JP2003273404A - Ｌｅｄランプ - Google Patents
ＬｅｄランプInfo
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- JP2003273404A JP2003273404A JP2002069663A JP2002069663A JP2003273404A JP 2003273404 A JP2003273404 A JP 2003273404A JP 2002069663 A JP2002069663 A JP 2002069663A JP 2002069663 A JP2002069663 A JP 2002069663A JP 2003273404 A JP2003273404 A JP 2003273404A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗内蔵型多チップＬＥＤにおいて、制限抵
抗等の発熱による発光波長変化を解決し、安価で品質の
良いＬＥＤランプを提供することを目的とする。 【解決手段】 複数のＬＥＤチップと電流制限用素子６
とを搭載したリードフレーム３と、該リードフレーム３
を一体的に形成した絶縁性部材のＬＥＤパッケージ２と
から成るスイッチ組込み用ＬＥＤランプ１において、前
記ＬＥＤチップとして高輝度型ＬＥＤチップ４と汎用型
ＬＥＤチップ５とを混在させて配置する。
抗等の発熱による発光波長変化を解決し、安価で品質の
良いＬＥＤランプを提供することを目的とする。 【解決手段】 複数のＬＥＤチップと電流制限用素子６
とを搭載したリードフレーム３と、該リードフレーム３
を一体的に形成した絶縁性部材のＬＥＤパッケージ２と
から成るスイッチ組込み用ＬＥＤランプ１において、前
記ＬＥＤチップとして高輝度型ＬＥＤチップ４と汎用型
ＬＥＤチップ５とを混在させて配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に照光式スイッ
チに組込まれるＬＥＤランプであって、比較的安価な複
数種類のＬＥＤチップをリードフレーム上にハイブリッ
ト構成することにより、超小型でありながら高い電圧で
の使用を可能にしたＬＥＤランプに関する。
チに組込まれるＬＥＤランプであって、比較的安価な複
数種類のＬＥＤチップをリードフレーム上にハイブリッ
ト構成することにより、超小型でありながら高い電圧で
の使用を可能にしたＬＥＤランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来の単素子型のＬＥＤを表す
外観図であり、図１１は従来の抵抗内蔵型多チップＬＥ
Ｄランプの外観図である。単素子型のＬＥＤにあっては
近年、素子の高輝度化が進み輝度は充分なものが入手可
能となったが、制限抵抗を外部配線する必要があり、使
い難い要因となっている。また、抵抗内蔵型ＬＥＤにあ
っては、制限抵抗３６を外部配線する必要がないため使
い易い反面、制限抵抗３６の内蔵により本体が大きくな
り、機器の省スペース化の妨げとなっていた。
外観図であり、図１１は従来の抵抗内蔵型多チップＬＥ
Ｄランプの外観図である。単素子型のＬＥＤにあっては
近年、素子の高輝度化が進み輝度は充分なものが入手可
能となったが、制限抵抗を外部配線する必要があり、使
い難い要因となっている。また、抵抗内蔵型ＬＥＤにあ
っては、制限抵抗３６を外部配線する必要がないため使
い易い反面、制限抵抗３６の内蔵により本体が大きくな
り、機器の省スペース化の妨げとなっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】抵抗内蔵型多チップＬ
ＥＤにおいて高輝度用ＬＥＤチップを使用した場合、コ
ストが高くなってしまうだけでなく、高輝度用ＬＥＤチ
ップの特性と制限抵抗３６の発熱により発光波長が急速
に変化し色調が狂ってしまうという課題があった。本発
明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、上記課題
を解決して安価で品質の良いＬＥＤランプを提供するこ
とが可能となった。
ＥＤにおいて高輝度用ＬＥＤチップを使用した場合、コ
ストが高くなってしまうだけでなく、高輝度用ＬＥＤチ
ップの特性と制限抵抗３６の発熱により発光波長が急速
に変化し色調が狂ってしまうという課題があった。本発
明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、上記課題
を解決して安価で品質の良いＬＥＤランプを提供するこ
とが可能となった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、複数のＬＥＤチップと電流制限用素子と
を搭載したリードフレームと、該リードフレームを一体
的に形成した絶縁性部材のＬＥＤパッケージとから成る
スイッチ組込み用ＬＥＤランプにおいて、前記ＬＥＤチ
ップとして高輝度型ＬＥＤチップと汎用型ＬＥＤチップ
とを混在させたものである。また、前記高輝度型ＬＥＤ
チップをＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップと
し、前記汎用型ＬＥＤチップをＧａＡｓＰ系混晶型ＬＥ
Ｄチップとする。さらに、前記高輝度型ＬＥＤチップを
ＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップとし、前記汎
用型ＬＥＤチップをＧａＰ系ＬＥＤチップとする。加え
て、前記電流制限用素子を前記リードフレームの左右の
リード部に分散配列するとともに、前記リードを折曲し
て前記パッケージより導出させたものである。
成するために、複数のＬＥＤチップと電流制限用素子と
を搭載したリードフレームと、該リードフレームを一体
的に形成した絶縁性部材のＬＥＤパッケージとから成る
スイッチ組込み用ＬＥＤランプにおいて、前記ＬＥＤチ
ップとして高輝度型ＬＥＤチップと汎用型ＬＥＤチップ
とを混在させたものである。また、前記高輝度型ＬＥＤ
チップをＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップと
し、前記汎用型ＬＥＤチップをＧａＡｓＰ系混晶型ＬＥ
Ｄチップとする。さらに、前記高輝度型ＬＥＤチップを
ＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップとし、前記汎
用型ＬＥＤチップをＧａＰ系ＬＥＤチップとする。加え
て、前記電流制限用素子を前記リードフレームの左右の
リード部に分散配列するとともに、前記リードを折曲し
て前記パッケージより導出させたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明によれば、複数のＬＥＤチ
ップと電流制限用素子とを搭載したリードフレームと、
該リードフレームを一体的に形成した絶縁性部材のＬＥ
Ｄパッケージとから成るスイッチ組込み用ＬＥＤランプ
において、前記ＬＥＤチップとして高輝度型ＬＥＤチッ
プと汎用型ＬＥＤチップとを混在させることにより、高
輝度でありながら超小型で、発光色の色調変化が少ない
ＬＥＤランプを提供することができる。
ップと電流制限用素子とを搭載したリードフレームと、
該リードフレームを一体的に形成した絶縁性部材のＬＥ
Ｄパッケージとから成るスイッチ組込み用ＬＥＤランプ
において、前記ＬＥＤチップとして高輝度型ＬＥＤチッ
プと汎用型ＬＥＤチップとを混在させることにより、高
輝度でありながら超小型で、発光色の色調変化が少ない
ＬＥＤランプを提供することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明する。図１は本発明のＬＥＤランプ
１の実施例を表す分解斜視図であり、図２はその組立て
外観図、さらに図６は本発明のＬＥＤランプ１のリード
フレーム３の配置例を表す平面図である。
しながら詳細に説明する。図１は本発明のＬＥＤランプ
１の実施例を表す分解斜視図であり、図２はその組立て
外観図、さらに図６は本発明のＬＥＤランプ１のリード
フレーム３の配置例を表す平面図である。
【０００７】これらの図において、リードフレーム３
は、図６のように連続して形成されるとともにＬＥＤパ
ッケージ２がリードフレーム３の略中央部にインサート
成形されている。この状態で上下両方の端子部７には、
共に途中に欠落部１０が形成されていて、電流制限用素
子６（図１参照）が連続的に搭載される。本実施例では
電流制限用素子６としてチップ抵抗が搭載されている
が、他に定電流素子等でもよい。
は、図６のように連続して形成されるとともにＬＥＤパ
ッケージ２がリードフレーム３の略中央部にインサート
成形されている。この状態で上下両方の端子部７には、
共に途中に欠落部１０が形成されていて、電流制限用素
子６（図１参照）が連続的に搭載される。本実施例では
電流制限用素子６としてチップ抵抗が搭載されている
が、他に定電流素子等でもよい。
【０００８】そして、ＬＥＤパッケージ２内部のリード
フレーム３の露出部には２個の高輝度型ＬＥＤチップ４
と２個の汎用型ＬＥＤチップ５が搭載されている。図４
及び図５はこのＬＥＤランプ１の回路例であり、両側に
分散配設した２つの電流制限用素子６と各々２個ずつの
高輝度型ＬＥＤチップ４と汎用型ＬＥＤチップ５が使用
電圧に応じて配置されている。
フレーム３の露出部には２個の高輝度型ＬＥＤチップ４
と２個の汎用型ＬＥＤチップ５が搭載されている。図４
及び図５はこのＬＥＤランプ１の回路例であり、両側に
分散配設した２つの電流制限用素子６と各々２個ずつの
高輝度型ＬＥＤチップ４と汎用型ＬＥＤチップ５が使用
電圧に応じて配置されている。
【０００９】次に、リードフレーム３にＬＥＤチップを
ワイヤボンディングした後、ＬＥＤパッケージ２内を透
光性樹脂によりポッティング封止している。そしてリー
ドフレーム３の不要な接続部をプレス切断し、端子部７
の付根を折曲げ成形し、図１の状態でホルダ８に収納し
て図２に示す本発明のＬＥＤランプ１が完成する。
ワイヤボンディングした後、ＬＥＤパッケージ２内を透
光性樹脂によりポッティング封止している。そしてリー
ドフレーム３の不要な接続部をプレス切断し、端子部７
の付根を折曲げ成形し、図１の状態でホルダ８に収納し
て図２に示す本発明のＬＥＤランプ１が完成する。
【００１０】図３は照光式押しボタンスイッチに組込ま
れた本発明のＬＥＤランプ１の使用状態を表す要部断面
図である。端子部７はスイッチ下部から導出されるラン
プ端子と接続し、このランプ端子を通して外部電力が供
給される。ＬＥＤランプ１はスイッチのフィルタとボタ
ンを透過してスイッチ上方に向けて発光し、スイッチの
開閉情報や取付け機器の運転状態を照光表示している。
従って、視認性に優れるとともに機器の省スペースのた
め電流制限素子を内蔵し、しかもできるだけ小さなＬＥ
Ｄランプが必要とされる。なお、本実施例においては、
スイッチに組込んだ状態を示したが、表示灯やユニット
品等、幅広く使用できる。
れた本発明のＬＥＤランプ１の使用状態を表す要部断面
図である。端子部７はスイッチ下部から導出されるラン
プ端子と接続し、このランプ端子を通して外部電力が供
給される。ＬＥＤランプ１はスイッチのフィルタとボタ
ンを透過してスイッチ上方に向けて発光し、スイッチの
開閉情報や取付け機器の運転状態を照光表示している。
従って、視認性に優れるとともに機器の省スペースのた
め電流制限素子を内蔵し、しかもできるだけ小さなＬＥ
Ｄランプが必要とされる。なお、本実施例においては、
スイッチに組込んだ状態を示したが、表示灯やユニット
品等、幅広く使用できる。
【００１１】一方、図７は高輝度型ＬＥＤチップ４の周
囲温度と波長変化のグラフである。横軸の温度変化につ
れて発光波長が長い方向に変化するため、周囲温度変化
の大きな使用条件では黄色と緑色の波長差が縮み、色調
の視認性が低下する恐れがあった。
囲温度と波長変化のグラフである。横軸の温度変化につ
れて発光波長が長い方向に変化するため、周囲温度変化
の大きな使用条件では黄色と緑色の波長差が縮み、色調
の視認性が低下する恐れがあった。
【００１２】図８は本発明のＬＥＤランプ１の常温時の
発光強度と波長帯を表すグラフであり、図９はその高温
時の発光強度と波長帯の変化を表すグラフである。
発光強度と波長帯を表すグラフであり、図９はその高温
時の発光強度と波長帯の変化を表すグラフである。
【００１３】図８の常温時において、汎用型ＬＥＤチッ
プ５と高輝度型ＬＥＤチップ４は、ほぼ同一波長に設定
されているため、この合計のピーク波長も同一波長を呈
する。
プ５と高輝度型ＬＥＤチップ４は、ほぼ同一波長に設定
されているため、この合計のピーク波長も同一波長を呈
する。
【００１４】図９のように、周囲温度やＬＥＤチップ自
体の発熱により高温になると高輝度型ＬＥＤチップ４は
先に述べたように波長が変化するため右方向に１目盛分
変化している。しかし、汎用型ＬＥＤチップ５は輝度は
少ないが、周囲温度の変化に強いため、波長の変化が少
なく、これにより合計のピーク波長はほぼ半目盛りの変
化に止まることができる。
体の発熱により高温になると高輝度型ＬＥＤチップ４は
先に述べたように波長が変化するため右方向に１目盛分
変化している。しかし、汎用型ＬＥＤチップ５は輝度は
少ないが、周囲温度の変化に強いため、波長の変化が少
なく、これにより合計のピーク波長はほぼ半目盛りの変
化に止まることができる。
【００１５】従って高輝度型ＬＥＤチップ４だけで構成
するＬＥＤランプに比べ、周囲温度の変化に強いＬＥＤ
ランプを構成することができる。
するＬＥＤランプに比べ、周囲温度の変化に強いＬＥＤ
ランプを構成することができる。
【００１６】また、高輝度型ＬＥＤチップ４に比べ、汎
用型ＬＥＤチップ５はコストも大幅に低いので、高輝度
型ＬＥＤチップ４を同数使用する場合と比べ、安価なＬ
ＥＤランプを提供することが可能となった。
用型ＬＥＤチップ５はコストも大幅に低いので、高輝度
型ＬＥＤチップ４を同数使用する場合と比べ、安価なＬ
ＥＤランプを提供することが可能となった。
【００１７】さらに多チップ使用と合わせ、電流制限用
素子６を分散して配置し、ＬＥＤパッケージ２の下方に
導出したので、放熱影響を少なくし、コンパクトで、よ
り品質の良いＬＥＤランプを構成することができる。な
お、ＬＥＤチップ数や電流制限用素子６の搭載数は本実
施例に限定されるものではなく、使用条件に応じて可変
しても良い。
素子６を分散して配置し、ＬＥＤパッケージ２の下方に
導出したので、放熱影響を少なくし、コンパクトで、よ
り品質の良いＬＥＤランプを構成することができる。な
お、ＬＥＤチップ数や電流制限用素子６の搭載数は本実
施例に限定されるものではなく、使用条件に応じて可変
しても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば次のような効果を奏することができる。 （１）複数のＬＥＤチップと電流制限用素子とを搭載し
たリードフレームと、該リードフレームを一体的に形成
した絶縁性部材のＬＥＤパッケージとから成るスイッチ
組込み用ＬＥＤランプにおいて、前記ＬＥＤチップとし
て高輝度型ＬＥＤチップと汎用型ＬＥＤチップとを混在
させたので、品質が安定した高輝度型ＬＥＤランプを安
価に提供することができる。 （２）複数のＬＥＤチップと電流制限用素子とを搭載し
たリードフレームと、該リードフレームを一体的に形成
した絶縁性部材のＬＥＤパッケージとから成るスイッチ
組込み用ＬＥＤランプにおいて、前記ＬＥＤチップとし
て高輝度型ＬＥＤチップと汎用型ＬＥＤチップとを混在
させたので、点灯時の発熱による発光波長の変化を低減
し、ＬＥＤランプの色調の変化を低減することができ
る。 （３）ＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップと汎用
型ＧａＡｓＰ系混晶型ＬＥＤチップを混在したので、品
質の安定した波長５９０ｎｍ近傍の高輝度型黄色ＬＥＤ
ランプを提供することができる。 （４）ＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップと汎用
型ＧａＰ系ＬＥＤチップを混在したので、品質の安定し
た波長５７０ｎｍ近傍の高輝度型緑色ＬＥＤランプを提
供することができる。 （５）電流制限用素子を前記リードフレームの左右のリ
ード部に分散配列するとともに、前記リードを折曲して
前記パッケージより導出させたので、電流制限用素子の
発熱を分散するとともに、ＬＥＤチップが受ける熱影響
を最小限度に抑制することができ、輝度低下の少ない品
質の良いＬＥＤランプを構成することができる。
よれば次のような効果を奏することができる。 （１）複数のＬＥＤチップと電流制限用素子とを搭載し
たリードフレームと、該リードフレームを一体的に形成
した絶縁性部材のＬＥＤパッケージとから成るスイッチ
組込み用ＬＥＤランプにおいて、前記ＬＥＤチップとし
て高輝度型ＬＥＤチップと汎用型ＬＥＤチップとを混在
させたので、品質が安定した高輝度型ＬＥＤランプを安
価に提供することができる。 （２）複数のＬＥＤチップと電流制限用素子とを搭載し
たリードフレームと、該リードフレームを一体的に形成
した絶縁性部材のＬＥＤパッケージとから成るスイッチ
組込み用ＬＥＤランプにおいて、前記ＬＥＤチップとし
て高輝度型ＬＥＤチップと汎用型ＬＥＤチップとを混在
させたので、点灯時の発熱による発光波長の変化を低減
し、ＬＥＤランプの色調の変化を低減することができ
る。 （３）ＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップと汎用
型ＧａＡｓＰ系混晶型ＬＥＤチップを混在したので、品
質の安定した波長５９０ｎｍ近傍の高輝度型黄色ＬＥＤ
ランプを提供することができる。 （４）ＩｎＧａＡｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップと汎用
型ＧａＰ系ＬＥＤチップを混在したので、品質の安定し
た波長５７０ｎｍ近傍の高輝度型緑色ＬＥＤランプを提
供することができる。 （５）電流制限用素子を前記リードフレームの左右のリ
ード部に分散配列するとともに、前記リードを折曲して
前記パッケージより導出させたので、電流制限用素子の
発熱を分散するとともに、ＬＥＤチップが受ける熱影響
を最小限度に抑制することができ、輝度低下の少ない品
質の良いＬＥＤランプを構成することができる。
【図１】本発明のＬＥＤランプの実施例を表す分解斜視
図である。
図である。
【図２】本発明のＬＥＤランプの実施例を表す組立て外
観図である。
観図である。
【図３】本発明のＬＥＤランプの使用状態を表す要部断
面図である。
面図である。
【図４】本発明のＬＥＤランプの回路例である。
【図５】本発明のＬＥＤランプの別の回路例である。
【図６】本発明のＬＥＤランプのリードフレームの配置
例を表す平面図である。
例を表す平面図である。
【図７】高輝度型ＬＥＤチップの周囲温度と波長変化の
グラフである。
グラフである。
【図８】本発明のＬＥＤランプの常温時の発光強度と波
長帯を表すグラフである。
長帯を表すグラフである。
【図９】本発明のＬＥＤランプの高温時の発光強度と波
長帯を表すグラフである。
長帯を表すグラフである。
【図１０】従来の単素子型のＬＥＤの外観図である。
【図１１】従来の抵抗内蔵型多チップＬＥＤランプの外
観図である。
観図である。
１、２１、３１ ＬＥＤランプ
２、３２ ＬＥＤパッケージ
３ リードフレーム
４ 高輝度型ＬＥＤチップ
５ 汎用型ＬＥＤチップ
６ 電流制限用素子
７、２７、３７ 端子部
８、３８ ホルダ
９ 収納部
１０ 欠落部
２４、３４ ＬＥＤチップ
３６ 制限抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 複数のＬＥＤチップと電流制限用素子と
を搭載したリードフレームと、該リードフレームを一体
的に形成した絶縁性部材のＬＥＤパッケージとから成る
ＬＥＤランプにおいて、前記ＬＥＤチップとして高輝度
型ＬＥＤチップと汎用型ＬＥＤチップとを混在させたこ
とを特徴とするＬＥＤランプ。 - 【請求項２】 前記高輝度型ＬＥＤチップをＩｎＧａＡ
ｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップとし、前記汎用型ＬＥＤ
チップをＧａＡｓＰ系混晶型ＬＥＤチップとしたことを
特徴とする請求項１記載のＬＥＤランプ。 - 【請求項３】 前記高輝度型ＬＥＤチップをＩｎＧａＡ
ｌＰ系四元混晶型ＬＥＤチップとし、前記汎用型ＬＥＤ
チップをＧａＰ系ＬＥＤチップとしたことを特徴とする
請求項１記載のＬＥＤランプ。 - 【請求項４】 前記電流制限用素子を前記リードフレー
ムの左右のリード部に分散配列するとともに、前記リー
ドを折曲して前記パッケージより導出させたことを特徴
とする請求項１、請求項２及び請求項３記載のＬＥＤラ
ンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069663A JP2003273404A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | Ｌｅｄランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069663A JP2003273404A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | Ｌｅｄランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273404A true JP2003273404A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29200438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002069663A Pending JP2003273404A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | Ｌｅｄランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003273404A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-03-14 JP JP2002069663A patent/JP2003273404A/ja active Pending
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