JPS58106443A - 高周波誘導プラズマ発光分析装置用試料導入装置 - Google Patents
高周波誘導プラズマ発光分析装置用試料導入装置Info
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- JPS58106443A JPS58106443A JP20479381A JP20479381A JPS58106443A JP S58106443 A JPS58106443 A JP S58106443A JP 20479381 A JP20479381 A JP 20479381A JP 20479381 A JP20479381 A JP 20479381A JP S58106443 A JPS58106443 A JP S58106443A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波誘導プラズマ発光分析装置に好適な試
料導入装置に関するものである。
料導入装置に関するものである。
従来の高周波誘導プラズマ発光分析装置においては、周
知の如く、溶液試料を霧化してプラズマトーチ内に導入
するという手段が広く用いら牡てきたが、冒塩濃度、高
粘性の試料の揚台には物理１− 干渉が大きく、一方、試料が微量の場曾には霧化が困難
である。そこで、近年１、メタル気化器又は炭素炉の如
き高温気化器を用いて試料を高温蒸気化し、この試料蒸
気をプラズマトーチに導入するようにした旨周波誘導プ
ラズマ発光分析装置が提案さｎている。
知の如く、溶液試料を霧化してプラズマトーチ内に導入
するという手段が広く用いら牡てきたが、冒塩濃度、高
粘性の試料の揚台には物理１− 干渉が大きく、一方、試料が微量の場曾には霧化が困難
である。そこで、近年１、メタル気化器又は炭素炉の如
き高温気化器を用いて試料を高温蒸気化し、この試料蒸
気をプラズマトーチに導入するようにした旨周波誘導プ
ラズマ発光分析装置が提案さｎている。
併し乍ら、この提案さした装置にあっては、高温気化器
によって生じる高温の試料蒸気が短時間（１００ｍ５ｅ
ｃ以内位〕のうちにプラズマトーチ内に導入さｎるため
、この持主じる圧力によりプラズマトーチ内のプラズマ
光が激しいゆらぎを起こし、出力電気信号のレベルに大
きな変化が生じる。この結果、分析検出限界並びに信頼
性が、悪くなるという不具合いを有している。特に、微
量試料の分析を行なう揚台には、試料のプラズマトーチ
への導入は一過性のものであるから、この試料導入時の
圧力のために、その分析結果に大きな影響を与えること
となり、何等かの対策が望まｎている。
によって生じる高温の試料蒸気が短時間（１００ｍ５ｅ
ｃ以内位〕のうちにプラズマトーチ内に導入さｎるため
、この持主じる圧力によりプラズマトーチ内のプラズマ
光が激しいゆらぎを起こし、出力電気信号のレベルに大
きな変化が生じる。この結果、分析検出限界並びに信頼
性が、悪くなるという不具合いを有している。特に、微
量試料の分析を行なう揚台には、試料のプラズマトーチ
への導入は一過性のものであるから、この試料導入時の
圧力のために、その分析結果に大きな影響を与えること
となり、何等かの対策が望まｎている。
本発明は上記事情に鑑みてなさｎｆｃ、ものであり、そ
の目的は、高温試料ガスをプラズマトーチ円に導入する
時に生じる圧力により分析結果に悪影響を与えることが
ないようにした、高周波誘導プラズマ発光分析装置のた
めの試料導入装置を提供することにある。
の目的は、高温試料ガスをプラズマトーチ円に導入する
時に生じる圧力により分析結果に悪影響を与えることが
ないようにした、高周波誘導プラズマ発光分析装置のた
めの試料導入装置を提供することにある。
本発明によｔば、高周波により誘導さｎたプラズマ光を
発するトーチ部と、試料をガス化するための試料気化器
と′ｆｆ：有する高周波誘導プラズマ発光分析装置の試
料導入路中に配置さし、試料のガス化時にトーチ内に発
生する圧力変動タイミングとガス化試料の導入タイミン
グとをずらす圧力緩衝器を備えた、高周波誘導プラズマ
発光分析装置用試導入装置が提供さｎる。
発するトーチ部と、試料をガス化するための試料気化器
と′ｆｆ：有する高周波誘導プラズマ発光分析装置の試
料導入路中に配置さし、試料のガス化時にトーチ内に発
生する圧力変動タイミングとガス化試料の導入タイミン
グとをずらす圧力緩衝器を備えた、高周波誘導プラズマ
発光分析装置用試導入装置が提供さｎる。
以下、図示の実施例により、本発明の詳細な説明する。
第１図には、本発明による試料導入装置の一実施例が示
さ扛ている。試料導入装置１は、試料をガス化するため
の試料気化器２と、試料気化器２によってガス化さした
ガス化試料をプラズマにより熱励起せしめて発光させる
ためのプラズマトーチ３との間のｔ１４導入経ｗ５４の
途中に設けら扛ている。試料気化器２は、試料をガス化
するためのヒータ５を収納している透明容器６會肩し、
透明容器６の底蓋７には、キャリヤアルゴンガス全導入
するための導入バイブ８が設けらｎている。導入バイブ
８の容器内側開口部８αは、ヒータ５の略真下に配置さ
しており、ヒータ５によってガス化さｒした試料は、こ
の開口部８αから噴出するアルゴンガスによって、一旦
試料纒入装置１内に、アルゴンガスと共に送給さｊＬる
。
さ扛ている。試料導入装置１は、試料をガス化するため
の試料気化器２と、試料気化器２によってガス化さした
ガス化試料をプラズマにより熱励起せしめて発光させる
ためのプラズマトーチ３との間のｔ１４導入経ｗ５４の
途中に設けら扛ている。試料気化器２は、試料をガス化
するためのヒータ５を収納している透明容器６會肩し、
透明容器６の底蓋７には、キャリヤアルゴンガス全導入
するための導入バイブ８が設けらｎている。導入バイブ
８の容器内側開口部８αは、ヒータ５の略真下に配置さ
しており、ヒータ５によってガス化さｒした試料は、こ
の開口部８αから噴出するアルゴンガスによって、一旦
試料纒入装置１内に、アルゴンガスと共に送給さｊＬる
。
試料導入装置ｌは、比較的大径のガス導入バイブ９と、
比較的細径のガス送出バイブ１０とが本体１１に設けら
７して５ｙ、り、ガス導入バイブ９によって試料気化器
２と連通し、ガス送出バイブ１０によってプラズマトー
チ３と連通している。そして、本体〕１の側壁部には、
アルゴンガス用注入口１２が形成さしてお９、図示しな
いアルゴンガス供給装置からのアルゴンガスが、この注
入口１２から本体１１内に注入さ扛る。
比較的細径のガス送出バイブ１０とが本体１１に設けら
７して５ｙ、り、ガス導入バイブ９によって試料気化器
２と連通し、ガス送出バイブ１０によってプラズマトー
チ３と連通している。そして、本体〕１の側壁部には、
アルゴンガス用注入口１２が形成さしてお９、図示しな
いアルゴンガス供給装置からのアルゴンガスが、この注
入口１２から本体１１内に注入さ扛る。
第１図及び第２図から判るように、ガス導入バイブ９及
びガス送出バイブ１０は、本体１１の上下に同軸的に配
置さｎｌ一方、注入口１２は、筒状の本体１１の内壁面
に沿ってアルゴンガスが本体Ｉｌ内に注入さｎるように
、角度付けさｎて設けらｎている。図示の実施例では、
ガス送出バイブ１０及び注入口１２のパイプ内径は夫々
６（ｍｍ）、ガス導入バイブ９の内径は１２（ｗｎ）で
あシ、本体１１は、亘径５ （α〕で高さ８（ｃｍ）の
大きさに形成さｎている。尚、注入口１２０角度付けは
、本体１１０円形内壁の接線方向にその軸釣が一致する
ようになさｎているのが好ましい。
びガス送出バイブ１０は、本体１１の上下に同軸的に配
置さｎｌ一方、注入口１２は、筒状の本体１１の内壁面
に沿ってアルゴンガスが本体Ｉｌ内に注入さｎるように
、角度付けさｎて設けらｎている。図示の実施例では、
ガス送出バイブ１０及び注入口１２のパイプ内径は夫々
６（ｍｍ）、ガス導入バイブ９の内径は１２（ｗｎ）で
あシ、本体１１は、亘径５ （α〕で高さ８（ｃｍ）の
大きさに形成さｎている。尚、注入口１２０角度付けは
、本体１１０円形内壁の接線方向にその軸釣が一致する
ようになさｎているのが好ましい。
分析すべき試料は、溶液の試料でらｎは５〜２０〔μｔ
〕、固体の試料であｎば１０ （ｍｌｌ 〕程度を正確
に秤量してヒータ５上に載置する。そして、ヒータ５に
より１００ ［℃）程度にて乾燥し、必要がちｎば数１
００ Ｃ℃：］にまで温度食上げて試料を灰化し、しか
る後、２５００℃の位まで急速加熱し、試料をガス化す
る。発生した試料ガスは、キャリヤアルゴンガスにより
、圧力緩衝器として働らぐ試料導入装置１に、ガス導入
バイブ９を介して導入さする。導入さＣた試料ガスは、
本体１１円に一時的に拡が９、ガス化時に生じた圧力変
動はここでかなり緩和さｎる。そして、試料ガスは、注
入口１２から注入さ一：ｎ、ｆｃ、アルゴンガスが本体
１１の内壁に沿って移動することによシ生じる渦巻状ア
ルゴンガス流Ｅに包み込まｎるようにして、蒸気雲に形
成さし、ガス送出バイブ１０を介して、プラズマトーチ
３内に導入さすることになる。
〕、固体の試料であｎば１０ （ｍｌｌ 〕程度を正確
に秤量してヒータ５上に載置する。そして、ヒータ５に
より１００ ［℃）程度にて乾燥し、必要がちｎば数１
００ Ｃ℃：］にまで温度食上げて試料を灰化し、しか
る後、２５００℃の位まで急速加熱し、試料をガス化す
る。発生した試料ガスは、キャリヤアルゴンガスにより
、圧力緩衝器として働らぐ試料導入装置１に、ガス導入
バイブ９を介して導入さする。導入さＣた試料ガスは、
本体１１円に一時的に拡が９、ガス化時に生じた圧力変
動はここでかなり緩和さｎる。そして、試料ガスは、注
入口１２から注入さ一：ｎ、ｆｃ、アルゴンガスが本体
１１の内壁に沿って移動することによシ生じる渦巻状ア
ルゴンガス流Ｅに包み込まｎるようにして、蒸気雲に形
成さし、ガス送出バイブ１０を介して、プラズマトーチ
３内に導入さすることになる。
このため、試料のガス化時に生じる圧力変動は、試料導
入装置１内においてかなり緩和さｎる上に、試料ガスの
進行速度がこの装置１内において遅扛るので、緩和さし
なかった圧力変動がプラズマトーチ３に与えらｎた後に
試料ガスがプラズマトーチ３に連判することになる。即
ち、ガス化による圧力変動の到達と、試料ガスの到達と
の間に時間的ずｔが生じることとなυ、プラズマ光がガ
ス化圧力によシゆらぎを起しても、このゆらぎの後に試
料ガスがプラズマに到達するので、プラズマ光のゆらぎ
による影響をほとんど受けることがない。
入装置１内においてかなり緩和さｎる上に、試料ガスの
進行速度がこの装置１内において遅扛るので、緩和さし
なかった圧力変動がプラズマトーチ３に与えらｎた後に
試料ガスがプラズマトーチ３に連判することになる。即
ち、ガス化による圧力変動の到達と、試料ガスの到達と
の間に時間的ずｔが生じることとなυ、プラズマ光がガ
ス化圧力によシゆらぎを起しても、このゆらぎの後に試
料ガスがプラズマに到達するので、プラズマ光のゆらぎ
による影響をほとんど受けることがない。
第３図には、本装置１を設けた場合に得らｎる分光出力
信号の一例が示さｎており、この図から判るように、圧
力変動に因るプラズマ光のゆらぎの結果化じる、所謂プ
ラズマジャンプ波形口が発生してから、所定時間経過後
に、所望の検出波形りが出力される。しかも、このプラ
ズマジャンプ波形口の大きさは、本装置１を設けない場
合に比べて、著しく小さくなったことが確認さした。
信号の一例が示さｎており、この図から判るように、圧
力変動に因るプラズマ光のゆらぎの結果化じる、所謂プ
ラズマジャンプ波形口が発生してから、所定時間経過後
に、所望の検出波形りが出力される。しかも、このプラ
ズマジャンプ波形口の大きさは、本装置１を設けない場
合に比べて、著しく小さくなったことが確認さした。
更に、上述の構成によると、ガス化試料は、注入口［２
によシ注入されるアルゴンガスに包−＆ｒｂるようにし
てプラズマトーチ３に運ばしるので、その途中の経路に
付層、凝縮する試料の量が著しく減少する。
によシ注入されるアルゴンガスに包−＆ｒｂるようにし
てプラズマトーチ３に運ばしるので、その途中の経路に
付層、凝縮する試料の量が著しく減少する。
上記では、本発明の一実施例について説明したが、本発
明をこの実施例の構成のみに限定する趣旨ではなく、特
許請求の範囲に記載さｆ″１．た範囲内において、種々
の変形、変更鄭、、行なうことが可能である。
明をこの実施例の構成のみに限定する趣旨ではなく、特
許請求の範囲に記載さｆ″１．た範囲内において、種々
の変形、変更鄭、、行なうことが可能である。
本発明によｎば、上述の如く、試料をガス化する時に生
じる圧力の悪影響を簡単な・構成で極めて７− ■効に除去することができる優扛た効果を奏する
じる圧力の悪影響を簡単な・構成で極めて７− ■効に除去することができる優扛た効果を奏する
第１図は本発明による試料導入装置を用いた高周波誘導
プラズマ発光分析装置の要部斜視図、第２図は第１図に
示した試料導入装置の横断面図、第３図は第１図の装置
によって得らしる出力信号波形の一例を示す波形図であ
る。 １゜、試料導入装置 ２、。試料気化器 ３５．プラズマドーグ ４０．試料導入経路 ５、、ヒータ ６０．透明容器 ７゜、底蓋 １０．。ガス送出パイプ８゜、導
入パイプ １１００本体 ９０．ガス導入パイプ １２．。注入口。 以上 出願人 株式会社第二精玉舎
プラズマ発光分析装置の要部斜視図、第２図は第１図に
示した試料導入装置の横断面図、第３図は第１図の装置
によって得らしる出力信号波形の一例を示す波形図であ
る。 １゜、試料導入装置 ２、。試料気化器 ３５．プラズマドーグ ４０．試料導入経路 ５、、ヒータ ６０．透明容器 ７゜、底蓋 １０．。ガス送出パイプ８゜、導
入パイプ １１００本体 ９０．ガス導入パイプ １２．。注入口。 以上 出願人 株式会社第二精玉舎
Claims (1)
- １、高周波誘導プラズマ光を発するトーチ部と、試料を
ガス化する試料気化器との間の試料導入路中に配置さｎ
１試料のガス化時に前記トーチ部内に発生する圧力変動
タイミングとガス化試料導入タイミングとをずらす圧力
緩衝器を備えたことを特徴とする高周波誘導プラズマ発
光分析装置用試料導入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20479381A JPS58106443A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 高周波誘導プラズマ発光分析装置用試料導入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20479381A JPS58106443A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 高周波誘導プラズマ発光分析装置用試料導入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106443A true JPS58106443A (ja) | 1983-06-24 |
| JPH0153413B2 JPH0153413B2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=16496442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20479381A Granted JPS58106443A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 高周波誘導プラズマ発光分析装置用試料導入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106443A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0132300A2 (en) * | 1983-06-24 | 1985-01-30 | Morton Thiokol, Inc. | Plasma spectroscopic analysis of organometallic compound |
| JPS6126843A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | Shimadzu Corp | マイクロサンプル導入装置 |
| JPH03226656A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Shimadzu Corp | Ｉｃｐ発光分光分析装置の抵抗加熱気化器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012019340A1 (zh) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | 北京吉天仪器有限公司 | 检测Cr(VI)的原子荧光光谱法及光谱仪 |
| JP7293436B1 (ja) | 2022-03-11 | 2023-06-19 | レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド | 電子機器 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP20479381A patent/JPS58106443A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0132300A2 (en) * | 1983-06-24 | 1985-01-30 | Morton Thiokol, Inc. | Plasma spectroscopic analysis of organometallic compound |
| JPS6126843A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | Shimadzu Corp | マイクロサンプル導入装置 |
| JPH0574775B2 (ja) * | 1984-07-17 | 1993-10-19 | Shimadzu Corp | |
| JPH03226656A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Shimadzu Corp | Ｉｃｐ発光分光分析装置の抵抗加熱気化器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153413B2 (ja) | 1989-11-14 |
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