JPS5910992B2 - 蒸着装置 - Google Patents

蒸着装置

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Publication number
JPS5910992B2
JPS5910992B2 JP6612680A JP6612680A JPS5910992B2 JP S5910992 B2 JPS5910992 B2 JP S5910992B2 JP 6612680 A JP6612680 A JP 6612680A JP 6612680 A JP6612680 A JP 6612680A JP S5910992 B2 JPS5910992 B2 JP S5910992B2
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JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
crucible
cover plate
electron beam
deposition material
Prior art date
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Expired
Application number
JP6612680A
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English (en)
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JPS56163265A (en
Inventor
滋 蒲原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電子ビームを用いる蒸着装置に関する。
薄膜を生成するのに近時電子ビーム蒸着法が使用される
ようになつてきた。
この方法は蒸着材料を溶融蒸発するために蒸着材料に電
子ビームを投射するようにしたものである。すなわち真
空中においてカソードとアノードのと間に高電圧(10
KV程度)をかけると、これによつてカソードから電子
が飛び出し、これを適当に偏向させてアノードに投射さ
せる。この電子がもつているエネルギーによつてアノー
ド側にある蒸着材料を加熱して蒸発させ、被蒸着体の表
面に蒸着させる。これによると蒸着レートが比較的大き
くとれること、蒸着材料を直接加熱するので不純物がま
じりにくいことなどの理由により極めて有効な方法とし
てみなされている。ところでこのような電子ビーム法に
よつて蒸着させる場合、蒸着材料としてアルミニウム、
ニッケルなどのように溶融したのちに蒸発する物質に1
0ついては何ら問題はなく、又クロムなどのように溶融
点以下で蒸発を開始する物質についてはビームを走査し
たり、蒸発材料を収納しているるつぼ(通常は銅等で製
作されている。
)を回転させたりしてビームがるつぼ内の一個所に固定
しないように考慮することによつて加熱蒸発を可能とす
ることができる。しかしながら蒸着材料として半導体物
質のように電気伝導度の小さい材料(たとえぱ酸化シリ
コン)を選んだとき、或いは小さいエネルギーで昇化す
るような物質(たとえばCd、PbS)を選んだときは
電子ビームによる加熱蒸発が極めて面倒となる。
すなわち蒸着材料の電気伝導度が小さい場合は、電子ビ
ームは蒸着材料にあたらないで、これを収容しているる
つぼのふちに当る現象が生じる。これを防ぐために電子
ビームのエネルギーを強くして指向性を高めると、エネ
ルギーが強すぎて蒸着材料が昇化現象のために溶融され
るまでに四方に飛び散つてしまい、所望するような一定
のレートで蒸着できなくなつてしまう。小さい工ネルギ
ーで昇化するような物質の場合でも、同様に四方に飛び
散つてしまう。これを解決するために第1図に示す構成
が別途提案された。
同図に示す蒸着装置は、基枠1にこれに電気的に絶縁さ
れたるつぼ2が設置されてあり、内部に蒸着材料3が収
納されてある。又基枠1にはフィラメント4を備えた電
子ビーム発生部5が設置されてある。そしてフィラメン
ト4から発生した電子ビームは基枠1内に設置されてあ
るコイル7によつて発生する磁界により偏向され、矢印
のように飛行してるつぼ2の設置位置に向う。なおるつ
ぼ2がアノードとされ、これとフイラメント4との間に
高電圧が印加される。加熱溶融された蒸着材料3は蒸発
して上方に飛び、図示しない被蒸着体の表面に附着する
。これらの構成は従来のこの種蒸着装置と同じである。
しかし従来装置におけるるつぼ2は銅などにより構成さ
れているのに対し、この第1図の構成では銅より高融点
の材料(たとえばタンタル、モリブデン、タングステン
など)により構成されてある。
今蒸着材料3として電気伝導度の小さい材料が選択され
、るつぼ2内に収納されているとすると、電子ビームは
蒸着材料に直接あたらず、るつぼ2のふちに図のように
あたるようになる。このことは既に説明したとおりであ
る。しかしこの場合るつぼ2は銅よりも融点の高い材料
で製作されているので、ここに電子ビームが投射されて
も、従来のものとは異なりるつぼ2自体が溶融すること
がないまま高温度となり、このときのるつぼ2の熱によ
つてここに収納されている電気伝導度の低い蒸着材料が
加熱され、溶融するようになる。これにより従来と同様
に前記蒸着材料は蒸発し、被蒸着体に向う。蒸着材料と
して小さいエネルギーで昇化するような物質が選択され
た場合は、その蒸着材料に直接電子ビームを投射させず
にるつぼ2のふちに投射させればよい。このときも前述
したようにるつぼ2が高温度となつて、その熱で蒸着材
料が溶融され蒸発する。電子ビームを蒸着物質に直接投
射しないので、昇化現象の発生は避けられ、したがつて
四方に飛散してしまうようなことは起らない。しかしこ
のような構成によると、蒸発粒子のうち、粒子の大きな
ものまで飛散して蒸着してしまう危険がある。
この発明はるつぼを電子ビームで加熱し、その熱によつ
て蒸着材料を加熱するにあたり、蒸着粒子の飛散を防止
し、もつてこのような大きな粒子による蒸着を防止する
ことを目的とする。
この発明は少くともるつぼ本体を覆う覆板を高融点材料
で構成するとともに、その覆板に蒸発粒子が通る多数の
小孔を設けたことを特徴とする。
この発明の実施例を第2図、第3図により説明する。な
お第1図と同じ符号を付した部分は同一又は対応する部
分を示す。第2図に示すこの発明の実施例は、るつぼ2
をるつぼ本体2Aとその表面を覆う覆板21で構成した
場合にるつぼ本体2Aを銅製とし、覆板21を前記した
高融点材料によつて製作した例を示す。
覆板21には多数の小孔10(たとえば1Wr1r1径
)を約2w1間隔で形成してある。なお覆板21は厚み
2〜5rmのものでよい。電子ビームは覆板21に投射
される。なお覆板21全面に投射されるように適当に走
査するとよい。この場合は覆板21に電子ビームが投射
されることによつて高温度となり、その熱によつて内部
の蒸着材料が加熱され溶融されるようになる。なお蒸発
物は小孔10を通つて被蒸着体に向う。この場合蒸発す
る粒子は小孔10より小さいものに限られ、これより大
きい粒子は飛散が阻止される。
したがつて大きい粒子による蒸着は確実に防止できる。
第3図に示すこの発明の他の実施例は、銅などからなる
るつぼ22のなかに高融点材料からなるるつぼ本体2A
を設置し、その表面を前記した覆板21で覆つた構成を
示す。
るつぼ22に対してるつぼ本体2Aは熱的に絶縁されて
ある。ただし電気的には同電位とされてある。これによ
ると覆板21の熱はるつぼ本体2Aに速やかに伝導され
るので高い熱効率をもつて蒸着材料を加熱溶融すること
ができる。るつぼ本体2Aはるつぼ22に対して取外し
自在としておくと便利である。この構成によれば、第1
図のように構成した場合に比較すると、高融点材料の使
用量が少なくてすむ利点がある。この発明は前記した説
明から理解されるように覆板21を電子ビームで直接加
熱するとともにその覆板21に蒸着粒子が通過し得る大
きさの小孔の多数を設けた構成が重要である。
もし直接加熱されない覆板に小孔を設け、ここから蒸着
粒子を通過させるように構成したとすれば、小孔の通過
の蒸着粒子は覆板により熱が吸収されてしまい、小孔は
目づまりを生じるようになる。このような目づまりが発
生すれば、もはや蒸着粒子の以後の通過が阻止され、こ
の発明の意図するところの蒸着は期待できないようにな
つてしまう。以上詳述したように、この発明によれば電
気伝導度の低い物質或いは小さいエネルギーで昇化する
ような物質でも、電子ビームの利用によつて加熱溶融す
ることができ、したがつてこの種物質の蒸着が可能とな
るとともに、一定の径以上の粒子による蒸着が確実に防
止できるといつた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の断面図、第2図、第3図はともにこの
発明の実施例を示す断面図である。 2・・・るつぼ、2A・・・るつぼ本体、21・・・覆
板、3・・・蒸着材料、5・・・電子ビーム発生部、1
0・・・小孔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 蒸着材料を収納するるつぼ本体及び前記るつぼ本体
    を覆う覆板によつてるつぼを構成するとともに、前記覆
    板を前記蒸着材料よりも高融点の材料で構成し、かつ蒸
    着粒子が通過し得る大きさの小孔を多数形成してなり、
    前記覆板に電子ビームを投射して加熱してその加熱によ
    る温度上昇によつて前記蒸着材料を溶融蒸発せしめる蒸
    着装置。
JP6612680A 1980-05-19 1980-05-19 蒸着装置 Expired JPS5910992B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP6612680A JPS5910992B2 (ja) 1980-05-19 1980-05-19 蒸着装置

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JP6612680A JPS5910992B2 (ja) 1980-05-19 1980-05-19 蒸着装置

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JPS56163265A JPS56163265A (en) 1981-12-15
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JP6612680A Expired JPS5910992B2 (ja) 1980-05-19 1980-05-19 蒸着装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07116595B2 (ja) * 1986-08-15 1995-12-13 株式会社ト−ビ イオンプレ−テイング蒸発装置
JPS63149961U (ja) * 1987-02-19 1988-10-03
JPS6468470A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Ulvac Seimaku Plasma electron beam heating source
DE102020124269A1 (de) 2020-09-17 2022-03-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden harter Kohlenstoffschichten

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