JPS59190357A - 過飽和電子型イオンプレ−テイング法 - Google Patents
過飽和電子型イオンプレ−テイング法Info
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- JPS59190357A JPS59190357A JP6320983A JP6320983A JPS59190357A JP S59190357 A JPS59190357 A JP S59190357A JP 6320983 A JP6320983 A JP 6320983A JP 6320983 A JP6320983 A JP 6320983A JP S59190357 A JPS59190357 A JP S59190357A
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- Japan
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- metal
- electron
- workpiece
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属電極の周囲に電子が過剰な状態を作り、
この金属電極に化合物を作る多種類のイオンが到達した
時に、多種類のイオンの共有結合する確率が高いことを
利用した過飽和電子型イオンブレーティング法に関する
ものである。
この金属電極に化合物を作る多種類のイオンが到達した
時に、多種類のイオンの共有結合する確率が高いことを
利用した過飽和電子型イオンブレーティング法に関する
ものである。
一般に、金属間化合物やセラミックなどの化合物は、２
種類以上の原子が密着して互いの外植電子が共有結合し
ているものと考えられる。ここで、溶融している金属の
中では沢山の電子が存在するので、簡単に化合物を作る
が、真空中では、原子と電子がそれぞればらばらに存在
するため、原子がイオン状態で接近して密着しても、電
子が不足している場合には化合物を作る確率が低く、ま
た金属は電気的には電子が過不足ない状態にあるため、
中性であり、また金Ｂ電極にイオンを集めるために、こ
の金属電子に負の電圧を加えた場合でも、電極の表面で
は電子は過不足ない場態になっているものと考えられ、
その電極にイオンが到達すると、負の電圧を加えた電極
より電子が供給され、その電子によって共有結合ができ
て、合金ができると判断されている。
種類以上の原子が密着して互いの外植電子が共有結合し
ているものと考えられる。ここで、溶融している金属の
中では沢山の電子が存在するので、簡単に化合物を作る
が、真空中では、原子と電子がそれぞればらばらに存在
するため、原子がイオン状態で接近して密着しても、電
子が不足している場合には化合物を作る確率が低く、ま
た金属は電気的には電子が過不足ない状態にあるため、
中性であり、また金Ｂ電極にイオンを集めるために、こ
の金属電子に負の電圧を加えた場合でも、電極の表面で
は電子は過不足ない場態になっているものと考えられ、
その電極にイオンが到達すると、負の電圧を加えた電極
より電子が供給され、その電子によって共有結合ができ
て、合金ができると判断されている。
従って、従来のイオンブレーティング法では、電極の形
、蒸発金属の温度や蒸発の方法、イオンの作り方、原子
の温度を上昇させる励起法（高周波法）などが研究開発
されてきたが、イオンとイオンが結合するだめの条件に
ついては詳細な実験研究は行なわれておらず、未知のも
のであった。
、蒸発金属の温度や蒸発の方法、イオンの作り方、原子
の温度を上昇させる励起法（高周波法）などが研究開発
されてきたが、イオンとイオンが結合するだめの条件に
ついては詳細な実験研究は行なわれておらず、未知のも
のであった。
本発明は、上記の点を考慮して電極基板にダイオードを
接続して電極基板から電子が流れないようにし、水冷ル
ツボに第１の電子銃で発生した電子を照射するとともに
、第２の電子銃で発生した電子を電極基板に照射して、
この電極基板の周囲に電子が過剰な状態を作り出し、そ
こに化合物を作る多種類のイオンを到達させることによ
って、共有結合をさせる確率を高くすることを特徴とし
、その目的は真空中でも金属間化合物またはセラミック
などの化合物ができ易い過飽和電子型イオンブレーティ
ング法を提供するものである。以下、図面により本発明
の実施例を詳細に説明する。
接続して電極基板から電子が流れないようにし、水冷ル
ツボに第１の電子銃で発生した電子を照射するとともに
、第２の電子銃で発生した電子を電極基板に照射して、
この電極基板の周囲に電子が過剰な状態を作り出し、そ
こに化合物を作る多種類のイオンを到達させることによ
って、共有結合をさせる確率を高くすることを特徴とし
、その目的は真空中でも金属間化合物またはセラミック
などの化合物ができ易い過飽和電子型イオンブレーティ
ング法を提供するものである。以下、図面により本発明
の実施例を詳細に説明する。
まず、木発明者は、一般のイオンブレーティング法にお
いて、非常によいイオンブレーティングが施されている
部分は電子が過剰な状態の所であり、化合物が４１“ら
れる電極基板よりも、電子が沢山集まる部分に非常に良
いイオンブレーティングができていることを実験により
確かめた。例えば、電子銃から発射された電子流を磁界
で偏向して水冷ルツボに入れた蒸発金属に照射するよう
にした磁場偏向型電子ビーム炉においても、拘束された
電子が集まる部分において非常に良いイオンブレーティ
ングがでさていることが確認された。従って、本発明は
この良いイオンブレーティングができる状態を真空槽の
中の被加工物である基板ｆ！極の周囲に作ることによっ
て、良い製品を作ることを特徴とするものである。
いて、非常によいイオンブレーティングが施されている
部分は電子が過剰な状態の所であり、化合物が４１“ら
れる電極基板よりも、電子が沢山集まる部分に非常に良
いイオンブレーティングができていることを実験により
確かめた。例えば、電子銃から発射された電子流を磁界
で偏向して水冷ルツボに入れた蒸発金属に照射するよう
にした磁場偏向型電子ビーム炉においても、拘束された
電子が集まる部分において非常に良いイオンブレーティ
ングがでさていることが確認された。従って、本発明は
この良いイオンブレーティングができる状態を真空槽の
中の被加工物である基板ｆ！極の周囲に作ることによっ
て、良い製品を作ることを特徴とするものである。
第１図は、本発明の方法を実施するための溝成図を示し
たもので、１は水冷ルツボであり、この水冷ルツボ］の
上に合金となる金属２が入れられ、この水冷ルツボ１は
直流電源３の正側に接続さ九ている。４は磁場型電子銃
からなる第１の電子銃であり、この第１の電子銃４で発
生した電子は第１の電子＠４の照射口の斜め上方に設け
られた外部磁場５で偏向されて金属２に照射される。６
は電極基板であり、この電極基板６に被加工物７が取り
付けられ、また電極基板６はダイオード８のアノードが
接続され、このダイオード８のカソードは直流電源３の
負側に接続されている。９は静電型電子銃からなる第２
の電子銃であり、この第２の電子銃９で発生した電子は
被加工物７に照射される。なお、直流電源３及びダイオ
ード８以外は真空槽１０内に設けられている。
たもので、１は水冷ルツボであり、この水冷ルツボ］の
上に合金となる金属２が入れられ、この水冷ルツボ１は
直流電源３の正側に接続さ九ている。４は磁場型電子銃
からなる第１の電子銃であり、この第１の電子銃４で発
生した電子は第１の電子＠４の照射口の斜め上方に設け
られた外部磁場５で偏向されて金属２に照射される。６
は電極基板であり、この電極基板６に被加工物７が取り
付けられ、また電極基板６はダイオード８のアノードが
接続され、このダイオード８のカソードは直流電源３の
負側に接続されている。９は静電型電子銃からなる第２
の電子銃であり、この第２の電子銃９で発生した電子は
被加工物７に照射される。なお、直流電源３及びダイオ
ード８以外は真空槽１０内に設けられている。
次に、木実前例の動作を説明する。まず、第１の電子＠
４から発生した電子は磁＠５によって偏向され、水冷ル
ツボｌ上の金属２に照射されると、金属２は溶解して蒸
発するとともにイオン化される。ここで、金属２が蒸発
するときに２次電子が発生するが、この２次電子は外部
磁場５のために偏向され、電極基板６の被加工物７には
到達しない。従って、金属２が蒸発して被加工物７に到
達し、また真空槽内の金属２と化合物を作る気体が第１
の電子銃４からの電子でイオン化されて被加工物７に到
達しても、化合物はでき難いという欠点がある。
４から発生した電子は磁＠５によって偏向され、水冷ル
ツボｌ上の金属２に照射されると、金属２は溶解して蒸
発するとともにイオン化される。ここで、金属２が蒸発
するときに２次電子が発生するが、この２次電子は外部
磁場５のために偏向され、電極基板６の被加工物７には
到達しない。従って、金属２が蒸発して被加工物７に到
達し、また真空槽内の金属２と化合物を作る気体が第１
の電子銃４からの電子でイオン化されて被加工物７に到
達しても、化合物はでき難いという欠点がある。
そこで、本発明では、第２の電子銃９を設け、この第２
の電子銃９で発生した電子を被加工物７に照射する。こ
こで、電極基板６の被加工物７に照射された電子はダイ
オード８のために直流電源３に流れないので、電極基板
６及び被加工物７の周囲は電子が過飽和の状態になる。
の電子銃９で発生した電子を被加工物７に照射する。こ
こで、電極基板６の被加工物７に照射された電子はダイ
オード８のために直流電源３に流れないので、電極基板
６及び被加工物７の周囲は電子が過飽和の状態になる。
このように被加工物７に電子が照射されると、被加工物
７は焼鈍温度近くまで昇温されるので、被加工物７の表
面が真空中でクリーニングされ、また表面が活性化され
るため、電子が過飽和の状態の中で、蒸発してくる金属
または金属イオンが反応ガスイオンと反応し、被加工物
７全体の組織を変更することなく、被加工物７の表面に
非常に硬度の高い化合物、セラミックまたは合金が作ら
れ、非常に密着性の良いイオンブレーティングを行なう
ことができる。また、第２の電子銃９から電子を照射し
た部分に良いイオンブレーティングが施されるので、被
加工物の所望の部分のイオンブレーティングも可能であ
る。
７は焼鈍温度近くまで昇温されるので、被加工物７の表
面が真空中でクリーニングされ、また表面が活性化され
るため、電子が過飽和の状態の中で、蒸発してくる金属
または金属イオンが反応ガスイオンと反応し、被加工物
７全体の組織を変更することなく、被加工物７の表面に
非常に硬度の高い化合物、セラミックまたは合金が作ら
れ、非常に密着性の良いイオンブレーティングを行なう
ことができる。また、第２の電子銃９から電子を照射し
た部分に良いイオンブレーティングが施されるので、被
加工物の所望の部分のイオンブレーティングも可能であ
る。
なお、第２の電子＠９から被加工物７に照射される電子
は、この第２の電子銃９のフィラメントとアノード間の
電圧（５０００Ｖ）まで加速されるが、電極基板６は負
の電圧（２０００Ｖ）がかかっているので、この負の電
圧以下の電子は電極基板６に到達しないが、これは何の
支障もきたすものではなく、到達しなかった電子は反応
ガスや蒸発金属のイオン化に役立っているものである。
は、この第２の電子銃９のフィラメントとアノード間の
電圧（５０００Ｖ）まで加速されるが、電極基板６は負
の電圧（２０００Ｖ）がかかっているので、この負の電
圧以下の電子は電極基板６に到達しないが、これは何の
支障もきたすものではなく、到達しなかった電子は反応
ガスや蒸発金属のイオン化に役立っているものである。
第２図は、本発明の方法を実施するための構成図を示し
たもので、１は水冷ルツボ、２は化合させる金属、３は
直流電源、４は第１の電子銃、６は電極基板、７は被加
工物、８はダイオード、■０は真空槽であり、これらの
構成は前述の実施例と同じであるので、説明は省略する
。１１は制御装厘、１２は測定電極、１３は電流検出器
、１４はプラズマ発生装置、１５はプラズマ電子銃、１
６はプラズマ用電源、１７は反応ガス供給口、１８はプ
ラズマ引き出し電極、１９はコイル電極である。
たもので、１は水冷ルツボ、２は化合させる金属、３は
直流電源、４は第１の電子銃、６は電極基板、７は被加
工物、８はダイオード、■０は真空槽であり、これらの
構成は前述の実施例と同じであるので、説明は省略する
。１１は制御装厘、１２は測定電極、１３は電流検出器
、１４はプラズマ発生装置、１５はプラズマ電子銃、１
６はプラズマ用電源、１７は反応ガス供給口、１８はプ
ラズマ引き出し電極、１９はコイル電極である。
次に、本実施例の動作を説明する。まず、プラズマ発生
装Ｗ ｉ ４から反応ガスのプラズマ（＋イオンと−イ
オンが同数浮遊している状態）を発生するために、反応
ガス供給口１７から金属２と化合する反応ガスを供給す
ると、反応ガスはプラズマ電子銃１５プラズマ状態とな
り、プラズマ引き出し電極１８で引き出され、コイル電
極１９で集 １束されて被加工物７に照射
される。このプラズマを被加工物７に照射することは、
前述の実施例において第２の電子銃９から被加工物７に
電子を照射するのと同じ状態になる。
装Ｗ ｉ ４から反応ガスのプラズマ（＋イオンと−イ
オンが同数浮遊している状態）を発生するために、反応
ガス供給口１７から金属２と化合する反応ガスを供給す
ると、反応ガスはプラズマ電子銃１５プラズマ状態とな
り、プラズマ引き出し電極１８で引き出され、コイル電
極１９で集 １束されて被加工物７に照射
される。このプラズマを被加工物７に照射することは、
前述の実施例において第２の電子銃９から被加工物７に
電子を照射するのと同じ状態になる。
一方、第１の電子銃４は静電型電子銃であり、この第１
の電子銃４で発生した電子が金属２に照射されると、金
属２は蒸発するとともにイオン化さ２する。このイオン
化速度は測定電極１２で検出され、この測定電極１２に
流れる電流は電流検出器１３で検出され、その検出信号
によって制御装Ｍ】１は第１の電子銃４に供給する電流
を制御する。
の電子銃４で発生した電子が金属２に照射されると、金
属２は蒸発するとともにイオン化さ２する。このイオン
化速度は測定電極１２で検出され、この測定電極１２に
流れる電流は電流検出器１３で検出され、その検出信号
によって制御装Ｍ】１は第１の電子銃４に供給する電流
を制御する。
このように構成した本実施例においても、前述の実施例
の第２の電子銃９と同もηに、プラズマ発生装置１４で
発生したプラズマを被加工物７に照射することによって
、基板電極６及び被加工物７の周囲に電子の過飽和の状
態を作り、水冷ルツボ１より発生した金属２のイオンと
プラズマ発生装置１４で発生した反応ガスイオンとが共
有結合し、被加工物７の表面に非常に硬い化合物の膜を
作ることができる。
の第２の電子銃９と同もηに、プラズマ発生装置１４で
発生したプラズマを被加工物７に照射することによって
、基板電極６及び被加工物７の周囲に電子の過飽和の状
態を作り、水冷ルツボ１より発生した金属２のイオンと
プラズマ発生装置１４で発生した反応ガスイオンとが共
有結合し、被加工物７の表面に非常に硬い化合物の膜を
作ることができる。
なお、上記実施例の説明では、基板電極６及び被加工物
７の周囲に過飽和の電子がある所に反応ガス、イオン及
び金属イオンを送り込んで被加工物７の表面に化合物を
作る説明をしたが、こればかりでなく、被加工物が金属
の場合には、この金属の表面に多くの電子を送り込むと
、電子ビームによって被加工物の表面が加熱されて高温
になり、従って被加工物の表面に吸着しているガスの一
部は金属と反応して化合物を作る（更に高温にすると蒸
発する）が、その時にチタンＴｉのように化合物を作り
易い金属を少し蒸着し、次に前述のイオンブレーティン
グを行なえば、被加工物の表面に更に硬い膜ができる。
７の周囲に過飽和の電子がある所に反応ガス、イオン及
び金属イオンを送り込んで被加工物７の表面に化合物を
作る説明をしたが、こればかりでなく、被加工物が金属
の場合には、この金属の表面に多くの電子を送り込むと
、電子ビームによって被加工物の表面が加熱されて高温
になり、従って被加工物の表面に吸着しているガスの一
部は金属と反応して化合物を作る（更に高温にすると蒸
発する）が、その時にチタンＴｉのように化合物を作り
易い金属を少し蒸着し、次に前述のイオンブレーティン
グを行なえば、被加工物の表面に更に硬い膜ができる。
また前述の実施例では、第１の電子銃１１として電磁型
の電子銃を使用した例を説明したが、静電型の電子銃で
も同様に使用できることはいうまでもない。更に、本発
明者が提案したイオンブレーティング装置（特願昭５７
−１５１８９２号参照）においても、本発明の方法のよ
うに被加工物を照射する第２の電子銃を設けることがで
きることはいうまでもない。
の電子銃を使用した例を説明したが、静電型の電子銃で
も同様に使用できることはいうまでもない。更に、本発
明者が提案したイオンブレーティング装置（特願昭５７
−１５１８９２号参照）においても、本発明の方法のよ
うに被加工物を照射する第２の電子銃を設けることがで
きることはいうまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、第２の電子銃及
びプラズマ発生装置によって被加工物の周囲に電子の過
飽和状態を作り、この状態において金属イオン及び反応
ガスイオンを送り込むことにより被加工物の表面に非常
に良いイオンブレーティングを行なうことができる。
びプラズマ発生装置によって被加工物の周囲に電子の過
飽和状態を作り、この状態において金属イオン及び反応
ガスイオンを送り込むことにより被加工物の表面に非常
に良いイオンブレーティングを行なうことができる。
第１図は本発明の方法を実施するための借成図。
第２図は本発明の他の方法を実施するための栴成図であ
るわ ■・・・水冷ルツボ、２・・・金属、３・・・直流電源
、４・・・第１の電極焼、５・・・外部磁場、６・・・
基板電極、７・・・被加工物、８・・・ダイオード、９
・・・第２の電子銃、１０・・・真空槽、１１・・・制
御装置、１２・・・測定電極、１３・・・電流検出器、
１４・・・プラズマ発生装置、Ｊ５・・・プラズマ電子
銃、１６・・・プラズマ用電源、１７・・・反応ガス供
胎口、１８・・・プラズマ引き出しＮ ｔｓ、１９・・
・コイル電極。 第１図 と 第２図 ０
るわ ■・・・水冷ルツボ、２・・・金属、３・・・直流電源
、４・・・第１の電極焼、５・・・外部磁場、６・・・
基板電極、７・・・被加工物、８・・・ダイオード、９
・・・第２の電子銃、１０・・・真空槽、１１・・・制
御装置、１２・・・測定電極、１３・・・電流検出器、
１４・・・プラズマ発生装置、Ｊ５・・・プラズマ電子
銃、１６・・・プラズマ用電源、１７・・・反応ガス供
胎口、１８・・・プラズマ引き出しＮ ｔｓ、１９・・
・コイル電極。 第１図 と 第２図 ０
Claims (1)
- 真空中で２種類以上の原子を結合させてセラミックまた
は金属間化合物などの化合物を電極基板の被加工物に形
成するイオンブレーティング法において、真空槽内に前
記電極基板と水冷ルツボを間隔をあけて設置し、前記電
極基板をダイオードのアノードに接続し、該ダイオード
を抵抗を介して電源の負側に接続し、前記水冷ルツボを
前記電源の正側に接続し、前記電極基板以外の部分に設
けた第１の電子銃から発生した電子を前記水冷ルツボの
金属に照射して、該金属のイオン状の原子を発生させる
とともに、第２の電子銃またはイオン発生装置から発生
した電子を前記電極基板の前記被加工物に照射し、前記
電極基板に接続したダイオードによって前記電極基板か
ら電子が流れないようにし、前記電極基板の周囲に多量
の電子を浮遊させている状態の中に前記金属のイオン状
の原子を送り込むことによって、前記電子によってイオ
ン化された反応性ガスと前記金属の化合物を前記電極基
板上に形成するか、または前記電子と前記金属及び反応
性ガスのイオンがほぼ同数存在するプラズマ状態の中で
、前記イオン量よりも電子の数を多くして、前記電極板
上に前記反応性ガスと前記金属の化合物を形成すること
を特徴とする過飽和電子型イオンブレーティング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320983A JPS59190357A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 過飽和電子型イオンプレ−テイング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320983A JPS59190357A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 過飽和電子型イオンプレ−テイング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59190357A true JPS59190357A (ja) | 1984-10-29 |
| JPH0253508B2 JPH0253508B2 (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=13222574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6320983A Granted JPS59190357A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 過飽和電子型イオンプレ−テイング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59190357A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605876A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Jeol Ltd | 成膜装置 |
| JPH0372070A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Nisshin Steel Co Ltd | 化合物の高速蒸着法 |
| US5656141A (en) * | 1990-06-25 | 1997-08-12 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating substrates |
| EP2369027A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-28 | United Technologies Corporation | Thermal stabilization of coating material vapor stream |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07197963A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-08-01 | Westinghouse Air Brake Co | ラッチ鎖錠用ばねクリップ |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP6320983A patent/JPS59190357A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605876A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Jeol Ltd | 成膜装置 |
| JPH0372070A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Nisshin Steel Co Ltd | 化合物の高速蒸着法 |
| US5656141A (en) * | 1990-06-25 | 1997-08-12 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating substrates |
| EP2369027A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-28 | United Technologies Corporation | Thermal stabilization of coating material vapor stream |
| US9187815B2 (en) | 2010-03-12 | 2015-11-17 | United Technologies Corporation | Thermal stabilization of coating material vapor stream |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0253508B2 (ja) | 1990-11-16 |
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