JPH0898393A - 直流電源装置 - Google Patents
直流電源装置Info
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- JPH0898393A JPH0898393A JP22669494A JP22669494A JPH0898393A JP H0898393 A JPH0898393 A JP H0898393A JP 22669494 A JP22669494 A JP 22669494A JP 22669494 A JP22669494 A JP 22669494A JP H0898393 A JPH0898393 A JP H0898393A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 突入電流が定常電流に対し非常に大きい負荷
に対し、リアルタイムで適切な過電流保護レベルを設定
できる直流電源装置を提供する。 【構成】 直流電源装置をオン，オフする、端子８のパ
ルス信号によりワンショットマルチ１１を動作させ、こ
の出力でスイッチングトランジスタＱ２をオン，オフす
る。端子８にパルス信号が入り、直流電源装置が投入さ
れ負荷のハロゲンランプＨＬに突入電流が流れている期
間は、スイッチングトランジスタＱ２がオンで、抵抗３
に抵抗４が並列接続され、過電流保護レベルが高く設定
されている。ハロゲンランプＨＬに定常電流が流れる期
間に入ると、スイッチングトランジスタＱ２がオフし、
抵抗４の並列接続が解除され、過電流保護レベルが低く
設定される。
に対し、リアルタイムで適切な過電流保護レベルを設定
できる直流電源装置を提供する。 【構成】 直流電源装置をオン，オフする、端子８のパ
ルス信号によりワンショットマルチ１１を動作させ、こ
の出力でスイッチングトランジスタＱ２をオン，オフす
る。端子８にパルス信号が入り、直流電源装置が投入さ
れ負荷のハロゲンランプＨＬに突入電流が流れている期
間は、スイッチングトランジスタＱ２がオンで、抵抗３
に抵抗４が並列接続され、過電流保護レベルが高く設定
されている。ハロゲンランプＨＬに定常電流が流れる期
間に入ると、スイッチングトランジスタＱ２がオフし、
抵抗４の並列接続が解除され、過電流保護レベルが低く
設定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直流電源装置、特にハ
ロゲンランプのように突入電流が定常電流に対して非常
に大きい負荷に適当な過電流保護回路を備えた直流電源
装置に関するものである。
ロゲンランプのように突入電流が定常電流に対して非常
に大きい負荷に適当な過電流保護回路を備えた直流電源
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、過電流保護回路を備えた従来の
直流電源装置の回路図である。
直流電源装置の回路図である。
【０００３】図５において、１，２は入力電源端子であ
る。入力電源端子１，２は整流用の整流器スタックＤＭ
１の交流端子に接続されている。整流器スタックＤＭ１
の＋端子は、出力端子３に接続され、出力端子３は負荷
であるハロゲンランプＨＬに接続される。ハロゲンラン
プＨＬのもう一方の端子は出力端子４に接続され、チョ
ークコイルＬ１を介してスイッチングＦＥＴ（電界効果
トランジスタ）・Ｑ１のドレインＤ端子に接続される。
る。入力電源端子１，２は整流用の整流器スタックＤＭ
１の交流端子に接続されている。整流器スタックＤＭ１
の＋端子は、出力端子３に接続され、出力端子３は負荷
であるハロゲンランプＨＬに接続される。ハロゲンラン
プＨＬのもう一方の端子は出力端子４に接続され、チョ
ークコイルＬ１を介してスイッチングＦＥＴ（電界効果
トランジスタ）・Ｑ１のドレインＤ端子に接続される。
【０００４】スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のソースＳ端子
は、抵抗Ｒ１を介して接地される。また、整流器スタッ
クＤＭ１の−端子も接地されている。
は、抵抗Ｒ１を介して接地される。また、整流器スタッ
クＤＭ１の−端子も接地されている。
【０００５】スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のソースＳ端子
は、抵抗Ｒ１に接続されると共に抵抗Ｒ２に接続され、
さらに抵抗Ｒ２に直列に接続された抵抗Ｒ３を介して接
地される。
は、抵抗Ｒ１に接続されると共に抵抗Ｒ２に接続され、
さらに抵抗Ｒ２に直列に接続された抵抗Ｒ３を介して接
地される。
【０００６】また、９は電圧検出回路であり、出力端子
３，４に接続されている、負荷に並列に接続されてい
る。この電圧検出回路９は、出力電圧の抵抗分圧値と基
準電圧を比較し出力電圧を検出するものである。
３，４に接続されている、負荷に並列に接続されてい
る。この電圧検出回路９は、出力電圧の抵抗分圧値と基
準電圧を比較し出力電圧を検出するものである。
【０００７】ＰＨＣ１は、フォトカプラであり、入力側
は電圧検出回路９、出力側は制御回路１０に接続されて
いる。
は電圧検出回路９、出力側は制御回路１０に接続されて
いる。
【０００８】制御回路１０の出力端子は、スイッチング
ＦＥＴ・Ｑ１のゲートＧ端子に接続され、スイッチング
ＦＥＴ・Ｑ１のスイッチング制御を行う。
ＦＥＴ・Ｑ１のゲートＧ端子に接続され、スイッチング
ＦＥＴ・Ｑ１のスイッチング制御を行う。
【０００９】制御回路１０は、端子８より入力するパル
ス信号でオン／オフされ、フォトカプラＰＨＣ１を介し
て制御回路１０に帰還される出力検出値に応じてスイッ
チングＦＥＴ・Ｑ１のゲートに与える駆動パルスのデュ
ーティファクタあるいは周波数を制御すると共に、主回
路に流れる電流を抵抗Ｒ１で電流−電圧変換し、７の点
における電圧を検出し、過電圧が制御回路１０に入力さ
れると、カレントリミットが働きスイッチングＦＥＴ・
Ｑ１をオフさせる。しかし次のデットタイム（ゲート駆
動パルスのオフ期間）にはこの状態はリセットされると
いうものである。
ス信号でオン／オフされ、フォトカプラＰＨＣ１を介し
て制御回路１０に帰還される出力検出値に応じてスイッ
チングＦＥＴ・Ｑ１のゲートに与える駆動パルスのデュ
ーティファクタあるいは周波数を制御すると共に、主回
路に流れる電流を抵抗Ｒ１で電流−電圧変換し、７の点
における電圧を検出し、過電圧が制御回路１０に入力さ
れると、カレントリミットが働きスイッチングＦＥＴ・
Ｑ１をオフさせる。しかし次のデットタイム（ゲート駆
動パルスのオフ期間）にはこの状態はリセットされると
いうものである。
【００１０】次に、図５の回路における動作を説明す
る。
る。
【００１１】入力電源端子１，２に電源を接続すると、
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。なお、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のオフ期間には、
チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダイオ
ードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨＬに供給
される。
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。なお、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のオフ期間には、
チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダイオ
ードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨＬに供給
される。
【００１２】ハロゲンランプＨＬに印加された出力電圧
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ，周波数を変化させることで、出力電圧は一
定に保たれる。
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ，周波数を変化させることで、出力電圧は一
定に保たれる。
【００１３】主回路を流れる電流は、抵抗Ｒ１で電流−
電圧変換され、符号６の点の電圧を抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ３
でて抵抗分圧し、符号７の点の電圧として制御回路１０
に読み込まれ、主回路に過電流が流れ制御回路１０が検
知するとスイッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフする。
電圧変換され、符号６の点の電圧を抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ３
でて抵抗分圧し、符号７の点の電圧として制御回路１０
に読み込まれ、主回路に過電流が流れ制御回路１０が検
知するとスイッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフする。
【００１４】このようにして、負荷電流は一定の過電流
保護レベルに制限される。
保護レベルに制限される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来例においては、過電流保護レベルが一定であり、突
入電流で過電流保護が働かないようにある程度過電流保
護レベルを高く設定する必要がある。このため定常状態
においては過電流保護レベルが高過ぎるという問題があ
る。
従来例においては、過電流保護レベルが一定であり、突
入電流で過電流保護が働かないようにある程度過電流保
護レベルを高く設定する必要がある。このため定常状態
においては過電流保護レベルが高過ぎるという問題があ
る。
【００１６】本発明は、この問題を解消するためなされ
たもので、突入電流が定常電流に対し非常に大きい負荷
に対し、適切な過電流保護レベルをリアタイムに設定で
きる直流電源装置を提供することを目的とするものであ
る。
たもので、突入電流が定常電流に対し非常に大きい負荷
に対し、適切な過電流保護レベルをリアタイムに設定で
きる直流電源装置を提供することを目的とするものであ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では直流電源装置を次の（１），（２）のと
おりに構成するものである。
め、本発明では直流電源装置を次の（１），（２）のと
おりに構成するものである。
【００１８】（１）突入電流，定常電流の各状態の電流
に適切な過電流保護レベルが設定されるように過電流保
護レベルを変更する過電流保護レベル変更手段を有する
過電流保護回路を備えた直流電源装置。
に適切な過電流保護レベルが設定されるように過電流保
護レベルを変更する過電流保護レベル変更手段を有する
過電流保護回路を備えた直流電源装置。
【００１９】（２）過電流保護レベル変更手段は、当該
直流電源装置をオン，オフする信号に同期して過電流保
護レベルを切り替えるものである前記（１）記載の直流
電源装置。
直流電源装置をオン，オフする信号に同期して過電流保
護レベルを切り替えるものである前記（１）記載の直流
電源装置。
【００２０】
【作用】前記（１），（２）の構成により、過電流保護
レベルが、突入電流，定常電流に合うように、リアルタ
イムで変化し、適切な過電流保護を行うことができる。
前記（２）の構成では、当該直流電源装置をオン，オフ
する信号に同期して過電流保護レベルが切り替えられ
る。
レベルが、突入電流，定常電流に合うように、リアルタ
イムで変化し、適切な過電流保護を行うことができる。
前記（２）の構成では、当該直流電源装置をオン，オフ
する信号に同期して過電流保護レベルが切り替えられ
る。
【００２１】
【実施例】以下本発明を実施例により詳しく説明する。
【００２２】（実施例１）図１は実施例１である“直流
電源装置”の回路図である。
電源装置”の回路図である。
【００２３】図１において、１，２は入力電源端子であ
る。入力電源端子１，２は整流用の整流器スタックＤＭ
１の交流端子に接続されている。
る。入力電源端子１，２は整流用の整流器スタックＤＭ
１の交流端子に接続されている。
【００２４】整流器スタックＤＭ１の＋端子は、出力端
子３に接続され、出力端子３は負荷であるハロゲンラン
プＨＬに接続される。ハロゲンランプＨＬのもう一方の
端子は出力端子４に接続され、チョークコイルＬ１を介
してスイッチングＦＥＴ・Ｑ１のドレインＤ端子に接続
される。
子３に接続され、出力端子３は負荷であるハロゲンラン
プＨＬに接続される。ハロゲンランプＨＬのもう一方の
端子は出力端子４に接続され、チョークコイルＬ１を介
してスイッチングＦＥＴ・Ｑ１のドレインＤ端子に接続
される。
【００２５】スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のソースＳ端子
は、抵抗Ｒ１を介して接地される。また、整流器スタッ
クＤＭ１の−端子も接地されている。
は、抵抗Ｒ１を介して接地される。また、整流器スタッ
クＤＭ１の−端子も接地されている。
【００２６】抵抗Ｒ１の接地されていない方の端子は、
抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ３を介して接地される。抵抗Ｒ４は抵
抗Ｒ３と並列に接続されスイッチングトランジスタＱ２
を介して接地されている。このスイッチングトランジス
タＱ２をワンショットマルチ１１でオン／オフすること
で７の点における抵抗分圧値を変化させ過電流保護レベ
ルを変化させる。
抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ３を介して接地される。抵抗Ｒ４は抵
抗Ｒ３と並列に接続されスイッチングトランジスタＱ２
を介して接地されている。このスイッチングトランジス
タＱ２をワンショットマルチ１１でオン／オフすること
で７の点における抵抗分圧値を変化させ過電流保護レベ
ルを変化させる。
【００２７】また、９は電圧検出回路であり、出力端子
３，４に接続されている負荷に、並列に接続されてい
る。この電圧検出回路９は、出力電圧の抵抗分圧値と基
準電圧を比較し出力電圧を検出するものである。
３，４に接続されている負荷に、並列に接続されてい
る。この電圧検出回路９は、出力電圧の抵抗分圧値と基
準電圧を比較し出力電圧を検出するものである。
【００２８】ＰＨＣ１は、フォトカプラであり、入力側
は電圧検出回路９、出力側は制御回路１０に接続されて
いる。
は電圧検出回路９、出力側は制御回路１０に接続されて
いる。
【００２９】制御回路１０の出力端子はスイッチングＦ
ＥＴ・Ｑ１のゲートＧ端子に接続され、スイッチングＦ
ＥＴ・Ｑ１のスイッチング制御を行う。
ＥＴ・Ｑ１のゲートＧ端子に接続され、スイッチングＦ
ＥＴ・Ｑ１のスイッチング制御を行う。
【００３０】制御回路１０は、端子８より入力するパル
ス信号でオン／オフされ、フォトカプラＰＨＣ１を介し
て制御回路１０に帰還される出力検出値に応じてスイッ
チングＦＥＴ・Ｑ１のゲートＧ端子に与える駆動パルス
のスイッチング・デューティファクタあるいは周波数を
制御すると共に、主回路を流れる電流を抵抗Ｒ１で電流
−電圧変換し７の点における電圧を検出し、過電圧が制
御回路１０に入力されると、カレントリミットが働きス
イッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフさせる。しかし次のデッ
ドタイムにはこの状態はリセットされるというものであ
る。
ス信号でオン／オフされ、フォトカプラＰＨＣ１を介し
て制御回路１０に帰還される出力検出値に応じてスイッ
チングＦＥＴ・Ｑ１のゲートＧ端子に与える駆動パルス
のスイッチング・デューティファクタあるいは周波数を
制御すると共に、主回路を流れる電流を抵抗Ｒ１で電流
−電圧変換し７の点における電圧を検出し、過電圧が制
御回路１０に入力されると、カレントリミットが働きス
イッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフさせる。しかし次のデッ
ドタイムにはこの状態はリセットされるというものであ
る。
【００３１】次に、図１の回路における動作を説明す
る。
る。
【００３２】入力電源端子１，２に電源を接続すると、
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。
【００３３】なお、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のオフ期
間には、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギ
がダイオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨ
Ｌに供給される。
間には、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギ
がダイオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨ
Ｌに供給される。
【００３４】ハロゲンランプＨＬに印加された出力電圧
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ、周波数を変化させることで出力電圧は一定
に保たれる。
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ、周波数を変化させることで出力電圧は一定
に保たれる。
【００３５】ここで、電源を接続し負荷に定常電流が流
れるまでの時間をｔｄ［ｓ］とすると、ワンショットマ
ルチを用いて、電源が接続されて時間ｔｄ［ｓ］後つま
り定常状態になったらスイッチングトランジスタＱ２を
オフする。すると抵抗Ｒ４が切り離されて、６の点の電
圧値に対する７の点の抵抗分圧値が上がる、つまり回路
上に同じ電流が流れていても７の点での電圧値が上がる
ため過電流保護レベルを下げることができる。
れるまでの時間をｔｄ［ｓ］とすると、ワンショットマ
ルチを用いて、電源が接続されて時間ｔｄ［ｓ］後つま
り定常状態になったらスイッチングトランジスタＱ２を
オフする。すると抵抗Ｒ４が切り離されて、６の点の電
圧値に対する７の点の抵抗分圧値が上がる、つまり回路
上に同じ電流が流れていても７の点での電圧値が上がる
ため過電流保護レベルを下げることができる。
【００３６】図２に出力電流，電圧の関係を示す。図２
において、過電流保護レベル１は突入時の保護レベルで
あり、過電流保護レベル２は定常時の保護レベルであ
る。出力電圧は常に一定に制御されており、出力電流は
過電流保護レベルを超えないように制御されている。
において、過電流保護レベル１は突入時の保護レベルで
あり、過電流保護レベル２は定常時の保護レベルであ
る。出力電圧は常に一定に制御されており、出力電流は
過電流保護レベルを超えないように制御されている。
【００３７】このようにして、本実施例によれば突入電
流，定常電流の双方に対し、リアルタイムで適切な過電
流保護レベルを設定することができる。
流，定常電流の双方に対し、リアルタイムで適切な過電
流保護レベルを設定することができる。
【００３８】（実施例２）図３は実施例２である“直流
電源装置”の回路図である。本実施例は、主回路に流れ
る電流を電圧に変換して検出するのに、抵抗の代りにカ
レントトランスを用いた例である。
電源装置”の回路図である。本実施例は、主回路に流れ
る電流を電圧に変換して検出するのに、抵抗の代りにカ
レントトランスを用いた例である。
【００３９】図３に示すように、図１の抵抗Ｒ１の代り
にカレントトランスＣＴが接続されており、電流−電圧
変換をこのカレントトランスを用いて行う。カレントト
ランスＣＴと並列に抵抗Ｒ５、直列に逆流防止のダイオ
ードＤ２が接続されている。回路のその他の部分は、実
施例１（図１）の場合と同じである。
にカレントトランスＣＴが接続されており、電流−電圧
変換をこのカレントトランスを用いて行う。カレントト
ランスＣＴと並列に抵抗Ｒ５、直列に逆流防止のダイオ
ードＤ２が接続されている。回路のその他の部分は、実
施例１（図１）の場合と同じである。
【００４０】図３の回路における動作を説明する。
【００４１】入力電源端子１，２に電源を接続すると、
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。
【００４２】なお、スイッチングＦＥＴのオフ期間に
は、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダ
イオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨＬに
供給される。
は、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダ
イオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨＬに
供給される。
【００４３】ハロゲンランプＨＬに印加された出力電圧
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ、周波数を変化させることで出力電圧は一定
に保たれる。
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ、周波数を変化させることで出力電圧は一定
に保たれる。
【００４４】主回路を流れる電流は、カレントトランス
ＣＴで電流−電圧変換され、変換値を抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ
３，抵抗Ｒ４で抵抗分圧し、７の点の電圧が制御回路１
０に読み込まれる。
ＣＴで電流−電圧変換され、変換値を抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ
３，抵抗Ｒ４で抵抗分圧し、７の点の電圧が制御回路１
０に読み込まれる。
【００４５】主回路に過電流が流れ制御回路１０がこれ
を検知すると、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフし、チ
ョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダイオー
ドＤ１を介してハロゲンランプＨＬに供給される。
を検知すると、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフし、チ
ョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダイオー
ドＤ１を介してハロゲンランプＨＬに供給される。
【００４６】電源を接続し負荷に定常電流が流れるまで
の時間をｔｄ［ｓ］とすると、電源が接続されて時間ｔ
ｄ［ｓ］後にスイッチングトランジスタＱ２をオフす
る。すると、抵抗Ｒ４が切り離されて、カレントトラン
スＣＴの電圧変換値に対する７の点の電圧の抵抗分圧値
が上がるので過電流保護レベルを下げることができる。
の時間をｔｄ［ｓ］とすると、電源が接続されて時間ｔ
ｄ［ｓ］後にスイッチングトランジスタＱ２をオフす
る。すると、抵抗Ｒ４が切り離されて、カレントトラン
スＣＴの電圧変換値に対する７の点の電圧の抵抗分圧値
が上がるので過電流保護レベルを下げることができる。
【００４７】このようにして、本実施例においても実施
例１と同様の出力特性（図２参照）が得られる。
例１と同様の出力特性（図２参照）が得られる。
【００４８】（実施例３）図４は実施例３である“直流
電源装置”の回路図である。本実施例は、出力端に接続
されたハロゲンランプに流れる電流を直接検知し過電流
保護を行う例である。
電源装置”の回路図である。本実施例は、出力端に接続
されたハロゲンランプに流れる電流を直接検知し過電流
保護を行う例である。
【００４９】図４に示すように、図１の４−５間に抵抗
Ｒ６を接続している。出力端子４は抵抗Ｒ７を介してオ
ペアンプＯＰの反転入力端子に接続され、５の点は定電
圧源Ｖｒｅｆに接続し、抵抗Ｒ８，Ｒ１０を介してオペ
アンプＯＰの非反転入力端子に接続している。また定電
圧源Ｖｒｅｆ，抵抗Ｒ８の直列回路に並列に、フォトカ
プラＰＨＣ２と抵抗Ｒ９が直列接続されている。
Ｒ６を接続している。出力端子４は抵抗Ｒ７を介してオ
ペアンプＯＰの反転入力端子に接続され、５の点は定電
圧源Ｖｒｅｆに接続し、抵抗Ｒ８，Ｒ１０を介してオペ
アンプＯＰの非反転入力端子に接続している。また定電
圧源Ｖｒｅｆ，抵抗Ｒ８の直列回路に並列に、フォトカ
プラＰＨＣ２と抵抗Ｒ９が直列接続されている。
【００５０】制御回路１０の駆動パルスを用いるワンシ
ョットマルチ１１で、回路が定常状態になったらフォト
カプラＰＨＣ２がオフするように設定しておく。
ョットマルチ１１で、回路が定常状態になったらフォト
カプラＰＨＣ２がオフするように設定しておく。
【００５１】図４において、フォトカプラＰＨＣ２をオ
ン／オフすることでオペアンプＯＰに入力する基準電圧
を変化させ過電流保護レベルを変えることができる。
ン／オフすることでオペアンプＯＰに入力する基準電圧
を変化させ過電流保護レベルを変えることができる。
【００５２】スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のスイッチング
制御は制御回路１０で行われる。
制御は制御回路１０で行われる。
【００５３】制御回路１０の動作について説明する。
【００５４】この制御回路１０は、端子８より入力する
パルス信号でオン／オフされ、フォトカプラＰＨＣ１を
介して制御回路１０に帰還される電圧検出回路９で検出
した検出値と、過電流検出回路の検出値に応じてスイッ
チングＦＥＴ・Ｑ１のゲートに与える駆動パルスのスイ
ッチング・デューティファクタあるいは周波数を制御す
る。これにより出力電圧を一定に保つと共に、制御回路
１０が過電流を検知するとカレントリミットが働きスイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフさせる、しかし次のデッド
タイムにはこの状態はリセットされるというものであ
る。
パルス信号でオン／オフされ、フォトカプラＰＨＣ１を
介して制御回路１０に帰還される電圧検出回路９で検出
した検出値と、過電流検出回路の検出値に応じてスイッ
チングＦＥＴ・Ｑ１のゲートに与える駆動パルスのスイ
ッチング・デューティファクタあるいは周波数を制御す
る。これにより出力電圧を一定に保つと共に、制御回路
１０が過電流を検知するとカレントリミットが働きスイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１をオフさせる、しかし次のデッド
タイムにはこの状態はリセットされるというものであ
る。
【００５５】次に、図４の回路における動作を説明す
る。
る。
【００５６】入力電源端子１，２に電源を接続すると、
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。
整流器スタックＤＭ１，平滑用コンデンサＣ１を介して
直流電圧が負荷であるハロゲンランプＨＬに印加され
る。また、チョークコイルＬ１にエネルギが蓄えられ
る。
【００５７】なお、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１のオフ期
間には、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギ
がダイオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨ
Ｌに供給される。
間には、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギ
がダイオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨ
Ｌに供給される。
【００５８】ハロゲンランプＨＬに印加された出力電圧
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ，周波数を変化させることで出力電圧は一定
に保たれる。
は、電圧検出回路９で抵抗分圧し基準電圧と比較しフォ
トカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に帰還し、スイ
ッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パルスのデューテ
ィファクタ，周波数を変化させることで出力電圧は一定
に保たれる。
【００５９】また、ハロゲンランプＨＬに流れる電流を
抵抗Ｒ６で電流−電圧変換しオペアンプＯＰで基準電圧
と比較しフォトカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に
帰還する。過電流発生の際、オペアンプＯＰの出力が
“Ｈｉｇｈ”から“Ｌｏｗ”に反転するように比較電圧
が選定されており、この出力の反転を制御回路１０が検
知すると、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パ
ルスをオフする。
抵抗Ｒ６で電流−電圧変換しオペアンプＯＰで基準電圧
と比較しフォトカプラＰＨＣ１を介して制御回路１０に
帰還する。過電流発生の際、オペアンプＯＰの出力が
“Ｈｉｇｈ”から“Ｌｏｗ”に反転するように比較電圧
が選定されており、この出力の反転を制御回路１０が検
知すると、スイッチングＦＥＴ・Ｑ１を制御する駆動パ
ルスをオフする。
【００６０】スイッチングＦＥＴ・Ｑ１がオフされる
と、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダ
イオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨＬに
供給される。
と、チョークコイルＬ１に蓄えられていたエネルギがダ
イオードＤ１を介して負荷であるハロゲンランプＨＬに
供給される。
【００６１】電源を接続し負荷に定常電流が流れるまで
の時間をｔｄ［ｓ］とすると、ワンショットマルチを用
いて、電源が接続されて時間ｔｄ［ｓ］後つまり定常状
態になったらフォトカプラＰＨＣ２をオフする。すると
オペアンプＯＰに入力される基準電圧が変化するので過
電流保護レベルを変化させることができる。
の時間をｔｄ［ｓ］とすると、ワンショットマルチを用
いて、電源が接続されて時間ｔｄ［ｓ］後つまり定常状
態になったらフォトカプラＰＨＣ２をオフする。すると
オペアンプＯＰに入力される基準電圧が変化するので過
電流保護レベルを変化させることができる。
【００６２】このようにして、本実施例においても実施
例１と同様の出力特性（第２図参照）が得られる。
例１と同様の出力特性（第２図参照）が得られる。
【００６３】（変形）以上の各実施例は、いずれも定電
圧制御を行い、過電流が発生したとき、電流を所定値に
制限する定電圧・定電流型の例であるが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、定電圧制御せず電流のみ制
限する形で実施することができる。また過電流が発生し
たとき、電流を遮断する形で実施することができる。
圧制御を行い、過電流が発生したとき、電流を所定値に
制限する定電圧・定電流型の例であるが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、定電圧制御せず電流のみ制
限する形で実施することができる。また過電流が発生し
たとき、電流を遮断する形で実施することができる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ハロゲンランプの様な突入時に定常時に対して非常に大
きな電流が流れる負荷に用いる直流電源装置において、
突入電流，定常電流の双方に対し、リアルタイムで適切
な過電流保護レベルを設定することができる。
ハロゲンランプの様な突入時に定常時に対して非常に大
きな電流が流れる負荷に用いる直流電源装置において、
突入電流，定常電流の双方に対し、リアルタイムで適切
な過電流保護レベルを設定することができる。
【図１】 実施例１の回路図
【図２】 実施例１の出力特性を示す図
【図３】 実施例２の回路図
【図４】 実施例３の回路図
【図５】 従来例の回路図
１０ 制御回路 １１ ワンショットマルチ Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４ 抵抗 Ｑ２ スイッチングトランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 突入電流，定常電流の各状態の電流に適
切な過電流保護レベルが設定されるように過電流保護レ
ベルを変更する過電流保護レベル変更手段を有する過電
流保護回路を備えたことを特徴とする直流電源装置。 - 【請求項２】 過電流保護レベル変更手段は、当該直流
電源装置をオン，オフする信号に同期して過電流保護レ
ベルを切り替えるものであることを特徴とする請求項１
記載の直流電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22669494A JPH0898393A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 直流電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22669494A JPH0898393A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 直流電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0898393A true JPH0898393A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16849195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22669494A Withdrawn JPH0898393A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 直流電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0898393A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184669B1 (en) | 1999-11-30 | 2001-02-06 | Fujitsu Limited | Current control circuit |
| CN102739212A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-17 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 电子设备的过电流保护点设置方法、系统及控制装置 |
| JP2013171799A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Ntt Facilities Inc | 半導体遮断器、直流給電システム、及び直流給電方法 |
| KR101877234B1 (ko) * | 2016-08-03 | 2018-07-11 | 한국철도기술연구원 | 돌입전류 검지기능을 가진 교류전기철도차량용 과전류 보호 시스템 및 이를 이용한 과전류 보호 방법 |
| US10126692B2 (en) | 2016-03-11 | 2018-11-13 | Konica Minolta, Inc. | Power supply control device and image forming apparatus |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP22669494A patent/JPH0898393A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184669B1 (en) | 1999-11-30 | 2001-02-06 | Fujitsu Limited | Current control circuit |
| JP2013171799A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Ntt Facilities Inc | 半導体遮断器、直流給電システム、及び直流給電方法 |
| CN102739212A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-17 | 台达电子企业管理（上海）有限公司 | 电子设备的过电流保护点设置方法、系统及控制装置 |
| US10126692B2 (en) | 2016-03-11 | 2018-11-13 | Konica Minolta, Inc. | Power supply control device and image forming apparatus |
| KR101877234B1 (ko) * | 2016-08-03 | 2018-07-11 | 한국철도기술연구원 | 돌입전류 검지기능을 가진 교류전기철도차량용 과전류 보호 시스템 및 이를 이용한 과전류 보호 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |