JPS5866955U - サ−マルヘツド - Google Patents

サ−マルヘツド

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Publication number
JPS5866955U
JPS5866955U JP1981161337U JP16133781U JPS5866955U JP S5866955 U JPS5866955 U JP S5866955U JP 1981161337 U JP1981161337 U JP 1981161337U JP 16133781 U JP16133781 U JP 16133781U JP S5866955 U JPS5866955 U JP S5866955U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermal head
insulating substrate
glaze layer
thin film
utility
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1981161337U
Other languages
English (en)
Inventor
本吉 幸雄
斉田 克明
寺出 喜市
飯島 輝夫
田辺 正
Original Assignee
セイコーインスツルメンツ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セイコーインスツルメンツ株式会社 filed Critical セイコーインスツルメンツ株式会社
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Publication of JPS5866955U publication Critical patent/JPS5866955U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はサーマルヘッドの断面図である。第2図はデツ
プ引き上げ速度と膜厚の関係を示した。 1・・・絶縁性基板、2・・・ガラスグレーズ層、、3
・・・アンダーコート破膜、4・・・発熱抵抗体、5・
・・電極、6・・・保護膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に形成されたガラスグレーズ層の上に耐酸性
    の強い薄膜被膜をデツプ法により形成したことを特徴と
    するサーマルヘッド。
JP1981161337U 1981-10-29 1981-10-29 サ−マルヘツド Pending JPS5866955U (ja)

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JPS5866955U true JPS5866955U (ja) 1983-05-07

Family

ID=29953709

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JP1981161337U Pending JPS5866955U (ja) 1981-10-29 1981-10-29 サ−マルヘツド

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