JPS58185767A - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
- Publication number
- JPS58185767A JPS58185767A JP6743182A JP6743182A JPS58185767A JP S58185767 A JPS58185767 A JP S58185767A JP 6743182 A JP6743182 A JP 6743182A JP 6743182 A JP6743182 A JP 6743182A JP S58185767 A JPS58185767 A JP S58185767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- vapor deposition
- magnetic field
- current
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着方法に係り１％に被蒸着物の近傍に蒸着物
質を対向配置し、この蒸着物質に電流を流して蒸着物質
の蒸気を形成し、この蒸着物質の蒸気を被蒸着物に蒸着
させる蒸着方法の改良に関する。
質を対向配置し、この蒸着物質に電流を流して蒸着物質
の蒸気を形成し、この蒸着物質の蒸気を被蒸着物に蒸着
させる蒸着方法の改良に関する。
一般に広く用いられている蒸着方法は、被蒸着物と蒸着
物質とをるつぼ内に収納し、るつは内を１０−８〜１０
−”ｐｏｒｒ程度の真空にし、蒸着物質を加熱蒸発させ
、蒸着物質の対向面に配置した被蒸着物に蒸着物質の蒸
気を付着させるものである。
物質とをるつぼ内に収納し、るつは内を１０−８〜１０
−”ｐｏｒｒ程度の真空にし、蒸着物質を加熱蒸発させ
、蒸着物質の対向面に配置した被蒸着物に蒸着物質の蒸
気を付着させるものである。
しかし、かかるＡ層方法においては、るつぼを用いて蒸
着物質を蒸発させるため高融点物質の蒸着ができず、ま
たるつぼ内を高真空中にしなければならず、Ａ層速健が
遅い等の問題点がある。
着物質を蒸発させるため高融点物質の蒸着ができず、ま
たるつぼ内を高真空中にしなければならず、Ａ層速健が
遅い等の問題点がある。
近時、かかる問題点を解消すべく、第１図に示すように
パルス電流を用いたＡ層方法が提案されている。このパ
ルス電ａを用いた。＃着方法は、アルゴンガス雰囲気中
で、対向配置された一対の蒸着物質３に高ピークパルス
アーク電流を流し、族７ｉ１吻質３を瞬時に金輌蒸気に
し、基板４表面に蒸着する方法である。なお、１は電源
、２はスイッチである。このパルス電流を用いた蒸着方
法を用いれば、上記の問題点ｔ−解消することができる
という特徴を有するが、族７Ｉ物買が蒸発し基板に蒸着
する蒸層普は約３０〜４０％であり、蒸着効率が悪い、
という問題点がある。
パルス電流を用いたＡ層方法が提案されている。このパ
ルス電ａを用いた。＃着方法は、アルゴンガス雰囲気中
で、対向配置された一対の蒸着物質３に高ピークパルス
アーク電流を流し、族７ｉ１吻質３を瞬時に金輌蒸気に
し、基板４表面に蒸着する方法である。なお、１は電源
、２はスイッチである。このパルス電流を用いた蒸着方
法を用いれば、上記の問題点ｔ−解消することができる
という特徴を有するが、族７Ｉ物買が蒸発し基板に蒸着
する蒸層普は約３０〜４０％であり、蒸着効率が悪い、
という問題点がある。
本＠明は、上ｄ己問題点を解消すべくなされたもので、
蒸着効率を向上させた蒸着方法を提供することを目的と
する。
蒸着効率を向上させた蒸着方法を提供することを目的と
する。
上記目的を達成するために本発明の構成は、被蒸着物の
近傍に対向配置した蒸着物質を配置し、この蒸着物質に
電流を流して蒸着物質の蒸気を形成し、この蒸着物質の
蒸気を被蒸着物に蒸着させる蒸着方法において、蒸着物
質の蒸気に電流が流れている状態でかつ被蒸着物の方向
に力が働くように蒸着物質の蒸気に磁界をかけるように
したものである。この結果、磁界により蒸着物質の蒸気
が被蒸着物方向に強性的に移動され、蒸着効率が向上す
る。本発明が適用される蒸着方法としては、一対の蒸着
物質を対向配置してこの蒸着物質問に間ビークパルスア
ーク電流を流す鍋ピークパルスアークメタライズ法や、
蒸着物質問に高電流を流し抵抗加熱により蒸着物質を蒸
気にして蒸着する方法がある。
近傍に対向配置した蒸着物質を配置し、この蒸着物質に
電流を流して蒸着物質の蒸気を形成し、この蒸着物質の
蒸気を被蒸着物に蒸着させる蒸着方法において、蒸着物
質の蒸気に電流が流れている状態でかつ被蒸着物の方向
に力が働くように蒸着物質の蒸気に磁界をかけるように
したものである。この結果、磁界により蒸着物質の蒸気
が被蒸着物方向に強性的に移動され、蒸着効率が向上す
る。本発明が適用される蒸着方法としては、一対の蒸着
物質を対向配置してこの蒸着物質問に間ビークパルスア
ーク電流を流す鍋ピークパルスアークメタライズ法や、
蒸着物質問に高電流を流し抵抗加熱により蒸着物質を蒸
気にして蒸着する方法がある。
次に本発明の原理を第２図を用いて説明する。
強さＨＣＡＴ／ｍ）の平等磁界に垂直に長さ！〔ｍ〕の
真直な導体を配置し、この導体に強さ、Ｉ ［Ａ ］の
電流を流すと、導体に加わる力Ｆは、フレミングの左手
の法則に従って次の１１１式で表わされる。
真直な導体を配置し、この導体に強さ、Ｉ ［Ａ ］の
電流を流すと、導体に加わる力Ｆは、フレミングの左手
の法則に従って次の１１１式で表わされる。
すなわち、導体に加わる力Ｆは、磁界の強さＨ９電流の
１さＩ、導体の幾さ！の積に比例する。本発明は、アー
クが導体であることに着目して上記の法則を利用したも
のである。
１さＩ、導体の幾さ！の積に比例する。本発明は、アー
クが導体であることに着目して上記の法則を利用したも
のである。
ところで、尚ビークパルスアークメタライズ方法におい
て、磁界と尚ピークパルスアーク電流とのタイミングを
調べたところ、このタイミングが蒸着効率に大きく１書
していることが確認された。
て、磁界と尚ピークパルスアーク電流とのタイミングを
調べたところ、このタイミングが蒸着効率に大きく１書
していることが確認された。
すなわち、第３図（ａ）に示すように、所定強さの磁界
５ｒＡｍ吻貿にかけた状態で蘭ピークパルスアーク電流
を流した場合には、磁力により蒸着物質３が変形してし
まい、Ａ漬吻實が充分金属蒸気にならないうちにアーク
が消滅してしまうという現象が軸虻された。そこで、第
３図（ｂ）に示すように高ピークパルスアーク（ｍを流
してアークを発生させた後に、所寛時閣遅らせてパルス
状の磁界をかけたところ、光分る金稿蒸気が得られるこ
とが確認された。従って、尚ビークパルスアークメタラ
イズ方法においては、簡ピークパルスアーク電流を蒲し
て所定時間経過後にパルス磁界を与えるのが好筐しい。
５ｒＡｍ吻貿にかけた状態で蘭ピークパルスアーク電流
を流した場合には、磁力により蒸着物質３が変形してし
まい、Ａ漬吻實が充分金属蒸気にならないうちにアーク
が消滅してしまうという現象が軸虻された。そこで、第
３図（ｂ）に示すように高ピークパルスアーク（ｍを流
してアークを発生させた後に、所寛時閣遅らせてパルス
状の磁界をかけたところ、光分る金稿蒸気が得られるこ
とが確認された。従って、尚ビークパルスアークメタラ
イズ方法においては、簡ピークパルスアーク電流を蒲し
て所定時間経過後にパルス磁界を与えるのが好筐しい。
また、高電流を流し抵抗加熱により蒸着する方法におい
ても、パルス磁界を遅延させて与えることによ妙、高ピ
ークパルスアークメタライズ方法と同様の効果が得られ
ることが確認された。
ても、パルス磁界を遅延させて与えることによ妙、高ピ
ークパルスアークメタライズ方法と同様の効果が得られ
ることが確認された。
第４図に本発明を実施するための装置を示す。
この装置は、基板４の近傍に対向配置され九一対の電極
３ａを配置しており、この電極３ａのそれぞれに蒸着物
質３が挾持されている。また、基板４の近傍には電極３
ａを挾むように対向配置された一対の１１４ａコイル５
が配置されている。
３ａを配置しており、この電極３ａのそれぞれに蒸着物
質３が挾持されている。また、基板４の近傍には電極３
ａを挾むように対向配置された一対の１１４ａコイル５
が配置されている。
電極３ａは、それぞれ蒸着電流発生用電源部６に接続さ
れている。また電磁コイル５は、それぞれ磁界発生用′
電源部７に接続されている。蒸看電流発生用′ｖＩＬ源
部６と磁界発生用電源部７とはほぼ同様の構成で、双方
向性サイリスタ６ａ、７ａ。
れている。また電磁コイル５は、それぞれ磁界発生用′
電源部７に接続されている。蒸看電流発生用′ｖＩＬ源
部６と磁界発生用電源部７とはほぼ同様の構成で、双方
向性サイリスタ６ａ、７ａ。
トランス６ｂ、７ｂ、ダイオード６ｃ、７ｃ、コンデン
サ５ｄ、７ｄおよびサイリスタ６ｅ、７ｅを組んで構成
されている。双方向性サイリスタ６ａ、７ｇのゲートお
よびサイリスタ６ｅ、７ｅのゲートは、制御部８に接続
されている。制御部８には、ポテンショメータ８ａ、８
ｂ、ｆ３ｃ、およびスイッチ８ｄが設けられている。こ
の制御部８＃ｉ、簡ビークパルスアーク電流（電圧）お
よびパルス磁界を制（財）するための位相点弧回路、パ
ルス磁界を高ピークパルスアーク電流Ｌ流よす遅延δせ
て発生させるための遅延回路を冨んで構成されている。
サ５ｄ、７ｄおよびサイリスタ６ｅ、７ｅを組んで構成
されている。双方向性サイリスタ６ａ、７ｇのゲートお
よびサイリスタ６ｅ、７ｅのゲートは、制御部８に接続
されている。制御部８には、ポテンショメータ８ａ、８
ｂ、ｆ３ｃ、およびスイッチ８ｄが設けられている。こ
の制御部８＃ｉ、簡ビークパルスアーク電流（電圧）お
よびパルス磁界を制（財）するための位相点弧回路、パ
ルス磁界を高ピークパルスアーク電流Ｌ流よす遅延δせ
て発生させるための遅延回路を冨んで構成されている。
また、ボテンンヨメータｓａ、ｓｂｕ、双方向性サイリ
スタ６ａ、７ａの点弧位相を変化させてコンデンサ５ｄ
、７ｄの光′峨亀圧を調整するものであり、ポテンショ
メータ８ｃは、高ピークパルスアーク電流とパルス磁界
との遅延時間を調整するものである。動作は、スイッチ
８ｄをオンさせることによりサイリスタ６ｅがオンし、
高ピークパルスアーク電流が発生し、ポテンショメータ
８Ｃで設定した時間遅蝙してサイリスタ７ｅがオンし、
コンデンサ７ｄに光電された１ｔ＃が電磁コイル５に供
給されパルス磁界が発生する。この結果、フレミングの
左手の法則に従って蒸着物員の蒸気に基板４方向の磁力
が発生し、蒸着物質の蒸気が基板４方向に偏向される。
スタ６ａ、７ａの点弧位相を変化させてコンデンサ５ｄ
、７ｄの光′峨亀圧を調整するものであり、ポテンショ
メータ８ｃは、高ピークパルスアーク電流とパルス磁界
との遅延時間を調整するものである。動作は、スイッチ
８ｄをオンさせることによりサイリスタ６ｅがオンし、
高ピークパルスアーク電流が発生し、ポテンショメータ
８Ｃで設定した時間遅蝙してサイリスタ７ｅがオンし、
コンデンサ７ｄに光電された１ｔ＃が電磁コイル５に供
給されパルス磁界が発生する。この結果、フレミングの
左手の法則に従って蒸着物員の蒸気に基板４方向の磁力
が発生し、蒸着物質の蒸気が基板４方向に偏向される。
次に、上記装置１を使用した本発明の実施例について説
明する。この実施例は、アルミナ系セラミックにモリブ
デンを蒸着したものである。蒸着条件は、蒸着物質とし
て径０．８−のモリブデンワイヤを用い、尚ピークパル
スアーク電流発生用コンデンサ６ｄの容量を１０００μ
Ｆ、放電電圧２５００Ｖとし、パルス磁界用コンデンサ
７ｄの容量を５０００μＦ１放電電圧３０Ｖとし、遅延
時間を１０μｓで行ったものである。蒸着効率は、６０
〜８０％となり、従来の高ピークパルスアークメタライ
ズ方法より２〜？−５倍の蒸着が得られた。
明する。この実施例は、アルミナ系セラミックにモリブ
デンを蒸着したものである。蒸着条件は、蒸着物質とし
て径０．８−のモリブデンワイヤを用い、尚ピークパル
スアーク電流発生用コンデンサ６ｄの容量を１０００μ
Ｆ、放電電圧２５００Ｖとし、パルス磁界用コンデンサ
７ｄの容量を５０００μＦ１放電電圧３０Ｖとし、遅延
時間を１０μｓで行ったものである。蒸着効率は、６０
〜８０％となり、従来の高ピークパルスアークメタライ
ズ方法より２〜？−５倍の蒸着が得られた。
なお、蒸着膜の厚さおよび蒸着範囲は、パルス磁界の強
さまたは遅延時間を変化させることにより任意に変更す
ることができる。
さまたは遅延時間を変化させることにより任意に変更す
ることができる。
以上説明したように本発明によれば、蒸着効率を同上さ
せることができる。という優れた効果が得られる。
せることができる。という優れた効果が得られる。
第１図は、高ピークパルスアークメタライズ方法の原理
を説明するための説明図、第２図は、本発明の詳細な説
明するための説明図、第３図（Ｍ）および第３図（ｂ）
は、高ピークパルスアーク電流と磁界とのタイミングの
変化による蒸着状態の変化を示す線図、第４図は１本発
明を実施するための装置である。 ３・・・蒸着物質、４・・・基板、５・・・電磁コイル
。 ￥ １図 （ Ｉ２図 第３図（ｃＬ） 琴３［８（ｂ）
を説明するための説明図、第２図は、本発明の詳細な説
明するための説明図、第３図（Ｍ）および第３図（ｂ）
は、高ピークパルスアーク電流と磁界とのタイミングの
変化による蒸着状態の変化を示す線図、第４図は１本発
明を実施するための装置である。 ３・・・蒸着物質、４・・・基板、５・・・電磁コイル
。 ￥ １図 （ Ｉ２図 第３図（ｃＬ） 琴３［８（ｂ）
Claims (1)
- １、被蒸着物の近傍に対向配置した蒸着物質を配置し、
前記蒸着物質に電流を流して蒸着物質の蒸気を形成し、
前記蒸着物質の蒸気を前記被蒸着物に蒸着させる蒸着方
法において、前記蒸着物質の蒸気に電流が流れている状
態でかつ前記被蒸着物の方向に力が働くように該蒸着物
質の蒸気に磁界をかけたことを特徴とする蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6743182A JPS58185767A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6743182A JPS58185767A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185767A true JPS58185767A (ja) | 1983-10-29 |
Family
ID=13344712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6743182A Pending JPS58185767A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185767A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004039723A1 (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | カーボンナノチューブの製造装置および製造方法 |
| US6902655B2 (en) | 2001-06-01 | 2005-06-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Producing apparatus and producing method for manufacturing carbon structure |
| JP2014077201A (ja) * | 2006-10-10 | 2014-05-01 | Oerlikon Trading Truebbach | 少なくとも１つの複酸化物混合結晶皮膜を有する皮膜システム |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP6743182A patent/JPS58185767A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6902655B2 (en) | 2001-06-01 | 2005-06-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Producing apparatus and producing method for manufacturing carbon structure |
| US7578980B2 (en) | 2001-06-01 | 2009-08-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Producing apparatus and producing method for manufacturing carbon structure |
| WO2004039723A1 (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | カーボンナノチューブの製造装置および製造方法 |
| JPWO2004039723A1 (ja) * | 2002-10-30 | 2006-02-23 | 富士ゼロックス株式会社 | カーボンナノチューブの製造装置および製造方法 |
| CN1305760C (zh) * | 2002-10-30 | 2007-03-21 | 富士施乐株式会社 | 碳纳米管的制造设备和方法 |
| US7364709B2 (en) | 2002-10-30 | 2008-04-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Manufacturing apparatus and method for carbon nanotube |
| JP2014077201A (ja) * | 2006-10-10 | 2014-05-01 | Oerlikon Trading Truebbach | 少なくとも１つの複酸化物混合結晶皮膜を有する皮膜システム |
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