材を注入する。
上記金型26側には、前記反射器2の外周壁部2bに対
応する型26aが形成これ、他方の金型27111tに
は、反射器2の底部2aに対応する型27aとスジルー
27bが形成されている。
また、上記金型26.27に注入きれるプラスチック材
として、ポリサルホン熱可塑性樹脂又はポリエステル熱
可塑性樹脂あるいはエポキシ熱硬化性樹脂に、光反射剤
として酸化チタン(Ti02)、酸化アルミニウム(A
t203)、二酸化ケイ素(S i 02 )、炭酸カ
ルシウム(CaC03)の少なくともいずれかを5チ〜
40チ混入した材料が用いられている。
こうして、リードフレーム23には、上記インサート成
形により第10図に示すように反射器11が形成され、
この状態で前記電子素子接続部24に抵抗Rを半田づけ
等により取り付ける。
次に、上記リードフレーム23の支持枠部25を切除し
て第11図に示すように外部リード線4゜5と、反射器
2と、抵抗Rと、突出部4b、5bのみを残した状態と
する。次に、リード線4,5を後方に折曲させ、各端子
面5a、5b、6.7にダイオードチップDI−D4を
デンディングする。
しかして第6図に示すように外筐3のリード線通挿空間
16a、16b内にリード線4,5と抵抗Rを入れ、ス
リット17.18内に突出部4b。
5bを挿入するようにして外殻雄部11と外殻雌部12
を嵌着させると、第1図に示すLEI)ランプ1が構成
され、突出部4b、5bはスリット開口17a、18a
より突出した状態で保持される。
次に、上述した構成によるLEDランランの作用を説明
する。
ダイオードチツ7°D+ 、−D4よ多発光てれた光は
、ライトガイド部10を透過して外部に取り出されるの
であるが、ライトガイド部10内で反射器れる光におい
ても、内底面2dと内壁面2Cとの間は継ぎ目のない連
続状とされているのでライトガイド部10内での減衰は
きわめて少ないものとなっている。
壕だ、スリット開口17a、18aよシ突出されている
突出部4b、5bは、外殻3の接点保持部3bにより確
実に保持されていると共に、外殻3内に収納されている
リード線4.5と一体とされているので抜けたり位置が
ずれたりするおそれがなく、構造的に機械的強度が非常
に強いものと々っている。     ゛・ また、リード線4の途中にはダイオ−トチツノD0〜D
4の電流を制御する電子素子として抵抗Rが取り付けら
れているので、その抵抗Rの抵抗値を種々設定すれ―種
々の定格のLEDランプを構成することができる。
なお、上述した実施例では電子素子として抵抗Rdi用
いられているが、この電子素子としてフォトダイオード
を用いれば外光に応じてダイオードチップDl−D4の
発光輝度を自動調整させることができ、また、その電子
素子としてICを用いれば自動点滅等、種々の動作を行
わせることができる。
以上説明したように本発明によれば、LEDランプの外
殻内におけるリード線の途中に発光ダイオードチップに
流れる電流を制御する電子素子を組み込んだ構成とした
ので、電子素子の抵抗値を種々設定することにより種々
の定格のLEI)ランプを提供することができる効果が
ある。従って、使用される機器側は、電圧調整用の回路
を必要とせず、従来タングステンランプが用いられてい
た機器において、そのままタングステンランプに換えて
LEDランプを用いることができる効果がある。
また、本発明におい下電子素子としてフォトダイオード
を用いれば外光に応じて発光輝度を自動調整させること
ができ、また電子素子としてICを用いれば自動点滅等
、種々の動作を行わせることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に係る。、L E Dランプの一実施例を示
すものであり、第1図は本発明に係るLEDランプを示
す斜視図、第2図は同正面図、第3図は同背面図、第4
図は第2図の■−■線における反射器の部分を示す断面
図、第5図(A) (B)は電気的な構成を示す説明図
及び回路図、第6図は、第1図の分解斜視図、第7図は
第6図の外殻雄部を逆方向から見た斜視図、第8図は本
発明に係るLEDランプの製法に用いられるリードフレ
ームの平面図、第9四回(B)は同金型を示す断面図、
第10図は+1−ドフレームに取り付けられた反射器及
び抵抗を示す斜視図、第11図は同リードフレームの支
持枠部を取り除いた状態を示す斜視図、第12図はLE
Dランfがブラケットに装着された状態を−示すブラケ
ットの断面図である。 1・・・I、EDランプ、2・・・反射器、3・・・外
殻、4゜5・・・リード線、4 a 、 、5 a・・
・リートゞ端子面、23・リードフレーム、24・・・
接続部、25・・・支持枠部、D+ −D4・・・発光
ダイオ−トチソゲ、R・・・電子素子としての抵抗。 特許出願人  日本デンヨー株式会社 代理人 弁理士   西  村  教  光雫I Uヌ 第8図 5h 第9図 (A) 第9図(B)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)発光ダイオードチップがボンディングされた反射
    皿と、その発光ダイオードチップと接続されるリード線
    が外殻により保持されているLEDランプであって、上
    記リード線の少なくとも一方の途中には上記発光ダイオ
    ードチップの電流を制御する電子素子が接続でれており
    、この電子素子に外殻内に収納てれた構成に々ることを
    特徴とするL E Dランプ。
  2. (2)金属薄板にその不要部分を取り除いて+J −ド
    線と、ダイオードチップがボンディングされるリード端
    子面と、電子素子が接続される接続部と、支持枠部とを
    一体に設けたリードフレームを形成する工程と、このリ
    ードフレームに形成された上記電子素子が接続される接
    続部に雷1子素子を取り付ける工程と、上記工程により
    電子素子が取り付けられたリードフレームの支持枠部を
    取り除く工程とを少なくとも行なわせることを特徴とす
    るLEDランプの製法。
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