JPS58101A - 厚膜抵抗体のトリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は厚ｍ紙′抗体の抵抗値を設定するためのトリミ
ング方法に関する。

第１図は従来のむの種方法を示し、（１）は絶縁基板、
（２１（３３は該基板（１）上に形成された一対の電極
。

（４）は該電極（２）（３１問に形成された抵抗体、（
５）は）ヲ覧ング装−であ１．該）５１ング装置！！＋
５）は先端のノズル（６）より微細な粉（７）を吹きつ
けて上記抵抗体（４をトリミングする（ナンｒプツスト
法ン・新る方法では、９Ｐ；意図ムｓ　”Ｋ示すようＫ
）ラミング１ｌ（８）の周＠（９Ｊの抵抗体（４）表面
も上記粉（７；のと、抵抗体（７）自身の許容電力が低
下し九シ、′ま九経時変化に刻して−（なると−う間層
が生じる。

肉第２ＷＡム、１Ｋかいて第１１１と同−筒所には同一
番号を付した。

まえ上記抵抗体（４）はシリ１ング後温気等から保護す
る大めにオーバーフートが施される。祈る場合例えばオ
ーバープート材料としてガラスを用−ると該ガラスを高
温焼成する必要があり、新る高温工１１によｐ抵抗体（
蜀の抵抗値が変化するという間層も生じる・ そこでトリミング１０に抵抗体にオーバーコー４を施し
、その後に抵抗）！をングを行なう方法が考えられる。

断る方法により例えばチンドプラメト法により）ｇ１ン
グを行なうと第ｉ図に示す如く抵抗体（４）吟の表面に
施されたオーバーコート閤によ多トリ＜、シかも抵抗体
＋４Ｊにおける）５１ング巾も小さく一定するので抵抗
精度を上げることができる。

両県５図中第１図と同一箇所には同一番号な付した。

ところがこの場合オーバーコートの厚み分だけ余分にト
リミングする必要があるのでトリミング速度が遅くな９
％結果として生産性が低下する。

本発明は上記の間ＭｉＬに鑑みてなされたもので以下実
施例に基づいて本発明を説明する。

第４図〜第７図は本発明の一実施例な示す工程別図であ
る。

第４図＾、烏は第１工程を示し、−面に１対のＳ極σ卸
Ｊと該４麿αａ日の夫々に一部重畳する抵抗体Ｉとが形
成されえ例えばセラミックからなる絶縁ム板αＤを準備
する。

上記’［極（１１１１３及び抵抗体Ｉは夫々周知の導電
性ペースト及び抵抗ペーストを印刷焼成して形成したも
のである。

第５１１１１ム、烏は第２工程を示し、少なくとも上ε
抵抗体（１４の一部（、非コート部分（１４す）ｔ−除
く＆板ＵＳ面金体にオーバーブート峙を形成する。

爾該オーバーコート日は熱硬化性エボキＶ樹脂等の樹脂
で形成しても良く、また、ガラスを高ＩＡ焼成して形成
してもよい０ 第６凶ム、ｌは第３ニーを示し、上記非コーを部分（１
４りの抵抗体ａ４を例えばナンドブラスト法によＪｌ）
ラミングして上記抵抗体Ｉの抵抗値を大まかに：調整す
る。

このとき上記非コート部分（１４Ｍ）の抵抗体任導は全
て）ラミングしたとしても上記抵抗体σ４の抵抗惰が目
標値に達しない程度が好ましく、このようにすれば第１
図に示した如くＪｌ自が荒れた抵抗体を残丁ことはなく
従うて、既述したような許容電力の紅下等の問題が生じ
ることはない。

第７図は最終工程を示し、上記オーバーコート峙が施さ
れた抵抗体Ｉを祈るオーバーコート霞と共に）ｇミンク
して黴１ｍ５ｗを形成する。

祈る）５１ングでは、第５図で説明したよりに抵抗体値
◆におけるトリミング中は小さく一定し。

かつその）５１ング遣度は遅いので抵抗値を精度よく１
瞥できる。

従りて１本工程も新る特徴を活して上記抵抗値の徽−瞥
を行なう。

＃１．トデミング終了終了後トラ１２分にエポキＷｍｍ
等の低温硬化材料でオーｌ（−コー１してシ〈ことが望
ましい。

以上の叩く本発明は、少なくとも抵抗体が形成され九絶
縁１板を準備する工程と、上記抵抗体の一部を除いて上
記１＆板表面をオー）罵−コートする工程ト、上記オー
バーコートの施されていない上記抵抗体をトリミングし
て上ε抵抗体の抵抗値な大まかに設定する工程と、上記
オーバ−コートの施さ７″した上記抵抗体をトリミング
して上記抵抗体の抵抗値なＩＩｋ−整する工程とからな
るので、従来方法と比較して全体のトリミング適度をそ
こなうことなく抵抗体の劣化を防ぐξとが可能でかつ抵
抗値の微調整も簡単に行なえる。ＩＬ九）９ｔング開始
は非コート部分と明確であるのでトリｔング機のセツテ
ィングも筒単に行える。Ｉ！に）５１ング前にオーバー
プートを施こすのでオーバーコート材料としてガラス等
の高温墨廻を必要とする材料を用いることが可能でもＴ
ｏＩ

【図面の簡単な説明】

第１Ｅは従来の厚膜抵抗）すｔング方法を示す斜視図、
第を図ム、塾は第ｔａｇ方法（より得られた厚膜抵抗な
示す平面図及び断面図、第６図は他の従来例を示す断面
図、第４図〜第７図は本発明の一実施例の工程別図であ
）、第４凶ム、第５凶ム、＠４図ム及び第７図は平面図
、第４図膠、第５図膠及び第６図１は断面図である。 （１）１珍・・・絶縁基板、　（４）［１−抵抗体、−
〇・・・オー／＜−コート。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１１少なくとも抵抗体が形成された絶縁基板を準備す
   る工程と、上記抵抗体の一部を除いてよε１板表面をオ
   ーバーコートする工程と、上記オーバーコートの施され
   ていない上記抵抗体なトｇミングして上記抵抗体の抵抗
   値を大まかに設定する工程と、上記オーバーコートの施
   された上記抵抗体を）５１ンダして上記抵抗体の抵抗値
   を黴劇整する工程とからなる厚膜抵抗体のトリミング方
   法。