JPS581071A - 薄膜蒸着方法 - Google Patents
薄膜蒸着方法Info
- Publication number
- JPS581071A JPS581071A JP9885681A JP9885681A JPS581071A JP S581071 A JPS581071 A JP S581071A JP 9885681 A JP9885681 A JP 9885681A JP 9885681 A JP9885681 A JP 9885681A JP S581071 A JPS581071 A JP S581071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- deposition source
- heater
- heating
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
００発＠は例えば感電印字装置に用い纂＃真を得る場合
に使用して好適な博−ｓＮ方法に関する。
に使用して好適な博−ｓＮ方法に関する。
一般に薄膜を祷る場合、抵抗加畷式蒸着方法が用いられ
ている。この抵抗加熱式の薄膜蒸着方法は、従来、第１
図に示すように、薄膜を蒸着すぺ素基板（図示せず）の
下方に加熱用−一トヒーター１を設け、このメートヒー
タ−１内ＫＡ着しようとする物質即ち蒸着ソース２を配
置する。そして、加熱用電極３，４によｐｚ−トヒータ
−１を通電加熱すると、ｇ２１１に示すようＦＣＪｌｉ
着ソース２は−ｗｌ浴融し、更に加熱すると蒸発を開始
し、基板に蒸着される。
ている。この抵抗加熱式の薄膜蒸着方法は、従来、第１
図に示すように、薄膜を蒸着すぺ素基板（図示せず）の
下方に加熱用−一トヒーター１を設け、このメートヒー
タ−１内ＫＡ着しようとする物質即ち蒸着ソース２を配
置する。そして、加熱用電極３，４によｐｚ−トヒータ
−１を通電加熱すると、ｇ２１１に示すようＦＣＪｌｉ
着ソース２は−ｗｌ浴融し、更に加熱すると蒸発を開始
し、基板に蒸着される。
ところが上記従来の薄膜蒸着方法では、セードヒーター
ｌを使用するので蒸着ソース量が多く、第３図に示すよ
うに？−トヒーター１の置部ム点と側御した蒸着ソース
２０表面部藤点では、熱伝導の関係で七′の温度に差が
生じ、ム点〉３点となる。その結果、メートヒーター１
ｇ部の蒸着ソース２ａが蒸発しようと表面の温度の低い
層を通過する際、央ぶつ現象ｊ奮起し、スｆツ、７．６
が発生する。このスグラ、７．１は、一般的に加熱温度
を下げ＃着速度を下げると、成る程度減少させることが
ｗｉ能であるが、蒸着時間が増大して設備簡力會下げ、
製造コストを上げる仁とにな〉、対策になりｍい。
ｌを使用するので蒸着ソース量が多く、第３図に示すよ
うに？−トヒーター１の置部ム点と側御した蒸着ソース
２０表面部藤点では、熱伝導の関係で七′の温度に差が
生じ、ム点〉３点となる。その結果、メートヒーター１
ｇ部の蒸着ソース２ａが蒸発しようと表面の温度の低い
層を通過する際、央ぶつ現象ｊ奮起し、スｆツ、７．６
が発生する。このスグラ、７．１は、一般的に加熱温度
を下げ＃着速度を下げると、成る程度減少させることが
ｗｉ能であるが、蒸着時間が増大して設備簡力會下げ、
製造コストを上げる仁とにな〉、対策になりｍい。
こＯ発Ｉｓは上記事情に鑑みなされたもので、１清適度
が早（、且つスジラックＪ＆を発生させない薄膜蒸着方
法を提供することを目的とする。
が早（、且つスジラックＪ＆を発生させない薄膜蒸着方
法を提供することを目的とする。
以下、図面を＃照してこ０殆＠〇一実施例を１１１１ｉ
４Ｋｔ１．明する。この発明の薄膜蒸着方法は第４ＩＡ
乃至嬉６図に示すよりに構成されている。
４Ｋｔ１．明する。この発明の薄膜蒸着方法は第４ＩＡ
乃至嬉６図に示すよりに構成されている。
即ち、従来例と同一箇所には同一符号を付すと、先ずＭ
４ＩｉＡに示すように離農を蒸着すべき基板（図示せず
）の下方に加熱用／−）ヒーターｌを設け、とＯ！Ｉ融
用＆−）ヒーター１内に１着しようとする會質っオフ蒸
着ソース２を配置する。更に、こ０蒸宥ンース２上に、
＃着ソーさ、２よりもｊｌｉｌｋＡＯｍい金属中絶繊物
０１１末例えばタンにステン粉末ｙ装置く、この場合、
り／クステン肴末ｒはり／ゲステンｔ−１ｍ’４！［の
大歯さＫｌｉ砕し九もので１７．その大歯さは蒸着ソー
ス量によ〕最適な大きさを求めればよい、このようなタ
ングステン粉末ｙａ、蒸着ソース１０体積量の約２倍の
量ｔＳ着ソース２上に置く訳けである。
４ＩｉＡに示すように離農を蒸着すべき基板（図示せず
）の下方に加熱用／−）ヒーターｌを設け、とＯ！Ｉ融
用＆−）ヒーター１内に１着しようとする會質っオフ蒸
着ソース２を配置する。更に、こ０蒸宥ンース２上に、
＃着ソーさ、２よりもｊｌｉｌｋＡＯｍい金属中絶繊物
０１１末例えばタンにステン粉末ｙ装置く、この場合、
り／クステン肴末ｒはり／ゲステンｔ−１ｍ’４！［の
大歯さＫｌｉ砕し九もので１７．その大歯さは蒸着ソー
ス量によ〕最適な大きさを求めればよい、このようなタ
ングステン粉末ｙａ、蒸着ソース１０体積量の約２倍の
量ｔＳ着ソース２上に置く訳けである。
次に加熱用電＠Ｊ ＃ ４によＩＩが一トヒーター１を
通電加熱すると、１８５図に示すように蒸着ノース２は
Ｓ験し、タングステン粉末ｒの表面にまんべんなく回〉
込む、この際、蒸着ソース２０溶融点は一時的に低下す
るので、未だ蒸発は開始しない０頁に＆−）ヒーター１
を加熱すると、第６１１に示すように蒸着ソース２０蒸
発が始まる。
通電加熱すると、１８５図に示すように蒸着ノース２は
Ｓ験し、タングステン粉末ｒの表面にまんべんなく回〉
込む、この際、蒸着ソース２０溶融点は一時的に低下す
るので、未だ蒸発は開始しない０頁に＆−）ヒーター１
を加熱すると、第６１１に示すように蒸着ソース２０蒸
発が始まる。
この発明の薄膜蒸着方法は上記説明及び図示のように構
成され、蒸着ソース２上に蒸着ノースよ〉も溶融点の高
いタングステン粉末１を置亀％”ｌ’）ヒーター１ｔ−
加熱して蒸着ンー子２をタングステン粉末１間に回プ込
ませ、更に加熱して蒸着ソース２を蒸発させているので
、蒸着速度が早く、且つスグラッＶ、が発生しない。
成され、蒸着ソース２上に蒸着ノースよ〉も溶融点の高
いタングステン粉末１を置亀％”ｌ’）ヒーター１ｔ−
加熱して蒸着ンー子２をタングステン粉末１間に回プ込
ませ、更に加熱して蒸着ソース２を蒸発させているので
、蒸着速度が早く、且つスグラッＶ、が発生しない。
即ち、タングステン粉末１間に回ｐ込んだ蒸着ソース１
が蒸発するので、実質的に表面積が大きくな〉、そＯ結
果蒸発速度が早くなる。又、タングステン１１車１が一
一トヒーター１の中に入りているので、蒸着ノース２が
突ぶつするととなく、タングステン粉末１０嵌面を伝わ
りて表面から蒸発するので、スグラッシ、の発生もなく
、効果的な蒸ｊ１を行なうこと示できる。
が蒸発するので、実質的に表面積が大きくな〉、そＯ結
果蒸発速度が早くなる。又、タングステン１１車１が一
一トヒーター１の中に入りているので、蒸着ノース２が
突ぶつするととなく、タングステン粉末１０嵌面を伝わ
りて表面から蒸発するので、スグラッシ、の発生もなく
、効果的な蒸ｊ１を行なうこと示できる。
以上ｌｌ！明し九ようにこの発明によれば、工業的価値
大なる薄３１４盾方法を提供することができる・
大なる薄３１４盾方法を提供することができる・
第１図乃至第３図は従来の薄膜蒸着方法を示す断面図、
第４図乃至第６図はこの発明〇一実施例に係る薄膜蒸着
方法を示す断面図である。 １・・・加熱用メートヒーター、２・・・蒸着ソース、
Ｊ、４−・・加熱用電極、１・・・タングステン粉末。 出願入代通人 弁塩士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
第４図乃至第６図はこの発明〇一実施例に係る薄膜蒸着
方法を示す断面図である。 １・・・加熱用メートヒーター、２・・・蒸着ソース、
Ｊ、４−・・加熱用電極、１・・・タングステン粉末。 出願入代通人 弁塩士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 加熱用メートヒーター内に蒸着ソースを配置し、前記ヒ
ーターを加熱して蒸着ソースｔ、ｉｋ発さぜ、基板に蒸
着して薄膜【得ゐ薄膜蒸着方法において、 前記蒸着ソース上に咳蒸着ソースよりも溶融点Ｏ＾い全
真中絶縁物の粉ｓｔｅｍ、次いで前記ヒーターを加熱し
て蒸着ソース七前記粉末間に回）込ませ、更に加熱して
蒸着ソースを蒸発させることを特徴とする薄膜蒸着方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9885681A JPS581071A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 薄膜蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9885681A JPS581071A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 薄膜蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581071A true JPS581071A (ja) | 1983-01-06 |
Family
ID=14230870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9885681A Pending JPS581071A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 薄膜蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581071A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1754799A2 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-21 | Agfa-Gevaert | Method for manufacturing of storage phosphor plates. |
| GB2574220A (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-04 | Sumitomo Chemical Co | Thermal and electron-beam PVD deposition of metals |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9885681A patent/JPS581071A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1754799A2 (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-21 | Agfa-Gevaert | Method for manufacturing of storage phosphor plates. |
| EP1754799A3 (en) * | 2005-08-12 | 2008-04-09 | Agfa HealthCare NV | Method for manufacturing of storage phosphor plates. |
| GB2574220A (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-04 | Sumitomo Chemical Co | Thermal and electron-beam PVD deposition of metals |
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