JPS58107701A - 高周波回路 - Google Patents
高周波回路Info
- Publication number
- JPS58107701A JPS58107701A JP20856581A JP20856581A JPS58107701A JP S58107701 A JPS58107701 A JP S58107701A JP 20856581 A JP20856581 A JP 20856581A JP 20856581 A JP20856581 A JP 20856581A JP S58107701 A JPS58107701 A JP S58107701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitive element
- dielectric
- conductor
- tip
- center conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波回路に関するもので、容量部分のイン
ダクタンス部分への結合及び分離を答易にすることを目
的とする。
ダクタンス部分への結合及び分離を答易にすることを目
的とする。
従来より、高周波回路で用いられる共振器は、小型軽量
化を目的として、高誘電率、低損失の誘電体を用いた捧
波長及びＡ波長同軸形弁振器や、第１図のように一部誘
電体を用いた同軸形共振器が用いられる。第１図の共振
器は、外部導体１と中心導体２との間に誘電体３を加工
して、挿入していたが誘電体３の加工精度のバラツキに
より、誘電体３と中心導体２、外部導体１との間に僅か
な隙間が生じ、共振周波数の変動、耐振性、温度特性が
悪くなるなどの欠点があった。
化を目的として、高誘電率、低損失の誘電体を用いた捧
波長及びＡ波長同軸形弁振器や、第１図のように一部誘
電体を用いた同軸形共振器が用いられる。第１図の共振
器は、外部導体１と中心導体２との間に誘電体３を加工
して、挿入していたが誘電体３の加工精度のバラツキに
より、誘電体３と中心導体２、外部導体１との間に僅か
な隙間が生じ、共振周波数の変動、耐振性、温度特性が
悪くなるなどの欠点があった。
また共振器の構造上、誘電体の寸法バラツキ。
誘電率のバラツキによる、設計値よりの共振周波数ズレ
を修正することができなかった。
を修正することができなかった。
本発明は以上述べたように量産化に適さない構造上の欠
点を解消した高周波回路を提供するものである。
点を解消した高周波回路を提供するものである。
本発明では、誘電体装架型共振器を容量部分とインダク
タンス部分に分離して考え、同軸構造の誘電体の内、外
周面に金属導体を被覆して作成した容量素子をインダク
タンス部分に容易に結合、分離可能な構造としたもので
ある。本発明のように内、外周面を金属導体で被覆した
誘電体容量素子を用いることによシ、従来、誘電体と中
心導体及び外部導体とによる隙間の影響でおこる問題は
なくなり、また誘電体 の寸法バラツキ、誘電率のバラ
ツキによる、設計値よシの共振周波数のズレは、容量素
子を脱着、研磨等によ多素子の厚みをかえることによシ
修正可能になる。
タンス部分に分離して考え、同軸構造の誘電体の内、外
周面に金属導体を被覆して作成した容量素子をインダク
タンス部分に容易に結合、分離可能な構造としたもので
ある。本発明のように内、外周面を金属導体で被覆した
誘電体容量素子を用いることによシ、従来、誘電体と中
心導体及び外部導体とによる隙間の影響でおこる問題は
なくなり、また誘電体 の寸法バラツキ、誘電率のバラ
ツキによる、設計値よシの共振周波数のズレは、容量素
子を脱着、研磨等によ多素子の厚みをかえることによシ
修正可能になる。
以上図面を用いて、本発明の一実施例を説明する。第２
図は本発明の第１の実施例で、中心部分にネジ溝を有す
る容量素子４を、インダクタンス部分である中心導体２
にネジ止めし、結合及び分離可能な構造とした共振器の
例である。本構成の場合容量素子４を容易に脱着して、
共振周波数を修正することが可能である。また構造が簡
単で作りやすく量産性に冨む利点も有する。第３図り容
−Ａ′における断面図である。
図は本発明の第１の実施例で、中心部分にネジ溝を有す
る容量素子４を、インダクタンス部分である中心導体２
にネジ止めし、結合及び分離可能な構造とした共振器の
例である。本構成の場合容量素子４を容易に脱着して、
共振周波数を修正することが可能である。また構造が簡
単で作りやすく量産性に冨む利点も有する。第３図り容
−Ａ′における断面図である。
容量素子４は、高誘電率、低損失の誘電体材料６（例え
ばＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｓｍ２０ｘ系磁器）を同軸型に成
形焼成して、内周、外周両面に金属導体膜８（例えば、
ムクペースト焼付、Ｃｕの無電解メッキ）を形成し、内
周部分にネジ溝を有する金属導体部子を充填した構造を
している。
ばＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｓｍ２０ｘ系磁器）を同軸型に成
形焼成して、内周、外周両面に金属導体膜８（例えば、
ムクペースト焼付、Ｃｕの無電解メッキ）を形成し、内
周部分にネジ溝を有する金属導体部子を充填した構造を
している。
第４図は本発明の第２の実施例を示し、第６図に示すよ
うな、中心部分に孔を有する容量素子４′を、インダク
タンス部分である中心導体２の先端に挿入し、押え板６
を用いて固定し、結合及び分離可能な構造とした共振器
の例である。容量素子４′は第６図に示すように、同軸
型誘電体材料６′の内周面及び外周面に金属導体膜８／
を形成し、内周面の金属導体膜ぎに接するごとく、中央
に孔を有する金属導体部１を充填したものである。この
場合も容易に取シはずしが可能で共振周波数の修正
１が簡単にできる。
うな、中心部分に孔を有する容量素子４′を、インダク
タンス部分である中心導体２の先端に挿入し、押え板６
を用いて固定し、結合及び分離可能な構造とした共振器
の例である。容量素子４′は第６図に示すように、同軸
型誘電体材料６′の内周面及び外周面に金属導体膜８／
を形成し、内周面の金属導体膜ぎに接するごとく、中央
に孔を有する金属導体部１を充填したものである。この
場合も容易に取シはずしが可能で共振周波数の修正
１が簡単にできる。
第６図は本発明の第３の実施例を示すもので、Ａ波長同
軸型空胴共振器の開放端に容量素子４′（第６図に詳細
を示す）を装架し、結合及び分離できる構造とした共振
器である。従来の同軸型突胴共振器に比べ非常に小型化
できる利点がある。
軸型空胴共振器の開放端に容量素子４′（第６図に詳細
を示す）を装架し、結合及び分離できる構造とした共振
器である。従来の同軸型突胴共振器に比べ非常に小型化
できる利点がある。
第７図は本発明の第４の実施例で、帯域通過ν波器の例
である。本例は三つの共振器からなる磁界結合型帯域通
過Ｐ波器で、インダクタンス部分である中心導体２に第
６図で示した容量素子４′を結合及び分離可能に取シつ
けた構造を有するＦ波器である。図で９は入出力端子を
示す。本構成の場合、中心導体２から容量素子４′を容
易に脱着することができ、共振周波数の修正が簡単であ
る。
である。本例は三つの共振器からなる磁界結合型帯域通
過Ｐ波器で、インダクタンス部分である中心導体２に第
６図で示した容量素子４′を結合及び分離可能に取シつ
けた構造を有するＦ波器である。図で９は入出力端子を
示す。本構成の場合、中心導体２から容量素子４′を容
易に脱着することができ、共振周波数の修正が簡単であ
る。
また構造が非常に簡単となシ、量産化にも適する。
第８図は本発明の第６の実施例で、低域通過Ｆ波器の例
である。
である。
第９図はその電気的等価回路である。インダクタンス部
分である中心導体２の線路方向に第３図に示した容量素
子４を装架して結合及び分離可能な構造とした低域通過
Ｆ波器である。以上の様に、本発明では、高周波回路に
おいて、インダクタンス部と低損失の容量素子を簡単に
結合、分離可能な構造を有するため、共振器、沖波器を
簡単に構成でき、誘電体の寸法バラツキ、誘電率のバラ
ツキによる共振周波数のズレを修正することが容易にな
った。また容量素子の容量値を管理しておけば、さらに
設計値に忠実な共振器Ｐ波器をより簡単に量産化できる
。本発明を利用した応用製品も大いに期待できる。
分である中心導体２の線路方向に第３図に示した容量素
子４を装架して結合及び分離可能な構造とした低域通過
Ｆ波器である。以上の様に、本発明では、高周波回路に
おいて、インダクタンス部と低損失の容量素子を簡単に
結合、分離可能な構造を有するため、共振器、沖波器を
簡単に構成でき、誘電体の寸法バラツキ、誘電率のバラ
ツキによる共振周波数のズレを修正することが容易にな
った。また容量素子の容量値を管理しておけば、さらに
設計値に忠実な共振器Ｐ波器をより簡単に量産化できる
。本発明を利用した応用製品も大いに期待できる。
第１図は従来の誘電体装架型共振器を示す断面図、第２
図は本発明の第１の実施例における誘電体装架型共振器
の断面図、第３図は本発明に使用される容量素子を示し
ａが平面図、ｂが断面図である。第４図は本発明の第２
の実施例である誘電体装架型共振器の断面図、第６図は
本発明に使用される容量素子の他の実施例で、ａが平面
図、ｂが断面図である。第６図は本発明の第３の実施例
である両開放端誘電体装架型共振器の断面図、第、１図
は本発明の第４の実施例である磁界結合型帯域通過沖波
器の断面図、第８図は本発明の第６の実施例である低域
通過Ｆ波器の断面図、第９図は第８図のＦ波器の等節回
にある。 １・・・・・・外部導体、２・・・・・・内部導体、３
・・・・・・誘電体、４，４′・・・・・・容量素子、
６・・・・・・押え板、６・・・・・・誘電体、７・・
・・・・金属導体部、８・・・・・・金属導体膜、９・
・・・・・入出力端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２ｖ！Ｉ 第３図 第４図 第５図 （（ｔ） （ｂン ＷＡ６図
図は本発明の第１の実施例における誘電体装架型共振器
の断面図、第３図は本発明に使用される容量素子を示し
ａが平面図、ｂが断面図である。第４図は本発明の第２
の実施例である誘電体装架型共振器の断面図、第６図は
本発明に使用される容量素子の他の実施例で、ａが平面
図、ｂが断面図である。第６図は本発明の第３の実施例
である両開放端誘電体装架型共振器の断面図、第、１図
は本発明の第４の実施例である磁界結合型帯域通過沖波
器の断面図、第８図は本発明の第６の実施例である低域
通過Ｆ波器の断面図、第９図は第８図のＦ波器の等節回
にある。 １・・・・・・外部導体、２・・・・・・内部導体、３
・・・・・・誘電体、４，４′・・・・・・容量素子、
６・・・・・・押え板、６・・・・・・誘電体、７・・
・・・・金属導体部、８・・・・・・金属導体膜、９・
・・・・・入出力端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２ｖ！Ｉ 第３図 第４図 第５図 （（ｔ） （ｂン ＷＡ６図
Claims (3)
- （１）中心導体および外部導体を有する同軸構造の共振
器を少なくとも１個具備し、前記中心導体の先端部に、
誘電体の内周面と外周面に金属体膜を被覆した容量素子
そ着脱可能に装架したことを特徴とする高周波回路。 - （２）容量素子の誘電体の内周面に設けられた金属導体
膜に接して、内部にネジ溝を有する金属導体部を設け、
前記ネジ溝により容量素子を中心導体の先端部に固定し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高周波
回路。 - （３）容量素子の誘電体の内周面に設けられた金属導体
膜に接して、内部に孔を有する金属導体部を設け、前記
孔を貫通した中心導体の先端部に押え叛を設けることに
より、容量素子を中心導体の先端部に固定したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の高周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20856581A JPS58107701A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20856581A JPS58107701A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 高周波回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107701A true JPS58107701A (ja) | 1983-06-27 |
| JPS6159561B2 JPS6159561B2 (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=16558283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20856581A Granted JPS58107701A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107902A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型共振器 |
| JPS60116208A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共振器 |
| EP0324453A2 (en) * | 1988-01-13 | 1989-07-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Distributed-constant filter |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP20856581A patent/JPS58107701A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107902A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型共振器 |
| JPS60116208A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共振器 |
| EP0324453A2 (en) * | 1988-01-13 | 1989-07-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Distributed-constant filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6159561B2 (ja) | 1986-12-17 |
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