JPH1197764A - 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置

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JPH1197764A
JPH1197764A JP9253832A JP25383297A JPH1197764A JP H1197764 A JPH1197764 A JP H1197764A JP 9253832 A JP9253832 A JP 9253832A JP 25383297 A JP25383297 A JP 25383297A JP H1197764 A JPH1197764 A JP H1197764A
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atomic
magnetoresistive
irrhmn
hua
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Kenichi Aoshima
賢一 青島
Hitoshi Kanai
均 金井
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の磁気抵抗効果素子に比して優れた特性
を有する磁気抵抗効果素子を提供する。 【解決手段】 例えば、磁気抵抗効果型ヘッド１４の構
成要素として用いられる磁気抵抗効果素子１１を製造す
るに際して、反強磁性層２４の形成に、ＩｒとＲｈとＭ
ｎとからなる材料であって、Ｉｒの含有率が２〜６原子
％であり、かつ、Ｍｎの含有率が７１〜７８原子％であ
る材料、或いは、Ｉｒの含有率が２〜１２原子％であ
り、かつ、Ｍｎの含有率が７８〜８４原子％である材料
を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素
子、磁気抵抗効果型ヘッド並びに磁気記録再生装置に関
し、特に、反強磁性層を含む磁気抵抗効果素子と、その
ような磁気抵抗効果素子が用いられた磁気抵抗効果型ヘ
ッドと磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッドなどに用いられる
磁気抵抗効果素子の中には、磁性層と交換結合する反強
磁性層を備えたものが存在している。
【０００３】図１０に、そのような素子の一つであるス
ピンバブル素子（いわゆる、スピンバブルヘッドのセン
サー部）の構造を示す。図示したように、スピンバブル
素子は、下地３１上に、自由層３２、中間層３３、固定
層３４、反強磁性層３５が積層された構成を有する。こ
れらの層のうち、自由層３２と固定層３４は、異方性磁
界が小さな強磁性材料（通常、ＮｉＦｅ(ニッケル・鉄)
合金；パーマロイ）を用いて形成され、中間層３３は、
例えば、Ｃｕ(銅)のような非磁性の金属を用いて形成さ
れる。そして、反強磁性層３５としては、スピンバブル
素子を優れた磁場検出特性を有するものとするために、
固定層３４と原子レベルで密に接触して固定層３４との
間に強い交換結合をもたらす反強磁性材料からなる層が
用いられている。
【０００４】また、単一の磁性層と反強磁性層を有する
磁気抵抗効果素子も知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような構成の
磁気抵抗効果素子の反強磁性層を形成するための材料に
は、磁性層との間に強い交換結合をもたらすものである
こと（磁性層と形成される反強磁性層との間の結合磁界
が大きいこと）が要求されるのは当然として、耐食性並
びに熱安定性が良いこと、反強磁性層を形成しやすいこ
とも要求される。
【０００６】しかしながら、従来、反強磁性層の形成に
用いられていた材料（ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、
ＮｉＯ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ等）は、反強磁性層用材料
として何らかの点で欠点を有するものとなっていた。例
えば、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎは、成膜したままの状態では
所望の特性を示さない。このため、これらの材料を用い
る場合、成膜後に高温（３００℃程度）の熱処理が必要
となり、その結果として、磁気抵抗効果素子の製造プロ
セスが複雑になる、特性の均一な磁気抵抗効果素子が得
られにくいといった問題が生じていた。また、ＮｉＯ
は、成膜したままの状態で反強磁性を示し、耐食性も良
いが、熱安定性が悪い、膜厚を厚くしなければ磁性層と
の間の結合磁界を大きくできないといった問題があっ
た。
【０００７】ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎは、成膜し
たままの状態で反強磁性を示し、比較的良い熱安定性を
示すが、強磁性層と強く交換結合する組成における耐食
性が悪いという問題があった。このため、例えば、特開
平８−２４９６１６号公報に記載の技術では、スピンバ
ブル素子の反強磁性層を形成するに際して、ＮｉＦｅ磁
性層との結合磁界が、ＩｒＭｎ２元系反強磁性材料によ
って実現可能な最大結合磁界のおよそ１／２となる組成
（Ｉｒの含有率が３０〜４５原子％）のＩｒＭｎ２元系
反強磁性材料を用いている。
【０００８】また、上記公報では、ＩｒＭｎに、Ｐｔ、
Ｒｕ、Ｒｈを添加することにより、得られる結合磁界の
大きさは小さくなるものの、耐食性を向上できることも
報告されている。具体的には、（Ｍｎ60Ｉｒ40）100-d
Ｐｔdで表される反強磁性材料において（添字は、原子
％）、ｄ＝５とすると、結合磁界は、Ｍｎ60Ｉｒ40より
も小さくなるものの、耐食性Ｍｎ60Ｉｒ40よりも優れた
耐食性を示すことが報告されている。そして、Ｉｒの代
わりにＲｕ、Ｒｈを用いても同様の結果が得られるとし
ている。
【０００９】このように、この公報に記載の技術では、
耐食性を良くするために、ＩｒＭｎ２元系合金に第３元
素を加えた３元系合金を用いているが、３元系合金とし
た結果、結合磁界が小さくなってしまっている。すなわ
ち、上記公報に記載の３元系合金は、磁気抵抗効果素子
の反強磁性層材料として適したものとはなっていない。
何故ならば、２元系合金を用いる場合にも、結合磁界の
大きさを小さくして良いのならば耐食性を向上させるこ
とが可能であることを考えると、反強磁性層に３元系合
金を用いる場合、その３元系合金には、ある２元系合金
を用いた場合と同等の大きさの結合磁界が得られ、か
つ、その２元系合金よりも優れた耐食性を示すことが望
まれるからである。
【００１０】そこで、本発明の課題は、上記要求を満た
す３元系合金からなる反強磁性層を備える磁気抵抗効果
素子、すなわち、従来の、磁界検出性能を優先させた磁
気抵抗効果素子と同等の磁界検出性能を有し、かつ、そ
の磁気抵抗効果素子よりも優れた耐食性を有する磁気抵
抗効果素子を提供することにある。
【００１１】また、本発明の他の課題は、優れた磁界検
出性能を持ち、かつ、耐食性等の耐久性が高い磁気抵抗
効果型ヘッド並びに磁気記録再生装置を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に鋭意研究を行った結果、本発明者らは、ＩｒとＲｈと
Ｍｎとからなる材料であって、Ｉｒの含有率が２〜６原
子％であり、かつ、Ｍｎの含有率が７１〜７８原子％で
ある材料、或いは、Ｉｒの含有率が２〜１２原子％であ
り、かつ、Ｍｎの含有率が７８〜８４原子％である材料
を用いて反強磁性層を形成すると、ＩｒＭｎ２元系合金
或いはＲｈＭｎ２元系合金を用いて最も大きな結合磁界
を有するように形成された磁気抵抗効果素子と同程度の
大きさの結合磁界を有し、かつ、それらの磁気抵抗効果
素子よりも優れた耐食性を示す磁気抵抗効果素子、すな
わち、従来の磁気抵抗効果素子よりも優れた特性を示す
磁気抵抗効果素子を得ることができることを見い出し
た。
【００１３】また、Ｒｈ含有率を１２〜１６原子％とし
た材料（すなわち、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｍｎの組成比（原子
％）が、およそ、６：１４：８０である材料）を用いる
と、ＩｒＭｎ２元系合金或いはＲｈＭｎ２元系合金では
実現不可能な大きさの結合磁界を有する磁気抵抗効果素
子が得られることも見出した。
【００１４】さらに、反強磁性層の膜厚を、６〜１２ｎ
ｍ、より好ましくは、８〜１０ｎｍとすると、特に熱安
定性に優れた磁気抵抗効果素子が得られることも分かっ
た。なお、本発明の磁気抵抗効果素子は、磁性層を１つ
しかもたない構成で実現しても良く、非磁性層を挟んだ
２つの磁性層を持つ構成で実現しても良い。また、本発
明の磁気抵抗効果素子を、磁界センサとして用いても良
く、磁気抵抗効果型ヘッドのセンサ部として用いても良
い。
【００１５】上記のように本発明の磁気抵抗効果素子
は、磁性層と反強磁性層間の結合磁界が大きく、かつ、
高い耐食性を示すので、本磁気抵抗効果素子を用いて磁
気抵抗効果型ヘッドを形成すれば、優れた磁界検出特性
を持ち、かつ、耐食性等の耐久性が高い磁気抵抗効果型
ヘッドが得られることになる。また、そのように構成さ
れた磁気抵抗効果型ヘッドを用いれば、良好な再生特性
を有し、長期に渡り安定的に使用できる磁気記録再生装
置が得られることになる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して具体的に説明する。まず、より良好な特性を
有する磁気抵抗効果型ヘッドを実現できる反強磁性層材
料を見いだすために行った実験の内容を説明する。
【００１７】本発明者らは、Ｉｒ（イリジウム）、Ｒｈ
（ロジウム）、Ｍｎ（マンガン）からなる３元系合金
（以下、ＩｒＲｈＭｎと表記する）を対象として、磁気
抵抗効果素子の反強磁性層への使用に適した反強磁性材
料の探索を行うこととした。また、既に説明したよう
に、反強磁性層材料には、製造される磁気抵抗効果素子
の性能が良いこと、熱的安定性が高いこと、耐食性が高
いこと等が望まれるが、これらの評価を、構造の異なる
２種の試料を用いて行うこととした。
【００１８】図１に、ＩｒＲｈＭｎを用いたスピンバブ
ル素子（図１０参照）の磁界検出性能、熱的安定性を確
認するために採用した試料（以下、ＩｒＲｈＭｎ積層膜
試料と表記する）の構成を示す。図示したように、Ｉｒ
ＲｈＭｎ積層膜試料は、基板２０上に、Ｔａ（タンタ
ル）層２１、ＮｉＦｅ（ニッケル・鉄；パーマロイ）層
２２、ＣｏＦｅＢ（コバルト・鉄・ボロン）層２３、Ｉ
ｒＲｈＭｎ層２４、Ｔａ層２５が積層された構造を有す
る。なお、Ｔａ層２１は、所望の特性を有するようにＮ
ｉＦｅ層２２を成長させるためのバッファ層であり、Ｔ
ａ層２５は、ＩｒＲｈＭｎ層２４の本来の特性が測定で
きるようにするための保護層である。ＮｉＦｅ層２２、
ＣｏＦｅＢ層２３は、スピンバブル素子としたときに、
それぞれ、自由層、固定層として機能することになる磁
性層である。
【００１９】本実験では、このような構造を有し、Ｉｒ
ＲｈＭｎ層２４の組成、膜厚のみが異なる複数のＩｒＲ
ｈＭｎ積層膜試料を、スパッタ法を用いて作製した。ま
た、Ｒｈを含まないＩｒＲｈＭｎ層２４を有する試料
（以下、ＩｒＭｎ積層膜試料と表記する）、Ｉｒを含ま
ないＩｒＲｈＭｎ層２４を有する試料（以下、ＲｈＭｎ
積層膜試料と表記する）も作製し、各積層膜試料のＢ−
Ｈループのシフト量（結合磁界）Ｈｕａを測定すること
によって、形成されるスピンバブル素子の感度（磁界検
出性能）を評価した。さらに、Ｈｕａの雰囲気温度依存
性等を測定することによって、熱的安定性の評価を行っ
た。
【００２０】また、耐食性を評価するための試料として
は、基板上に、各種組成のＩｒＲｈＭｎ単層膜を形成し
た試料（以下、ＩｒＲｈＭｎ（ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ）単
層膜試料と表記する）を作製した。そして、各単層膜試
料の腐食電位（自然電極電位）をポテンシオスタットを
用いて測定することによって耐食性の評価を行った。
【００２１】以下、図２ないし図４を用いて、実験結果
を具体的に説明する。これらの図のうち、図２は、各積
層膜試料のＨｕａの測定結果を示した図であり、図中に
示されている各数値が、その数値が示されている組成の
積層膜試料に対して測定されたＨｕａ（単位は、エルス
テッド；Ｏｅ）を表している。図３は、各単層膜試料の
腐食電位の測定結果を示した図であり、図中に示されて
いる各数値が、対応する組成の単層膜試料に対して測定
された腐食電位（単位は、ｍＶ）を表している。なお、
磁界検出性能のより良いスピンバブル素子を得ることが
出来る材料（組成）の方が大きなＨｕａを示すことにな
り、耐食性がより優れた材料ほど、大きな（“０”に近
い）腐食電位を示すことになる。また、図４は、実験を
行った幾つかの試料に関するＨｕａと腐食電位の関係を
示した図である。
【００２２】まず、Ｒｈを含まない積層膜試料のＨｕａ
測定結果（図２）に着目すると、ＩｒＭｎは、Ｉｒ、Ｍ
ｎの組成比（原子％）が、およそ、１４：８６であると
きに、最も大きなＨｕａ（１８２Ｏｅ）を持ち、組成比
が、その最大Ｈｕａを持つ組成比と異なるものとなるほ
ど、Ｈｕａの値が小さくなる材料であることが分かる。
一方、Ｒｈを含まない単層膜試料の腐食電位測定結果
（図３）に着目すると、ＩｒＭｎは、Ｉｒの含有比率が
高いほど優れた耐食性を示す材料であることが分かる。
【００２３】同様に、Ｉｒを含まない試料のＨｕａ測定
結果（図２）に着目すると、ＲｈＭｎは、Ｒｈ、Ｍｎの
組成比（原子％）が、およそ、１９：８１であるとき
に、最も大きなＨｕａ（１８９Ｏｅ）を持ち、その最大
Ｈｕａを持つ組成比と異なるものとなるほど、Ｈｕａの
値が小さくなる材料であることが分かる。また、Ｒｈを
含まない単層膜試料の腐食電位測定結果（図３）に着目
すると、ＲｈＭｎは、Ｒｈの含有比率が高いほど優れた
耐食性を示す材料であることが分かる。
【００２４】また、３元素共に含むＩｒＲｈＭｎ積層膜
試料のＨｕａ測定結果（図２）に着目すると、図中に実
線で示した組成範囲、すなわち、Ｉｒの含有率が２〜６
原子％であり、かつ、Ｍｎの含有率が７１〜７８原子％
である組成範囲と、Ｉｒの含有率が２〜１２原子％であ
り、かつ、Ｍｎの含有率が７８〜８４原子％である組成
範囲とからなる組成範囲において、ＩｒＲｈＭｎは、１
７０Ｏｅを越えるＨｕａを持つことが分かる。
【００２５】そして、図３に示した実験結果からは、そ
の組成範囲のＩｒＲｈＭｎが、ＩｒＭｎ、あるいは、Ｒ
ｈＭｎに比して、反強磁性層用材料として好ましいもの
となっていることが分かる。
【００２６】具体的には、各組成の２元系積層膜試料の
Ｈｕａに対して、対応する２元系単層膜試料の腐食電位
をプロットすると、図４に、黒四角並びに点線で示した
ような関係が得られる。なお、図４では、同程度のＨｕ
ａを持つ試料が２つ存在する場合、腐食電位が小さい方
の試料の測定結果のみをプロットしてある。
【００２７】既に説明したように、シフト量Ｈｕａが大
きい方がスピンバブル素子としたときの磁界検出性能は
良好なものとなり、腐食電位が高い方が耐食性は優れた
ものとなる。従って、図４に示した点線よりも上側（右
側）に、測定結果がプロットされる材料の方が、反強磁
性層用材料として好ましいことになるが、上記した組成
範囲に含まれる組成比を有するＩｒＲｈＭｎは、図中、
四角（白抜き）で示してあるように、総て、点線よりも
上側（右側）に、測定結果がプロットされる材料となっ
ている。
【００２８】しかも、上記組成範囲内の材料であって、
Ｒｈ含有率が１２〜１６原子％である材料（すなわち、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｍｎの組成比（原子％）が、およそ、６：
１４：８０である材料）は、ＩｒＭｎ２元系合金で実現
できるＨｕａの最大値（１８２Ｏｅ）、ＲｈＭｎ２元系
合金で実現できるＨｕａの最大値（１８９Ｏｅ）より
も、大きなＨｕａ（１９１Ｏｅ）を示すものとなってい
る。
【００２９】すなわち、Ｉｒの含有率が２〜６原子％で
あり、かつ、Ｍｎの含有率が７１〜７８原子％であるＩ
ｒＲｈＭｎ、あるいは、Ｉｒの含有率が２〜１２原子％
であり、かつ、Ｍｎの含有率が７８〜８４原子％である
ＩｒＲｈＭｎを用いて反強磁性層を形成すれば、ＩｒＭ
ｎ、ＲｈＭｎを用いて反強磁性層を形成することによっ
て得られる磁気抵抗効果素子よりも総合的な特性が優れ
た磁気抵抗効果素子を実現することができる。特に、そ
の組成範囲内において、Ｒｈ含有率が１２〜１６原子％
であるＩｒＲｈＭｎ（すなわち、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｍｎの組
成比が、およそ、６：１４：８０であるＩｒＲｈＭｎ）
を用いれば、Ｈｕａが１９１Ｏｅとなるので、ＩｒＭ
ｎ、ＲｈＭｎを用いた磁気抵抗効果型ヘッドよりも、優
れた磁界検出性能を有する磁気抵抗効果素子を実現でき
ることになる。
【００３０】次に、図５、６を用いて、熱的安定性に対
する実験結果を説明する。これらの図のうち、図５は、
ＩｒＲｈＭｎ層の膜厚を変えて作製したＩｒＲｈＭｎ積
層膜試料のＨｕａ、Ｈｃを、形成直後と、２３０℃、３
時間の熱処理後に測定した結果を示した図である。ま
た、図６は、同構成のＩｒＲｈＭｎ積層膜試料に対し
て、ブロッキング温度を求めるために行ったＨｕａの雰
囲気温度依存性の測定結果を示した図である。なお、各
図には、反強磁性層材料として最も好ましい材料であ
る、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｍｎの組成比が、およそ、６：１４：
８０（実測値は５.８：１３.９：８０.３）であるＩｒ
ＲｈＭｎ積層膜試料に関する実験結果のみを示してあ
る。
【００３１】図５中に黒丸で示したように、ＩｒＲｈＭ
ｎ積層膜試料は、膜厚が異なっていても、形成直後の状
態（熱処理を行っていない状態）では、ほぼ、同じＨｕ
ａを持つ。しかしながら、黒三角で示したように、２３
０℃、３時間の熱処理後のＨｕａは、ＩｒＲｈＭｎ層の
膜厚が厚くなる程、小さくなる。このため、ＩｒＲｈＭ
ｎ層の膜厚は、熱処理後のＨｕａがさほど小さくならな
い（熱処理後にも１２０Ｏｅ以上のＨｕａが得られる）
６〜１２ｎｍであることが好ましい。
【００３２】また、図６に示してあるように、Ｈｕａの
雰囲気温度依存性の測定結果からは、ＩｒＲｈＭｎ層の
膜厚を厚くする程、ブロッキング温度（Ｈｕａが“０”
となる温度）が高くなる傾向があること、ＩｒＲｈＭｎ
層の膜厚が６ｎｍである積層膜試料のブロッキング温度
は、膜厚が８ｎｍ以上である他の積層膜試料のブロッキ
ング温度よりも著しく低い１５０℃となることが確認さ
れた。このため、ＩｒＲｈＭｎ層の膜厚としては、８ｎ
ｍ以上が好ましいと考えられ、上記した熱処理後のＨｕ
ａから定められる膜厚範囲との関係で、ＩｒＲｈＭｎ層
の膜厚は、８〜１２ｎｍであることが好ましいことにな
る。なお、膜厚が薄いほど熱処理によるＨｕａの低下量
が小さいことを考えると、ＩｒＲｈＭｎ層の膜厚は、特
に、８〜１０ｎｍであることが望ましい。
【００３３】以上説明したように、一連の実験結果か
ら、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｍｎの組成比が、およそ、６：１４：
８０であるＩｒＲｈＭｎを用いて、８〜１０ｎｍ厚の反
強磁性層を形成すると、特に優れた特性を持つ磁気抵抗
効果素子が得られることが分かった。このため、上記組
成のＩｒＲｈＭｎを用いたスピンバブル素子を含む磁気
抵抗効果型ヘッドを実際に製造し、製造した磁気抵抗効
果型ヘッドを搭載して磁気記録再生装置を製造した。
【００３４】図７に、製造した磁気抵抗効果型ヘッドの
概略構成を示す。なお、図７では、スライダや、磁気抵
抗効果素子・シールド間に設けられている絶縁膜の表示
を省略してある。
【００３５】図７（ａ）に示してあるように、製造した
磁気抵抗効果型ヘッド１４は、一般に、マージ型ヘッド
と呼ばれている、スピンバブル素子（磁気抵抗効果素
子）１１の一方のシールド１２が、記録ヘッドの一方の
磁極としての役目も担っているヘッドである。磁気抵抗
効果型ヘッド１４内に設けられたスピンバブル素子１１
は、同図（ｂ）に示したように、ＩｒＲｈＭｎ単層膜試
料（図１参照）のＮｉＦｅ層２２、ＣｏＦｅＢ層２３間
に、Ｃｕ中間層２６を挿入した形態の素子となってい
る。なお、本実施形態では、スピンバブル素子３１とし
て、Ｃｕ中間層、ＩｒＲｈＭｎ層の膜厚を、それぞれ、
３ｎｍ、８ｎｍとした素子を用いている。また、図８に
示してあるように、スピンバブル素子１１として、その
端部磁区を制御するためにＣｏＣｒＰｔハード膜を設け
たものを用いている。
【００３６】そして、そのような構成を有する磁気抵抗
効果型ヘッド１４を、図９に示したように、磁気記録媒
体１５（いわゆる、ハードディスク）、制御系１６等を
含む磁気記録再生装置に組み込み、記録再生特性の評
価、耐久性の評価を行った。その結果、磁気抵抗効果型
ヘッド１１を用いた場合、２元系合金によって反強磁性
層が形成された磁気抵抗効果素子を用いた場合に比し
て、より良好な状態で記録再生が行え、また、実用上、
十分な耐久性を持つ磁気記録再生装置が構成できること
が確認された。
【００３７】以上詳細に説明したように、組成が上記し
たような範囲内にあるＩｒＲｈＭｎを用いて反強磁性層
を形成すると、従来に比して優れた特性を有する磁気抵
抗効果素子を得ることが出来る。そして、その磁気抵抗
効果素子を用いれば、従来に比して優れた特性を有する
磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録再生装置が構成でき
る。
【００３８】なお、本実施形態の磁気抵抗効果素子は、
非磁性層を挟む２つの磁性層を有し、その一方の磁性層
上に反強磁性層が形成された、いわゆる、スピンバブル
素子であったが、１つの磁性層しか有さない形態の磁気
抵抗効果素子の反強磁性層を形成する際に、上記した組
成範囲のＩｒＲｈＭｎを用いても良いことは当然であ
る。また、本磁気抵抗効果素子を、磁気抵抗効果型ヘッ
ドの構成要素としてではなく、磁界センサとして用いて
も良いことも当然である。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、従来に比して優れた特
性を示す磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、磁
気記録再生装置を、簡単に得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】大きな結合磁界が得られる組成を決定するため
に用いたＩｒＲｈＭｎ積層膜試料の説明図である。
【図２】ＩｒＲｈＭｎ系積層膜試料のＨｕａの組成依存
性を示した図である。
【図３】ＩｒＲｈＭｎ系単層膜試料の腐食電位の組成依
存性を示した図である。
【図４】ＩｒＲｈＭｎ系試料のＨｕａと腐食電位の関係
を示した図である。
【図５】ＩｒＲｈＭｎ積層膜試料のＨｕａ、Ｈｃの膜厚
依存性を示した図である。
【図６】ＩｒＲｈＭｎ積層膜試料のＨｕａの雰囲気温度
依存性を示した図である。
【図７】本発明の一実施形態による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略構成図である。
【図８】図７に示した磁気抵抗効果型ヘッドに用いられ
ている磁気抵抗効果素子の概略構成図である。
【図９】図７に示した磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した
磁気記録再生装置の概略構成図である。
【図１０】スピンバブル素子の説明図である。
【符号の説明】
１１ スピンバブル素子 １２ シールド １４ 磁気抵抗効果型ヘッド １５ 磁気記録媒体 １６ 制御系 ２０ 基板 ２１、２５ Ｔａ層 ２２ ＮｉＦｅ層 ２３ ＣｏＦｅＢ層 ２４ ＩｒＲｈＭｎ層 ２６ Ｃｕ中間層 ３１ 下地 ３２ 自由層 ３３ 中間層 ３４ 固定層 ３５ 反強磁性層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁性層と、前記磁性層と交換結合する反
    強磁性層とを含む磁気抵抗効果素子において、 前記反強磁性層がＩｒとＲｈとＭｎとからなる材料であ
    って、Ｉｒの含有率が２〜６原子％であり、かつ、Ｍｎ
    の含有率が７１〜７８原子％である材料、或いは、Ｉｒ
    の含有率が２〜１２原子％であり、かつ、Ｍｎの含有率
    が７８〜８４原子％である材料で構成されていることを
    特徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. 【請求項２】 前記反強磁性層を構成する材料のＲｈ含
    有率が１２〜１６原子％であることを特徴とする請求項
    １記載の磁気抵抗効果素子。
  3. 【請求項３】 前記反強磁性層の膜厚が、６〜１２ｎｍ
    であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
    磁気抵抗効果素子。
  4. 【請求項４】 前記反強磁性層の膜厚が、８〜１０ｎｍ
    であることを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果素
    子。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
    載の磁気抵抗効果素子を含むことを特徴とする磁気抵抗
    効果型ヘッド。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の磁気抵抗効果型ヘッドを
    備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
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