JPS58119016A - 低電圧負荷用電源装置 - Google Patents
低電圧負荷用電源装置Info
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- JPS58119016A JPS58119016A JP57215636A JP21563682A JPS58119016A JP S58119016 A JPS58119016 A JP S58119016A JP 57215636 A JP57215636 A JP 57215636A JP 21563682 A JP21563682 A JP 21563682A JP S58119016 A JPS58119016 A JP S58119016A
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/02—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
- H02M5/04—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/22—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M5/275—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M5/293—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低電圧電源装置に関するものであり、特にほぼ
一定の負荷電流レベルで低電圧負荷を付勢するための新
規な高周波電源装置に関するものである。
一定の負荷電流レベルで低電圧負荷を付勢するための新
規な高周波電源装置に関するものである。
比較的高い電圧の交流電源から低電圧負荷を作動するこ
とが望ましい場合がよくある。特に、ランプ動作に伝統
的に使ってきた温度より高い温度でランプのフィラメン
トを働かせることにより効率を向上させた低電圧(24
乃至36ボルト)のランプがある。これらの比較的低電
圧のランプを、家庭や商業用に公称120V (実効値
)のような商用交流電力線から働かせることは非常に望
ましいことである。しかし、単に逓降変圧器等により線
路電圧を下げるだけでは、ランプのフィラメント温度を
注意深く制御するには不充分であり、制御されたランプ
出力で妥当なランプ寿命を確保することができない。し
たがって、高電圧線路から低電圧負荷に給電し、負荷電
流を制御することのできる電源装置は非常に望ましいも
のである。
とが望ましい場合がよくある。特に、ランプ動作に伝統
的に使ってきた温度より高い温度でランプのフィラメン
トを働かせることにより効率を向上させた低電圧(24
乃至36ボルト)のランプがある。これらの比較的低電
圧のランプを、家庭や商業用に公称120V (実効値
)のような商用交流電力線から働かせることは非常に望
ましいことである。しかし、単に逓降変圧器等により線
路電圧を下げるだけでは、ランプのフィラメント温度を
注意深く制御するには不充分であり、制御されたランプ
出力で妥当なランプ寿命を確保することができない。し
たがって、高電圧線路から低電圧負荷に給電し、負荷電
流を制御することのできる電源装置は非常に望ましいも
のである。
本発明によれば、高電圧から低電圧負荷に電流を供給す
るための装置は、電力線路間に直列接続した単巻変圧器
、電流スイッチング素子および電流検知素子を含み、負
荷が単巻変圧器の2次巻線に接続される。スイッチング
素子が導通状態にあるときの変圧器の電流を検知素子で
検知し、これを使って電源波形の1サイクルの持続時間
に比べて数桁短い持続時間からなる期間の割合を制御す
ることにより、制御された負荷電流を供給するピーク電
流制御イ、ンバータを構成する。
るための装置は、電力線路間に直列接続した単巻変圧器
、電流スイッチング素子および電流検知素子を含み、負
荷が単巻変圧器の2次巻線に接続される。スイッチング
素子が導通状態にあるときの変圧器の電流を検知素子で
検知し、これを使って電源波形の1サイクルの持続時間
に比べて数桁短い持続時間からなる期間の割合を制御す
ることにより、制御された負荷電流を供給するピーク電
流制御イ、ンバータを構成する。
本発明の好ましい一実施例ではスイッチング素子は双方
向導通素子であり、また他の好ましい実施例では一方向
導通素子を用い、ダイオード・ブリッジ回路をスイッチ
ング素子のまわり又は電源装置の線路入力に形成する。
向導通素子であり、また他の好ましい実施例では一方向
導通素子を用い、ダイオード・ブリッジ回路をスイッチ
ング素子のまわり又は電源装置の線路入力に形成する。
スイッチング素子の過電圧による損傷を防ぐため、バリ
スタのような電圧クリップ手段またはキャッチ(cat
sh )巻線を用いて、高周波給電サイクルの期間に対
するスイッチング素子の「オン」の割合を減少し、スイ
ッチング素子がターンオフするときの単巻変圧器の一次
巻線の両端間の電圧を下げる。
スタのような電圧クリップ手段またはキャッチ(cat
sh )巻線を用いて、高周波給電サイクルの期間に対
するスイッチング素子の「オン」の割合を減少し、スイ
ッチング素子がターンオフするときの単巻変圧器の一次
巻線の両端間の電圧を下げる。
したがって、低電圧ランプ等の負荷に給電するための新
しい高周波電源装置を提供することが本発明の目的であ
る。
しい高周波電源装置を提供することが本発明の目的であ
る。
本発明のこの目的および他の目的は図面を参照した以下
の詳細な説明から明らかになろう。
の詳細な説明から明らかになろう。
まず第1図において、白熱電球等の低電圧負荷11に給
電するための本発明による低電圧電源装置10は入カブ
ラグ12で示すように交流商用電力線路から電力を受け
る。この交流商用電力線諮問に、電圧逓降単巻変圧器1
4がオン/オフ・スイッチ16、交流スイッチング手段
18および抵抗値Reの電流サンプリング抵抗20と直
列に接続されている。負荷11は単巻変圧器の第1部分
14aの両端間に接続されている。部分14aの巻数は
N1であり、単巻変圧器の残りの部分14bの巻数はN
2である。制御回路手段22がその入力22aとその共
通端子22bの間に動作電力を受ける。サンプリング抵
抗20の両端間の電圧は制御回路手段の第1信号入力2
2cに与えられる。そして出力22dはスイッチング手
段18を比較的高周波(普通は電力線路12の周波数に
比べて数桁大きい周波数)で導通「オン」状態と非導通
「オフ」状態に駆動する信号を供給する。制御回路手段
の給電入力22aは単巻変圧器14とスイッチング手段
18との結合点に接続されている。この結合点はバリス
タ等の双方向電圧クリップ素子24の一方の端子に接続
されている。バリスタ24の他方の端子は制御回路手段
の第2信号人力22eに接続され、また抵抗値Rsのも
う1つの検知抵抗26を介して共通端子22bに接続さ
れている。
電するための本発明による低電圧電源装置10は入カブ
ラグ12で示すように交流商用電力線路から電力を受け
る。この交流商用電力線諮問に、電圧逓降単巻変圧器1
4がオン/オフ・スイッチ16、交流スイッチング手段
18および抵抗値Reの電流サンプリング抵抗20と直
列に接続されている。負荷11は単巻変圧器の第1部分
14aの両端間に接続されている。部分14aの巻数は
N1であり、単巻変圧器の残りの部分14bの巻数はN
2である。制御回路手段22がその入力22aとその共
通端子22bの間に動作電力を受ける。サンプリング抵
抗20の両端間の電圧は制御回路手段の第1信号入力2
2cに与えられる。そして出力22dはスイッチング手
段18を比較的高周波(普通は電力線路12の周波数に
比べて数桁大きい周波数)で導通「オン」状態と非導通
「オフ」状態に駆動する信号を供給する。制御回路手段
の給電入力22aは単巻変圧器14とスイッチング手段
18との結合点に接続されている。この結合点はバリス
タ等の双方向電圧クリップ素子24の一方の端子に接続
されている。バリスタ24の他方の端子は制御回路手段
の第2信号人力22eに接続され、また抵抗値Rsのも
う1つの検知抵抗26を介して共通端子22bに接続さ
れている。
交流スイッチング手段18は「オン」と「オフ」になり
得る任意の双方向スイッチング素子でよい。
得る任意の双方向スイッチング素子でよい。
この素子は交流トランジスタ、対称電界効果トランジス
タ等にし得る。トライアックのような素子は一般に第1
図の構成には使用できない。このような素子は導通「オ
ン」状態にすることはできるが、ゲート制御によって任
意のときにターンオフさせて非導通状態にすることはで
きないからである。変圧器14に並列接続された負荷1
1が開放回路になった場合には、スイッチング手段18
の両端間にかなり高い電圧が現われる。バリスタ24の
電圧クリップ・レベルはこのような場合に双方向スイッ
チング手段18の両端間の電圧を制限するように選定さ
れている。これは特に重要なことである。というのは、
制御回路手段22によって、スイッチング手段18が比
較的高い周波数、すなわち線路周波数(米国では60H
z)より1桁以上(普通は2桁乃至4桁)iaい周波数
でスイッチングされるので、時間に対して極めて大きい
電流の変化(di/dt)が生じ、その結果変圧器14
および素子18の両端間に大きな電圧が生じるからであ
る。
タ等にし得る。トライアックのような素子は一般に第1
図の構成には使用できない。このような素子は導通「オ
ン」状態にすることはできるが、ゲート制御によって任
意のときにターンオフさせて非導通状態にすることはで
きないからである。変圧器14に並列接続された負荷1
1が開放回路になった場合には、スイッチング手段18
の両端間にかなり高い電圧が現われる。バリスタ24の
電圧クリップ・レベルはこのような場合に双方向スイッ
チング手段18の両端間の電圧を制限するように選定さ
れている。これは特に重要なことである。というのは、
制御回路手段22によって、スイッチング手段18が比
較的高い周波数、すなわち線路周波数(米国では60H
z)より1桁以上(普通は2桁乃至4桁)iaい周波数
でスイッチングされるので、時間に対して極めて大きい
電流の変化(di/dt)が生じ、その結果変圧器14
および素子18の両端間に大きな電圧が生じるからであ
る。
Eオン」および「オフ」にし得る双方向導通素子が現在
、高価格であるため、第1a図および第1b図に示すよ
うに一方向導通スイツチング手段を使う方が好ましい。
、高価格であるため、第1a図および第1b図に示すよ
うに一方向導通スイツチング手段を使う方が好ましい。
一方向導通スイッチング手段28は電力トランジスタに
することが好ましい。
することが好ましい。
4個のダイオードのような一方向の導通素子30a乃至
30dから成るブリッジ整流器30を使うことにより、
トランジスタ28に一方向の電流を流すことができる。
30dから成るブリッジ整流器30を使うことにより、
トランジスタ28に一方向の電流を流すことができる。
このようにして、素子28とブリッジ整流器30が交流
スイッチング素子18のかわりをする。第1a図の実施
例では、ブリッジ整流器30は電源(この場合は電力人
力12)と単巻変圧器14との間に形成され、全波ブリ
ッジの中に一方向スイツチング素子を含んでいる。
スイッチング素子18のかわりをする。第1a図の実施
例では、ブリッジ整流器30は電源(この場合は電力人
力12)と単巻変圧器14との間に形成され、全波ブリ
ッジの中に一方向スイツチング素子を含んでいる。
この構成では単巻変圧器14の電流は第1図の回路と同
様に双方向性であるが、素子28の電流はブリッジ整流
器30の整流作用により一方向性になっている。高いパ
ルス周波数を使用し、電力トランジスタ28のターン・
オンおよびターン・オフの速度が高いので、ブリッジ整
流器のダイオード30a乃至30dは高速素子でなけれ
ばならない。比較的低速の整流素子を使うと、特に素子
28のターン・オン中に非常に大きな過渡電流が生じる
。
様に双方向性であるが、素子28の電流はブリッジ整流
器30の整流作用により一方向性になっている。高いパ
ルス周波数を使用し、電力トランジスタ28のターン・
オンおよびターン・オフの速度が高いので、ブリッジ整
流器のダイオード30a乃至30dは高速素子でなけれ
ばならない。比較的低速の整流素子を使うと、特に素子
28のターン・オン中に非常に大きな過渡電流が生じる
。
更に一層コストの面で有利な回路は第1b図に示す回路
10’である。第1b図では、全波線路整流器30′の
形式で比較的低速のダイオード30a’乃至、jod’
が使用されており、整流した線路電圧(直流)を単巻変
圧器14′およびスイッチング素子28の両方に供給す
る。この回路10′では、整流素子30a’乃至30d
′は線路電圧(約120V、、(実効値))に耐えさえ
すればよく、比較的低速の60.Hzの素子にすること
ができる。上記の両方の回路10’および10′におい
て、一方向導通素子28としては、バイポーラ・トラン
ジスタ、電力用電界効果トランジスタ、ゲート・ターン
オフ・サイリスタ等の素子を使うことができる。
10’である。第1b図では、全波線路整流器30′の
形式で比較的低速のダイオード30a’乃至、jod’
が使用されており、整流した線路電圧(直流)を単巻変
圧器14′およびスイッチング素子28の両方に供給す
る。この回路10′では、整流素子30a’乃至30d
′は線路電圧(約120V、、(実効値))に耐えさえ
すればよく、比較的低速の60.Hzの素子にすること
ができる。上記の両方の回路10’および10′におい
て、一方向導通素子28としては、バイポーラ・トラン
ジスタ、電力用電界効果トランジスタ、ゲート・ターン
オフ・サイリスタ等の素子を使うことができる。
第1b図の回路では第1図および第1a図の回路10お
よび10′とは異なり、電源装置の極性が半サイクル毎
に変わることはない。また電力トランジスタ28の電圧
制限に無損失の方法を使うことにより、回路効率を更に
向上させることが出来る。この無損失法ではキャッチ巻
線14cが使用されており、これは変圧器の巻線14a
′および14b′と同一の磁心に巻かれ、巻数はNcで
ある。保護ダイオード32のカソードが、キャッチ巻線
14cの負荷に接続されていない側に接続されている。
よび10′とは異なり、電源装置の極性が半サイクル毎
に変わることはない。また電力トランジスタ28の電圧
制限に無損失の方法を使うことにより、回路効率を更に
向上させることが出来る。この無損失法ではキャッチ巻
線14cが使用されており、これは変圧器の巻線14a
′および14b′と同一の磁心に巻かれ、巻数はNcで
ある。保護ダイオード32のカソードが、キャッチ巻線
14cの負荷に接続されていない側に接続されている。
一方、保護ダイオード32のアノードは制御回路手段の
入力220′および第2の検知抵抗26に接続されてい
る。このようにして、キャッチ巻線14cを流れる電流
が(第2の検知抵抗26の両端間現われる電圧として)
監視され、これを利用して制御回路手段の出力22d′
における駆動パルスのデユーティ・サイクルを変えて、
単巻変圧器の両端間に負荷(ランプ)11が存在しない
か溶断したときにスイッチング素子のコレクタ電流1o
+が過大になるのを防止する。第1b図の回路10′で
は、変圧器巻線の抵抗効果により負荷の両端間に小さい
直流電圧が存在することがある。回路10および10’
では単巻変圧器には双方向に電流が流れるので、負荷の
両端間に直流成分は生じない。
入力220′および第2の検知抵抗26に接続されてい
る。このようにして、キャッチ巻線14cを流れる電流
が(第2の検知抵抗26の両端間現われる電圧として)
監視され、これを利用して制御回路手段の出力22d′
における駆動パルスのデユーティ・サイクルを変えて、
単巻変圧器の両端間に負荷(ランプ)11が存在しない
か溶断したときにスイッチング素子のコレクタ電流1o
+が過大になるのを防止する。第1b図の回路10′で
は、変圧器巻線の抵抗効果により負荷の両端間に小さい
直流電圧が存在することがある。回路10および10’
では単巻変圧器には双方向に電流が流れるので、負荷の
両端間に直流成分は生じない。
ここで第1図乃至第1b図と第2a図乃至第2C図を参
照して説明する。回路10.10’および10′はすべ
て実質的に同様に動作する。最初はスイッチング素子は
非導通「オフ」状態にあるので、素子の電流1o+
(第2a図)は実質的にゼロである。これは入力電圧V
INが正の半サイクルにあっても負の半サイクルにあっ
てもあてはまる。以下の説明においては正の半サイクル
で動作が始まるものと仮定する。負の半サイクル中の動
作では、回路10′の場合は負荷電流IL (第2b図
)の方向が逆になり、また回路10の場合は負荷電流、
素子電流およびスイッチング素子の電圧(第2a図乃至
第2c図)が負の半サイクル中すべて逆転するだけであ
る。
照して説明する。回路10.10’および10′はすべ
て実質的に同様に動作する。最初はスイッチング素子は
非導通「オフ」状態にあるので、素子の電流1o+
(第2a図)は実質的にゼロである。これは入力電圧V
INが正の半サイクルにあっても負の半サイクルにあっ
てもあてはまる。以下の説明においては正の半サイクル
で動作が始まるものと仮定する。負の半サイクル中の動
作では、回路10′の場合は負荷電流IL (第2b図
)の方向が逆になり、また回路10の場合は負荷電流、
素子電流およびスイッチング素子の電圧(第2a図乃至
第2c図)が負の半サイクル中すべて逆転するだけであ
る。
任意の時点toにおいて、制御手段の出力22dの適当
な信号がスイッチング素子Q1を導通「オン」状態に駆
動する。スイッチ手段の開成により負荷電流ILが流れ
、その大きさは実質的にVIN Nl /RL (Nl
十N2 )に等しい。スイッ“チング素子の電圧Vo
+は実質的にゼロに低下し、スイッチング素子の電流1
o+は反映(reflected)負荷電流IRまで上
昇する。このようにして、はぼ全入力電圧が単巻変圧器
の巻線1’ 4 aおよび14bの両端間に印加され、
スイッチング素子を通って流れる電流は反映負荷電流I
Rである。その後、変圧器磁化電流は第2a図の部分4
0で示すように増加し、ある時点t1で制御回路手段2
2はスイッチング手段への駆動を取り除いてスイッチン
グ手段を非導通「オフ」状態にする。
な信号がスイッチング素子Q1を導通「オン」状態に駆
動する。スイッチ手段の開成により負荷電流ILが流れ
、その大きさは実質的にVIN Nl /RL (Nl
十N2 )に等しい。スイッ“チング素子の電圧Vo
+は実質的にゼロに低下し、スイッチング素子の電流1
o+は反映(reflected)負荷電流IRまで上
昇する。このようにして、はぼ全入力電圧が単巻変圧器
の巻線1’ 4 aおよび14bの両端間に印加され、
スイッチング素子を通って流れる電流は反映負荷電流I
Rである。その後、変圧器磁化電流は第2a図の部分4
0で示すように増加し、ある時点t1で制御回路手段2
2はスイッチング手段への駆動を取り除いてスイッチン
グ手段を非導通「オフ」状態にする。
スイッチング手段の回路開放によりスイッチング素子の
電流1o+は本質的にゼロに低下し、変圧器14内に磁
心磁化電流の形で蓄積されていたエネルギーが変圧器の
2次巻線14aに伝達され、負荷電流の急速な極性反転
が生ずる。極性が反転した負荷電流(第2b図)の大き
さは巻数比(N1/NI+N2)に逆比例し、変圧器の
磁化電流部分40のピーク値(Ip−IR)に比例して
いる。時点t1で電圧Vow(第2c図)が入力電圧の
大きさのほぼ2倍に増大するように、回路パラメータと
制御回路のタイミングを設定しである。
電流1o+は本質的にゼロに低下し、変圧器14内に磁
心磁化電流の形で蓄積されていたエネルギーが変圧器の
2次巻線14aに伝達され、負荷電流の急速な極性反転
が生ずる。極性が反転した負荷電流(第2b図)の大き
さは巻数比(N1/NI+N2)に逆比例し、変圧器の
磁化電流部分40のピーク値(Ip−IR)に比例して
いる。時点t1で電圧Vow(第2c図)が入力電圧の
大きさのほぼ2倍に増大するように、回路パラメータと
制御回路のタイミングを設定しである。
その後、スイッチング素子が時点t2で再びオンにされ
るまで、負荷電流ILはゼロに向って減少していく。ま
たスイッチング素子の電圧Vo+ は時定数Tで入力電
圧の大きさVINに向って減少していく。この時定数丁
の大きさは単巻変圧器回路のインダクタンスと抵抗によ
ってきまる。時点t2において、同様な1サイクル全体
が再び開始される。時点toから12までの1サイクル
には数十マイクロ秒しか必要としないので、入力電圧V
INの大きさは1つのスイッチング・サイクルと次のス
イッチング・サイクルの間で著しく変ることはない。
るまで、負荷電流ILはゼロに向って減少していく。ま
たスイッチング素子の電圧Vo+ は時定数Tで入力電
圧の大きさVINに向って減少していく。この時定数丁
の大きさは単巻変圧器回路のインダクタンスと抵抗によ
ってきまる。時点t2において、同様な1サイクル全体
が再び開始される。時点toから12までの1サイクル
には数十マイクロ秒しか必要としないので、入力電圧V
INの大きさは1つのスイッチング・サイクルと次のス
イッチング・サイクルの間で著しく変ることはない。
前述の通り、何らかの理由で単巻変圧器の巻線検知抵抗
26の両端間の電圧が上昇して、スイッチング素子の導
通「オン」時間(時点toと時点t1の間の時間間隔)
を減少させ、その結果素子18または28を「オフ」に
転じるときのピーク電流、したがって電圧スパイクの大
きさを減少させる。同様に、制御手段22は第1の検知
抵抗20の両端間の電圧も監視している。この電圧は素
子の電流1o+に比例しており、素子の電’fl I
。
26の両端間の電圧が上昇して、スイッチング素子の導
通「オン」時間(時点toと時点t1の間の時間間隔)
を減少させ、その結果素子18または28を「オフ」に
転じるときのピーク電流、したがって電圧スパイクの大
きさを減少させる。同様に、制御手段22は第1の検知
抵抗20の両端間の電圧も監視している。この電圧は素
子の電流1o+に比例しており、素子の電’fl I
。
1は負荷電流Iしを反映している。このため、制御回路
手段22は導通「オン」時間を調整して。
手段22は導通「オン」時間を調整して。
所望の負荷電流を生じさせると共に所望値に維持する。
次に第3図および第4図(第4a図乃至第4f図の波形
)について説明する。図には好ましい実施例の回路10
′にて用いられる制御回路手段22″の好ましい実施例
を示す。制御回路手段22“は第1および第2の比較器
50および52を含み、その各々には電圧母線54と共
通母線56との間の動作電圧が与えられている。共通母
線56は制御回路の入力22b′に接続されている。電
圧母線54は抵抗素子58を介して制御回路の入力22
a’に接続されている。第1の比較器の反転入力50a
は制御回路の入力220′に接続されており、これは第
1の検知抵抗20とスイッチング素子28のエミッタ電
極との結合点に接続されている。第1の比較器の非反転
入力50bはトランジスタ60のベース電極に接続され
ている。トランジスタ60のエミッタ電極は抵抗62を
介して共通fHII56に接続されている。トランジス
タ60のコレクタ電極はコンデンサ64を介して動作電
圧母線54に接続されている。もう1つのトランジスタ
66のエミッターコレクタ回路はコンデンサ64の両端
間に接続され、トランジスタ66のベース電極は第1の
比較器50の出力50cに接続されている。トランジス
タ60および66のコレクタ電極とコンデンサ64との
結合点は第2の比較器52の反転入力52aに接続され
ている。
)について説明する。図には好ましい実施例の回路10
′にて用いられる制御回路手段22″の好ましい実施例
を示す。制御回路手段22“は第1および第2の比較器
50および52を含み、その各々には電圧母線54と共
通母線56との間の動作電圧が与えられている。共通母
線56は制御回路の入力22b′に接続されている。電
圧母線54は抵抗素子58を介して制御回路の入力22
a’に接続されている。第1の比較器の反転入力50a
は制御回路の入力220′に接続されており、これは第
1の検知抵抗20とスイッチング素子28のエミッタ電
極との結合点に接続されている。第1の比較器の非反転
入力50bはトランジスタ60のベース電極に接続され
ている。トランジスタ60のエミッタ電極は抵抗62を
介して共通fHII56に接続されている。トランジス
タ60のコレクタ電極はコンデンサ64を介して動作電
圧母線54に接続されている。もう1つのトランジスタ
66のエミッターコレクタ回路はコンデンサ64の両端
間に接続され、トランジスタ66のベース電極は第1の
比較器50の出力50cに接続されている。トランジス
タ60および66のコレクタ電極とコンデンサ64との
結合点は第2の比較器52の反転入力52aに接続され
ている。
抵抗素子68および70から成る分圧器が動作電圧母線
54と共通母線56との間に接続されている。抵抗素子
68および70間の結合点は第2の比較器の非反転入力
52bに接続されている。第2の比較器の出力52cは
制御回路出力22d′に接続され、更にスイッチング素
子28の制御(ベース)電極に接続されている。
54と共通母線56との間に接続されている。抵抗素子
68および70間の結合点は第2の比較器の非反転入力
52bに接続されている。第2の比較器の出力52cは
制御回路出力22d′に接続され、更にスイッチング素
子28の制御(ベース)電極に接続されている。
トランジスタ60のベースは抵抗素子72を介して共通
母線56に接続され、また抵抗素子74を介してコンデ
ンサ76の一方の端子に接続されている。コンデンサ7
6の他方の端子は共通母線56に接続されている。抵抗
74とコンデンサ76の結合点も抵抗78を介して動作
電圧母線54に接続され、またもう1つの抵抗80を介
して第3のトランジスタ82のコレクタ電極に接続され
ている。トランジスタ82のベース電極は共通母線56
に接続され、そのエミッタ電極は制−回路入力220′
に接続されている。母線54の動作電圧の大きさVpは
、母線54と共通母線56との間に接続され且つ一波コ
ンデンサ86とともに動作する電圧調節(ツェナー)ダ
イオード84により設定される。
母線56に接続され、また抵抗素子74を介してコンデ
ンサ76の一方の端子に接続されている。コンデンサ7
6の他方の端子は共通母線56に接続されている。抵抗
74とコンデンサ76の結合点も抵抗78を介して動作
電圧母線54に接続され、またもう1つの抵抗80を介
して第3のトランジスタ82のコレクタ電極に接続され
ている。トランジスタ82のベース電極は共通母線56
に接続され、そのエミッタ電極は制−回路入力220′
に接続されている。母線54の動作電圧の大きさVpは
、母線54と共通母線56との間に接続され且つ一波コ
ンデンサ86とともに動作する電圧調節(ツェナー)ダ
イオード84により設定される。
動作について説明すると、トランジスタの電流を第1の
検知抵抗20の両端間の電圧として第1の比較器50が
監視することにより、ピーク電流制御インバータが構成
される。時点toの直前のあ4詩、点に、第2の比較器
の出力52cは高レベルになり、制御回路の出力22d
′に充分な駆動電流を供給して、時点toに素子28を
オンにする。したがって、時点toで素子のコレクタ電
流1o+ (第4a図)は急激に増加して反映負荷電
流値IRIになる。その後、コレクタ電流は単巻変圧器
の磁化電流により増加し、時点t1でIplの大きさの
ピーク電流に達する。この時点t1において、第1の検
知抵抗20を通って流れるトランジスタのエミッタ電流
によって、まず制御回路手段の第1の入力220′と第
1の比較器の入力50aに、第1の比較器の入力50b
に与えられる基準電圧よりも大きい電圧が供給される。
検知抵抗20の両端間の電圧として第1の比較器50が
監視することにより、ピーク電流制御インバータが構成
される。時点toの直前のあ4詩、点に、第2の比較器
の出力52cは高レベルになり、制御回路の出力22d
′に充分な駆動電流を供給して、時点toに素子28を
オンにする。したがって、時点toで素子のコレクタ電
流1o+ (第4a図)は急激に増加して反映負荷電
流値IRIになる。その後、コレクタ電流は単巻変圧器
の磁化電流により増加し、時点t1でIplの大きさの
ピーク電流に達する。この時点t1において、第1の検
知抵抗20を通って流れるトランジスタのエミッタ電流
によって、まず制御回路手段の第1の入力220′と第
1の比較器の入力50aに、第1の比較器の入力50b
に与えられる基準電圧よりも大きい電圧が供給される。
これにより、第1の比較器の出力50c(第4b図)が
急激に高レベルから低レベル〈実質的にゼロ)に変り、
トランジスタ66をターンオンして、コンデンサ64を
放電させる。このため、コンデンサ64の片側の電圧V
×は時点t1に動作電圧母線54の電圧Vpに実質的に
等しくなる(第4C図)。この増大した電圧■×は第2
の比較器の入力52aに与えられ、この電圧は抵抗68
および70からなる分圧器によって第2の比較器の他方
の入力52bに与えられる電圧VYより大きい。
急激に高レベルから低レベル〈実質的にゼロ)に変り、
トランジスタ66をターンオンして、コンデンサ64を
放電させる。このため、コンデンサ64の片側の電圧V
×は時点t1に動作電圧母線54の電圧Vpに実質的に
等しくなる(第4C図)。この増大した電圧■×は第2
の比較器の入力52aに与えられ、この電圧は抵抗68
および70からなる分圧器によって第2の比較器の他方
の入力52bに与えられる電圧VYより大きい。
この結果、第2の比較器の出力52c(第4d図)は低
レベルになり、素子28をオフに転じる。変圧器14′
にそれまで流れていた電流は負荷11のインピーダンス
と巻数N1の2次巻線14a′を通って循環する。
レベルになり、素子28をオフに転じる。変圧器14′
にそれまで流れていた電流は負荷11のインピーダンス
と巻数N1の2次巻線14a′を通って循環する。
トランジスタ28が「オフ」になると、検知抵抗20に
は電流が流れなくなり、第1の比較器の入力50aの電
圧は低下する。これに応じて、第1の比較器の出力50
cは点90(第4b図)に示すように高出力電圧状態に
なり、トランジスタ66をオフに転じるので、コンデン
サ64はトランジスタ60を含む電流源を介して共通母
線56の電圧に向って、充電し始める。このため電圧v
×は低下し始め、その勾配−1は素子60を通って流れ
る電流によってきまる(第4c図)。素子60は抵抗6
2.72および74とともに、コンデンサ76の両端間
の電圧Vaに応動してコンデンサ64を充電する可変電
流源を構成している。したがって、電圧Vxの勾配11
はコンデンサ76の電圧Vaに比例する。抵抗72およ
び74で構成される分圧器はコンデンサ64の充電電流
を設定するだけでなく第1の比較器の入力50bの比較
電圧を設定するので、ピーク電流比較とトランジスタ2
8のターンオフ点はともにコンデンサ76の電圧Vaに
比例する。
は電流が流れなくなり、第1の比較器の入力50aの電
圧は低下する。これに応じて、第1の比較器の出力50
cは点90(第4b図)に示すように高出力電圧状態に
なり、トランジスタ66をオフに転じるので、コンデン
サ64はトランジスタ60を含む電流源を介して共通母
線56の電圧に向って、充電し始める。このため電圧v
×は低下し始め、その勾配−1は素子60を通って流れ
る電流によってきまる(第4c図)。素子60は抵抗6
2.72および74とともに、コンデンサ76の両端間
の電圧Vaに応動してコンデンサ64を充電する可変電
流源を構成している。したがって、電圧Vxの勾配11
はコンデンサ76の電圧Vaに比例する。抵抗72およ
び74で構成される分圧器はコンデンサ64の充電電流
を設定するだけでなく第1の比較器の入力50bの比較
電圧を設定するので、ピーク電流比較とトランジスタ2
8のターンオフ点はともにコンデンサ76の電圧Vaに
比例する。
電圧v×は期filT +の間は減少し続け、やがて第
2の比較器の入力52aの電圧が第2の比較−の入力5
2bの電圧VYにほぼ等しくなる。その時点t2におい
て、第2の比較器の出力52cは再び高レベルになって
トランジスタ28をオンに転じ、単巻変圧器14′を介
して別のコレクタ電流パルスを負荷11に供給する。素
子28のコレクタ電流パルスは時点t3まで続く。時点
t3で、検知抵抗20両端間の電圧の1屏により、第1
の比較器の出力50cが再び低下し、コンデンサ64が
トランジスタ66を介して放電する。このサイクル動作
は、コンデンサ76の電圧Va(第4f図)が著しく変
らない場合、回路10′に電力が供給されている間続く
。
2の比較器の入力52aの電圧が第2の比較−の入力5
2bの電圧VYにほぼ等しくなる。その時点t2におい
て、第2の比較器の出力52cは再び高レベルになって
トランジスタ28をオンに転じ、単巻変圧器14′を介
して別のコレクタ電流パルスを負荷11に供給する。素
子28のコレクタ電流パルスは時点t3まで続く。時点
t3で、検知抵抗20両端間の電圧の1屏により、第1
の比較器の出力50cが再び低下し、コンデンサ64が
トランジスタ66を介して放電する。このサイクル動作
は、コンデンサ76の電圧Va(第4f図)が著しく変
らない場合、回路10′に電力が供給されている間続く
。
時点t3に示すように負荷11のインピーダンスが変る
と、キャッチ巻線14cの両端間の電圧の大きさく−V
n)が充分に太き(なってダイオード32を順方向にバ
イアスし、第2の検知抵抗26の両端間にゼロでない負
極性の電圧を与える。
と、キャッチ巻線14cの両端間の電圧の大きさく−V
n)が充分に太き(なってダイオード32を順方向にバ
イアスし、第2の検知抵抗26の両端間にゼロでない負
極性の電圧を与える。
通常はゼロの第2人力220′の電圧VRSが(第4e
図の部分92で示すように)負方向に変化することによ
り、トランジスタ82がオンに転じる。トランジスタ8
2は、キャッチ巻線の電圧が(時点t4に)予め定めら
れたある値に戻るまで、オンにとどまる。この値はキャ
ッチ巻線の巻数Ncと変圧器巻線の巻数N1およびN2
との比、ならびに第2の検知抵抗素子26の抵抗値Rs
によって定められる。時点t3と14の間の期間の闇、
コンデンサ76の両端間の電圧Vaは指数関数的に減少
してゆき、その時定数は素子76の容量と素子80の抵
抗値の積に関連している。このように抵抗素子72およ
び74から成る分圧器の入力の基準電圧Vaが減少する
と、第1の比較器の入力50bおよび電流源トランジス
タ60のベース電極の両方に与えられる基準電圧が低下
する。
図の部分92で示すように)負方向に変化することによ
り、トランジスタ82がオンに転じる。トランジスタ8
2は、キャッチ巻線の電圧が(時点t4に)予め定めら
れたある値に戻るまで、オンにとどまる。この値はキャ
ッチ巻線の巻数Ncと変圧器巻線の巻数N1およびN2
との比、ならびに第2の検知抵抗素子26の抵抗値Rs
によって定められる。時点t3と14の間の期間の闇、
コンデンサ76の両端間の電圧Vaは指数関数的に減少
してゆき、その時定数は素子76の容量と素子80の抵
抗値の積に関連している。このように抵抗素子72およ
び74から成る分圧器の入力の基準電圧Vaが減少する
と、第1の比較器の入力50bおよび電流源トランジス
タ60のベース電極の両方に与えられる基準電圧が低下
する。
このため、コンデンサ64の充電速度が遅くなり、電圧
の■×実効勾配置2 <期間T2)が前のサイクルの
勾配1Illより小さくなる。このため、電圧V×が固
定電圧VYに等しくなるのに必要な期間■2が長くなり
、前の動作の期間T1よりも長い期間の開、第2の比較
器52は素子28をオンに転じない。「オフ」期間を長
くすることにより゛、負荷を通る平均電流は減少して、
前のインピーダンス増加による負荷電流Iしを増加しよ
うとする傾向を補償する。このようにして、トランジス
タ28が時点t5で再び「オン」になったとき、コンデ
ンサ76両端間の電圧Vaはもとの値Voより小さな値
V′に増加するだけである。第1の比較器の入力50b
の基準電圧が前に与えられたものより低いので、素子の
コレクタ電流Io+ は前よりずっと低い値に達し、こ
のとき第1の検知抵抗20両端間の電圧VRCが、第1
の比較器の出力50cを低レベル状態に変化させてコン
デンサ64が放電し、比較器52をリセットして素子2
8”のベース駆動を除くのに充分な大きさになる。
の■×実効勾配置2 <期間T2)が前のサイクルの
勾配1Illより小さくなる。このため、電圧V×が固
定電圧VYに等しくなるのに必要な期間■2が長くなり
、前の動作の期間T1よりも長い期間の開、第2の比較
器52は素子28をオンに転じない。「オフ」期間を長
くすることにより゛、負荷を通る平均電流は減少して、
前のインピーダンス増加による負荷電流Iしを増加しよ
うとする傾向を補償する。このようにして、トランジス
タ28が時点t5で再び「オン」になったとき、コンデ
ンサ76両端間の電圧Vaはもとの値Voより小さな値
V′に増加するだけである。第1の比較器の入力50b
の基準電圧が前に与えられたものより低いので、素子の
コレクタ電流Io+ は前よりずっと低い値に達し、こ
のとき第1の検知抵抗20両端間の電圧VRCが、第1
の比較器の出力50cを低レベル状態に変化させてコン
デンサ64が放電し、比較器52をリセットして素子2
8”のベース駆動を除くのに充分な大きさになる。
このようにして時点t6まで素子28は付加的な電流を
単巻変圧器に供給するのを止める。ここで、トランジス
タの「オン」時間t6− tsは通常のトランジスタ
「オン」時間(h −t2またはj+−jo)に比べて
すつと短い。したがって、変圧器巻線に蓄積されて負荷
11に与えられるエネルギーの量は少なくなり、このた
めキャッチ巻線14cの電圧は制御回路の入力220′
に負極性の電圧VR9の部分94のような持続時間の一
層短い負の電圧を与えるようになる。時点t6で始まり
時点t7″で終る部分94の持続時間は、時点t3で始
まり時点t4で終るキャッチ巻線のパルス92の持続時
間に比べてかなり短いことがわかる。部分94の持続時
間が短いので、素子82が作動される時間もそれに応じ
て短くなり、基準電圧y aの減少部分92に応じた減
少の度合より小さい。バリスタ素子24を使用した実施
例の回路10および10′においては、キャッチ巻線の
「オン」時間がこのように短くなると、バリスタ内で散
逸させる必要のあるエネルギーも小さくなる。
単巻変圧器に供給するのを止める。ここで、トランジス
タの「オン」時間t6− tsは通常のトランジスタ
「オン」時間(h −t2またはj+−jo)に比べて
すつと短い。したがって、変圧器巻線に蓄積されて負荷
11に与えられるエネルギーの量は少なくなり、このた
めキャッチ巻線14cの電圧は制御回路の入力220′
に負極性の電圧VR9の部分94のような持続時間の一
層短い負の電圧を与えるようになる。時点t6で始まり
時点t7″で終る部分94の持続時間は、時点t3で始
まり時点t4で終るキャッチ巻線のパルス92の持続時
間に比べてかなり短いことがわかる。部分94の持続時
間が短いので、素子82が作動される時間もそれに応じ
て短くなり、基準電圧y aの減少部分92に応じた減
少の度合より小さい。バリスタ素子24を使用した実施
例の回路10および10′においては、キャッチ巻線の
「オン」時間がこのように短くなると、バリスタ内で散
逸させる必要のあるエネルギーも小さくなる。
また、線路電圧の変化が正常な範囲内にあれば、動作電
圧Vpしたがって基準電圧Vaは電圧調整ダイオード8
4の動作により一定に保持されることもわかる。このた
め線路電圧が変っても制御回路手段22′のピーク電流
制御特性は比較的一定に保たれ、動作中の負荷電流消費
の一貫性が保証される。
圧Vpしたがって基準電圧Vaは電圧調整ダイオード8
4の動作により一定に保持されることもわかる。このた
め線路電圧が変っても制御回路手段22′のピーク電流
制御特性は比較的一定に保たれ、動作中の負荷電流消費
の一貫性が保証される。
双方向電流システムの回路10および10′では、(第
3図の破線で示した)ダイオード96が入力降下抵抗5
8と直列に追加されて、交流電圧を整流してフィルタ・
コンデンサ86および電圧調整ダイオード84に加える
ことが理解できる。
3図の破線で示した)ダイオード96が入力降下抵抗5
8と直列に追加されて、交流電圧を整流してフィルタ・
コンデンサ86および電圧調整ダイオード84に加える
ことが理解できる。
このような交流システムにおいては、付加的なトランジ
スタ82aをトランジスタ82と並列に配置して、第2
の検知抵抗26の両端間に正極性のパルスが現われたと
きトランジスタ82がオンになるようにすることにより
、交流線路波形の正または負の半サイクルの間コンデン
サ76の基準電圧Vaを変えられるようにすることがで
きる。同様に、付加的な比較器を第1の比較器50に実
効的に並列に置いて検知抵抗20を通って流れる負のピ
ーク電流を検出するか、あるいは付加的な比較器を第2
の比較器52に実効的に並列に置いて電源波形の負の半
サイクル中に(第1図のシステム10の)双方向導通素
子に必要な駆動を与えることができる。
スタ82aをトランジスタ82と並列に配置して、第2
の検知抵抗26の両端間に正極性のパルスが現われたと
きトランジスタ82がオンになるようにすることにより
、交流線路波形の正または負の半サイクルの間コンデン
サ76の基準電圧Vaを変えられるようにすることがで
きる。同様に、付加的な比較器を第1の比較器50に実
効的に並列に置いて検知抵抗20を通って流れる負のピ
ーク電流を検出するか、あるいは付加的な比較器を第2
の比較器52に実効的に並列に置いて電源波形の負の半
サイクル中に(第1図のシステム10の)双方向導通素
子に必要な駆動を与えることができる。
以上、低電圧負荷に給電するための新しい高周波電源装
置のいくつかの実施例について述べてきたが、当業者が
これから数多くの変形や修正を行なえることは明らかで
あろう。したがって、発明の範囲にはこれらの変形等も
包含されるもので、特定の実施例に限定されるものでは
ない。
置のいくつかの実施例について述べてきたが、当業者が
これから数多くの変形や修正を行なえることは明らかで
あろう。したがって、発明の範囲にはこれらの変形等も
包含されるもので、特定の実施例に限定されるものでは
ない。
第1図は本発明の原理に従った低電圧電源装置の回路図
、第1a図および第1b図は一方向導通スイツチング素
子を使用した本発明の低電圧電源装置の別の実施例の回
路図、第2a図乃至第2C図は第1図乃至第1b図の回
路中に生じる種々の波形を示した波形図、第3図は制御
回路手段の好ましい回路を示す第1b図の実施例の回路
図、第4a図乃至第4f図は第3図の実施例の回路中に
生じる種々の波形を示す波形図である。 符号の説明 10、io’、io’・・・・・・・・・低電圧電源回
路、14.14′・・・・・・・・・電圧逓降単巻変圧
器、14c・・・・・・・・・キャッチ巻線、18・・
・・・・・・・スイッチング手段、20・・・・・・・
・・サンプリング抵抗、22.22’、22’・・・・
・・・・・制御回路手段、24・・・・・・・・・双方
向電圧クリップ素子(バリスタ)、26・・・・・・・
・・サンプリング抵抗、28・・・・・・・・・一方向
導通スイッチング手段、30・・・・・・・・・ブリッ
ジ整流器、30′・・・・・・・・・全波線路整流器、
32・・・・・・・・・保護ダイオード、50・・・・
・・・・・第1の比較器、52・・・・・・・・・第2
の比較器、54・・・・・・・・・電圧母線、 6′0.66.82・・・・・・・・・トランジスタ、
64.76・・・・・・・・・コンデンサ、72.74
.78.80・・・・・・・・・抵抗、84・・・・・
・・・・電圧調整ダイオード。 特許出願人 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代理人 (76
30) 生 沼 徳 二FIG、 2σ ’61
、第1a図および第1b図は一方向導通スイツチング素
子を使用した本発明の低電圧電源装置の別の実施例の回
路図、第2a図乃至第2C図は第1図乃至第1b図の回
路中に生じる種々の波形を示した波形図、第3図は制御
回路手段の好ましい回路を示す第1b図の実施例の回路
図、第4a図乃至第4f図は第3図の実施例の回路中に
生じる種々の波形を示す波形図である。 符号の説明 10、io’、io’・・・・・・・・・低電圧電源回
路、14.14′・・・・・・・・・電圧逓降単巻変圧
器、14c・・・・・・・・・キャッチ巻線、18・・
・・・・・・・スイッチング手段、20・・・・・・・
・・サンプリング抵抗、22.22’、22’・・・・
・・・・・制御回路手段、24・・・・・・・・・双方
向電圧クリップ素子(バリスタ)、26・・・・・・・
・・サンプリング抵抗、28・・・・・・・・・一方向
導通スイッチング手段、30・・・・・・・・・ブリッ
ジ整流器、30′・・・・・・・・・全波線路整流器、
32・・・・・・・・・保護ダイオード、50・・・・
・・・・・第1の比較器、52・・・・・・・・・第2
の比較器、54・・・・・・・・・電圧母線、 6′0.66.82・・・・・・・・・トランジスタ、
64.76・・・・・・・・・コンデンサ、72.74
.78.80・・・・・・・・・抵抗、84・・・・・
・・・・電圧調整ダイオード。 特許出願人 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代理人 (76
30) 生 沼 徳 二FIG、 2σ ’61
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 交流電源によって与えられる電圧の大きさとは異
なる大きさの電圧で負荷を付勢する電源装置において、
タップ付き巻線を持ち、該巻線の第1の端とタップとの
間に前記負荷が接続されている単巻変圧器と、前記巻線
の他方の端に接続されて、制御信号の持続している間前
記交流電源から前記巻線を通って電流が流れるようにす
るスイッチング手段と、該スイッチング手段を通って流
れる瞬時電流に応じた大きさのサンプリング信号を発生
する手段と、動作周波数が前記交流電源の周波数に比べ
て少なくとも1桁高い前記制御信号を発生し、かつ前記
サンプリング信号の大きさに応答して、相次ぐ複数の動
作周波サイクルの各サイクルの間で前記スイッチング手
段が電流を通す時間の割合を調節し、前記負荷を通って
流れる電流をほぼ一定の値に維持する制御回路手段とを
有することを特徴とする電源装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載の電源装置において、
前記制御回路手段に結合されて、前記負荷が当該電源装
置に接続されていない場合に前記スイッチング手段が損
傷しないように保護する手段を有する電源装置。 3、 特許請求の範囲第1項に記載の電源装置において
、前記サンプリング信号を発生する手段および前記スイ
ッチング手段が前記電源の電圧の両端間に前記巻線と実
効的に直列に接続されている電源装置。 4、 特許請求の範囲第3項に記載の電源装置において
、前記サンプリング信号を発生する手段が抵抗素子であ
る電源装置。 5、 特許請求の範囲第1項または第3項に記載の電源
装置において、前記スイッチング手段が、前記制御信号
を受けて該制御信号の存在および不存在の一方と他方に
よりそれぞれ導通状態と非導通林態に制御され得る双方
向導通素子で構成され ′ている電源装置。 6、 特許請求の範囲第5項に記載の電源装置において
、前記双方向導通素子が、前記巻線と直列のコレクター
エミッタ回路ならびに前記制御信号を受けるベース電極
を持つ交流トランジスタである電源装置。 7、 特許請求の範囲第5項に記載の電源装置において
、前記双方向導通素子が、前記巻線と直列のドレン−ソ
ース回路ならびに前記制御信号を受けるゲート電極を持
つ対称型の電界効果トランジスタである電源装置。 8、 特許請求の範囲第1項に記載の電源装置において
、前記スイッチング手段が、前記電源と前記巻線の1つ
の端との間に接続されたブリッジ整流器と、該ブリッジ
整流器および前記巻線と作動的に接続されて、前記制御
信号に応答して前記電源からの電流を前記変圧器巻線を
通して流す一方向導通素子とで構成されている電源装置
。 9、 特許請求の範囲第8項に記載の電源装置において
、前記一方向導通素子がトランジスタである電源装置。 10、 特許請求の範囲第9項に記載の電源装置におい
て、前記回路制御手段および前記トランジスタが前記ブ
リッジ整流器の中に組み込まれている電源装置。 11、 特許請求の範囲第9項に記載の電源装置におい
て、前記負荷が当該電源装置に接続されていない場合に
前記スイッチング手段の損傷を防止する保護手段を前記
制御回路手段に結合した電源装置。 12、特許請求の範囲第11項に記載の電源装置におい
て、前記保護手段が、前記巻線の両端間の瞬時ピーク電
圧に応じた大きさの別のサンプリング信号を前記制御回
路手段に供給する手段を含んでいる電源装置。 13、 特許請求の範囲第12項に記載の電源装置にお
いて、前記別のサンプリング信号を供給する手段が、サ
ンプリング抵抗、ならびに該サンプリング抵抗と前記巻
線の他方の端との間に接続された対称型電圧制限素子を
含んでいる電源装置。 14、 特許請求の範囲第8項に記載の電源装置におい
て、前記ブリッジ整流器が実質的に直流の電圧を前記電
源から前記スイッチング素子、前記巻線および前記サン
プリング信号を発生する手段の直列回路に印加するため
に供給する電源装置。 15、 特許請求の範囲第14項に記載の電源装置にお
いて、前記スイッチング素子がトランジスタである電源
装置。 16、 特許請求の範囲第14項に記載の電源装置にお
いて、前記負荷が当該電源装置に接続されていない場合
に前記スイッチング手段が傷傷しないように保護する手
段を前記制御回路手段に結合した電源装置。 17、 特許請求の範囲第16項に記載の電源装置にお
いて、前記保護手段が、サンプリング抵抗、前記単巻変
圧器に設けた監視巻線、ならびに該監視巻線と該サンプ
リング抵抗との間に接続されて該監視巻線両端間の電圧
が所定極性のときのみ導通するように配置された一方向
導通素子を含み、前記制御回路手段が前記サンプリング
抵抗両端間の電圧を受け、前記スイッチング素子の導通
時間を短縮して前記巻線両端間に生じる電圧を低下させ
る電源装置。 18、 特許請求の範囲第14項に記載の電源装置にお
いて、前記制御回路手段が、共通制御回路電圧に対して
ほぼ一定の動作電圧を供給する手段、該動作電圧から得
られた第1および第2の基準電圧を供給する手段、容量
性素子、少なくとも部分的に該第1の基準電圧の大きさ
によって決定される速度で該容重素子を該動作電圧に向
って充電する手段、前記サンプリング信号の大きさが該
第1の基準電圧の大ぎさより大きい場合のみ該容量性素
子を放電する手段、ならびに該容量性素子両端間の電圧
の大きさが該第2の基準電圧の大きさより小さいときの
み前記制御信号を供給する手段を含んでいる電源装置。 19、 特許請求の範囲第18項に記載の電源装置にお
いて、前記容量性素子が前記動作電圧を受ける第1の端
子、および第2の端子を持ち、前記充電手段が、前記容
量性素子の第2の端子に接続されたコレクタ電極、前記
第1の基準電圧を受けるベース電極、およびエミッタ電
極を持つトランジスタと、該トランジスタのエミッタ電
極と前記共通制御回路電圧との間に接続された抵抗素子
とで構成されている電源装置。 20、 特許請求の範囲第18項に記載の電源装置にお
いて、前記放電手段が、前記第1の基準電圧を受ける第
1の入力、前記サンプリング信号を受ける第2の入力、
およびサンプリング信号の大きさが前記第1の基準電圧
の大きさより大きいときは常に所定の状態の信号を供給
する出力を持つ第1の比較器と、前記容量性素子の両端
間に接続された制御回路、および前記第1の比較器の出
力信号を受ける制御電極を持ち、該比較器出力が該所定
状態にあるとき前記容量性素子の両端間に低抵抗を与え
るスイッチング素子とで構成されている電源装置。 21、 特許請求の範囲第18項に記載の電源装置にお
いて、前記制御信号を発生する手段が第2の比較器で構
成され、該第2の比較器が前記第2の基準電圧を受ける
第1の入力、前記容量性素子の両端間の電圧を受ける第
2の入力、および該第2の入力における電圧の大きさが
該第1の入力における電圧の大きさより大きいときは常
に前記スイッチング素子に前記制御信号を供給する出力
を持っている電源装置。 22、特許請求の範囲第18項に記載の電源装置におい
て、サンプリング抵抗と、前記単巻変圧器に設けた監視
巻線と、該監視巻線と前記サンプリング抵抗との間に接
続されて該監視巻線両端間の電圧が所定の極性になった
ときのみ導通するように配置された一方向導通素子とを
含み、前記制御回路手段が、前記所定極性の電圧が前記
サンプリング抵抗の両端間に存在するときには常に前記
第1の基準電圧の大きさを変えてスイッチング手段導通
時間を短縮し、前記巻線両端間に生じる電圧を減少する
手段を含んでいる電源装置。 23、 特許請求の範囲第22項に記載の電源装置にお
いて、前記第1の基準電圧を供給する手段が、別の容量
性素子と、前記動作電圧から該別の容量性素子貴充電す
るための手段とを含んでおり、前記導通時間を短縮する
手段が、前記共通制御回路電圧を受けるベース電極、前
記サンプリング抵抗の電圧を受けるエミッタ電極、およ
びコレクタ電極を持つ少なくとも1つのトランジスタと
、該コレクタ電極と前記別の容量性素子との間に直列接
続されて、前記サンプリング抵抗の電圧が所定の大きさ
になったことにより該トランジスタが導通するとぎには
常に前記別の容量性素子に対して所定の放電時定数を与
えるように抵抗値が選定された抵抗素子とを含んでいる
電源装置。
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