JPS5810566A - インド−ル誘導体 - Google Patents

インド−ル誘導体

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JPS5810566A
JPS5810566A JP10802481A JP10802481A JPS5810566A JP S5810566 A JPS5810566 A JP S5810566A JP 10802481 A JP10802481 A JP 10802481A JP 10802481 A JP10802481 A JP 10802481A JP S5810566 A JPS5810566 A JP S5810566A
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廣 石川
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哲之 宇野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なインドール誘導体VCllする。
本発明のインドール誘導体は、下記一般式(I)で表わ
される。
〔式中R1及びR2は夫々低級アル中ル基を、Xl、R
2及びR3は夫々へ〇ゲシ原子を示す〕上記一般式(I
)で表わされる本発明のインドール誘導体は、例えば抗
菌剤として有用であることの知られている1、2− 、
;t、ド0−6ff[3,2,1−リ゛〕+ノリシー5
−カルボン酸誘導体の合成中間体として有用であ)、ま
た該化合物自体抗菌活性を有してお夛医療用及び農園芸
用の抗菌剤として利用できるものである。上記本発明化
合物から抗菌剤有効成分化合物を誘導するための方法は
後記する通シである。
上記一般式(I)中R1及びR2で定義される低級アル
中ル基としては、具体的には、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、づチル、tart−ブチル、ペンチ
ル、へ+シル等の各基を、またXl、R2及びR3で定
義されるハロゲン原子としては、塩素、弗素、臭素及び
沃素原子を、夫々挙げることができる。
本発明化合物は、代表的には下記反応行程式−■に示す
方法によ)製造される。
〔反応行程式−1〕 (■)(IID (I) 〔各式中R1、R2、xl、X2及ヒX3は上記ニ同じ
。R4はハロゲン原子を示す。〕 即ち本発明化合物は一般式(If)で表わされるアニリ
シ誘導体を出発原料とし、これをまずハロゲン化剤と反
応させ、次いで得られる一般式(2)で表わされる化合
物に1一般式(至)で表わされるチオ化合物を反応させ
ることによ)得られる。
上記において一般式(I[) 0アニリシ誘導体とハロ
ゲン化剤との反応は、通常適当な溶媒中で行なわれる。
溶媒としては反応に悪影響を与えない通常の各種溶媒を
いずれも使用できる。その代表例としては例えばり00
本ルム、塩化メチレジ等のハロゲン化炭化水素類、ジオ
十サシ、ジエチルエーテル、テトラしドロフラジ等のエ
ーテル類、ベシゼン、トルエン、+シレシ等の芳香族炭
化水素類、メタノール、エタノール、イソプロパノール
等の低級アルコール類、ジメチルスル本+シト、へ士す
メチルリシ酸トリアミド、アセトニトリル等の極性溶剤
を例示できる。また上記反応に用いられるハロゲン化剤
は、通常のハロゲン化剤応に利用される各種化合物をい
ずれも使用できる。その代表例としては例えばN−づ0
ムコハク酸イ三ド、N−り00コハク酸イミド、次亜臭
素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、サラシ粉、塩
化チオニル、tart−ブチルハイポク0リド等を例示
できる。之勢へ〇ゲシ化剤の使用量は通常出発原料化合
物に対し少なくとも等モル量、好ましくは約1〜1.5
倍モル量とするのがよい。反応温度は一般に一78〜0
℃、好ましくは−60〜−10℃程度とされ、反応は瞬
時通常数分以内に完結する。
かくして一般式(2)で表わされる中間体を得る。
これは反応系より取シ出して引き続く反応に供してもよ
いが、通常反応系から分離することなく、次いで一般式
(5)のチオ化合物との反応に供せられる。
上記一般式(2)の中間体と一般式(5)のチオ化合物
との反応は適当な塩基性化合物の存在下に、通常前記例
示の溶媒と同一の溶媒中同温度条件下に行なわれる。用
いられる塩基性化合物としては、例えば炭酸カリウム、
炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウ
ム、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム等の無機塩基
性化合物及びトリエチルアミン、トリ″joごルアミン
、ごリジシ、十ノリシ等の第三級アミシ類等の有機塩基
性化合物が好ましく例示できる。この反応における一般
式@)の中間体に対する一般式(至)の化合物の使用量
は、一般に少なくとも等℃ル量、好ましくは約1〜1.
5倍モル量とすればよい。また反応は通常約1〜5時間
で完結する。かくして本発明の一般式(I)で表わされ
るイシドール誘導体を収得できる。
上記反応行程式−1において用りられる各化合物は、い
ずれも公知のものであるが、一般式(n)で表わされる
化合物は、その置換基にょシ一部新規化合物を含んでい
る。この一般式(I[)の化合物は、例えば下記反応行
程式−2に示す方法により容AK製造することができる
〔反応行程式−2〕 (V)          (VD (4)           (It)〔各式中x1、
f及びx3は上記に同じ。R3は低級アルカノイル基を
示す。〕 一般式(′V)のアニリン誘導体のアシル化反応は適当
なアシル化剤例えばアtチルク0ライド、づ0ピオニル
ク0ライド、滲−ブチリルブロマイド等の低級アルカン
酸へ〇ゲシ化物、無水酢酸等の低級アルカシ酸無水物を
用いて、適当表溶媒中、例えば水、エタノール、メタノ
ール勢のアルコール類、ベンゼシ、トルニジ、+シレシ
等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラしド
ロフラン等のエーテル類、その他酢酸、ヒリジシ等又は
之等の混合溶媒中で、反応温度0〜100℃下に、約1
0分〜5時間で終了する。使用されるアシル化剤は一般
式(7)の化合物に対して通常少なくとも等℃ル好まし
くはl −1,5倍モル量とされるOがよい。
一般式(資)の化金物とハロゲン化剤との反応は、適当
III媒中又は非溶媒中好ましくは非溶媒中でルイス酸
O存在又は非存在下行うことが出来る。
ここで使用されるハロゲン化剤としては、塩素、は、例
えば塩化アルミニウム、塩化亜鉛、塩化鉄、塩化錫、三
臭化硼素、三弗化硼素、濃硫醗、硫酸銀等が挙げられる
。使用される溶媒としては、塩化メチレン、り00ホル
ム、ジクロ0エタン、トリクOOエタシ等の芳香族炭化
水素類、り00ベシt!シ、ベンゼシ、トルニジ、牛シ
レン等の芳香族炭化水素類、硫酸等が挙げられる。反応
温度は約O〜250℃好ましくは約0〜200℃でsb
、反応は2分〜3時間程度で終了する。ハロゲン化剤の
使用量は、一般式(資)の化合物に対して通常1〜8倍
モル量好ましくは1〜5倍モル量とするのがよく、ルイ
ス酸の使用量は、一般式(ロ)の化金物に対して1〜5
倍モル量とするのがよい。
一般式(4)の化合物の加水分解反応は、水、メタノー
ル、エタノール、イソづOパノール等のアルコール中で
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウ
ム等の無機塩基又は塩酸、硫酸等の酸を用いて約0〜2
00℃好ましくは約50〜100℃の温度下に約30分
〜3時間を要して行ない得る。
以下本発明イシドール誘導体からの抗菌剤有効成分であ
る1、2− 、;tニド[1−6H(3,2,1−龜j
〕十ノリシー5−カルボン酸誘導体の製造につき下記反
応行程式−3に従い詳述する。
〔反応行程式−3〕 (I)            α) (4) (X)          ■) (Xlll) 〔各式中R1、R2、xl、x2及ヒx3は上ff1K
同じ。R4は水素原子、低級アル+ル基又は低級アルカ
ノイル基を示す。〕 目的とする抗菌剤有効成分(至)は、上記に示す通シ一
般式(I)の本発明化合物よシ、一般式(至)の化合物
、一般式(2)の化合物、一般式(X)の化合物及び一
般式ω)の化合物を経て、又は上記において一般式(4
)の化合物を経ることなく、製造することができる。各
反応は以下のようにして実施される。
一般式CI)の本発明インドール誘導体の脱硫反応(一
般式(至)の化合物の製造反応)は、通常適当な触媒の
存在下に溶媒中で行なわれる。触媒としては例えばアル
ミニウムーアマルガム、リチウム−低級アル中ルアニン
、ラネーニッケル、ラネーコバルト、トリエチルホスフ
ァイト、トリフェニルホスフィシ等を例示でき、好まし
くはラネーニッケルを挙げることが出来る。溶媒として
はメタノール、エタノール、イソづ0パノール等のアル
コール類、ジオ中サン、テトラしドロフラジ、ジエチル
エーテル等のエーテル類等を例示出来る。
反応温度は約0〜200℃好ましくは室温付近とされ、
反応は約1〜5時間程度で終了する。触媒使用量は、一
般式CI)のイシドール訪導体に対して通常的1−10
倍重量とするのがよい。
かくして得られる一般式(2)の化合物の脱へ〇ゲン反
応(一般式〇X)の化合物の製造反応)は、通常の脱ハ
0ゲシ化反応方法と同様にして実施できる。例えば、酢
酸中歪鉛末を用いる反応方法、接触還元方法等によ)行
ない得る。酢酸中亜鉛末を用いる反応は、通常的50〜
150℃の反応温度下に約2〜5時間を要して行なわれ
る。ここで使用される亜鉛末の量は、一般式(4)の化
合物に対して通常約2〜5倍モル量とするのがよい。ま
た接触還元法は、メタノール、エタノール、イソづ0パ
ノール等のアルコール類、ジエチルエーテル、ジオ士サ
ン、テトラしドロフラジ等のエーテル類、酢酸等の適当
な溶媒中でパラジウム炭素、度の圧力下に約0.5〜3
時間程度を要して行なわれる。触媒の使用量は通常の触
媒量でよく、これは例えば一般式(至)の化合物の約臀
。〜”/’ao重量倍程度とされる。上記接触還元反応
時には、またナトリウムアセチレート等を添加すること
も可能である。
また一般式〇X)の化合物は、一般式(I)のインドー
ル誘導体よシ直接製造することもできる。この反応は通
常適当な溶媒中触媒を用いて行なわれる。溶媒としては
上記脱硫反応で例示した溶媒をいずれも使用出来る。ま
た触媒としてはトリエチルホスファイト、トリフェニル
ホスフィシ、ラネーニッケル等好ましくはラネーニッケ
ル等を使用出来る。反応温度は通常0〜2oo℃好まし
くは約50〜100℃とされる。その他の条件は上記脱
硫反応のそれと同様である。
かくして得られる上記一般式OX)の化合物からの目的
化合物の製造反応は、いずれも公知に属し、この公知反
応と同一条件、同一操作によ)行なわれる。
本発明のインドール誘導体を利用して、上記反応行程式
−3に示す一連の反応を経て目的とする抗菌剤有効成分
を製造する方法は、特に本発明誘導体が簡単な操作で容
易に且つ高純度及び高収率で得られるものであると共に
、該誘導体からの一般式OX)の化合物の製造も亦簡単
な操作で容易に実施でき高純度及び高収率で所望化合物
を収得できるものであるため、工業的実施に適して訃り
、2等インドール誘導体及び一般式〇X)で表わされる
化合物を経由することに基づいて、目的物の収率及び純
度も高く、極めて有用なものである。
上記反応行程式−1乃至−3に示す夫々の行程での目的
化合物は、通常の分離手段により単離精製することがで
きる。該分離手段としては例えば溶媒抽出法、希釈法、
再結晶法、カラムク0マドクラフイー、づレパラテイづ
薄層り0マドシラフイー等を例示できる。
以下本発明のインドール誘導体を製造するだめの原料化
合物(一般式(II)の化合物)の製造例及び本発明化
合物から抗菌剤有効成分化合物を得るための化合物(一
般式α)の化合物)の製造例を夫々参考例として挙げ、
また本発明化合物の製造例を実施例として挙げる。
参考例1 (一般式(V)の化合物からの一般式(4)
の化合物の製造) 3−り00−4−フルオ0アニリシ3.2 Klを酢酸
6を及び水4Lの混液に溶解させ、室温にて無水酢酸2
.3恥を加え、70℃で30分間加温する。
反応後氷水lOt中に反応物を投入し、析出する結晶を
濾過する。水洗後乾燥して4.25KFの3−り00−
4−フルオ0−アtトアニリドを得る。
凰F   111〜112℃ 白色針状晶 参考例2 (一般式(V)の化合物からの一般式(資)
の化合物の製造) 参考例1と同様にして3−4−、;フルオ0アニリシ1
29Fから3,4−ジフルオ0アtトアニリド162.
5Fを得る。
SF   124〜125℃ 白色針状晶 参考例3 (一般式(ロ)の化合物からの一般式(6)
の化合物の製造) 3−り00−4−フルオ0アtトアニリド2麺に無水塩
化アルミニウム4.3〜を加え内温130℃に加熱して
溶液状にする。つぎに内温130〜140℃にで臭素7
15−を滴下する。滴下後、反応物をlOLの氷水中に
投入し、析出する結晶を炉取する。エタノール−水で再
結晶して、2−プ0ムー4−フルオ0−5−りOo−ア
セトアニリド2.71cfを得る。
准P  146〜148℃ 白色稜状晶 参考例4 (一般式(6)の化合物からの一般式(4)
の化合物の製造) 3.4− 、;フルオ0アtトアニリド134fを濃硫
酸1.1tK溶解し、次に硫酸銀f23Fを加え、ホル
ム4tで抽出する。硫酸マクネシウムで乾燥し、濃縮し
て、2−’:joムー今、5−ジフルオ〇−アtトアニ
リド190fを得る。
11147 103〜104℃ 白色針状晶 参考例5 (一般式[)の化合物からの一般式(n)の
化合物の製造) 2−ブロム−4−フルオ0−5−り00アtトアニリド
1.574をメタノール151に溶解し、水酸化カリウ
ム2麺を水1.51に溶解し九溶液を加える。反応混合
物を1時間加熱還流する。反応後混金物を115まで減
圧濃縮し、残渣に水101加え、析出結晶なテ取する。
乾燥後、2−プ0ムー4−フルオ0−5−り00アニリ
ン1.2−を得る。
WLp  63〜65℃ 無色針状晶 参考例6 (一般式(4)の化合物からの一般式(n)
の化合物の製造) 参考例5と同様にして、2−づ0ムー4.5−ジフルオ
ロアセトアニリド180tから、2−づ0ムー4,5−
ジフルオロアニリン128.8Fを得る。
溝p 35〜37℃ 無色針状晶 参考例7 (本発明化合物からの一般式aX)の化合物
の製造) 2−メチル−3−メチルチオ−4,5−、l;フルオ0
−7−づ0ムインドール174Fをエタノール3tに溶
解したのち、ラネーニッケル1.5 縁を加え、エタノ
ール加熱還流下3時間反応させる。反応後冷却し、ラネ
ーニッケルを炉去する。戸液を濃縮するととKよシ2−
メチル−4,5−ジフルオ0インドール85.5Fを得
る。
罵p  72〜74℃ 淡黄色稜状晶 参考例8 (本発明化合物からの一般式aX)の化合物
の製造) 2−メチル−3−エチルチオ−4−り0O−5−フルオ
0−7−プOムインドール700tをエタノール127
に溶解したのち、ラネーニッケル71cfを加え、エタ
ノール加熱還流下、4時間反応させる。反応後冷却し、
ラネーニッケルを炉去する。V液を濃縮するととKより
、2−メチル−4−り00−5−フルオ0イシドール3
38tを得る。
tap  70−71℃ 淡黄色稜状晶 参考例9 (本発明化合物からの一般式(4)の化合物
の製造) 2−メチル−3−メチルチオ−4−り00−5−フルオ
ロ−フープ0ムイシドール50fをジオ士す、71tに
溶解させ、つぎにラネーニッケル400tを加え、室温
で4時間反応させる。反応後ラネーニッケルを許過し、
V液を減圧濃縮する。
残渣をエタノール−水で再結晶して、2−メチル−4−
り00−5−フルオロ−フープ0ムイシドール30.2
fを得る。
該化合物の生成はNMR分析によシ確認される。
分析結果は次の通シである。
NMR(CDC13)分析結果 J PP” = 2.40 (、? 、 3K)6.2
〜6.4CN、2K) 7.0 (d 、 LJr、 J=9Hz )参考例1
0 (一般式(至)の化合物からの一般式(2)の化金
物の製造) 2−メチル−4−り00−5−フルオロ−フープ0ムイ
シドール20Fをエタノール200−に溶解し、5−パ
ラジウム−炭素IFを加え、さらに20−水酸化ナトリ
ウム水溶液15117加え常圧、室温にて接触還元を行
う。理論量の水素(約1.7t)を吸収したところで反
応を止め、触媒をF去し、濃縮する。残渣をシリカゲル
カラムク0マドクラフイー(ワコーゲル C−200、
溶出液り00ホルム:ルーへ牛サン5:1)で精製し、
2−メチル−4−200−5−フルオ0イシドール11
.5Fを得る。
肩p  7Q〜71℃ 淡黄色稜状晶 参考例11  (一般式aりの化合物からの一般式α)
の化合物の製造) 2−メチル−4,5−、;フルオ0イシドール93fを
酢酸1.54に溶解する。これに金属錫200tを加え
、酢酸還流する。還流下、濃塩酸1.51を1時間で滴
下する。滴下後、同温度で2時間反応させる。反応後、
溶媒を減圧留去する。残渣に水11を加え、2〇−水酸
化ナトリウム溶液でpH13としたのち、エーテル1t
を加え、攪拌後不溶物を濾過する。炉液よジエーテル層
を分別し、無水炭酸カリウムで乾燥する。エーテルを減
圧留去して、2−メチル−4=5− 、;フルオロイン
ドリン80Fを得る。
該化合物の生成はNMR分析によ〕確認した。
その結果は次の通夛である。
NMR(CDC13)分析結果 ’ PPIII= 1.25 (d 、 3H,J=6
Hz )2.0〜3.2(翼、2M) 3.4〜4.2(凰、2H) 5.8〜6.8(凰、21) 参考例12 (一般式〇X)の化合物からの一般式(X
)の化合物の製造) 2−メチル−4−り0O−5−フルオロインドール33
0fを氷酢酸4tに溶解し、金属錫650tを加え、酢
酸加熱還流下、濃塩酸4tを滴下する。反応今時間抜、
酢酸及び水を減圧留去し、残渣に20チ水酸化ナトリウ
ム水溶液を加え、pH12とし九のち、エーテル3tで
抽出する。不溶物を枦去後、エーテル層を無水炭酸カリ
ウムで乾燥する。濃縮後、2−メチル−4−クロ0−5
−フルオ0イシドリシ273.5 fを得る。
該化合物の生成はNMR分析で確認した。その結果は次
の過少である。
NMR(CC14)分析結果 δPP” = 1−23 (’ 、 3H,J=6Hz
 )2.3〜3.4(iml、2H) 3.48(#、IH) 3.6〜4.2(m、1#) 6−Of (’d 、 I N、 J=4’Hz 、 
8Hz )6.5 (d、 lJf、 J =g#j)
実施例 1 2−づ0ムー4.5− 、;フルオロアニリン116f
を塩化メチレジ1tK溶解し、ドライアイスーアtトシ
浴にて一50℃以下に冷却する。同温度でtart−ブ
チルハイボク0ライド601を滴下する。この時反応系
内は不均一から均一な溶液に変化する。次に1メチルチ
オ−2−プ0バノン67fを滴下し、同温度で2時間反
応させる。続いてトリエチルア!シ80IE/を滴下す
る。滴下後、徐々に室温に戻す。室温に戻した後1jの
水を加え塩化メチレン層を分液する。硫酸ナトリウムで
乾燥する。減圧濃縮後エタノール−水で再結晶して2−
メチル−3−メチルチオ−4=5− 、;フルオロ−フ
ープ0ムインドール151.5Fを得る。
up  104−105℃ 淡黄色稜状晶 実施例 2 2−プ0ムー4−フルオ0−5−り00アニリシ720
fを乾燥塩化メチレン4J!に溶解し、−60℃まで冷
却する。次にt−づチルへイボク0ライド350fの塩
化メチレン溶液5Q□cjを同温度で滴下する。続いて
エチルチオ−2−づ0パノン680tのジグ00メタン
溶液11を滴下する。滴下後2時間同温度で反応後、さ
らにトリエチルアミシ325fの塩化メチレン溶液1t
を滴下する。滴下後、徐々に室温に戻す。つぎに水5t
を加えて攪拌後、塩化メチレジ層を分離し、硫酸マグネ
シウムで乾燥する。減圧濃縮後2−メチル−3−エチル
チオ−4−り00−5−フルオ0−7−づ0ムイシドー
ルIKfを得る。
該化合物の生成はNMR分析によシ確認したbその結果
は次の通)である。
NMR(CDC13)分析結果     δPP111
+ = 1.1 (’ 、 3H,J=7Hz )2.
46013H) 3.63 (9−2H、J=IHz )6.87 (d
 、 IH,J=81h )3.2(hJP、l) (以 上)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中R1及びR2は夫々低級アル士ル基を、Xl、R
    2及びR3は夫々へ〇ゲン原子を示す〕で表わされるイ
    ンドール誘導体。
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JPS62152025U (ja) * 1986-03-19 1987-09-26
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