JPS58114433A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS58114433A JPS58114433A JP21033681A JP21033681A JPS58114433A JP S58114433 A JPS58114433 A JP S58114433A JP 21033681 A JP21033681 A JP 21033681A JP 21033681 A JP21033681 A JP 21033681A JP S58114433 A JPS58114433 A JP S58114433A
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- JP
- Japan
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- film
- pattern
- mask
- polyimide
- etching
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木兄Ｉｊ！は微細パターンの形成に威力を発揮するドラ
イエツチング方法Ｋｌｌするものである。
イエツチング方法Ｋｌｌするものである。
近年、集積回路はますます高密度化の方向をたどり、そ
れに用いられるパターンも微細化の傾向をさらに強めて
ｉる。１μａ１！変、あるいはそれ以下のサブミクロン
のパターンの精度のよｉ加工が要求されるようｋなるの
は必然の傾向であろう。
れに用いられるパターンも微細化の傾向をさらに強めて
ｉる。１μａ１！変、あるいはそれ以下のサブミクロン
のパターンの精度のよｉ加工が要求されるようｋなるの
は必然の傾向であろう。
このような微細パターンの形成技術の中で、必要な金属
膜パターンある−は有機膜パターンを得るエツチング技
術は特に重要である。従来、数ミクロン以上の線巾を持
つ半導体・集積回路の製造プロセスにはケミカルエツチ
ングが行われて−たが。
膜パターンある−は有機膜パターンを得るエツチング技
術は特に重要である。従来、数ミクロン以上の線巾を持
つ半導体・集積回路の製造プロセスにはケミカルエツチ
ングが行われて−たが。
ケミカルエツチングの場合はアンダーカット等の重大な
問題点があ９９本質的には微細パターンの形成には不向
きである。そこで９反応性スパッタエツチング、スパッ
タエツチング、反応性イオンビームエツチング、イオン
ビームエツチング等の−わゆる異方性のドライエツチン
グ技術が、微細パターン形成用のエツチング技術として
登場してき友１反応性スパッタエツチングをＩＩＫとっ
て説明する８反応性スパッタエツチングに＄Ｐ％／＆て
は。
問題点があ９９本質的には微細パターンの形成には不向
きである。そこで９反応性スパッタエツチング、スパッ
タエツチング、反応性イオンビームエツチング、イオン
ビームエツチング等の−わゆる異方性のドライエツチン
グ技術が、微細パターン形成用のエツチング技術として
登場してき友１反応性スパッタエツチングをＩＩＫとっ
て説明する８反応性スパッタエツチングに＄Ｐ％／＆て
は。
基板面に対してほぼ垂直に入射する反応性イ會ンの効果
が大でＴｏｂ、被エツチング物のエツチング形状を比較
的容易に基板面に対してはぼ喬直にするヒとができる。
が大でＴｏｂ、被エツチング物のエツチング形状を比較
的容易に基板面に対してはぼ喬直にするヒとができる。
かつ容易にアンダーカットの無いパターンを得るエツチ
ング条件を見出すことができる。従って反応性スパッタ
エツチングは本質的に微細パターン０影成に適してｉる
。現在各所で上記ト°ライエツチング技術の精力的研究
開発が行われて込る０本発明者達も、微細パターンの形
成を目的として上記ドライエツチング技術の検討を行り
てきた。４１にレジストＫｍ画され九パターンをマスク
として、有機膜上に、金属膜パターンを形成するドライ
エツチング法にりいての詳細な検討を行ってき丸。この
ような手法は、ドライエツチングによって得られた金属
膜を中間マスクとして下層の厚膜の有機膜パターンを得
る！スフパターン変換技術等へ応用することができる。
ング条件を見出すことができる。従って反応性スパッタ
エツチングは本質的に微細パターン０影成に適してｉる
。現在各所で上記ト°ライエツチング技術の精力的研究
開発が行われて込る０本発明者達も、微細パターンの形
成を目的として上記ドライエツチング技術の検討を行り
てきた。４１にレジストＫｍ画され九パターンをマスク
として、有機膜上に、金属膜パターンを形成するドライ
エツチング法にりいての詳細な検討を行ってき丸。この
ような手法は、ドライエツチングによって得られた金属
膜を中間マスクとして下層の厚膜の有機膜パターンを得
る！スフパターン変換技術等へ応用することができる。
これまでに検討してきた一実施例を第１図に示す。
（１） Ｓｉクエハー１上に、厚膜（１μｍ以上）のポ
リイミド膜２をスピン塗布し、２５０°Ｃ以上の高温ベ
ーキング処理をする。ポリイミド膜上全面に人！３を１
０００〜２０００人真空蒸着する。ＡＩＪ上に電子線露
光用レジスト、例えばＰＭＭＡをスピン塗布し、電子線
露光によって必要なレジストパターン４を得る。（２）
レジストパターン４をマスクとして９反応性スパッタエ
ツチング（例えば０Ｃ４ガスを用−る）ＫよってＡｌ
３をエツチングして、ポリイミド族をエツチングするた
めの人１の中間マスクパターン５を得る。（３） ＡＩ
パターン５をマスクとして９例えば酸素イオンビームエ
ツチングによって、ポリイミドパターン６を得る。反応
性スバツタエクチング等のト°ライエツチング法によっ
て有機膜上全面に形成された金属膜をエツチングして、
必要な金属の中間マスクを得ることが特徴である。前述
したように、これらのドライエツチング技術は本質的Ｋ
ｉ＆細パターンの形成に適しているから、所望の微細金
属膜パターンを得ることができる。
リイミド膜２をスピン塗布し、２５０°Ｃ以上の高温ベ
ーキング処理をする。ポリイミド膜上全面に人！３を１
０００〜２０００人真空蒸着する。ＡＩＪ上に電子線露
光用レジスト、例えばＰＭＭＡをスピン塗布し、電子線
露光によって必要なレジストパターン４を得る。（２）
レジストパターン４をマスクとして９反応性スパッタエ
ツチング（例えば０Ｃ４ガスを用−る）ＫよってＡｌ
３をエツチングして、ポリイミド族をエツチングするた
めの人１の中間マスクパターン５を得る。（３） ＡＩ
パターン５をマスクとして９例えば酸素イオンビームエ
ツチングによって、ポリイミドパターン６を得る。反応
性スバツタエクチング等のト°ライエツチング法によっ
て有機膜上全面に形成された金属膜をエツチングして、
必要な金属の中間マスクを得ることが特徴である。前述
したように、これらのドライエツチング技術は本質的Ｋ
ｉ＆細パターンの形成に適しているから、所望の微細金
属膜パターンを得ることができる。
ところが、上記のプロセスを検討中に９本発明者達は９
重大な問題点がこのプロセスの中にあることを見出した
。レジストに描画されたパターンをマスクとして９反応
性スパッタエツチングによってＡ１をエツチングすると
ム１の化合物等からなる残さがＡＩパターン部を除ｖｈ
先ウェハー全面に残る。この人１の残さけ、大きさ数ミ
クロン＠度のものから極く微細なものまで様々であり９
点状に散在している。成分としてＡＩを含んでいるため
。
重大な問題点がこのプロセスの中にあることを見出した
。レジストに描画されたパターンをマスクとして９反応
性スパッタエツチングによってＡ１をエツチングすると
ム１の化合物等からなる残さがＡＩパターン部を除ｖｈ
先ウェハー全面に残る。この人１の残さけ、大きさ数ミ
クロン＠度のものから極く微細なものまで様々であり９
点状に散在している。成分としてＡＩを含んでいるため
。
この後のドライエツチングプロセスでポリイミドをエツ
チングすると、Ａｌｏ残さがマスクとして働き、柱状の
形状をしたポリイミドが点在して残る。
チングすると、Ａｌｏ残さがマスクとして働き、柱状の
形状をしたポリイミドが点在して残る。
本来全て取り除かれるべき場所に残るこれらの柱状のポ
リイミドが存在しては、完全なポリイミドパターン６（
第１図）が得られたと言えないことは言うまでもな−。
リイミドが存在しては、完全なポリイミドパターン６（
第１図）が得られたと言えないことは言うまでもな−。
そこで１人１の反応性スパッタエツチングの後に、Ａ１
ｏ残さを除去することが必須となる。ムＩＣ）＠さが除
去できれば上記の柱状のポリイミドは生じないわけであ
る。ＡＩの残さを除去するための方法を種々検討した結
果１通常の光学露光に用いるレジストの剥離液（ＡＺ！
Ｊムーバ−１１１２Ａ）を純水で薄め丸ものが有効であ
ることが分った。鉄溶液中ＩＩＣｔンプルを浸漬して超
音波洗浄を数十秒程度施すと、ＡＩの残さが全て除去さ
れることが分った。ところが、このムＩの残さ処理工程
にお−て９次の重大な問題点が生じた。それはム１のパ
ターンの剥れの問題である。す表わち必要なＡＩのパタ
ーンが剥れてしまい、４ＩＫ１μｍ以下の微細パターン
に＄１−いてこの傾向が強いという結果が得られた。マ
スクパターンを構成するＡＩのパターンが剥れてしまり
ては致命的であり９重大な問題点であると言わざるを得
ない。
ｏ残さを除去することが必須となる。ムＩＣ）＠さが除
去できれば上記の柱状のポリイミドは生じないわけであ
る。ＡＩの残さを除去するための方法を種々検討した結
果１通常の光学露光に用いるレジストの剥離液（ＡＺ！
Ｊムーバ−１１１２Ａ）を純水で薄め丸ものが有効であ
ることが分った。鉄溶液中ＩＩＣｔンプルを浸漬して超
音波洗浄を数十秒程度施すと、ＡＩの残さが全て除去さ
れることが分った。ところが、このムＩの残さ処理工程
にお−て９次の重大な問題点が生じた。それはム１のパ
ターンの剥れの問題である。す表わち必要なＡＩのパタ
ーンが剥れてしまい、４ＩＫ１μｍ以下の微細パターン
に＄１−いてこの傾向が強いという結果が得られた。マ
スクパターンを構成するＡＩのパターンが剥れてしまり
ては致命的であり９重大な問題点であると言わざるを得
ない。
本発明の目的は、中間金属膜マスクパターンの剥れを防
止した本質的に微細パターンの形成に適したドライエツ
チング方法を提供することに＆る。
止した本質的に微細パターンの形成に適したドライエツ
チング方法を提供することに＆る。
本発明によれば、レジストに描画されたパターンをマス
クとして、有機膜上に金属膜パターンを形成するドライ
エツチング方法にお−て、前記有機膜上にあらかじめ多
層構造の前記金属膜を形成して、前記有機膜上の前記金
属膜の少くとも最下層を除いて前記金属膜をト°ライエ
ツチングして。
クとして、有機膜上に金属膜パターンを形成するドライ
エツチング方法にお−て、前記有機膜上にあらかじめ多
層構造の前記金属膜を形成して、前記有機膜上の前記金
属膜の少くとも最下層を除いて前記金属膜をト°ライエ
ツチングして。
前記金属膜のパターンが得られた後に化学溶液地理を施
すことを特徴とするト°ライエツチング方法が得られる
。
すことを特徴とするト°ライエツチング方法が得られる
。
以下本発明について実施例を示す図面を参照して説明す
る。第２図は、一実施例を示すドライエツチング法によ
る有機膜パターン形成プロセスである。 （１１８ｉク
エハー１上に、厚膜（７μｍ以上）のポリイミド膜２を
スピン塗布し、 ２５０’Ｃ以上の高温ベーキング処
理をする。ポリイミド膜上全面／ ＫＣ膜２１（厚さ約５００〜１０００ Ａ位）、ＡＩ膜
２２（厚さ１０００〜２００ＯＡ位）から成る二層膜を
真空蒸着する。ム１１Ｌｈ Ｋ電子線露光用レジスト、
例えばＰＭＭＡをスピン＃Ｉ１１布し、電子線露光によ
って必要なレジストパターン４を得る。（２） レジ
ストパターン４をマスクとして１反応性スパッタエツチ
ング（例えばＣ碕ガスを用−る）ＫよってＡ１２２をエ
ッチターン２３をマスクとして９例えば酸素イオンビー
ムエツチングによって、Ｃ膜、ポリイミド膜をエツチン
グして、ポリイミドパターン６を形成する。新規のプロ
セスに′）ｖｈて詳しく説明する０反応性スパッタエツ
チング等のト°ライエツチング法によって必要な金属膜
の中間マスクを得る際に。
る。第２図は、一実施例を示すドライエツチング法によ
る有機膜パターン形成プロセスである。 （１１８ｉク
エハー１上に、厚膜（７μｍ以上）のポリイミド膜２を
スピン塗布し、 ２５０’Ｃ以上の高温ベーキング処
理をする。ポリイミド膜上全面／ ＫＣ膜２１（厚さ約５００〜１０００ Ａ位）、ＡＩ膜
２２（厚さ１０００〜２００ＯＡ位）から成る二層膜を
真空蒸着する。ム１１Ｌｈ Ｋ電子線露光用レジスト、
例えばＰＭＭＡをスピン＃Ｉ１１布し、電子線露光によ
って必要なレジストパターン４を得る。（２） レジ
ストパターン４をマスクとして１反応性スパッタエツチ
ング（例えばＣ碕ガスを用−る）ＫよってＡ１２２をエ
ッチターン２３をマスクとして９例えば酸素イオンビー
ムエツチングによって、Ｃ膜、ポリイミド膜をエツチン
グして、ポリイミドパターン６を形成する。新規のプロ
セスに′）ｖｈて詳しく説明する０反応性スパッタエツ
チング等のト°ライエツチング法によって必要な金属膜
の中間マスクを得る際に。
厚い有機膜上全面にあらかじめ多層構造の金属膜を形成
することが本発明の特徴である。
することが本発明の特徴である。
例えばＣＧ＋ガスを用いたＡＩの反応性スパッタエツチ
ングによって、ＡＩの中間マスク２３を得る際に、Ｃ膜
は数百人エツチングされるが、未エツチングのＣＪＩＩ
２１が数百Ａ以上ポリイミド膜上全面に残る。このＣｊ
ｌＩ［がＡ１の残さ処理工程における処理溶液に対する
ポリイミド膜の耐性を増強するので、前述の重大な問題
点であるＡＩの剥れを阻止できる。ポリイミド膜は、上
記のようなマスクパターン変換プロセスにおいて非常〈
有用な有機膜であるが、アルカリ溶液に対して耐性が少
−ことが知られている。前述のレジストの剥離液を純水
で薄め九残さ処理溶液もアルカリ性であるが９本残さ処
理液に対するポリイミド膜の耐性を検討した。
ングによって、ＡＩの中間マスク２３を得る際に、Ｃ膜
は数百人エツチングされるが、未エツチングのＣＪＩＩ
２１が数百Ａ以上ポリイミド膜上全面に残る。このＣｊ
ｌＩ［がＡ１の残さ処理工程における処理溶液に対する
ポリイミド膜の耐性を増強するので、前述の重大な問題
点であるＡＩの剥れを阻止できる。ポリイミド膜は、上
記のようなマスクパターン変換プロセスにおいて非常〈
有用な有機膜であるが、アルカリ溶液に対して耐性が少
−ことが知られている。前述のレジストの剥離液を純水
で薄め九残さ処理溶液もアルカリ性であるが９本残さ処
理液に対するポリイミド膜の耐性を検討した。
その結果、ポリイミド膜を残さ処理液に浸漬し超音波洗
浄した場合、ポリイミド膜がかなシの程度に膨潤するこ
とが分った。単に純水に浸漬した場合と比較して数倍以
上の膨潤であった。しかも数十秒程度の浸漬時間でも相
当な膨潤が生じることが分つえ、そこで、ポリイミド膜
の残さ処ｊ！溶液に対するこのような耐性の弱さが、残
さ処理待におけるＡＩの剥れの主原因であろうと考え、
ポリイミド膜を残さ処理溶液に対して直接さらさなｉよ
うＫするためＫＣ膜を新たにポリイミド膜とＡＩ膜との
間に挿入した。Ｃ膜はＡＩの反応性スパッタエツチング
時において、ム１に比べてはるかにエツチング速度が遅
ｖｈＯで、多少のオーバエツチングの状態（通常のエツ
チング条件である）でエツチングを終了しても、十分の
厚さのＣ膜がポリイミド膜上全面に残る。Ｃ膜の効果を
示したのが第３図である。挿入され九〇膜の厚さく対す
るＡＩ の残さ処理工１１におけるＡＩパターンの剥
れの割合を示している０図から、 ４７ＯＡ厚、ある
いは９５ＯＡ厚のＣ膜を挿入し九場合は、全＜ＡＩパタ
ーンの剥れが生じてないことが分る。逆にＣ膜を挿入し
てない場合は、かな〉のムｌパターンの剥れが生じてい
ることが分る。ここで言うＡＩパターンの剥れは。
浄した場合、ポリイミド膜がかなシの程度に膨潤するこ
とが分った。単に純水に浸漬した場合と比較して数倍以
上の膨潤であった。しかも数十秒程度の浸漬時間でも相
当な膨潤が生じることが分つえ、そこで、ポリイミド膜
の残さ処ｊ！溶液に対するこのような耐性の弱さが、残
さ処理待におけるＡＩの剥れの主原因であろうと考え、
ポリイミド膜を残さ処理溶液に対して直接さらさなｉよ
うＫするためＫＣ膜を新たにポリイミド膜とＡＩ膜との
間に挿入した。Ｃ膜はＡＩの反応性スパッタエツチング
時において、ム１に比べてはるかにエツチング速度が遅
ｖｈＯで、多少のオーバエツチングの状態（通常のエツ
チング条件である）でエツチングを終了しても、十分の
厚さのＣ膜がポリイミド膜上全面に残る。Ｃ膜の効果を
示したのが第３図である。挿入され九〇膜の厚さく対す
るＡＩ の残さ処理工１１におけるＡＩパターンの剥
れの割合を示している０図から、 ４７ＯＡ厚、ある
いは９５ＯＡ厚のＣ膜を挿入し九場合は、全＜ＡＩパタ
ーンの剥れが生じてないことが分る。逆にＣ膜を挿入し
てない場合は、かな〉のムｌパターンの剥れが生じてい
ることが分る。ここで言うＡＩパターンの剥れは。
主として１μｍ比下０黴ＪＩＡ１ハターンの剥れのこと
であシ、現象的には、ムｌパターンがポリイミド膜との
接着ｍ（ｐ概トらそｏｔ ｔ ｏｙ＃状で剥れてしまう
事象である。ＡＩパターンの剥れの割合が大きな巾をも
っているのは、観察した多数のチップにおけるＡ１パタ
ーンの剥れが図のような大きなバラツキをもっているこ
とを意味している。図で、Ｃ膜挿入サンプルはＡＩ （
膜厚約１０００人）／Ｃ膜／ポリイミド（膜厚的１．２
μｍ）の構造であり、Ｃ。
であシ、現象的には、ムｌパターンがポリイミド膜との
接着ｍ（ｐ概トらそｏｔ ｔ ｏｙ＃状で剥れてしまう
事象である。ＡＩパターンの剥れの割合が大きな巾をも
っているのは、観察した多数のチップにおけるＡ１パタ
ーンの剥れが図のような大きなバラツキをもっているこ
とを意味している。図で、Ｃ膜挿入サンプルはＡＩ （
膜厚約１０００人）／Ｃ膜／ポリイミド（膜厚的１．２
μｍ）の構造であり、Ｃ。
膜無しのテンプルはこの構造でＣ膜をぬｉた構造である
。ｔた残さ処理溶液としては１通常の光学露光に用いる
レジストの剥離液（ム２リムーバー１１１２Ａ ）を純
水で１：ＩＫ薄めたものを用ｉ、超音波洗浄の時間は１
分であった。１ｓ３図から、Ｃ膜挿入Ｏ効果は非常に明
白でアク、本発明の目的を達成できる。なお、 ＡＩ中
間マスクが形成された後は９例えば酸素イオンミリング
によってＣ膜。
。ｔた残さ処理溶液としては１通常の光学露光に用いる
レジストの剥離液（ム２リムーバー１１１２Ａ ）を純
水で１：ＩＫ薄めたものを用ｉ、超音波洗浄の時間は１
分であった。１ｓ３図から、Ｃ膜挿入Ｏ効果は非常に明
白でアク、本発明の目的を達成できる。なお、 ＡＩ中
間マスクが形成された後は９例えば酸素イオンミリング
によってＣ膜。
ポリイミド膜をエツチングして、ポリイミドパターン６
（第２図）を得ることができる。酸素イオンミリングに
おけるＡ１１１．Ｃ膜、ポリイミド膜のエツチング速度
は、酸素圧力２ Ｘ １０”’Ｔｏｒｒの条件Ｋｌ＞Ｚ
て、４５Ａ／分、７６０Ａ／６．２５００Ａ／＋である
ので、約１０００Ａ位上の膜厚のＡ１マスクで十分Ｃ膜
、ポリイミド膜をエツチングできて所望のポリイミドパ
ターン６を得ることができる。
（第２図）を得ることができる。酸素イオンミリングに
おけるＡ１１１．Ｃ膜、ポリイミド膜のエツチング速度
は、酸素圧力２ Ｘ １０”’Ｔｏｒｒの条件Ｋｌ＞Ｚ
て、４５Ａ／分、７６０Ａ／６．２５００Ａ／＋である
ので、約１０００Ａ位上の膜厚のＡ１マスクで十分Ｃ膜
、ポリイミド膜をエツチングできて所望のポリイミドパ
ターン６を得ることができる。
以上の本発明の説明Ｉｌｃおｉて、中間金属膜としてＡ
ｔを例にとって説明してきたが、 Ｔｉ＊ ＢｂＭへＣ
ｒ尋の弛Ｏ金属膜を使用した場合も本発明の範囲内であ
る。多層構造の例としてはＣ膜、ム１ｍｌの二層構造を
例にとって説明してきたが、 Ｔｉ／Ｃ，８ｉ／Ｃ。
ｔを例にとって説明してきたが、 Ｔｉ＊ ＢｂＭへＣ
ｒ尋の弛Ｏ金属膜を使用した場合も本発明の範囲内であ
る。多層構造の例としてはＣ膜、ム１ｍｌの二層構造を
例にとって説明してきたが、 Ｔｉ／Ｃ，８ｉ／Ｃ。
Ｍｏ／Ｃ，Ｃｒ／Ｃ，ｈるいはムｌ／Ｃｒ、 Ｔｉ／Ｃ
ｒ、 ８ｉ／Ｃｒ。
ｒ、 ８ｉ／Ｃｒ。
Ｍｏ１０ｒ等の二層構造、あるいはＡＩ／Ｃ／Ｃｒ、
Ｔ ｉ／Ｃ／Ｃｒｙ Ｍｏ／Ｃｌ０ｒ、 ８ｉ／Ｃ／Ｃ
ｒ等の三層以上の構造も本発明の目的ｋかなうことがで
き９本発明の範囲内である。ま九ト°ライエツチングと
しては反応性スパッタエツチングを例にとって説明して
きたが。
Ｔ ｉ／Ｃ／Ｃｒｙ Ｍｏ／Ｃｌ０ｒ、 ８ｉ／Ｃ／Ｃ
ｒ等の三層以上の構造も本発明の目的ｋかなうことがで
き９本発明の範囲内である。ま九ト°ライエツチングと
しては反応性スパッタエツチングを例にとって説明して
きたが。
本発明はスパッタエツチング、反応性イオンビームエツ
チング、イオンビームエツチング等のいわゆる異方性エ
ツチングの可能なドライエツチングを適用した場合も本
発明の範囲内である。
チング、イオンビームエツチング等のいわゆる異方性エ
ツチングの可能なドライエツチングを適用した場合も本
発明の範囲内である。
さらに本発明を適用するならば、第一に所望の微細パタ
ーン形成のための堅実確実なドライエツチング技術を得
ることができ、第二に通常ドライエツチング工程におい
て生じることを制し雛い残さを容認したドライエツチン
グ技術を得る仁とができ、第三に超微細パターンの形成
可能なドライエツチング技術を得ることができる。
ーン形成のための堅実確実なドライエツチング技術を得
ることができ、第二に通常ドライエツチング工程におい
て生じることを制し雛い残さを容認したドライエツチン
グ技術を得る仁とができ、第三に超微細パターンの形成
可能なドライエツチング技術を得ることができる。
第１図は従来実施してきたドライエツチング工程を示す
図、第２図は本発明にかかるト°ライエッチング工程を
示す図、！１３図はＣ膜の厚さに対すルＡ１ハターンの
剥れを示した図である。 図にお−て、ｌはＳｉウェハー、２はポリイミド膜、３
は蒸着Ａｔ膜、４は電子ｌＩＩ描画されたレジストパタ
ーン、 ５ハＡＩ中ｆ１４マスクパターン、６はポリイ
ミドパターン、２１は蒸着Ｃ膜、２２は蒸着ＡＩｊ１．
２３はＡＩ中間マスクパターンヲ示ス。 率１図
図、第２図は本発明にかかるト°ライエッチング工程を
示す図、！１３図はＣ膜の厚さに対すルＡ１ハターンの
剥れを示した図である。 図にお−て、ｌはＳｉウェハー、２はポリイミド膜、３
は蒸着Ａｔ膜、４は電子ｌＩＩ描画されたレジストパタ
ーン、 ５ハＡＩ中ｆ１４マスクパターン、６はポリイ
ミドパターン、２１は蒸着Ｃ膜、２２は蒸着ＡＩｊ１．
２３はＡＩ中間マスクパターンヲ示ス。 率１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レジストに１！Ｉ画されたパターンをマスンとして。 有機膜上に金属膜パターンを形成するドライエツチング
方法＜＞ｔｎて、前記有機膜上Ｅｌらかじめ多層構造の
前記金属膜を形成して、前記有機膜上の前記金属膜の少
くとも最下層を除いて前記金属膜をト°ライエツチング
して、前記金属膜のパターンが得られえ後に化学溶液Ｊ
＆塩を施すヒとを特徴とするドライエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21033681A JPS58114433A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21033681A JPS58114433A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114433A true JPS58114433A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16587719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21033681A Pending JPS58114433A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6679997B2 (en) | 1998-08-12 | 2004-01-20 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Organic insulation film formation method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596655A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-23 | Sharp Corp | Method of fabricating semiconductor device |
| JPS55140231A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor element |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21033681A patent/JPS58114433A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596655A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-23 | Sharp Corp | Method of fabricating semiconductor device |
| JPS55140231A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6679997B2 (en) | 1998-08-12 | 2004-01-20 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Organic insulation film formation method |
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