JPS58112152A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPS58112152A
JPS58112152A JP21566281A JP21566281A JPS58112152A JP S58112152 A JPS58112152 A JP S58112152A JP 21566281 A JP21566281 A JP 21566281A JP 21566281 A JP21566281 A JP 21566281A JP S58112152 A JPS58112152 A JP S58112152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ram
output
rom
register
address
Prior art date
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Pending
Application number
JP21566281A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Machida
町田 俊明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP21566281A priority Critical patent/JPS58112152A/ja
Publication of JPS58112152A publication Critical patent/JPS58112152A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/06Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
    • G06F12/0638Combination of memories, e.g. ROM and RAM such as to permit replacement or supplementing of words in one module by words in another module

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は読み出し専用記憶装置(以下ROMと略す)と
ランダムアクセス記憶装置(以下RAMと略す)をチッ
プ上に搭載した半導体集積回路に関する。
近年半導体集積回路技術の発展くよプ1チップの大規模
集積回路(以下LSIと略す)上に演算処理回路とRO
M+RAMのような配憶装置を搭載した1チップマイク
ロコンビ^−夕と呼ばれる情報処理装置が出現した。こ
の1チツプマイクロコンピユータは急速にその集積度を
めげ、より大きなシステムがその上に実現できるように
なった◇従来lチップマイクロコンビエータにおいて。
ROMまたはRAMを搭載する場合第1図に示すように
各々の目的のROM4やRAM7に個別に3.6のアド
レスレジスタや5.9の出力保持レジスタといつ九周辺
制御回路をもつことが行なわれてきた。ところで、am
化技術の進歩により、記憶素子の寸法はますます小さく
な9%その同一バタ/を繰り返して並べるという設計か
ら記憶素子の部分の面積は非常に小さくすることが可能
となりてきた。このため、容量の小さなROMやRAM
では、周辺制御回路の方が記憶素子部の面積より相対的
に大きくなるという現象が現われてき九。
本発明はこのような現象に鑑み几OM、RAMの周辺側
−回路の構成を変更することによシ、よりハードウェア
の量の少ない半導体集積回路を提供することを目的とす
る。
lチップマイクロコンビ為−夕において、演算処理回路
やROM、RAMは内部バスによって結合されており、
演算処理回路とROMとのデータ転送と、演算処理回路
とRAMの間のデータ転送が同時に行なわれることはな
い場合を考えて、第2図に従って本発明の一実施例を説
明する。
内部バス11を介して12のROM、RAM兼用アドレ
スレジスタにアドレスが転送される。
ROM、RAM1lE用アドレスレジスタ12の出力は
13のROMと14のRAMの両方に入力され、両方を
同時にアクセスする。ROM13とRAM14の出力は
、出力を切換える15の切換え回路に入力され、切換え
制御を行なう制御信号16によって、ROM13の出力
かRAM14の出力か切換えられる。切換えられた出力
は出力保持レジスタ17に保持され、内部バス11を介
して転送される。RAMへのデータ入力はRAM入力保
持レジスタ18へ入力され、RAMに入力される。
このように一つのアドレスレジスタの出力をROMとR
AMのアドレスとして使用し、ROMとRAMの出力を
同一の出力保持レジスタで保持することにより、アドレ
スレジスタと出力保持レジスタのハードウェアを減少さ
せる効率的な回路を実現できる。
上記一実施例ではROM、RAMが各々1つの場合とし
て説明したが、これは何ら本発明の構成を制限するもの
ではなく、複数個のROM、RAMをもつ場合にも適用
可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のROM、RAM、およびその周辺回路の
構成例を示すブロック図、第2図は本発明の実施例を示
すブロック図である。 1.2・・・・・・演算処理回路s 2 * 11・・
・・・・内部バス、3・・団・ROMアドレスレジスタ
、4.13・・・・・・ROM、5・・・・・・ROM
出カ出力保持レジスタ6・・・・・・RAMアドレスレ
ジスタ、7.14・・・・・・RAM。 8.18・・・・・・RAM入力保持レジスタ、9・・
・・・・RAM出力保持レジスタ、12・φ・・・・R
OM、RAM兼用アドレスレジスタ、15・・・・・・
切換え回路、16・・・・・・制御信号、17・・・・
・・ROM、RAM兼用出力保持レジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. dみ出し専用記憶装置とランダムアクセス記憶t&瞳を
    もち、読み出し専用記憶装置とランダムアクセス配憶製
    蓋の両方を番地指定するアドレスレジスタと、読み出し
    専用記憶装置とランダムアクセス記憶装置の出力を切換
    える切換え回路と、前記切換え回路を制御する制御信号
    と、前記切換え回路の出力を保持するレジスタを1チツ
    プ上に搭載したことを特徴とする半導体集積回路。
JP21566281A 1981-12-24 1981-12-24 半導体集積回路 Pending JPS58112152A (ja)

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