JPS58103183A - ステムの製造方法 - Google Patents
ステムの製造方法Info
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- JPS58103183A JPS58103183A JP56202822A JP20282281A JPS58103183A JP S58103183 A JPS58103183 A JP S58103183A JP 56202822 A JP56202822 A JP 56202822A JP 20282281 A JP20282281 A JP 20282281A JP S58103183 A JPS58103183 A JP S58103183A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000721701 Lynx Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ステムの製造方法に関する。
発明の技術的背景及びその問題点
従来、半導体発光素子装置の発光素子が装着されるステ
ムの一製法で、第1図に示す如く、反射性のあるセラミ
ックからなる略円柱状のステ五本体10貫通孔に、リン
グ状の接着用ガラス1bを介してリード2を貫入し、こ
れを炉内で加熱して溶融接着させてステム3を組立てて
いえ.しかしこのステム3線部品点数が多く、個別ステ
ムどとに装置の組立を行わねばならないために、製造工
程が複雑となシ自動化するのに適さなかった。またリー
ドフレーム形ステふとじて紘、第2図に示す如く、棒状
基体4に多数個の支持リード5を所定間隔で分岐させた
リードフレーム形ステム8が使用されていた。このステ
ム8は自動化には適するが、反射性のあるセラミックか
らなるステム本体1を取付けることが製造上難しいため
、支持リード5の先端面に装着され丸見光素子6の照明
度を向上させることができなかった・ かかる欠点を解決するために、本発明者は、特願昭55
− 96753号において、新規な半導体発光素子装
置の製法を提案し九。仁の製法は、第3図及び第4図に
示す如く、先ず、棒状基体10と、棒状基体10に所定
間隔で所定方向に分岐させた多数個の支持リードxza
、Jxb・・・とからなるリードフレームを用い、該支
持リード12&、11bの先端部に該支持リードiz*
、txbの先端面11e、11dが露出するように、白
色樹脂など反射性のある樹脂基台14を成形して、発光
素子装置用ステム11を形成する・次にこの支持リード
の先端面12C1Jjdに発光集子IJ及び−ンディン
グワイヤ16を装着し一発光素子15を透明又は不透明
な樹脂封止体17で樹脂基台14上に封止して半導体発
光素子装置を組立てるというものである。
ムの一製法で、第1図に示す如く、反射性のあるセラミ
ックからなる略円柱状のステ五本体10貫通孔に、リン
グ状の接着用ガラス1bを介してリード2を貫入し、こ
れを炉内で加熱して溶融接着させてステム3を組立てて
いえ.しかしこのステム3線部品点数が多く、個別ステ
ムどとに装置の組立を行わねばならないために、製造工
程が複雑となシ自動化するのに適さなかった。またリー
ドフレーム形ステふとじて紘、第2図に示す如く、棒状
基体4に多数個の支持リード5を所定間隔で分岐させた
リードフレーム形ステム8が使用されていた。このステ
ム8は自動化には適するが、反射性のあるセラミックか
らなるステム本体1を取付けることが製造上難しいため
、支持リード5の先端面に装着され丸見光素子6の照明
度を向上させることができなかった・ かかる欠点を解決するために、本発明者は、特願昭55
− 96753号において、新規な半導体発光素子装
置の製法を提案し九。仁の製法は、第3図及び第4図に
示す如く、先ず、棒状基体10と、棒状基体10に所定
間隔で所定方向に分岐させた多数個の支持リードxza
、Jxb・・・とからなるリードフレームを用い、該支
持リード12&、11bの先端部に該支持リードiz*
、txbの先端面11e、11dが露出するように、白
色樹脂など反射性のある樹脂基台14を成形して、発光
素子装置用ステム11を形成する・次にこの支持リード
の先端面12C1Jjdに発光集子IJ及び−ンディン
グワイヤ16を装着し一発光素子15を透明又は不透明
な樹脂封止体17で樹脂基台14上に封止して半導体発
光素子装置を組立てるというものである。
上記した特願昭55−96753号の製法は、ステムの
部品点数が少なくまたリードフレーム形ステムで支持リ
ード及び樹脂基台が一連のステムとして固定されて取扱
えるので、ステム製造、素子組立などの作業性がよく自
動化に適した製法である。そしてまえ、樹脂基台の反射
効果によって照明度の高い装置を得ることができる製法
で龜ある。しかしながら次のような欠点がある・ (1) ステムの樹脂基台14を成形したときに、マ
ウント或はワイヤがンディング面となる支持リードの先
端面12C,12dが成形パリによって被覆される。現
在の成形技術では、金型の構造、金型の精度、成形条件
などを厳密に管理することによって成形パリを可及的に
少なくはできても完全防止は困難である。この問題を回
避するには、支持リード12&、12bを樹脂基台14
上に高く突出させて発生する/+9が到達しない高さに
支持リードの先端面12c。
部品点数が少なくまたリードフレーム形ステムで支持リ
ード及び樹脂基台が一連のステムとして固定されて取扱
えるので、ステム製造、素子組立などの作業性がよく自
動化に適した製法である。そしてまえ、樹脂基台の反射
効果によって照明度の高い装置を得ることができる製法
で龜ある。しかしながら次のような欠点がある・ (1) ステムの樹脂基台14を成形したときに、マ
ウント或はワイヤがンディング面となる支持リードの先
端面12C,12dが成形パリによって被覆される。現
在の成形技術では、金型の構造、金型の精度、成形条件
などを厳密に管理することによって成形パリを可及的に
少なくはできても完全防止は困難である。この問題を回
避するには、支持リード12&、12bを樹脂基台14
上に高く突出させて発生する/+9が到達しない高さに
支持リードの先端面12c。
JJdを設ければよいが、その結果、先端面11eに装
着する発光素子15の位置が高くなってしまう。そして
球冠状の樹脂封止体170球面の中心から離れてしまう
ため直接光の見える範囲は180°以上となるが、樹脂
封止体11のレンズ効果が損われ、その結実装置の照明
度が低下し指向特性上好ましくないという問題がある・ (2) また、支持リードの先端面11e、12dに
は〜マウントやワイヤメンディングのためにAgめっき
などを施こし、外部リードとなる部分にははんだ付けに
適するように先端面とは異なるanめっきなどを施ζす
ことが多い。このような場合、外部リードに処理を施こ
すには、支持リードの先端面に部分的保―処理勢を加え
ることが必要となシ、工程が繁雑になるという問題があ
る。
着する発光素子15の位置が高くなってしまう。そして
球冠状の樹脂封止体170球面の中心から離れてしまう
ため直接光の見える範囲は180°以上となるが、樹脂
封止体11のレンズ効果が損われ、その結実装置の照明
度が低下し指向特性上好ましくないという問題がある・ (2) また、支持リードの先端面11e、12dに
は〜マウントやワイヤメンディングのためにAgめっき
などを施こし、外部リードとなる部分にははんだ付けに
適するように先端面とは異なるanめっきなどを施ζす
ことが多い。このような場合、外部リードに処理を施こ
すには、支持リードの先端面に部分的保―処理勢を加え
ることが必要となシ、工程が繁雑になるという問題があ
る。
発明の目的
本発明は、マウント及びワイヤー7デイングを害する樹
脂膜のないステムを容易に得ることができるステムの製
造方法を提供する仁とをその目的とするものである。
脂膜のないステムを容易に得ることができるステムの製
造方法を提供する仁とをその目的とするものである。
発明の概要
本発明は、一対の支持リードを一体に連結し丸形状のリ
ードフレームを用いて、これに樹脂基台を形成し先後、
樹脂封止体によりて封止される樹脂基台の對正面と、発
光素子が装着される支持リードの先端面とが露出するよ
うにこれを切断して、マウント及びワイヤー7デイング
を書する樹脂膜のないステムを容易に得ることができる
ステムの製造方法である。
ードフレームを用いて、これに樹脂基台を形成し先後、
樹脂封止体によりて封止される樹脂基台の對正面と、発
光素子が装着される支持リードの先端面とが露出するよ
うにこれを切断して、マウント及びワイヤー7デイング
を書する樹脂膜のないステムを容易に得ることができる
ステムの製造方法である。
発明の実施例
先ず、第5図に示す如く、一点鎖線で示した中心線で対
称な形状を有するリードフレーム50を用意する。この
リードフレームは、夫々棒状基体J II 、 10’
を有し、棒状基体10 、 I O’に夫々所定間隔で
支持リードI J & # 1 j b *I J’a
l J J’bが多数個分岐している。支持リード1
1&、Ilb;11’&、ll’bは支持アームI J
、 J J’で夫々一体に連結されている。
称な形状を有するリードフレーム50を用意する。この
リードフレームは、夫々棒状基体J II 、 10’
を有し、棒状基体10 、 I O’に夫々所定間隔で
支持リードI J & # 1 j b *I J’a
l J J’bが多数個分岐している。支持リード1
1&、Ilb;11’&、ll’bは支持アームI J
、 J J’で夫々一体に連結されている。
支持リーP11&e 12b;11’&e 12’bの
先端部には、第8図に示す如く、樹脂基台14による被
封入部12・に抜は防止効果を与えるような屈曲或は厚
肉肉盛がされている。そして製造1穆中において中心線
に沿って切断されたときに、支持リードの切断面11e
、11d(第8図参照)が発光素子マウント面及びワイ
ヤがンディング面、即ち発光素子装着面となる。
先端部には、第8図に示す如く、樹脂基台14による被
封入部12・に抜は防止効果を与えるような屈曲或は厚
肉肉盛がされている。そして製造1穆中において中心線
に沿って切断されたときに、支持リードの切断面11e
、11d(第8図参照)が発光素子マウント面及びワイ
ヤがンディング面、即ち発光素子装着面となる。
換言すれば、このリードフレームは、支持り一ド12&
と12′aとが、ま九支持リード12bと12′bとが
、夫々の先端面を突き合わせた形で一体に連結されたも
のである。
と12′aとが、ま九支持リード12bと12′bとが
、夫々の先端面を突き合わせた形で一体に連結されたも
のである。
また、リードフレームの加工法は、所定の肉厚を有する
銅、鉄又はそれらの合金など適宜材質の金属条から、プ
レス加工、エツチング加工等の常法による。
銅、鉄又はそれらの合金など適宜材質の金属条から、プ
レス加工、エツチング加工等の常法による。
次いで、第6図に示す如く、突き合わされた支持リード
先端部を対人して、一対の樹脂基台を一体にした樹脂基
台14′を成形する。樹脂は、ガラス繊維強化?リエチ
レンテレフタレートのような熱硬化性樹脂でもよいが、
不飽和4yエステル樹脂!リンツクスのような熱硬化性
樹脂がよシ好ましい、熱硬化性樹脂は耐熱度が高く、半
田付は時の加熱温度260℃に耐えるとともに、後述の
樹脂基台14′の高速研削切断に耐えるからである。t
た、樹脂は白色など反射率が高く、めっき液に対する耐
浸食性に優れ、かつ熱による変色度が小さく、シかも工
fキシ樹脂など樹脂封止体の樹脂とのなじみの東いもの
であることが望ましい、樹脂基台14′の成形は射出、
トランスファ、圧縮、注型など適宜の成形法を選択でき
る。
先端部を対人して、一対の樹脂基台を一体にした樹脂基
台14′を成形する。樹脂は、ガラス繊維強化?リエチ
レンテレフタレートのような熱硬化性樹脂でもよいが、
不飽和4yエステル樹脂!リンツクスのような熱硬化性
樹脂がよシ好ましい、熱硬化性樹脂は耐熱度が高く、半
田付は時の加熱温度260℃に耐えるとともに、後述の
樹脂基台14′の高速研削切断に耐えるからである。t
た、樹脂は白色など反射率が高く、めっき液に対する耐
浸食性に優れ、かつ熱による変色度が小さく、シかも工
fキシ樹脂など樹脂封止体の樹脂とのなじみの東いもの
であることが望ましい、樹脂基台14′の成形は射出、
トランスファ、圧縮、注型など適宜の成形法を選択でき
る。
次に、第7図に示す如く、樹脂基台14′を一点鎖線で
示した中心線に沿りて切断砥石勢によ多切断して、一対
のステム11 、 J J’を分離させる。そして樹脂
基台を切断することKよシ、樹脂封止体11で封止する
樹脂基台の封止面14eと発光素子を装着する支持リー
ドの先端面11e、11dとが露出する(第8図参照)
。
示した中心線に沿りて切断砥石勢によ多切断して、一対
のステム11 、 J J’を分離させる。そして樹脂
基台を切断することKよシ、樹脂封止体11で封止する
樹脂基台の封止面14eと発光素子を装着する支持リー
ドの先端面11e、11dとが露出する(第8図参照)
。
従ってこのマウント・がンディング部の成形パリの問題
点は、金製構造、金m糟度、成形条件の如何にかかわら
ず完全に回避することができる。
点は、金製構造、金m糟度、成形条件の如何にかかわら
ず完全に回避することができる。
11、外部リード12&、11bと内部リード即ち支持
リードの先端面12(!、12dとに夫々異なり九めつ
き処理等を施こす場合には、樹脂基台14′の切断前(
第6図の状II)に外部リードの処II(例えばSnめ
っき)を施こし、しかる螢に樹脂基台14′の切断を行
えば、従来のように支持リードの先端面ixe、xza
の部分保膜処理等を必要とするのに比較してはるかに工
程が簡略化し能率が向上する。
リードの先端面12(!、12dとに夫々異なり九めつ
き処理等を施こす場合には、樹脂基台14′の切断前(
第6図の状II)に外部リードの処II(例えばSnめ
っき)を施こし、しかる螢に樹脂基台14′の切断を行
えば、従来のように支持リードの先端面ixe、xza
の部分保膜処理等を必要とするのに比較してはるかに工
程が簡略化し能率が向上する。
そして、切断した支持リードの先端面12c。
JJdにはAgめりき処理等を施こし又は施こさずして
、半導体発光素子15を先端面JJcにマウントし、こ
の発光素子15と他方の先端面Jjdとをゲンディング
ワイヤ1#で接続し、発光素子を装着する(第3図参照
)、シかる後、透明又は不透明な工Iキシ樹脂勢からな
る樹脂封止体11によシ発光素子を樹脂基台の切断し九
封正面上に封止し、棒状基体1oから分離して、樹脂基
台の封止面14eと支持リードの先端面12e、Ijl
dとの間に段差をなくシ、発光素子15の装着位置を、
樹脂封止体110球面の中心に近い理想的な位置にする
ことができ、樹脂封止体のレンズ効果を得て指向特性に
優れ、かつ照明度の向上を図った半導体発光装置を得る
ことができる。
、半導体発光素子15を先端面JJcにマウントし、こ
の発光素子15と他方の先端面Jjdとをゲンディング
ワイヤ1#で接続し、発光素子を装着する(第3図参照
)、シかる後、透明又は不透明な工Iキシ樹脂勢からな
る樹脂封止体11によシ発光素子を樹脂基台の切断し九
封正面上に封止し、棒状基体1oから分離して、樹脂基
台の封止面14eと支持リードの先端面12e、Ijl
dとの間に段差をなくシ、発光素子15の装着位置を、
樹脂封止体110球面の中心に近い理想的な位置にする
ことができ、樹脂封止体のレンズ効果を得て指向特性に
優れ、かつ照明度の向上を図った半導体発光装置を得る
ことができる。
本発明は上記の実施例のように中心線に沿うて対称な一
対のステムを形成するばかりでなく非対称な一対のステ
ムを形成することもでき、半球のレンズとなる樹脂封止
体に便なる略円柱状の樹脂基台以外の形状の樹脂基台と
することもできるなど、本発明の効果をそのiまにして
種種の変形を加えることができる。
対のステムを形成するばかりでなく非対称な一対のステ
ムを形成することもでき、半球のレンズとなる樹脂封止
体に便なる略円柱状の樹脂基台以外の形状の樹脂基台と
することもできるなど、本発明の効果をそのiまにして
種種の変形を加えることができる。
発明の詳細
な説明し九如く、本発明に係るステムの製造方法によれ
ば、発光素子が装着される支持リードの先端面に、樹脂
パリのようなマウント及びワイヤーンディングを害する
樹脂膜のないステムが得られ、外部リードと内部リード
に施ζす異なう丸めつき等の処理を能率よく行うことが
でき、指向特性のよい半導体発光装置を容品に製造でき
るtSt著な効果を有するものである。
ば、発光素子が装着される支持リードの先端面に、樹脂
パリのようなマウント及びワイヤーンディングを害する
樹脂膜のないステムが得られ、外部リードと内部リード
に施ζす異なう丸めつき等の処理を能率よく行うことが
でき、指向特性のよい半導体発光装置を容品に製造でき
るtSt著な効果を有するものである。
第1図は、従来のセラミ、り本体を有するステムの斜視
図、第2図は従来のリードフレーム形ステムの斜視図、
第3図は、樹脂基台付リードフレーム形半導体発光装置
の斜視図、第4図は、第3図のステムの一部破断正面図
、第5図は、本発明方法にて用いるリードフレームの斜
視図、第6図は、同リードフレームに樹脂基台を形成し
た状態を示す斜視図、第7図は、同樹脂基台を形成した
リードフレームの切断箇所を示す説明図、第8図は、本
発明方法にて得られたステムの一部破断正面図である。 J 1 、 I J’・・・ステム、50・・・リード
フレーム、10 、 I O’−・・棒状基体、12&
、12b、12’&T12′b・・・支持リード(外部
リード)、JJ@・・・被封入部、ixc*xzd・・
・支持リード切断面(先端面)、J41J4’・・・樹
脂基台、15・・・発光素子、16・・・Iンディング
ワイヤ、11・・・樹脂封止体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 意気、l−、!
r2“−゛第3図 しシ〆 2
図、第2図は従来のリードフレーム形ステムの斜視図、
第3図は、樹脂基台付リードフレーム形半導体発光装置
の斜視図、第4図は、第3図のステムの一部破断正面図
、第5図は、本発明方法にて用いるリードフレームの斜
視図、第6図は、同リードフレームに樹脂基台を形成し
た状態を示す斜視図、第7図は、同樹脂基台を形成した
リードフレームの切断箇所を示す説明図、第8図は、本
発明方法にて得られたステムの一部破断正面図である。 J 1 、 I J’・・・ステム、50・・・リード
フレーム、10 、 I O’−・・棒状基体、12&
、12b、12’&T12′b・・・支持リード(外部
リード)、JJ@・・・被封入部、ixc*xzd・・
・支持リード切断面(先端面)、J41J4’・・・樹
脂基台、15・・・発光素子、16・・・Iンディング
ワイヤ、11・・・樹脂封止体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 意気、l−、!
r2“−゛第3図 しシ〆 2
Claims (1)
- 平行な棒状基体間に、誼棒状基体相互を連結する支持リ
ードが複数本配置されたリードフレームを用意する工程
と、このリードフレームの前記支持リードの中央部に骸
支持リードを2本以上一体に固定する樹脂基台を形成す
る工程と、その樹脂基台および前記支持リードを前記樹
脂基台の封止面と前記支持リードの先端面とが露出する
ように初析する工程とを具備することを特徴とするステ
ムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56202822A JPS58103183A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | ステムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56202822A JPS58103183A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | ステムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58103183A true JPS58103183A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16463764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56202822A Pending JPS58103183A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | ステムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58103183A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044718A (ja) * | 2002-12-06 | 2011-03-03 | Cree Inc | 1つの小さい設置面積を有するledパッケージダイ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6244875A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Toshiba Corp | 機械翻訳装置 |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56202822A patent/JPS58103183A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6244875A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Toshiba Corp | 機械翻訳装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044718A (ja) * | 2002-12-06 | 2011-03-03 | Cree Inc | 1つの小さい設置面積を有するledパッケージダイ |
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